WO2020003722A1 - ＳｉＣ部材 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a SiC member having a concave portion on the surface and a method for manufacturing the same.
  • a SiC member containing SiC (Silicon Carbide; silicon carbide) has excellent properties such as high durability, high acid resistance, and low specific resistance, and is widely used as a component used in a semiconductor manufacturing apparatus.
  • Some of such SiC members have a concave portion on the surface as an accommodating portion for accommodating a wafer to be processed.
  • Patent Literature 1 discloses that a SiC member having a concave portion on the surface is used as a focus ring used in a plasma etching apparatus. Strict specifications such as high durability and high purity are required for the SiC member.
  • Patent Document 1 discloses a SiC member using CVD-SiC having excellent physical and chemical properties.
  • CVD-SiC refers to SiC formed by CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • Semiconductor manufacturing equipment may cause wafer product defects due to slight processing variations.
  • a semiconductor manufacturing apparatus handles a large number of wafers in a factory, the problem of defective products of a wafer may spread not only to a single wafer but also to a large number of wafers. Therefore, users of the semiconductor manufacturing apparatus strictly control the quality of the semiconductor manufacturing apparatus and the components used therein.
  • the SiC member is formed into a desired shape and dimensions by grinding the SiC plate.
  • the SiC plate is formed to be relatively thick, for example, by repeating CVD a plurality of times, and as a result, has a multilayer structure including a plurality of SiC layers.
  • the recess on the surface of the SiC member is formed by counterboring the SiC plate. At this time, the interface between the upper and lower SiC layers may appear on the bottom surface of the recess. In some cases, such an interface may cause a concern for a user of the semiconductor manufacturing apparatus.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a technique for ensuring a good appearance of a SiC member.
  • a first aspect has a first upper surface and a first lower surface, the first upper surface has a first SiC layer having irregularities, a second upper surface and a second lower surface, A second SiC layer having an unevenness corresponding to the unevenness of the first upper surface, wherein the second lower surface is in contact with the first upper surface, and wherein the second SiC layer is formed from the second upper surface to the second lower surface. It is conceivable that there is a concave portion having a flat bottom surface that is concave toward the side, and the bottom surface of the concave portion is located above the second lower surface.
  • the first upper surface of the first SiC layer and the second lower surface of the second SiC layer form an interface. Since the first upper surface has irregularities and the second lower surface has corresponding irregularities, the interface between the first upper surface and the second lower surface also has irregularities. According to the first aspect, no interface appears on the bottom surface of the concave portion. Therefore, the appearance of the SiC member can be satisfactorily ensured.
  • the unevenness corresponding to the unevenness means that one is convex and the other is concave such that the other is concave. Note that terms such as “upper surface”, “lower surface”, “upper”, “lower”, and the like do not define the orientation when using the SiC member.
  • the semiconductor device further includes a third SiC layer having a third upper surface and a third lower surface, wherein the third upper surface is in contact with the first lower surface, and the bottom surface of the concave portion is , The first lower surface is separated by a first distance, and the third lower surface is separated from the first lower surface by a second distance that is the same as the first distance.
  • the first upper surface and the second lower surface form a first interface
  • the first lower surface and the third upper surface form a second interface
  • the second distance is the same as the first distance, so that the second interface does not appear on the third lower surface as well as the first interface does not appear on the bottom surface of the concave portion.
  • the first lower surface may have irregularities
  • the third upper surface may have irregularities corresponding to the irregularities of the first lower surface
  • the unevenness of the first upper surface is formed by a generally curved surface of the first upper surface.
  • the SiC member may be a susceptor having the concave portion as a receiving portion for receiving a wafer.
  • Schematic sectional view of a susceptor of a comparative example Plan view showing a susceptor of a comparative example
  • the susceptor 1 is a disc-shaped SiC member as shown in FIGS.
  • the susceptor 1 has one or more circular concave portions 9 on the upper surface.
