JPS6247940A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS6247940A JPS6247940A JP60187608A JP18760885A JPS6247940A JP S6247940 A JPS6247940 A JP S6247940A JP 60187608 A JP60187608 A JP 60187608A JP 18760885 A JP18760885 A JP 18760885A JP S6247940 A JPS6247940 A JP S6247940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- clamping plate
- semiconductor
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハーをセットした円形ディスクを高
速で回転しながらイオン注入を行うイオン注入装置に関
する。
速で回転しながらイオン注入を行うイオン注入装置に関
する。
近年、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハー
にイオン注入を行う際に、第２図に示した様な円形ディ
スク１に複数枚の半導体ウェハー２，２・・・をホルダ
ー３にセットし、このディスクｌを高速回転させながら
イオン注入を行うイオン注入装置が広く使われている。
にイオン注入を行う際に、第２図に示した様な円形ディ
スク１に複数枚の半導体ウェハー２，２・・・をホルダ
ー３にセットし、このディスクｌを高速回転させながら
イオン注入を行うイオン注入装置が広く使われている。
従来、このようなディスクに半導体ウェハーをセットす
る方法としては、第３図に示すようにディスクに固定さ
れたホルダー３の台４の上に半導体ウェハー２がディス
クと並行な方向へ移動しないように固定する数本のウェ
ハー固定ビン４ａを取り付け、更に半導体ウェハー２が
ディスクと垂直な方向に動かないように、クランバー４
ｂでウェハー２をホルダーの台４に抑え付ける方法や、
第４図に示すようにディスクｌに半導体ウェハー２より
少し大きい溝・１０′Ｘ！：つくり、そこに半導体ウェ
ハー２を入れて上かちクランバー４ｄで固定する方法な
どが取られていた。
る方法としては、第３図に示すようにディスクに固定さ
れたホルダー３の台４の上に半導体ウェハー２がディス
クと並行な方向へ移動しないように固定する数本のウェ
ハー固定ビン４ａを取り付け、更に半導体ウェハー２が
ディスクと垂直な方向に動かないように、クランバー４
ｂでウェハー２をホルダーの台４に抑え付ける方法や、
第４図に示すようにディスクｌに半導体ウェハー２より
少し大きい溝・１０′Ｘ！：つくり、そこに半導体ウェ
ハー２を入れて上かちクランバー４ｄで固定する方法な
どが取られていた。
上述した従来の半導体ウェハーをディスクに固定する方
法は、ディスクが高速で回転して半２．１体ウェハーが
遠心力でディスクの外周方向へ引きつけられた時に、半
導体ウェハーを支える部分が１点か２点しかない。つま
り第３図の場合、ディスク外周側の２本のウェハー固定
ビン・１ｃＬと半導（本つ二か−２の接する２点で半導
体ウェハー２の遠心力を支え、第４図の場合はウェハー
をセットする円形の溝４ｃと半導体ウェハー２が接する
接点４ｅの１点のみで半導体ウェハー２の遠心力を支え
ることになる。
法は、ディスクが高速で回転して半２．１体ウェハーが
遠心力でディスクの外周方向へ引きつけられた時に、半
導体ウェハーを支える部分が１点か２点しかない。つま
り第３図の場合、ディスク外周側の２本のウェハー固定
ビン・１ｃＬと半導（本つ二か−２の接する２点で半導
体ウェハー２の遠心力を支え、第４図の場合はウェハー
をセットする円形の溝４ｃと半導体ウェハー２が接する
接点４ｅの１点のみで半導体ウェハー２の遠心力を支え
ることになる。
半導体ウェハーの大きさが小さい場合は、このように遠
心力を支える部分の面積が狭くても、遠心力がそれほど
大きくならないので、問題はない。
心力を支える部分の面積が狭くても、遠心力がそれほど
大きくならないので、問題はない。
しかし、半導体ウェハーの半径が大きくなると、ディス
クの回転数が同じ場合、半導体ウェハーに働く遠心力は
半導体ウェハーの質量に比例して大きくなり、このまま
では半導体ウェハーを支えるごく狭い領域に大きな力が
加わり、ウェハーのカケやワレなどの破損が生じ、半導
体装置製造の歩留りを減少させてしまう。
クの回転数が同じ場合、半導体ウェハーに働く遠心力は
半導体ウェハーの質量に比例して大きくなり、このまま
では半導体ウェハーを支えるごく狭い領域に大きな力が
加わり、ウェハーのカケやワレなどの破損が生じ、半導
体装置製造の歩留りを減少させてしまう。
本発明は半導体ウェハーをセットしたディスクが高速で
回転中に、半導体ウェハーに働く遠心力で半導体ウニ八
−が破損するのを防止したイオン注入装置を提供するも
のである。
回転中に、半導体ウェハーに働く遠心力で半導体ウニ八
−が破損するのを防止したイオン注入装置を提供するも
のである。
本発明はイオン主人を行う半導体ウェハーを高速回転さ
せるウェハーホルダーに装着してなるイオン注入装置に
おいて、前記ウェハーホルダーに、半導体ウェハーとの
接触面積全拡大するウニバー固定板と、ウェハー固定板
への外力を分散さぜるダンパーとを設けたことを特徴と
する・イオン注入装置である。
せるウェハーホルダーに装着してなるイオン注入装置に
おいて、前記ウェハーホルダーに、半導体ウェハーとの
接触面積全拡大するウニバー固定板と、ウェハー固定板
への外力を分散さぜるダンパーとを設けたことを特徴と
する・イオン注入装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明を第２図のようなディスクのホルダー２
に適用した一実施例の平面図である。
に適用した一実施例の平面図である。
第１図において、ウェハー固定板５は半導体ウェハー２
が紙面と平行な方向に動くのを防ぐためのもので、適当
な強度を持ち、半導体ウェハー２がディスク回転中の遠
心力などでウェハー固定板５に強く押しつけられたとき
に適当に変形して、半導体ウェハー２とウェハー固定板
５との接触面積が広くなるようにしである。又、ウェハ
ー固定板５は、ホルダー３の台４には直接固定されてお
らず、板バネ６と固定ビン４ａｆ通して固定さ九ている
。板バネ６は適当な弾性を持ってウェハー固定板５ｆ、
固定ビン４ｃＬに固定する役目を持っており、半導体ウ
ェハー２が強くウェハー固定板５に押しつけられたとき
にウェハー固定板５が適当に移動して衝撃を少なくする
ダンパーの役割りを果たす。
が紙面と平行な方向に動くのを防ぐためのもので、適当
な強度を持ち、半導体ウェハー２がディスク回転中の遠
