JPH0414848A - Icの製造工程における半導体ウエハのチャック機構 - Google Patents

Icの製造工程における半導体ウエハのチャック機構

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JPH0414848A
JPH0414848A JP2117484A JP11748490A JPH0414848A JP H0414848 A JPH0414848 A JP H0414848A JP 2117484 A JP2117484 A JP 2117484A JP 11748490 A JP11748490 A JP 11748490A JP H0414848 A JPH0414848 A JP H0414848A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
resin sheet
small holes
chuck mechanism
chuck
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JP2117484A
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English (en)
Inventor
Saburo Sekida
関田 三郎
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Shibayama Kikai Co Ltd
Original Assignee
Shibayama Kikai Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ICの製造工程において平面研削盤等の真空
吸着機構を有するチャック機構の上面へ半導体ウェハを
チャックする機構に関するもので、詳しくは半導体ウェ
ハの表面へ数回の製造工程を加えて、導電性の例えばア
ルミ等の金属によって所要な金属配線を形成した後に半
導体ウェハの裏面を更に平面研削して極薄化を図るため
のチャック機構に関するものである。
〔従来技術とその問題点〕
周知の如く、ICは例えば2閣角のシリコン結晶片の上
にトランジスターや抵抗等の回路素子を1000個以上
も含んだ回路を70■φのシリコンウェハの中に数百値
も製造することができ、然も、写真蝕刻の技術によって
、精密なネガを作成することによって、無限に複製する
ことが可能である。
従来、この種の真空吸着機能を備えたチャック機構はポ
ーラスセラミック等の多孔質物質、又は、セラミックに
多数の小孔を設け、下方より真空ポンプで負圧をかけて
吸着させる機構と成っており。
一方、半導体ウェハの表面へはアルミ等の軟質の金属で
配線が形成されているが、該配線は露出して若干突出し
た状態で形成されており、半導体ウェハの裏面を研削す
るために、平面研削盤のチャック機構の上面へ吸着させ
るには配線を形成した半導体ウェハの表面の全面にテー
プ等を貼着する。
か、或いは、全面に若干厚さを有して塗付材を塗付して
平坦状とし、該半導体ウェハの表面をチャックして裏面
を平面研削していたが、半導体ウェハそのものが予め薄
く製造されているためためチャック面へ真空吸着すると
、テープ等又は塗付材を均一に且つ平坦に貼着又は塗付
しないと下方からの負圧のために、アルミ等の軟質の金
属で形成された配線が潰れたり、突出成形された金属の
基部の半導体ウェハにクラックが生じたりすることが屡
々あり、更に、これに使用するテープ又は塗布材はその
都度の使い捨てである上に、研削後にテープ又は塗付材
を剥がすのに手間暇かかる作業と成っていた。
特に、近年における重合させて多層としたICの配線端
子は配線よりも嵩高に突出しているために、分厚く貼着
、塗付を繰り返さねばならない等の問題点があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鋼の結果、前述の問
題点を解消するものであって、導電性の軟質金属で形成
された配線を傷付けること無く、作業能率を大幅にアッ
プさせ、使い捨てのテープ又は塗付材を不要とし、コス
トダウンを図るチャック機構を提供する目的である。
〔発明の構成〕
本発明の構成は、チャック機構へは凹陥部を形設し、凹
