JPH02312259A - 半導体ウエハ検査治具 - Google Patents
半導体ウエハ検査治具Info
- Publication number
- JPH02312259A JPH02312259A JP1133227A JP13322789A JPH02312259A JP H02312259 A JPH02312259 A JP H02312259A JP 1133227 A JP1133227 A JP 1133227A JP 13322789 A JP13322789 A JP 13322789A JP H02312259 A JPH02312259 A JP H02312259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- recess
- inspection jig
- inspection
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハの裏面部分を検査するために
使用される半導体ウェハ検査治具に関するものである。
使用される半導体ウェハ検査治具に関するものである。
第３図は従来のこの種の半導体ウェハ（以下ウェハとい
う）検査治具を示す断面図であり、図において、１はウ
ェハを支持する検査板、２はこの検査板に設けた円形状
の凹部、３はこの凹部の底面にＵ置されたウェハである
。
う）検査治具を示す断面図であり、図において、１はウ
ェハを支持する検査板、２はこの検査板に設けた円形状
の凹部、３はこの凹部の底面にＵ置されたウェハである
。
次に動作について説明する。ウェハ３を支持する検査板
１に設けられた円形状の凹部２にウェハ３を載せること
により、ウェハ３を１枚ずつ持ち運びして、そのまま表
面を裸眼及び顕微鏡等で検査する。
１に設けられた円形状の凹部２にウェハ３を載せること
により、ウェハ３を１枚ずつ持ち運びして、そのまま表
面を裸眼及び顕微鏡等で検査する。
従来の半導体ウェハ検査治具は、第３図のように凹部２
が直角に設けられているので、ウェハを載せた場合、ウ
ェハの裏面が検査板に全面で接触し、このため裏面が汚
染され、またウェハの裏面を検査する場合は表面が圧迫
され、傷つき汚染されるなどの問題点があった。
が直角に設けられているので、ウェハを載せた場合、ウ
ェハの裏面が検査板に全面で接触し、このため裏面が汚
染され、またウェハの裏面を検査する場合は表面が圧迫
され、傷つき汚染されるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものでウェハを載せた場合、ウェハが検査板上で点で
支持され、ウェハの表面と裏面の両方を検査できる半導
体ウェハ検査治具を得ることを目的とする。
たものでウェハを載せた場合、ウェハが検査板上で点で
支持され、ウェハの表面と裏面の両方を検査できる半導
体ウェハ検査治具を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体ウェハ検査治具は、ウエハを載せ
る円形状の凹部をすり鉢状に形成したものである。
る円形状の凹部をすり鉢状に形成したものである。
この発明における半導体ウェハ検査治具は、すり鉢状の
凹部にウェハを載せることにより、ウェハが点で支持さ
れ、ウェハの表面と裏面の両方が検査できる。
凹部にウェハを載せることにより、ウェハが点で支持さ
れ、ウェハの表面と裏面の両方が検査できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図、第２図において、１はウェハを支持する検査板、２
ａはこの検査板に設けなすり鉢状の円形の凹部、３はこ
の凹部２ａに支持されたウェハである。
図、第２図において、１はウェハを支持する検査板、２
ａはこの検査板に設けなすり鉢状の円形の凹部、３はこ
の凹部２ａに支持されたウェハである。
次に作用について説明する。第１図、第２図のようにウ
ェハ３をすり鉢状凹部２ａに載せ、ウェハの表面だけで
なく、裏面を上側にして載せることにより、裏面も検査
することができる。
ェハ３をすり鉢状凹部２ａに載せ、ウェハの表面だけで
なく、裏面を上側にして載せることにより、裏面も検査
することができる。
以上のようにこの発明によれば、半導体ウェハ検査治具
のウェハ支持板にすり鉢°状の凹部を設けたことにより
、ウェハの表面と裏面を圧迫したり、傷つけたり、汚染
したすせずに、ウェハの表面と裏面を検査することがで
き、検査時の品質低下を防止する効果がある。
のウェハ支持板にすり鉢°状の凹部を設けたことにより
、ウェハの表面と裏面を圧迫したり、傷つけたり、汚染
したすせずに、ウェハの表面と裏面を検査することがで
き、検査時の品質低下を防止する効果がある。
第１図、第２図はこの発明の一実施例による半導体ウェ
ハ検査治具の平面図および断面図、第３図は従来の半導
体ウェハ検査治具の断面図である。 図中、１はウェハ検査板、２ａは凹部、３はウェハであ
る。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
ハ検査治具の平面図および断面図、第３図は従来の半導
体ウェハ検査治具の断面図である。 図中、１はウェハ検査板、２ａは凹部、３はウェハであ
る。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体ウェハを検査する際に使用する半導体ウェハ検査
治具において、上記半導体ウェハを載せる検査板にすり
鉢状の凹部を形成し、この凹部内に半導体ウェハを底面
から浮かせた状態で載置するようにしたことを特徴とす
る半導体ウェハ検査治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133227A JPH02312259A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体ウエハ検査治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133227A JPH02312259A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体ウエハ検査治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312259A true JPH02312259A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15099704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133227A Pending JPH02312259A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 半導体ウエハ検査治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02312259A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306345A (en) * | 1992-08-25 | 1994-04-26 | Particle Solutions | Deposition chamber for deposition of particles on semiconductor wafers |
| US5325730A (en) * | 1991-09-12 | 1994-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Thin film sampler for film composition quantitative analysis |
| JP2010212666A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-09-24 | Sumco Corp | ウェーハ表面測定装置 |
| JP2019087706A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | ウエハ容器 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1133227A patent/JPH02312259A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5325730A (en) * | 1991-09-12 | 1994-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Thin film sampler for film composition quantitative analysis |
| US5306345A (en) * | 1992-08-25 | 1994-04-26 | Particle Solutions | Deposition chamber for deposition of particles on semiconductor wafers |
| JP2010212666A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-09-24 | Sumco Corp | ウェーハ表面測定装置 |
| JP2019087706A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | 三菱電機株式会社 | ウエハ容器 |
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