WO2020003721A1 - ＳｉＣ部材およびその製造方法 - Google Patents

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晋平 千田
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株式会社アドマップ
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Definitions

  • the present invention relates to a SiC member containing a SiC material and a method for producing the same.
  • a SiC coat made of SiC (Silicon Carbide; silicon carbide) has excellent properties such as high durability, high acid resistance, and low specific resistance, and is widely used as a coating of components used in a semiconductor manufacturing apparatus.
  • SiC Silicon Carbide
  • Patent Document 1 discloses that a SiC member is used as an etcher ring or a shower head in a plasma etching apparatus.
  • the wafer processing apparatus may cause a product defect on the SiC wafer due to slight processing variation. Further, since the wafer processing apparatus handles a large number of SiC wafers in a semiconductor manufacturing plant, there is a possibility that not only a single SiC wafer but also a large number of SiC wafers may spread product defects. It is essential that a SiC member, which is a consumable part of a wafer processing apparatus, satisfy required specifications such as durability and impurity concentration. However, if a pattern derived from the crystal structure or the layer structure appears on the surface of the SiC member, the end user of the wafer processing apparatus may be concerned about a problem in some cases.
  • a SiC layer is provided on the surface of a shower head used in a plasma etching apparatus.
  • the shower head is repeatedly used in the plasma etching apparatus, and the SiC layer on the surface is deteriorated.
  • the degraded SiC layer is shaved and the SiC layer is formed again on the surface.
  • a plurality of through holes are provided from the front surface to the back surface, and the SiC layer is formed again with the through holes provided. Therefore, an SiC layer having a crystal structure in which crystals are grown in different directions is formed on the surface around the through hole of the SiC member. As a result, a black dot pattern may appear around the through hole of the SiC member.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a technique for ensuring the appearance of a SiC member in a good and simple manner.
  • a SiC member having a front side and a back side includes a substrate having a reference hole penetrating in the front and back directions, and a first SiC coat formed on at least the front side surface of the substrate.
  • the first SiC coat is adjacent to the first hole connected to the reference hole in the front / back direction, a first region forming an inner peripheral surface of the first hole and extending around the first hole, and a first region.
  • the first region includes a crystal structure grown in a first direction oblique to the front and back direction, and the second region, the third region, and the fourth region are formed in a second direction along the front and back direction. It may include a crystal structure obtained by crystal growth.
  • the first SiC coat has a first region having a crystal structure grown in a first direction oblique to the front and back directions, and a second region having a crystal structure grown in a second direction along the front and back directions.
  • the second SiC coat includes a third region and a fourth region having a crystal structure grown in a second direction along the front and back directions. Accordingly, the first SiC coat including the first region and the second region having the crystal structures grown in different directions is included, and the third region and the fourth region having the crystal structure grown in a certain direction are included. It can be covered with a second SiC coat. For this reason, an SiC coat having a crystal structure in which crystals grow in a certain direction appears on the surface of the SiC member.
  • the first SiC coat and the second SiC coat may be separate films formed in different processes. Further, the first SiC coat and the second SiC coat may be a lower layer portion and an upper layer portion of a single film formed in a single process.
  • the SiC member is a shower head having a plurality of through holes penetrating in the front and back directions, and the reference hole, the first hole, and the second hole are formed of the plurality of through holes. Form one of them.
  • an SiC coat having a crystal structure grown in a certain direction appears on the surface of the showerhead.
  • black spots appearing on the surface of the shower head can be prevented.
  • a step of preparing a substrate having a reference hole penetrating in the front and back directions a step of forming a first SiC coat on at least the front surface of the substrate, and a step of forming the first SiC coat on the front side of the first SiC coat Forming a second SiC coat on the surface.
  • the first SiC coat is adjacent to the first hole connected to the reference hole in the front / back direction, a first region forming an inner peripheral surface of the first hole and extending around the first hole, and a first region.
  • a second region extending around the first region is formed, and the second SiC coat forms a second hole connected to the first hole in the front and back direction and an inner peripheral surface of the second hole.
  • a third region extending around the second hole and a fourth region adjacent to the third region and extending around the third region are formed.
  • the first region is formed to include a crystal structure grown in a first direction oblique to the front and back directions, and the second region, the third region, and the fourth region are formed along a front and back direction.
  • a method of manufacturing a SiC member, such as forming a crystal structure including a crystal structure grown in two directions, is considered.
  • the first SiC coat has a first region having a crystal structure grown in a first direction oblique to the front and back directions, and a second region having a crystal structure grown in a second direction along the front and back directions.
  • the second SiC coat includes a third region and a fourth region having a crystal structure grown in a second direction along the front and back directions.
  • the step of forming the first SiC coat includes a step of depositing a SiC material on the front surface of the substrate to form a first SiC layer, and a step of connecting to the reference hole in the front and back directions. Forming the first hole by removing the first SiC layer formed in the five regions.
