JPS60109327U - 半導体用イオン注入装置の半導体ウエ−ハ支持機構 - Google Patents

半導体用イオン注入装置の半導体ウエ−ハ支持機構

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JPS60109327U
JPS60109327U JP19877783U JP19877783U JPS60109327U JP S60109327 U JPS60109327 U JP S60109327U JP 19877783 U JP19877783 U JP 19877783U JP 19877783 U JP19877783 U JP 19877783U JP S60109327 U JPS60109327 U JP S60109327U
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JP
Japan
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semiconductor wafer
semiconductor
wafer support
ion implantation
support mechanism
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Pending
Application number
JP19877783U
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English (en)
Inventor
長本　卓司
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はイオン注入装置の一部を示す断面図、第２図は
従来のウェーハ支持機構の正面図、第３図はこの考案の
１実施例のウェーハ支持機構の正面図、第４図は第３図
に示す機構の断面図、第５　　　。 図は第３図ないし第４図の機構におけ名ウェーハ支持体
の斜視図である。 ２・・・・・・ウェーハ、１１・・・ウェーハ支持機構
の取　　　。 着板、１２・・・・・・半導体ウェーハ支持体、１２ａ
・・・・・・半導体ウェーハ支持体の斜面、１２ｂ・・
・・・・緩衝板、１３・・・・・・半導体ウェーハ支持
体の軸、１４・・・・・・ギヤ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一対で対向面が上方に広い間隔の斜面に形成されこの斜
    面間に半導体ウェーハをその周縁で支持する半導体ウェ
    ーハ支持体と、前記半導体ウェーハ支持体を鏡の像の相
    関に回転させて両斜面の傾斜を相対的に変える半導体ウ
    ェーハ支持体の回転機構と、前記半導体ウェーハ支持体
    の斜面に設けられた緩衝部材とからなる半導体用イオン
    注入装置の半導体ウェーハ支持機構。
JP19877783U 1983-12-27 1983-12-27 半導体用イオン注入装置の半導体ウエ−ハ支持機構 Pending JPS60109327U (ja)

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JPS60109327U true JPS60109327U (ja) 1985-07-25

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JP (1) JPS60109327U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6247940A (ja) * 1985-08-27 1987-03-02 Nec Corp イオン注入装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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