  • susceptor 1 has three recesses 9.
  • the recess 9 is a storage section for storing a wafer.
  • the outer diameter of the susceptor 1 is, for example, 300 mm to 500 mm.
  • the thickness of the susceptor 1 is, for example, 1 mm to 4 mm.
  • the inner diameter of the recess 9 is, for example, 100 mm to 300 mm. As shown in FIG.
  • the susceptor 1 includes a first SiC layer 3 having a first upper surface 11 and a first lower surface 13, and a second SiC layer 5 having a second upper surface 15 and a second lower surface 17.
  • the first upper surface 11 has irregularities.
  • the second lower surface 17 is in contact with the first upper surface 11 and has irregularities corresponding to the irregularities of the first upper surface 11.
  • the second SiC layer 5 has a concave portion 9 having a flat bottom surface 23 that is concave from the second upper surface 15 to the second lower surface 17 side.
  • the unevenness of the first upper surface 11 is formed by a generally curved surface of the first upper surface 11.
  • the first upper surface 11 is a convex surface protruding upward.
  • the protrusion amount of the convex surface is, for example, 50 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the second upper surface 15 is a flat surface.
  • the bottom surface 23 of the recess 9 is substantially parallel to the second upper surface 15.
  • the depth of the recess 9 is, for example, 300 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • the susceptor 1 further includes a third SiC layer 7 having a third upper surface 19 and a third lower surface 21.
  • the third upper surface 19 is in contact with the first lower surface 13.
  • the first lower surface 13 has irregularities.
  • the third upper surface 19 has unevenness corresponding to the unevenness of the first lower surface 13.
  • the unevenness of the first lower surface 13 is formed by a generally curved surface of the first lower surface 13.
  • the first lower surface 13 is a convex surface protruding downward.
  • the protrusion amount of the convex surface is, for example, 50 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the third lower surface 21 is a flat surface substantially parallel to the second upper surface 15.
  • the bottom surface 23 of the concave portion 9 is located higher than the second lower surface 17. That is, the bottom surface 23 of the recess 9 is separated from the first upper surface 11 by the first distance 27. Further, the third lower surface 21 is separated from the first lower surface 13 by a second distance 29 that is the same as the first distance 27. Note that these distances refer to distances on the central axis 25 of the susceptor 1 as shown in FIG.
  • the first distance 27 and the second distance 29 are, for example, 100 ⁇ m to 1000 ⁇ m.
  • the mode of the unevenness of the first upper surface 11 can be known by observing the cut surface of the susceptor 1, it is difficult to know it nondestructively. That is, in the manufacturing process of the susceptor 1, the aspect of the unevenness, that is, the aspect of the interface between the first SiC layer 3 and the second SiC layer 5 is unknown. The same applies to the mode of the unevenness of the first lower surface 13. That is, in the manufacturing process of the susceptor 1, the aspect of the interface between the first SiC layer 3 and the third SiC layer 7 is unknown.
  • the first distance 27 and the second distance 29 are the same. Thereby, the possibility that such an interface appears on the bottom surface 23 of the recess 9 and the possibility that it appears on the third lower surface 21 can be reduced equally.
  • FIG. 4 shows a method of manufacturing the susceptor 1.
  • a disk-shaped graphite substrate 31 is prepared.
  • a lower layer 33 of SiC that entirely covers the graphite substrate 31 is formed by CVD.
  • the lower layer 33 is a layer made of CVD-SiC for forming the third SiC layer 7 of the susceptor 1 shown in FIG.
  • an intermediate layer 35 of SiC that entirely covers the lower layer 33 is formed by CVD.
  • the intermediate layer 35 is a layer made of CVD-SiC for forming the first SiC layer 3 of the susceptor 1.
  • an upper layer 37 of SiC that entirely covers the intermediate layer 35 is formed.
  • the upper layer 37 is a layer made of CVD-SiC for forming the second SiC layer 5 of the susceptor 1.