  • the step of forming the second SiC coat includes the step of forming the first SiC coat on the front surface of the first SiC coat. Depositing a second SiC layer and forming a second hole by removing the second SiC layer formed in a sixth region connected to the fifth region in the front and back directions, and forming the second hole. Such a method of manufacturing a SiC member can be considered.
  • the first SiC layer is formed on the front surface of the substrate, and the first hole is formed by removing the first SiC layer formed in the fifth region connected to the reference hole in the front and back directions.
  • the second SiC layer is formed on the front surface of the first SiC layer, and the second hole is formed by removing the second SiC layer formed in the sixth region connected to the fifth region in the front and back direction. Accordingly, the first hole and the second hole continuous with the reference hole in the front and back directions can be easily obtained without performing a masking process on a region continuous with the inner peripheral surface of the reference hole in the front and back directions. As a result, it is possible to provide a simple method for manufacturing a SiC member that prevents black spots from appearing on the surface of the SiC member.
  • the first SiC layer is formed including an inner peripheral surface of the reference hole, and the fifth region is formed including an inner peripheral surface of the reference hole.
  • the first SiC layer is formed including the front surface of the substrate and the inner peripheral surface of the reference hole.
  • the first hole is formed by removing the first SiC layer formed in the fifth region including the inner peripheral surface of the reference hole and a region connected to the inner peripheral surface of the reference hole in the front and back directions.
  • a method of manufacturing an SiC member, in which the first SiC layer is formed by closing the reference hole, may be considered.
  • the first SiC layer is formed by closing the reference hole of the substrate.
  • the front surface of the first SiC layer can be formed flat along the front surface of the substrate. Therefore, it is possible to prevent the crystal structure of the second SiC layer formed on the front surface of the first SiC layer from growing in the first direction oblique to the front and back directions due to the undulation of the front surface of the first SiC layer. .
  • the step of forming the first hole and the step of forming the second hole include, after forming the second SiC layer, the fifth region of the first SiC layer and the second region of the second SiC layer.
  • a method of manufacturing a SiC member, such as forming the sixth region by removing the sixth region, may be considered.
  • the first hole and the second hole are formed.
  • the crystal structure that grows in the second direction along the front and back directions appears on the front side of the SiC member.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of the SiC member according to the present invention.
  • Enlarged view of one of the through holes of the SiC member according to the present invention The figure which shows the crystal growth direction of the 1st SiC layer around the reference hole of the SiC member concerning this invention.
  • the SiC member 1 includes a substrate 3, a first SiC coat 5, and a second SiC coat 7. As shown in FIGS. 1 and 2, the SiC member 1 has a front side 2 and a back side 4, and is formed by arranging a plurality of through holes 13 penetrating from the front side 2 to the back side 4.
  • the SiC member 1 is a shower head that discharges a reaction gas or an inert gas into a processing container in a plasma processing apparatus used for an etching step or a film forming step in a semiconductor manufacturing process.
  • the through holes 13 are gas injection holes through which a reaction gas or an inert gas of the shower head, which is the SiC member 1, flows.
  • front and back direction N the direction from the back side 4 to the front side 2 is referred to as front and back direction N.
  • the substrate 3 has a front surface S1, a back surface S4, and a reference hole 15.
  • the reference hole 15 penetrates from the back surface S4 of the substrate 3 to the front surface S1 in the front-back direction N.
  • the reference hole 15 includes a first reference hole 15a disposed on the back side 4 and a second reference hole 15b disposed on the front surface S1 of the substrate 3.
  • the first reference hole 15a has, for example, a diameter D1 and is formed as a column having a center O.
  • the second reference hole 15b has a diameter D2 smaller than the diameter D1 of the first reference hole 15a, and is formed of a column having the same center O as the first reference hole 15a.
  • the diameter D1 is about 1 to 2 mm, and the diameter D2 is about 0.5 to 1 mm.
  • the first SiC coat 5 is formed on the front surface S1 of the substrate 3.
  • the surface S4 on the back side of the substrate 3 becomes the back side 4 of the SiC member 1.
  • the first SiC coat 5 has a front surface S2, a first hole 16, a first region 20, and a second region 22.
  • the first SiC coat 5 is made of CVD-SiC generated by a chemical vapor deposition method (hereinafter, referred to as a CVD method).
  • the first hole 16 is continuous with the reference hole 15 in the front-back direction N.
  • the first hole 16 has, for example, the same diameter D1 as the second reference hole 15b, and is formed of a column having the same center O as the first reference hole 15a and the second reference hole 15b.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a portion C in FIG.
  • the arrow in FIG. 3 indicates the direction in which the SiC crystal grows by the CVD method.
  • the first region 20 forms the inner peripheral surface of the first hole 16 and extends around the first hole 16 as shown in FIG.
  • the first region 20 includes a crystal structure grown in a first direction M oblique to the front-back direction N.
  • the second region 22 is adjacent to the first region 20 and extends around the first region.