陥部へはチャック本体を回転自在に回転軸へ軸承固定し
、該回転軸へ排気口を形成し、チャック本体へは間隙部
を設けて乗載台を嵌着させる共に、乗載台へは多列環状
群と成る乗載台小孔を貫通させて多数穿設し、乗載台の
上面の全面へ樹脂製シートを敷設し、樹脂製シートへ載
置する半導体ウェハの内側へ位置する乗載台小孔と連通
ずる樹脂製シート小孔を穿設した構成である。
〔実施例〕
斯る目的を達成した本発明の半導体ウェハAのチャック
機構を実施例の図面によって説明する。
第11!iは本発明の実施例で樹脂製シートと半導体ウ
ェハとをチャック機構の乗載台の上面へ載置した状態の
断面説明図であり、第2図はその平面説明図であり、第
3vlは半導体ウェハの表面に配線を施した拡大斜視図
であり、第4図は要部の拡大断面説明図である。
本発明は、ICの製造工程において平面研削盤等の真空
吸着機構(wI示しない)を有するチャック機構1の上
面へ半導体ウェハAをチャックする機構に関するもので
、詳しくは半導体ウェハAの表面へ数回の製造工程を施
して、導電性の金属による例えばアルミ蒸着させて所要
な金属配線Bを形成した後に半導体ウェハAの裏面を更
に平面研削して極薄化を図るためのチャック機構1に関
するものであり1表面へ配、iiB及び配線端子Cを露
呂させて形成した半導体ウェハAの裏面を平面研削する
ためのチャック機構1であって、前記チャック機構1へ
は円筒状の凹陥部2を形設し1M凹陥部2へはチャック
本体3を回転自在に回転軸4へ軸承固定し、該回転軸4
の中心を貫通し真空吸着機構へ連通する排気口5を形成
し5前記チャック本体3の底面へは間隙部6を設けて円
盤状の乗載台7を嵌着させると共に、前記乗載台7へは
同心状の多列環状群と成る乗載台小孔8を縦方向に貫通
させて多数穿設し、該乗載台7の上面の全面へ柔軟性を
有する樹脂製シート9を敷設し、該樹脂製シート9へ載
置する半導体ウェハAの外周の内側へ位置する前記乗載
台小孔8と連通する樹脂製シート小孔10を穿設したも
のである。
−殻内なICの製造方法は、先ず、シリコンの半導体ウ
ェハAの表面へ一様に酸化膜を形成して、その上から特
殊な感光膜を塗り、所要の埋込層のトランジスター、抵
抗、ダイオード、又は、コンデンサ等の形状配置の図形
の像を撮ったマスクを形成して、このマスクを用いて半
導体ウェハAの感光膜に対して露光焼付け、現像、その
後に化学腐食を行なって所要部分の酸化膜を除去し、次
に、前記半導体ウェハAを拡散炉に入れ不純物を浸透拡
散させて所要の埋込層を形成し1次いで、エピタキシャ
ル成長法によってエピタキシャル結晶層の形成、気相の
化学反応によるシリコンの析呂を利用して半導体ウェハ
A上に単結晶層を形成させるものである。
そして、前記エピタキシャル結晶層の表面を酸化させ、
写−真蝕刻により、所要部分だけ酸化膜を残して所要の
機能部分を形成し、更に、この様な工程を数回繰返して
、所要機能部分から端子Cを露呂させて、半導体ウェハ
Aの全面にアルミ蒸着させて、写真蝕刻法によって必要
な部分を残して蝕刻し配線B及び配線端子Cを形成する
ものであるが、前述の単結晶層を形成させた残りの半導
体ウェハAの裏面に不要な厚み部分ができ、その厚み部
分を更に平面研削するために創作したものである。
即ち、本発明は前述のように半導体ウェハAの表面へ数
回の製造工程を施して形成された、導電性の金属の配線
B及び配線端子Cを潰したり、必要以外の応力をかける
ことなく、半導体ウェハAの裏面を更に平面研削しする
平面研削盤等の真空吸着機構を有するチャック機構1の
上面ヘチャックするチャック機構1に関するものである
本発明のチャック機構1は円筒状の凹陥部2を形設し、
該凹陥部2へ段部を形成するか1乗載台7の底面へ形成
した底面に間隙部6を設けて円盤状の乗載台7を回転自
在に回転軸4へ軸承固定し5該回転軸4の中心を貫通し
真空吸着機構(図示しない)へ連通する排気口5を形成
したものである。
そして、乗載台7へは縦方向に貫通させて多数の乗載台
小孔8を穿設するものであるが、例えば4インチ、5イ
ンチ、6インチ等のサイズの相違する半導体ウェハAの
内側へ位置するように穿設するもので、各サイズの半導
体ウェハAの外周縁の内側近傍へ等間隔で環状に穿設し
た環状群と成して、更に、その内側へは任意の同心状の
環状群を多列として配設したものである。