心力などでウェハー固定板５に強く押しつけられたとき
に適当に変形して、半導体ウェハー２とウェハー固定板
５との接触面積が広くなるようにしである。又、ウェハ
ー固定板５は、ホルダー３の台４には直接固定されてお
らず、板バネ６と固定ビン４ａｆ通して固定さ九ている
。板バネ６は適当な弾性を持ってウェハー固定板５ｆ、
固定ビン４ｃＬに固定する役目を持っており、半導体ウ
ェハー２が強くウェハー固定板５に押しつけられたとき
にウェハー固定板５が適当に移動して衝撃を少なくする
ダンパーの役割りを果たす。
固定ビン４ａはウェハー固定板５と板バネ６とをホルダ
ー３の台４に固定するためのものである。
ー３の台４に固定するためのものである。
クランパー１は半導体ウェハー２が紙面と垂直な方向に
動かないように抑えつけるためのものである・ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、半導体ウェハーにはたら
く遠心力などを支える部分に接触面積を広くするための
ウェハー固定板と、ダンパーとなる板バネを設けること
により、イオン注入中に半導体ウェハーが破損するのを
防止する効果がある・４
動かないように抑えつけるためのものである・ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、半導体ウェハーにはたら
く遠心力などを支える部分に接触面積を広くするための
ウェハー固定板と、ダンパーとなる板バネを設けること
により、イオン注入中に半導体ウェハーが破損するのを
防止する効果がある・４
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は第１
図及び第３．第４図に示すクランプを乗せた高電流イオ
ン注入装置に使われるディスクの平面図、第３図は第２
図に示すホルダーの従来例の平面図、第４図は第２図に
示すホルダーの従来例の平面図である。 １・・・クランパー ２・・・半導体ウェハー３
、’７エハーホルダー ４・・・ウェハーホルダー
の台５・・・ウェハー固定板 ６・・・板バネ（ダン
パー）特許出願人 日本電気株式会社 第２図 （イ。 第４図
図及び第３．第４図に示すクランプを乗せた高電流イオ
ン注入装置に使われるディスクの平面図、第３図は第２
図に示すホルダーの従来例の平面図、第４図は第２図に
示すホルダーの従来例の平面図である。 １・・・クランパー ２・・・半導体ウェハー３
、’７エハーホルダー ４・・・ウェハーホルダー
の台５・・・ウェハー固定板 ６・・・板バネ（ダン
パー）特許出願人 日本電気株式会社 第２図 （イ。 第４図
Claims (1)
- （１）イオン注入を行う半導体ウェハーを高速回転させ
るウェハーホルダーに装着してなるイオン注入装置にお
いて、前記ウェハーホルダーに、半導体ウェハーとの接
触面積を拡大するウェハー固定板と、ウェハー固定板へ
の外力を分散させるダンパーとを設けたことを特徴とす
るイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187608A JPS6247940A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187608A JPS6247940A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247940A true JPS6247940A (ja) | 1987-03-02 |
| JPH0530017B2 JPH0530017B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=16209086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60187608A Granted JPS6247940A (ja) | 1985-08-27 | 1985-08-27 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204345A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Seiko Instr & Electron Ltd | イオン注入装置 |
| US5095300A (en) * | 1990-03-28 | 1992-03-10 | Nec Electronics Inc. | Device for sensing side positioning of wafers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57136755A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-23 | Ulvac Corp | Disc operating device for ion implanting device |
| JPS60109327U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体用イオン注入装置の半導体ウエ−ハ支持機構 |
-
1985
- 1985-08-27 JP JP60187608A patent/JPS6247940A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57136755A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-23 | Ulvac Corp | Disc operating device for ion implanting device |
| JPS60109327U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体用イオン注入装置の半導体ウエ−ハ支持機構 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01204345A (ja) * | 1988-02-09 | 1989-08-16 | Seiko Instr & Electron Ltd | イオン注入装置 |
| US5095300A (en) * | 1990-03-28 | 1992-03-10 | Nec Electronics Inc. | Device for sensing side positioning of wafers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530017B2 (ja) | 1993-05-07 |
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