  • the second region 22 includes a crystal structure grown in a second direction L along the front-back direction N. For this reason, on the front surface S2 of the first SiC coat 5, a crystal structure in which crystals have grown in different directions appears. It has been found by the present inventors that black spots as shown in FIG. 7 appear when the oxidation treatment is performed after processing the front surface S2 in such a state. Therefore, as shown in FIGS. 2 and 3, a second SiC coat 7 is formed on the front surface S2 of the first SiC coat 5 so as to cover the crystal structure that has grown in different directions that has appeared on the front surface S2. You.
  • the second SiC coat 7 has a front surface S3, a second hole 18, a third region 24, and a fourth region 26, as shown in FIG.
  • the second SiC coat 7 is made of CVD-SiC generated by a CVD method.
  • the front surface S3 of the second SiC coat 7 is the front surface 2 of the SiC member 1.
  • the second hole 18 is continuous with the first hole 16 in the front-back direction N.
  • the second hole 18 has, for example, the same diameter D2 as the second reference hole 15b, and is formed of a column having the same center O as the first reference hole 15a and the second reference hole 15b. That is, the reference hole 15, the first hole 16, and the second hole 18 form one of the plurality of through holes 13 of the SiC member 1.
  • the third region 24 forms the inner peripheral surface of the second hole 18 and extends around the second hole 18 as shown in FIG.
  • the fourth region 26 is adjacent to the third region 24 and extends around the third region.
  • the third region 24 and the fourth region 26 include a crystal structure grown in a second direction L along the front and back directions. That is, the second SiC coat 7 has the third region 24 and the fourth region 26 including the crystal structure grown in a certain direction. For this reason, on the surface S3 on the front side of the second SiC coat 7, that is, on the front side 2 of the SiC member 1, a crystal structure that has grown in a certain direction appears.
  • FIGS. 4 to 6 are enlarged views of one of the through holes 13 in a portion C in FIG. 4 to 6 indicate the direction in which the SiC crystal grows by the CVD method, that is, the direction of the crystal growth of the crystal structure.
  • the SiC member 1 may be manufactured by the following steps. First, the substrate 3 having the reference hole 15 penetrating in the front-back direction N is prepared.
  • the substrate 3 is a shower head in which the surface SiC layer is deteriorated by being used a plurality of times in a plasma processing apparatus used for an etching step and a film forming step in a semiconductor manufacturing process.
  • the substrate 3 is prepared in a state in which the front surface S1 and the back surface S4 (not shown) are polished by machining to remove the deteriorated SiC layer.
  • a SiC material is deposited on the front surface S1 of the substrate 3 using a CVD method to form a first SiC layer 28 made of a CVD-SiC layer.
  • the first SiC layer 28 is formed by growing a SiC crystal from the front surface S1 of the substrate 3 and the inner peripheral surface of the reference hole 15 along the shape of the substrate 3.
  • the first SiC layer 28 is formed including a first portion 281 and a second portion 282.
  • the first portion 281 is a portion of the CVD-SiC layer formed from the inner peripheral surface of the reference hole 15 of the substrate 3 to the periphery of the edge E which is the boundary between the reference hole 15 of the substrate 3 and the front surface S1.
  • the SiC crystal grows toward the center O of the reference hole 15 of the substrate 3. That is, the first portion 281 is formed to include a crystal structure grown in the first direction M oblique to the front-back direction N.
  • the first portion 281 is formed by closing the reference hole 15. That is, the first portion 281 is formed by forming the CVD-SiC layer up to the center O of the reference hole 15. Thereby, the surface on the front side 2 of the first portion 281 can be formed flat along a surface substantially parallel to the front surface S1 of the substrate 3.
  • the second portion 282 is a portion of the CVD-SiC layer formed on the front surface S1 of the substrate 3 adjacent to the first portion 281.
  • the SiC crystal grows in a direction perpendicular to the front surface S1 of the substrate 3. That is, the second portion 282 includes a crystal structure grown in the second direction L along the front-back direction N.
  • the second portion 282 is formed by stacking the CVD-SiC layers while forming a surface substantially parallel to the front surface S1 of the substrate 3. Thereby, the surface on the front side 2 of the second portion 282 can be formed flat along a surface substantially parallel to the front surface S1 of the substrate 3.
  • the front surface S5 of the first SiC layer 28 can be formed flat along the front surface S1 of the substrate 3.
  • the first SiC layer 28 is formed including the inner peripheral surface of the reference hole 15. Further, the first SiC layer 28 is formed by closing the reference hole 15.
  • a SiC material is deposited on the front surface S5 of the first SiC layer 28 using a CVD method to form a second SiC layer 30 made of a CVD-SiC layer. I do.
  • the second SiC layer 30 is formed by growing a SiC crystal from the front surface S5 of the first SiC layer 28 along the shape of the front surface S5.
  • the second SiC layer 30 is formed to include a third portion 301 and a fourth portion 302.