  • the disc 38 is formed by forming the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 by CVD.
  • the outer peripheral portion of the formed disk 38 is removed by machining to expose the graphite substrate 31, and the graphite substrate 31 and two SiC plates contacting the graphite substrate 31 with the disk-shaped upper and lower surfaces.
  • Form 39 Thereafter, the graphite substrate 31 is removed by gasification by performing a heat treatment of exposing the SiC plate 39 to a high-temperature atmosphere 41. Specifically, carbon in the graphite substrate 31 is reacted with oxygen in the atmosphere to generate carbon dioxide.
  • the susceptor 1 is formed by grinding and counterboring the obtained SiC plate 39.
  • FIG. 5 shows a process for determining the amount of processing performed to form the second upper surface 15 and the third lower surface 21 of the susceptor 1 so that the interface does not appear on the bottom surface 23 of the recess 9 from the SiC plate 39. Is shown.
  • the processing amount from the surface of the upper layer 37 of the SiC plate 39 to the second upper surface 15 is F2 shown in FIG. 5C, and the processing amount from the surface of the lower layer 33 to the third lower surface 21.
  • FIG. 5A is obtained first from the SiC plate 39 formed by the above-described manufacturing method in order to determine the amount of processing performed to form the second upper surface 15 and the third lower surface 21 of the susceptor 1. Indicates the value to be set.
  • the SiC plate 39 includes a lower layer 33, an intermediate layer 35, and an upper layer 37.
  • the thickness of the SiC plate 39 at the central axis 25 is D1
  • the thickness of the outer peripheral surface of the SiC plate 39 is D2.
  • the thickness of the lower layer 33 is A2
  • the thickness of the intermediate layer 35 is B2
  • the thickness of the upper layer 37 is C2.
  • D1 can be measured by micrometer measurement at the center of the SiC plate 39.
  • the thickness A1 of the lower layer 33, the thickness B1 of the intermediate layer 35, and the thickness of the upper layer 37 at the central axis 25 are unknown.
  • FIG. 5B shows values to be determined next in order to determine the amount of processing performed to form the second upper surface 15 and the third lower surface 21 of the susceptor 1.
  • G indicates the thickness of the susceptor 1.
  • H is the depth of the recess 9 and indicates the depth of the counterbore processing.
  • G and H are values determined according to the specifications of the susceptor 1, and are known values. Therefore, first, it is assumed that the processing amount E1 of the lower surface of the lower layer 33 of the SiC plate 39 and the processing amount F1 of the upper surface of the upper layer 37 have the same value. Then, a first distance K1 from the bottom surface 23 of the concave portion 9 to the first upper surface 11 and a second distance J1 from the third lower surface 21 to the first lower surface 13 on the center axis 25 are estimated.
  • the processing amounts E2 and F2 are determined so that the first distance K2 and the second distance J2 are equal to each other, so that the bottom surface 23 of the concave portion 9 is sufficiently provided with respect to the boundary between the intermediate layer 35 and the upper layer 37. A great distance.
  • the third lower surface 21 can have a sufficient distance from the boundary between the intermediate layer 35 and the lower layer 33. This can prevent an interface from appearing on the bottom surface 23 of the recess 9. Further, it is possible to prevent an interface from appearing on the third lower surface 21.
  • FIG. 6A shows a case where the thickness of the central axis 25 of the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 is smaller than the thickness of the outer peripheral surface, and the entire SiC plate has a concave shape.
  • FIG. 6B shows a case in which the thickness of the central axis 25 of the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 is equal to the thickness of the outer peripheral surface, but the entire shape is convex.
  • FIG. 6A shows a case where the thickness of the central axis 25 of the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 is smaller than the thickness of the outer peripheral surface, and the entire SiC plate has a concave shape.
  • FIG. 6B shows a case in which the thickness of the central axis 25 of the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 is equal to the thickness of the outer peripheral surface, but the entire shape is convex.