次に、前記乗載台7の上面の全面へ適宜な厚みと柔軟性
を有する樹脂製シート9を敷設し、該樹脂製シート9へ
載置する半導体ウェハAの外周縁の内側へ位置する乗載
台7へ穿設した多数の乗載台小孔8と連通する樹脂製シ
ート小孔10を穿設したものである。
前記樹脂シート9へ穿設する樹脂シート小孔10は鋭利
な針状の治具を加熱して昇温させて、穿設した樹脂シー
ト小孔10の周囲を溶かす状態で、且つ1乗載台小孔8
より小径として機械的手段。
手作業的手段で穿設すれば、m脂製シート9の上へパリ
ができないものである。
つまり1本発明はチャック機構1の乗載台7の上に、先
ず、樹脂シート9を全面へ敷設し、平面研削する半導体
ウェハAのサイズの外径より内側へ位置する全ての載置
台に穿設された載置台小孔と連通ずる樹脂製シート小孔
10を穿設し、前記半導体ウェハAを中心へ載置し、真
空吸着機構を作動させると排気口5から排気され、該排
気口5と間隙部6と乗載台小孔8と樹脂シート小孔10
とは連通状態と成っており、負圧によって半導体ウェハ
Aの表面が確りと吸着させるものであり、チャック機@
1の回転と上方からの研削砥石によって研削されるもの
であり、樹脂製シート9は単品毎の半導体ウェハAの研
削で取替える必要はなく、更に、樹脂製シート9に穿設
する樹脂製シート小孔10は例えば4インチの半導体ウ
ェハAを平面研削する場合には、その内側のみに位置す
る樹脂製シート小孔1oを乗載台小孔8へ連通させれば
良く、樹脂製シート小孔1oを穿設していない半導体ウ
ェハAの外方の乗載台小孔8は樹脂製シート9で閉鎖さ
れるもので、半導体ウェハAのサイズが変わる度にチャ
ック機構1そのものを変える必要もなく、一つのチャッ
ク機構1で大小サイズの相違する半導体ウェハAのチャ
ックも可能である。
〔発明の効果〕
本発明のチャック機構によってチャックし研削した半導
体ウェハは、ICの重要な表面の配線Bを傷つけること
無く、基板の裏面の不要と成った厚み部分を研削してI
Cの極薄化が図れるものであり作業能率を大幅にアップ
し、更に、半導体ウェハのサイズに合わせて樹脂性シー
ト小孔10を穿設することができるためのチャック機構
の半導体ウェハのサイズに合わせての交換が不要と成り
、加えて、従来使い捨てていたテープ又は塗布材を不要
としたものであり、其の貢献性は計り知れないものがあ
り、極めて有意義な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例で樹脂製シートと半導体ウェハ
とをチャック機構の乗載台の上面へ載置した状態の断面
説明図である。 第2図はその平面説明図である。 第4図は半導体ウェハの表面に配線を施した拡大斜視図
である。 第3図は要部の拡大断面説明図である。 八−半導体ウェハ、B−配線、C−配線端子。 1−チャック機構、2−凹陥部、3−チャック本体、4
−回転軸、5−排気口、6−間隙部、7−乗載台、8−
乗載台小孔、9−樹脂性シート、1〇−樹脂性シート小
孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 表面へ配線及び配線端子を露出させて形成した半導体ウ
    ェハの裏面を平面研削するためのチャック機構であって
    、 前記チャック機構へは円筒状の凹陥部を形設し、該凹陥
    部へはチャック本体を回転自在に回転軸へ軸承固定し、
    該回転軸の中心を貫通し真空吸着機構へ連通する排気口
    を形成し、前記チャック本体の底面へは間隙部を設けて
    円盤状の乗載台を嵌着させると共に、前記乗載台へは同
    心状の多列環状群と成る乗載台小孔を縦方向に貫通させ
    て多数穿設し、該乗載台の上面の全面へ柔軟性を有する
    樹脂製シートを敷設し、該樹脂製シートへ載置する半導
    体ウェハの外周の内側へ位置する前記乗載台小孔と連通
    する樹脂製シート小孔を穿設したことを特徴とするIC
    の製造工程における半導体ウェハのチャック機構。
JP2117484A 1990-05-09 1990-05-09 Icの製造工程における半導体ウエハのチャック機構 Pending JPH0414848A (ja)

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