  • the third portion 301 is a portion of the CVD-SiC layer formed on the surface of the front side 2 of the first portion 281 of the first SiC layer 28.
  • the SiC crystal grows perpendicular to the surface on the front side 2 of the first portion 281 of the first SiC layer 28. That is, the third portion 301 is formed to include a crystal structure grown in the second direction L along the front-back direction N.
  • the third portion 301 is formed by laminating the CVD-SiC layer while forming a surface substantially parallel to the front surface S1 of the substrate 3. Thereby, the surface on the front side 2 of the third portion 301 can be formed flat along a plane substantially parallel to the front surface S5 of the first SiC layer 28.
  • the fourth portion 302 is a portion of the CVD-SiC layer formed on the surface on the front side 2 of the second portion 282 of the first SiC layer 28 adjacent to the third portion 301.
  • the SiC crystal grows perpendicular to the surface on the front side 2 of the second portion 282 of the first SiC layer 28. That is, the fourth portion 302 includes a crystal structure grown in the second direction L along the front-back direction N.
  • the fourth portion 302 is formed by laminating the CVD-SiC layer while forming a surface substantially parallel to the front surface S1 of the substrate 3.
  • the surface on the front side 2 of the fourth portion 302 can be formed flat along a plane substantially parallel to the front surface S5 of the first SiC layer 28. Therefore, the front surface S6 of the second SiC layer can be formed flat along a surface substantially parallel to the front surface S5 of the first SiC layer 28.
  • the first hole 16 is formed by removing the first SiC layer 28 formed in the fifth region 32 connected to the reference hole 15 in the front-back direction N.
  • the second hole 18 is formed by removing the second SiC layer 30 formed in the sixth region 34 connected to the fifth region 32 in the front-back direction N.
  • the first hole 16 and the second hole 18 are formed by machining such as ultrasonic machining.
  • the material surface on the front side 2 of the second SiC layer 30 is shaved to form the surface on the front side 2 of the SiC member 1.
  • the fifth region 32 is a region of the first SiC layer 28 that is continuous with the reference hole 15 in the front-back direction N. That is, the fifth region 32 is a part of the first portion 281 of the first SiC layer 28. When the first SiC layer 28 formed in the fifth region 32 is removed, a part of the first portion 281 and the second portion 282 of the first SiC layer 28 remain. A part of the first portion 281 is a first region 20 that forms the inner peripheral surface of the first hole 16 and extends around the first hole 16. The second portion 282 becomes the second region 22 adjacent to the first region 20 and extending around the first region 20.
  • the finally remaining first SiC layer 28 forms the first hole 16 connected to the reference hole 15 in the front-back direction N, and the inner peripheral surface of the first hole 16, and forms the periphery of the first hole 16.
  • the sixth region 34 is a region of the second SiC layer 30 that is continuous with the fifth region 32 in the front-back direction N. That is, the sixth region 34 is a part of the third portion 301 of the second SiC layer 30.
  • the second SiC layer 30 formed in the sixth region 34 is removed, a part of the third portion 301 and the fourth portion 302 of the second SiC layer 30 remain.
  • Part of the third portion 301 forms the third region 24 that forms the inner peripheral surface of the second hole 18 and extends around the second hole 18.
  • the fourth portion 302 becomes the fourth region 26 adjacent to the third region 24 and extending around the third region 24.
  • the second SiC layer 30 finally remaining forms the second hole 18 connected to the first hole 16 in the front-back direction N and the inner peripheral surface of the second hole 18 to form the second hole 18.
  • the second SiC coat 7 has a third region 24 extending to the periphery and a fourth region 26 adjacent to the third region 24 and extending to the periphery of the third region 24.
  • the shower head used in the plasma processing apparatus provided with the through-holes 13 is illustrated as the SiC member 1.
  • the SiC member is not limited to a shower head, and may be a member having a different shape as long as a base member provided with a reference hole is used.
  • the first SiC coat 5 has the first region 20 having the crystal structure grown in the first direction M oblique to the front-back direction N and the front-back direction N. And a second region 22 having a crystal structure grown in the second direction L.
  • the second SiC coat 7 includes a third region 24 and a fourth region 26 having a crystal structure grown in a second direction L along the front-back direction N.
  • the first SiC coat 5 has the first region 20 having a crystal structure grown in the first direction M oblique to the front-back direction N and the second region L along the front-back direction N.
  • the second SiC coat 7 includes a second region 22 having a crystal structure and a fourth region 26 having a crystal structure grown in a second direction L along the front-back direction N. including.
  • the first SiC coat 5 including the first region 20 and the second region 22 having the crystal structures grown in different directions from the first region 20 and the fourth region 24 having the crystal structure grown in a certain direction and the fourth region 24 are formed.
  • the second SiC coat 7 including the region 26.
  • the first SiC layer 28 is formed on the front surface S1 of the substrate 3 and the first hole 16 is formed in the first SiC layer formed in the fifth region 32 that is continuous with the reference hole 15 in the front-back direction N. It is formed by removing the layer 28.