  • 6C shows a case in which the thickness of the central axis 25 of the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 is equal to the thickness of the outer peripheral surface, but the entire shape is concave.
  • the ratio of the thickness of the lower layer 33, the intermediate layer 35, and the upper layer 37 is the same between the central axis 25 and the outer peripheral surface, and the above calculation method can be applied.
  • the susceptor 1 has been exemplified as the SiC member, the present invention is not limited to this as long as the SiC member has a concave portion.
  • An etcher ring or another CVD-SiC member may be used.
  • the susceptor 51 in the comparative example includes a first SiC layer 53, a second SiC layer 55, a third SiC layer 57, and a recess 59.
  • the recess 59 has a bottom surface 63. On the bottom surface 63, an interface 65 formed by the first SiC layer 53 and the second SiC layer 55 appears.
  • the first upper surface 11 of the first SiC layer 3 and the second lower surface 17 of the second SiC layer 5 form an interface. Since the first upper surface 11 has irregularities and the second lower surface 17 has irregularities corresponding thereto, the interface between the first upper surface 11 and the second lower surface 17 also has irregularities. This interface does not appear on the bottom surface 23 of the recess 9. Therefore, the appearance of the SiC member 1 can be favorably secured.
  • the first upper surface 11 and the second lower surface 17 form a first interface
  • the first lower surface 13 and the third upper surface 19 form a second interface. Since the second distance 29 is the same as the first distance 27, the second interface does not appear on the third lower surface 21 in the same manner as the first interface does not appear on the bottom surface 23 of the concave portion 9.

Abstract

本発明は、ＳｉＣ部材の外観を良好に確保するための技術を提供することを目的とする。本発明は、第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面が凹凸を有する第１ＳｉＣ層と、第２上面と第２下面とを有し、前記第２下面が前記第１上面に接しており前記第１上面の凹凸に対応する凹凸を有する第２ＳｉＣ層と、を備えており、前記第２ＳｉＣ層は、前記第２上面から前記第２下面側へと凹状となっている、平坦な底面を有する凹部を有し、前記凹部の前記底面は、前記第２下面よりも上方に位置することを特徴とするＳｉＣ部材である。

Description

ＳｉＣ部材
　本発明は、表面に凹部を有するＳｉＣ部材およびその製造方法に関する。
　ＳｉＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ；炭化ケイ素）を含有するＳｉＣ部材は、高耐久性、高耐強酸性、低比抵抗などの優れた特性を有し、半導体製造装置に利用される部品として広く利用されている。また、このようなＳｉＣ部材は、処理対象のウェハを収容する収容部として表面に凹部を有するものがある。例えば、特許文献１は、プラズマエッチング装置に利用されるフォーカスリングとして、表面に凹部を有するＳｉＣ部材を利用することを開示している。また、ＳｉＣ部材には、高い耐久性や高い純度など厳しい仕様が要求される。これに対応するため、上記特許文献１は、物理的および化学的特性の優れたＣＶＤ－ＳｉＣを利用したＳｉＣ部材を開示している。ＣＶＤ－ＳｉＣとは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）により形成されるＳｉＣをいう。
特開２０１２－４９２２０号公報
　半導体製造装置は、僅かな処理のばらつきによりウェハの製品不良を引き起こす可能性がある。また、半導体製造装置は、工場内で大量のウェハを扱うため、ウェハの製品不良の問題が、一枚のウェハだけに留まらず、大量のウェハに波及する可能性がある。したがって、半導体製造装置のユーザーは、半導体製造装置およびそれに利用される部品の品質を厳しく管理している。
　ＳｉＣ部材は、ＳｉＣ板の研削加工により所望の形状および寸法に形成される。ＳｉＣ板は、例えば、複数回のＣＶＤを繰り返すことで比較的肉厚に形成され、その結果、複数のＳｉＣ層からなる多層構造を有する。ＳｉＣ部材の表面の凹部は、ＳｉＣ板のザグリ加工により形成される。このとき、凹部の底面に上下のＳｉＣ層の界面が現れることがある。このような界面は、場合によっては、半導体製造装置のユーザーに懸念を与えてしまうことがある。
　本願発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ＳｉＣ部材の外観を良好に確保するための技術を提供することである。
　上記課題を解決するため第１の局面としては、第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面が凹凸を有する第１ＳｉＣ層と、第２上面と第２下面とを有し、前記第２下面が前記第１上面に接しており前記第１上面の凹凸に対応する凹凸を有する第２ＳｉＣ層と、を備えており、前記第２ＳｉＣ層は、前記第２上面から前記第２下面側へと凹状となっている、平坦な底面を有する凹部を有し、前記凹部の前記底面は、前記第２下面よりも上方に位置する、といったものが考えられる。
　この局面においては、第１ＳｉＣ層の第１上面と第２ＳｉＣ層の第２下面とが界面を形成する。そして、第１上面は凹凸を有しており第２下面はそれに対応する凹凸を有するので、第１上面と第２下面との界面も凹凸を有する。第１の局面によれば、凹部の底面に界面は現れない。したがって、ＳｉＣ部材の外観を良好に確保することができる。
　凹凸に対応する凹凸とは、一方が凸の場合に他方が凹というように相補的であることを意味する。なお、上面、下面、上方、下方などの用語は、ＳｉＣ部材の利用時の向きを規定するものではない。
　また、第２の局面のように、さらに、第３上面と第３下面とを有し、前記第３上面が前記第１下面に接している第３ＳｉＣ層を備えており、前記凹部の底面は、前記第１上面から第１距離だけ離れており、前記第３下面は、前記第１下面から前記第１距離と同じ第２距離だけ離れている、というようにすることも考えられる。