  • the second SiC layer 30 is formed on the front surface S5 of the first SiC layer 28, and the second hole 18 is formed on the second SiC layer 30 formed on the sixth region 34 that is continuous with the fifth region 32 in the front-back direction N. It is formed by removing.
  • the first hole 16 and the second hole 18 continuous with the reference hole 15 in the front-back direction N can be easily obtained without performing a mask process in advance on a region continuous with the reference hole 15 in the front-back direction N.
  • the first SiC layer 28 is formed including the front surface S1 of the substrate 3 and the inner peripheral surface of the reference hole 15. It is formed by removing the first SiC layer 28 formed in the fifth region 32 which is a region continuous with the inner peripheral surface of the reference hole 15 in the front and back direction N. This makes it possible to easily obtain the first hole 16 and the second hole 18 that are continuous with the reference hole 15 in the front-back direction N without performing a mask process on the inner peripheral surface of the reference hole 15 in advance.
  • the first SiC layer 28 is formed by closing the reference hole 15 of the substrate 3. Thereby, the front surface S5 of the first SiC layer 28 can be formed flat along the front surface S1 of the substrate 3. For this reason, the crystal structure of the second SiC layer 30 formed on the front surface S5 of the first SiC layer 28 grows in the first direction M oblique to the front-back direction N due to the undulation of the front surface S5 of the first SiC layer 28. Can be prevented. As a result, it is possible to provide a simple method of manufacturing the SiC member 1 that prevents black spots from appearing on the surface of the SiC member 1.
  • the first hole 16 and the second hole 18 are formed after the second SiC layer 30 is formed.
  • the crystal structure that grows in the second direction L along the front-back direction N appears on the front side 2 of the SiC member 1.

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Abstract

本発明は、ＳｉＣ部材の外観を良好かつ簡易に確保するための技術を提供することをを目的とする。本発明は、表裏方向に貫通する基準孔を有する基板と、第１ＳｉＣコートと、第２ＳｉＣコートと、を備え、前記第１ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記基準孔に連なる第１孔と、前記第１孔の内周面を形成し前記第１孔周辺に拡がる第１領域と、前記第１領域と隣り合い前記第１領域の周辺に拡がる第２領域と、を有し、前記第２ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記第１孔に連なる第２孔と、前記第２孔の内周面を形成し前記第２孔周辺に拡がる第３領域と、前記第３領域と隣り合い前記第３領域の周辺に拡がる第４領域と、を有し、前記第１領域は、前記表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を含み、前記第２領域、前記第３領域および前記第４領域は、前記表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を含む、ＳｉＣ部材である。

Description

ＳｉＣ部材およびその製造方法
　本発明は、ＳｉＣ材料を含有するＳｉＣ部材およびその製造方法に関する。
　ＳｉＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ；炭化ケイ素）からなるＳｉＣコートは、高耐久性、高耐強酸性、低比抵抗などの優れた特性を有し、半導体製造装置に利用される部品の被膜として広く利用されている。例えば、特許文献１は、プラズマエッチング装置内のエッチャーリングまたはシャワーヘッドとしてＳｉＣ部材を利用することを開示している。
特開２００８－２５２０４５号公報
　ウェハ処理装置は、僅かな処理のばらつきにより、ＳｉＣウェハに製品不良を引き起こす可能性がある。また、ウェハ処理装置は、半導体製造工場内で大量のＳｉＣウェハを扱うため、一枚のＳｉＣウェハだけに留まらず、大量のＳｉＣウェハに製品不良を波及させる可能性がある。ウェハ処理装置の消耗部品であるＳｉＣ部材は、耐久性や不純物濃度などの要求仕様を満たしていることが必須である。しかし、ＳｉＣ部材の表面に結晶構造または層構造に由来する模様が現れると、場合によってはウェハ処理装置のエンドユーザーに不具合の懸念を生じさせることがある。
　例えば、特許文献１のＳｉＣ部材においては、プラズマエッチング処理装置に用いられるシャワーヘッドの表面にＳｉＣ層が設けられている。
　特許文献１においては、シャワーヘッドは、プラズマエッチング処理装置の中で繰り返し使用され、表面のＳｉＣ層が劣化する。劣化したＳｉＣ層を再生させるために、劣化したＳｉＣ層を削り、その表面に再度ＳｉＣ層を形成する。このようなシャワーヘッドは、表面から裏面にかけて複数の貫通孔が設けられており、該貫通孔を設けた状態でＳｉＣ層が再形成される。このため、ＳｉＣ部材の貫通孔周囲の表面に異なる向きに結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣ層が形成される。この結果、ＳｉＣ部材の貫通孔周囲に黒点模様が現れることがある。
　本願発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ＳｉＣ部材の外観を良好かつ簡易に確保するための技術を提供することである。
　上記課題を解決するための第１局面としては、表側と裏側を有するＳｉＣ部材は、表裏方向に貫通する基準孔を有する基板と、前記基板の少なくとも前記表側の表面に形成された第１ＳｉＣコートと、前記第１ＳｉＣコートの前記表側の表面に形成された第２ＳｉＣコートと、を備える。前記第１ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記基準孔に連なる第１孔と、前記第１孔の内周面を形成し前記第１孔周辺に拡がる第１領域と、前記第１領域と隣り合い前記第１領域の周辺に拡がる第２領域と、を有し、前記第２ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記第１孔に連なる第２孔と、前記第２孔の内周面を形成し前記第２孔周辺に拡がる第３領域と、前記第３領域と隣り合い前記第３領域の周辺に拡がる第４領域と、を有する。前記第１領域は、前記表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を含み、前記第２領域、前記第３領域および前記第４領域は、前記表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を含む、といったものが考えられる。
　この局面においては、第１ＳｉＣコートは、表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を有する第１領域と、表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を有する第２領域とを含む。また、第２ＳｉＣコートは、表裏方向に沿った第２方向に結晶成長した結晶構造を有する第３領域と第４領域とを含む。これにより、互いに異なる向きに結晶成長した結晶構造を有する第１領域と第２領域とを含む第１ＳｉＣコートを、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有する第３領域と第４領域とを含む第２ＳｉＣコートで被覆することができる。このため、ＳｉＣ部材の表面には、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣコートが現れる。この結果、ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点模様を防止することができ、ＳｉＣ部材の外観を良好かつ簡易に確保することができる。第１ＳｉＣコートおよび第２ＳｉＣコートは、それぞれ異なる工程で形成された別々の膜であってもよい。また、第１ＳｉＣコートおよび第２ＳｉＣコートは、単一の工程で形成された単一の膜の下層部分と上層部分であってもよい。
　第２の局面においては、前記ＳｉＣ部材は、前記表裏方向に貫通する複数の貫通孔を備えるシャワーヘッドであり、前記基準孔、前記第１孔および前記第２孔は、前記複数の貫通孔のうちの一つを形成する、といったものが考えられる。
　この局面においては、シャワーヘッドの表面には、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣコートが現れる。この結果、シャワーヘッドの表面に現れる黒点模様を防止することができる。
　上述したＳｉＣ部材を製造する方法として、第３の局面のようにすることが考えられる。