　この場合、第１上面と第２下面とが第１界面を形成し、第１下面と第３上面とが第２界面を形成する。第２局面によれば、第２距離は第１距離と同じなので、凹部の底面に第１界面が現れないのと同様に、第３下面にも第２界面が現れない。
　また、第３の局面のように、前記第１下面は凹凸を有し、前記第３上面は前記第１下面の凹凸に対応する凹凸を有する、というようにすることも考えられる。
　また、第４の局面のように、前記第１上面の凹凸は、前記第１上面の全体的に湾曲した面により形成される、というようにすることも考えられる。
　また、第５の局面のように、前記ＳｉＣ部材は、ウェハを収容するための収容部として前記凹部を有するサセプタである、というようにすることも考えられる。
サセプタを示す平面図 サセプタの平面図におけるＡーＡ断面図 サセプタの模式断面図 サセプタの製造過程を示す図 サセプタの上面および下面の位置の決定過程を示す図 別の実施例のＳｉＣ板を示す模式断面図 比較例のサセプタの模式断面図 比較例のサセプタを示す平面図
　以下に本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（１）全体構成
　サセプタ１は、図１、図２に示すように、円板状のＳｉＣ部材である。サセプタ１は、上面に１または複数の円形の凹部９を有する。本実施の形態では、サセプタ１は、３つの凹部９を有する。この凹部９は、ウェハを収容するための収容部である。サセプタ１の外径は、例えば、３００ｍｍから５００ｍｍである。サセプタ１の厚みは、例えば、１ｍｍから４ｍｍである。凹部９の内径は、例えば、１００ｍｍから３００ｍｍである。 
　サセプタ１は、図３に示すように、第１上面１１と第１下面１３とを有する第１ＳｉＣ層３と、第２上面１５と第２下面１７とを有する第２ＳｉＣ層５とを備える。第１上面１１は、凹凸を有する。第２下面１７は、第１上面１１に接しており第１上面１１の凹凸に対応する凹凸を有する。第２ＳｉＣ層５は、第２上面１５から第２下面１７側へと凹状となっている、平坦な底面２３を有する凹部９を有する。本実施の形態では、第１上面１１の凹凸は、第１上面１１の全体的に湾曲した面により形成されている。具体的には、第１上面１１は、上方に向けて突出した凸面である。この凸面の突出量は、例えば、５０μｍから１００μｍである。第２上面１５は、平坦面である。凹部９の底面２３は、第２上面１５に略平行である。凹部９の深さは、例えば、３００μｍから５００μｍである。
　サセプタ１は、さらに、第３上面１９と第３下面２１とを有する第３ＳｉＣ層７を備える。第３上面１９は、第１下面１３に接している。第１下面１３は凹凸を有している。第３上面１９は、第１下面１３の凹凸に対応する凹凸を有する。本実施の形態では、第１下面１３の凹凸は、第１下面１３の全体的に湾曲した面より形成されている。具体的には、第１下面１３は、下方に向けて突出した凸面である。この凸面の突出量は、例えば、５０μｍから１００μｍである。第３下面２１は、第２上面１５と略平行な平坦面である。
　図３に示すように、凹部９の底面２３は、第２下面１７よりも上方に位置する。すなわち、凹部９の底面２３は、第１上面１１から第１距離２７だけ離れている。また、第３下面２１は、第１下面１３から第１距離２７と同じ第２距離２９だけ離れている。なお、これらの距離は、図３に示すように、サセプタ１の中心軸２５上での距離をいう。第１距離２７および第２距離２９は、例えば、１００μｍから１０００μｍである。
　第１上面１１の凹凸の態様は、サセプタ１の切断面の観察により知ることができるものの、非破壊で知ることは困難である。つまり、サセプタ１の製造過程において、凹凸の態様、すなわち、第１ＳｉＣ層３および第２ＳｉＣ層５の界面の態様は、未知である。第１下面１３の凹凸の態様についても同様である。すなわち、サセプタ１の製造過程において、第１ＳｉＣ層３および第３ＳｉＣ層７の界面の態様は、未知である。本実施の形態では、上述のように、第１距離２７および第２距離２９が同じである。これにより、そのような界面が凹部９の底面２３に現れる可能性と第３下面２１に現れる可能性を等しく低減することができる。
（２）製造方法
　図４はサセプタ１の製造方法を示す。