　第３の局面においては、前記表裏方向に貫通する基準孔を有する基板を準備する工程と、前記基板の少なくとも前記表側の表面に第１ＳｉＣコートを形成する工程と、前記第１ＳｉＣコートの前記表側の表面に第２ＳｉＣコートを形成する工程と、を備える。前記第１ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記基準孔に連なる第１孔と、前記第１孔の内周面を形成し前記第１孔周辺に拡がる第１領域と、前記第１領域と隣り合い前記第１領域の周辺に拡がる第２領域と、が形成され、前記第２ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記第１孔に連なる第２孔と、前記第２孔の内周面を形成し前記第２孔周辺に拡がる第３領域と、前記第３領域と隣り合い前記第３領域周辺に拡がる第４領域と、が形成される。前記第１領域は、前記表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を含んで形成され、前記第２領域、前記第３領域および前記第４領域は、前記表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を含んで形成される、といったＳｉＣ部材の製造方法が考えられる。
　この局面においては、第１ＳｉＣコートは、表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を有する第１領域と、表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を有する第２領域とを含む。また、第２ＳｉＣコートは、表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を有する第３領域と第４領域とを含む。これにより、互いに異なる向きに結晶成長した結晶構造を有する第１領域と第２領域とを含む第１ＳｉＣコートを、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有する第３領域と第４領域とを含む第２ＳｉＣコートで被覆することができる。このため、ＳｉＣ部材の表面には、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣコートが現れる。この結果、ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材の製造方法を提供することができる。
　また上記製造方法では、第１孔および第２孔をどのように製造するかを想定した工程としておく必要がある。そのためには、さらに以下に示す第４の局面のようにすることが考えられる。
　第４の局面においては、前記第１ＳｉＣコートを形成する工程は、前記基板の前記表側の表面にＳｉＣ材料を堆積させて第１ＳｉＣ層を形成する工程と、前記表裏方向において前記基準孔に連なる第５領域に形成された前記第１ＳｉＣ層を除去して前記第１孔を形成する工程とを有し、前記第２ＳｉＣコートを形成する工程は、前記第１ＳｉＣコートの前記表側の表面に前記ＳｉＣ材料を堆積させて第２ＳｉＣ層を形成する工程と、前記表裏方向において前記第５領域に連なる第６領域に形成された前記第２ＳｉＣ層を除去して前記第２孔を形成する工程とを有する、といったＳｉＣ部材の製造方法が考えられる。
　この局面においては、第１ＳｉＣ層は基板の表側の表面に形成され、第１孔は、表裏方向において基準孔に連なる第５領域に形成された第１ＳｉＣ層を除去して形成される。また、第２ＳｉＣ層は第１ＳｉＣ層の表側の表面に形成され、第２孔は、表裏方向において第５領域に連なる第６領域に形成された第２ＳｉＣ層を除去して形成される。これにより、表裏方向において基準孔の内周面に連なる領域に予めマスク処理を施すことなく、簡易に基準孔と表裏方向において連なる第１孔および第２孔を得ることができる。この結果、ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材の簡易な製造方法を提供することができる。
　第５の局面においては、前記第１ＳｉＣ層は、前記基準孔の内周面を含んで形成され、前記第５領域は前記基準孔の内周面を含んで形成される、といったＳｉＣ部材の製造方法が考えられる。
　この局面においては、第１ＳｉＣ層は基板の表側の表面と基準孔の内周面を含んで形成される。また、第１孔は、基準孔の内周面と表裏方向において基準孔の内周面に連なる領域からなる第５領域に形成された第１ＳｉＣ層を除去して形成される。これにより、基準孔の内周面に予めマスク処理を施すことなく、簡易に基準孔と表裏方向において連なる第１孔および第２孔を得ることができる。この結果、ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材の簡易な製造方法を提供することができる。
　第６の局面においては、前記第１ＳｉＣ層は、前記基準孔を閉塞して形成される、といったＳｉＣ部材の製造方法が考えられる。
　この局面においては、第１ＳｉＣ層は基板の基準孔を閉塞して形成される。これにより、第１ＳｉＣ層の表側の表面を基板の表側の表面に沿って平坦に形成することができる。このため、第１ＳｉＣ層の表側の表面に形成される第２ＳｉＣ層の結晶構造が第１ＳｉＣ層の表側の表面の起伏によって表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長することを防ぐことができる。この結果、ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材の簡易な製造方法を提供することができる。
　第７の局面においては、第１孔を形成する工程と前記第２孔を形成する工程は、前記第２ＳｉＣ層を形成した後、前記第１ＳｉＣ層の前記第５領域と前記第２ＳｉＣ層の前記第６領域を除去して形成する、といったＳｉＣ部材の製造方法が考えられる。
　この局面においては、第２ＳｉＣ層を形成したのち、第１孔と第２孔を形成する。これにより、ＳｉＣ部材の表側には表裏方向に沿う第２方向に結晶成長する結晶構造だけが現れる。この結果、ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材の簡易な製造方法を提供することができる。
本発明に係るＳｉＣ部材の構造を示す斜視図 本発明に係るＳｉＣ部材のＡ―Ａ断面における断面の模式図 本発明に係るＳｉＣ部材の貫通孔の一つの拡大図 本発明に係るＳｉＣ部材の基準孔周辺の第１ＳｉＣ層の結晶成長方向を示す図 本発明に係るＳｉＣ部材の基準孔周辺の第１ＳｉＣ層と第２ＳｉＣ層の結晶成長方向を示す図 本発明に係るＳｉＣ部材の第５領域および第６領域を示す図 ＳｉＣ部材の表面に現れる黒点を示す写真