　まず、円板形の黒鉛基板３１を用意する。次に、ＣＶＤにより、黒鉛基板３１を全体的に被覆するＳｉＣの下層３３を形成する。下層３３は、図３に示す、サセプタ１の第３ＳｉＣ層７を形成するＣＶＤ－ＳｉＣからなる層である。下層３３を形成したのち、ＣＶＤにより下層３３を全体的に被覆するＳｉＣの中間層３５を形成する。中間層３５は、サセプタ１の第１ＳｉＣ層３を形成するＣＶＤ－ＳｉＣからなる層である。中間層３５を形成したのち、中間層３５を全体的に被覆するＳｉＣの上層３７を形成する。上層３７は、サセプタ１の第２ＳｉＣ層５を形成するＣＶＤ－ＳｉＣからなる層である。このように、下層３３と、中間層３５、上層３７をＣＶＤにより形成することで、円板３８が形成される。
　次に、形成された円板３８の外周部分を機械加工により除去して、黒鉛基板３１を露出させて、黒鉛基板３１と、黒鉛基板３１に円板形の上下面に接する２枚のＳｉＣ板３９を形成する。その後、ＳｉＣ板３９を高温雰囲気４１に曝す熱処理を実施することで、黒鉛基板３１をガス化により除去する。具体的には、黒鉛基板３１中の炭素を雰囲気中の酸素と反応させて二酸化炭素を生成する。これにより得られたＳｉＣ板３９を研削加工およびザグリ加工して、サセプタ１を形成する。
　図５は、ＳｉＣ板３９から、界面が凹部９の底面２３に現れないように、サセプタ１の第２上面１５と、第３下面２１を形成するために行う加工量を決定するための過程を示している。本実施形態で、ＳｉＣ板３９の上層３７の表面から、第２上面１５までの加工量は、図５（ｃ）に示すＦ２であり、下層３３の表面から、第３下面２１までの加工量は、図５（ｃ）に示すＥ２である。
　図５（ａ）は、上述の製造方法により形成されたＳｉＣ板３９から、サセプタ１の第２上面１５と、第３下面２１を形成するために行う加工量を決定するために、最初に取得すべき値を示している。
　ＳｉＣ板３９は、下層３３と、中間層３５と、上層３７を備える。ここで、ＳｉＣ板３９の中心軸２５における厚さはＤ１であり、ＳｉＣ板３９の外周面における厚さはＤ２である。ＳｉＣ板３９の外周面において、下層３３の厚さはＡ２であり、中間層３５の厚さはＢ２であり、上層３７の厚さはＣ２である。これらの実際の値は、ＳｉＣ板３９の外周面のマイクロスコープ観察により、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２の測定が可能である。また、Ｄ１は、ＳｉＣ板３９の中央のマイクロメータ測定により、測定が可能である。一方、中心軸２５における下層３３の厚さＡ１と、中間層３５の厚さＢ１と、上層３７の厚さは不明である。
　しかし、発明者らの知見によれば、ＣＶＤ－ＳｉＣの成膜の特性により、外周面における下層３３と、中間層３５と、上層３７の厚さの割合は、中心軸２５においても同一である。そこで、Ａ１と、Ｂ１と、Ｃ１は、以下式において予測可能である。
　Ａ１＝Ａ２×Ｄ１／Ｄ２
　Ｂ１＝Ｂ２×Ｄ１／Ｄ２
　Ｃ１＝Ｃ２×Ｄ１／Ｄ２
　図５（ｂ）は、サセプタ１の第２上面１５と、第３下面２１を形成するために行う加工量を決定するために、次に決定すべき値を示している。
　ここで、Ｇはサセプタ１の厚さを示している。Ｈは凹部９の深さであり、ザグリ加工の深さを示す。ＧとＨはサセプタ１の仕様によって決定される値であり、既知な値である。そこで、まず、ＳｉＣ板３９の下層３３の下面の加工量Ｅ１と、上層３７の上面の加工量Ｆ１を同じ値と仮定する。そして、凹部９の底面２３から第１上面１１までの第１距離Ｋ１と、第３下面２１から中心軸２５における第１下面１３までの第２距離Ｊ１を予想する。
　このとき、加工量Ｅ１，Ｆ１を同一の値とすると、第１距離Ｋ１と第２距離Ｊ１が不均衡の場合は、次のように第１距離Ｋ１と第２距離Ｊ１を均等となるように、加工量Ｅ２とＦ２を決定する。
　Ｅ２＝Ｅ１＋（Ｊ１－Ｋ１）／２
　Ｆ２＝Ｆ１－（Ｊ１－Ｋ１）／２
すなわち、上述のように加工量Ｅ２とＦ２を決定することで、図５（ｃ）に示すように、第１距離Ｋ２と第２距離Ｊ２が同じになる。
　このように、第１距離Ｋ２と第２距離Ｊ２が同じになるように加工量Ｅ２とＦ２が決定されることで、中間層３５と上層３７の境界に対して、凹部９の底面２３が十分な距離をとることができる。同様に、中間層３５と下層３３の境界に対して、第３下面２１が十分な距離をとることができる。これにより、凹部９の底面２３に界面が現れることを防止できる。また、第３下面２１に界面が現れることを防止できる。
（３）変形例
　本発明の実施の形態は、以上の実施例に限定されることなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態をとりうることはいうまでもない。
　発明者らの知見によれば、同じ形状の黒鉛基板３１であっても、図６に示すようなＳｉＣ板３９が形成される。図６（ａ）は、下層３３と、中間層３５と、上層３７の中心軸２５の厚さが外周面の厚さより小さく、ＳｉＣ板全体として凹形状となる場合である。図６（ｂ）は、下層３３と、中間層３５と、上層３７の中心軸２５の厚さと外周面での厚さが均等である一方で、全体として凸形状となる場合である。図６（ｃ）は、下層３３と、中間層３５と、上層３７の中心軸２５の厚さと外周面での厚さが均等である一方で、全体として凹形状となる場合である。これらいずれの場合であっても、下層３３と、中間層３５と、上層３７の厚さの割合は、中心軸２５と外周面とで同じであり、上述の計算方法が適応できる。
　上述の実施の形態では第１ＳｉＣ層から第３ＳｉＣ層までの３層で説明したが、これに限定されるものではなく、２層であっても４層以上でもよい。
　ＳｉＣ部材としてサセプタ１を例示したが、凹部を有するＳｉＣ部材であれば、これに限られない。エッチャーリングやその他のＣＶＤ－ＳｉＣ部材であってもよい。
（４）作用，効果
　図７および図８が示すように、比較例におけるサセプタ５１は、第１ＳｉＣ層５３と、第２ＳｉＣ層５５と、第３ＳｉＣ層５７と、凹部５９と、を備える。凹部５９は底面６３を有する。底面６３には、第１ＳｉＣ層５３と第２ＳｉＣ層５５とで形成される界面６５が現れている。
　しかし、本発明の構成であれば、第１ＳｉＣ層３の第１上面１１と第２ＳｉＣ層５の第２下面１７とが界面を形成する。そして、第１上面１１は凹凸を有しており第２下面１７はそれに対応する凹凸を有するので、第１上面１１と第２下面１７との界面も凹凸を有する。この界面は、凹部９の底面２３には現れない。したがって、ＳｉＣ部材１の外観を良好に確保することができる。
　また、本発明の構成であれば、第１上面１１と第２下面１７とが第１界面を形成し、第１下面１３と第３上面１９とが第２界面を形成する。第２距離２９は第１距離２７と同じなので、凹部９の底面２３に第１界面が現れないのと同様に、第３下面２１にも第２界面が現れない。
１…ＳｉＣ部材、３…第１ＳｉＣ層、第２ＳｉＣ層、７…第３ＳｉＣ層、９…凹部、１１…第１上面、１３…第１下面、１５…第２上面、１７…第２下面、１９…第３上面、２１…第３下面、２３…底面、２７…第１距離、２９…第２距離

Claims (5)

  1. 　第１上面と第１下面とを有し、前記第１上面が凹凸を有する第１ＳｉＣ層と、
    　第２上面と第２下面とを有し、前記第２下面が前記第１上面に接しており前記第１上面の凹凸に対応する凹凸を有する第２ＳｉＣ層と、を備えており、
    　前記第２ＳｉＣ層は、前記第２上面から前記第２下面側へと凹状となっている、平坦な底面を有する凹部を有し、
    　前記凹部の前記底面は、前記第２下面よりも上方に位置する
    　ことを特徴とするＳｉＣ部材。
  2. 　さらに、第３上面と第３下面とを有し、前記第３上面が前記第１下面に接している第３ＳｉＣ層を備えており、
    　前記凹部の底面は、前記第１上面から第１距離だけ離れており、
    　前記第３下面は、前記第１下面から前記第１距離と同じ第２距離だけ離れている
    　ことを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣ部材。
  3. 　前記第１下面は凹凸を有し、
    　前記第３上面は前記第１下面の凹凸に対応する凹凸を有する
    　ことを特徴とする請求項２に記載のＳｉＣ部材。
  4. 　前記第１上面の凹凸は、前記第１上面の全体的に湾曲した面により形成される
    　ことを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣ部材。
  5. 　前記ＳｉＣ部材は、ウェハを収容するための収容部として前記凹部を有するサセプタである
    　ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材。
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