　以下に本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（１）全体構成
　ＳｉＣ部材１は、基板３と、第１ＳｉＣコート５と、第２ＳｉＣコート７と、備える。ＳｉＣ部材１は、図１と図２に示すように、表側２と裏側４を有し、表側２から裏側４までを貫通する複数の貫通孔１３が配列して形成される。本実施形態では、ＳｉＣ部材１は、半導体製造プロセスにおけるエッチング工程や成膜工程に用いるプラズマ処理装置において、処理容器内に反応ガスや不活性ガスを放出させるシャワーヘッドである。また、貫通孔１３は、ＳｉＣ部材１であるシャワーヘッドの反応ガスや不活性ガスが流通するガス噴射孔である。なお、以下において、裏側４から表側２に向かう方向を、表裏方向Ｎとする。
　基板３は、表側の表面Ｓ１と、裏側の表面Ｓ４と、基準孔１５と、を有する。基準孔１５は、基板３の裏側の表面Ｓ４から表側の表面Ｓ１までを、表裏方向Ｎに貫通する。基準孔１５は、裏側４に配置される第１基準孔１５ａと、基板３の表側の表面Ｓ１側に配置される第２基準孔１５ｂと、を含む。第１基準孔１５ａは、例えば、直径Ｄ１であり、中心Ｏの円柱で形成される。第２基準孔１５ｂは、第１基準孔１５ａの直径Ｄ１より小さい直径Ｄ２であり、第１基準孔１５ａと同じ中心Ｏの円柱で形成される。本実施形態では、直径Ｄ１は約１～２ｍｍ程度であり、直径Ｄ２は約０．５～１ｍｍ程度の大きさである。基板３の表側の表面Ｓ１には、第１ＳｉＣコート５が形成される。基板３の裏側の表面Ｓ４は、ＳｉＣ部材１の裏側４となる。
　第１ＳｉＣコート５は、表側の表面Ｓ２と、第１孔１６と、第１領域２０と、第２領域２２と、を有する。第１ＳｉＣコート５は、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下ＣＶＤ法）によって生成されたＣＶＤ－ＳｉＣからなる。
　第１孔１６は、表裏方向Ｎにおいて基準孔１５に連なる。第１孔１６は、例えば、第２基準孔１５ｂ同じ直径Ｄ１であり、第１基準孔１５ａおよび第２基準孔１５ｂと同じ中心Ｏの円柱で形成される。
　図３は、貫通孔１３の一つで図２におけるＣ部分の拡大図である。図３の矢印は、ＣＶＤ法によってＳｉＣ結晶が成長する方向を示している。第１領域２０は、図３に示すように、第１孔１６の内周面を形成し第１孔１６周辺に拡がる。また、第１領域２０は、表裏方向Ｎに斜交する第１方向Ｍに結晶成長した結晶構造を含む。
　第２領域２２は、第１領域２０と隣り合い第１領域の周辺に拡がる。第２領域２２は、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を含む。このため、第１ＳｉＣコート５の表側の表面Ｓ２には、互いに異なる方向に結晶成長した結晶構造が現れる。このような状態で、表側の表面Ｓ２を加工したのち酸化処理を施した場合、図７に示すような黒点が現れることが、発明者らによって発見されている。そこで、図２および図３に示すように、第１ＳｉＣコート５の表側の表面Ｓ２には、表側の表面Ｓ２に現れた異なる方向に結晶成長した結晶構造を覆うように第２ＳｉＣコート７が形成される。
　第２ＳｉＣコート７は、図２に示すように、表側の表面Ｓ３と、第２孔１８と、第３領域２４と、第４領域２６と、を有する。第２ＳｉＣコート７は、ＣＶＤ法によって生成されたＣＶＤ－ＳｉＣからなる。本実施形態では、第２ＳｉＣコート７の表側の表面Ｓ３は、ＳｉＣ部材１の表側２となる。
　第２孔１８は、表裏方向Ｎにおいて第１孔１６に連なる。第２孔１８は、例えば、第２基準孔１５ｂと同じ直径Ｄ２であり、第１基準孔１５ａおよび第２基準孔１５ｂと同じ中心Ｏの円柱で形成される。すなわち、基準孔１５、第１孔１６および第２孔１８は、ＳｉＣ部材１の複数の貫通孔１３のうちの一つを形成する。
　第３領域２４は、図３に示すように、第２孔１８の内周面を形成し第２孔周辺に拡がる。第４領域２６は、第３領域２４と隣り合い第３領域の周辺に拡がる。第３領域２４および第４領域２６は、表裏方向に沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を含む。すなわち、第２ＳｉＣコート７は、一定の方向に結晶成長した結晶構造を含む第３領域２４と第４領域２６とを有する。このため、第２ＳｉＣコート７の表側の表面Ｓ３、すなわち、ＳｉＣ部材１の表側２には、一定の方向に結晶成長した結晶構造が現れる。
　（２）製造方法
　図４から図６は、貫通孔１３の一つで図２におけるＣ部分の拡大図である。図４から図６の矢印は、ＣＶＤ法によってＳｉＣ結晶が成長する方向、すなわち、結晶構造の結晶成長の向きを示している。
　ＳｉＣ部材１は、次のような工程で製造されてもよい。まず、表裏方向Ｎに貫通する基準孔１５を有する基板３を準備する。本実施形態では、基板３は、半導体製造プロセスにおけるエッチング工程や成膜工程に用いるプラズマ処理装置の中で複数回使用されて、表面のＳｉＣ層が劣化したシャワーヘッドである。この場合、基板３は、表側の表面Ｓ１および図示しない裏側の表面Ｓ４が機械加工により研磨され、劣化したＳｉＣ層が除去された状態で準備される。
　基板３が準備されると、図４に示すように、ＣＶＤ法を用いて、基板３の表側の表面Ｓ１にＳｉＣ材料を堆積させてＣＶＤ－ＳｉＣ層からなる第１ＳｉＣ層２８を形成する。第１ＳｉＣ層２８は、基板３の表側の表面Ｓ１および基準孔１５の内周面から基板３の形状に沿ってＳｉＣ結晶が成長することで形成される。第１ＳｉＣ層２８は、第１部分２８１と、第２部分２８２と、を含んで形成される。
　第１部分２８１は、基板３の基準孔１５の内周面から基板３の基準孔１５と表側の表面Ｓ１の境界である縁Ｅの周辺にかけて形成されたＣＶＤ－ＳｉＣ層の部分である。第１部分２８１は、ＳｉＣ結晶が基板３の基準孔１５の中心Ｏに向けて成長する。すなわち、第１部分２８１は、表裏方向Ｎに斜交する第１方向Ｍに結晶成長した結晶構造を含んで形成される。また、第１部分２８１は、基準孔１５を閉塞して形成される。すなわち、第１部分２８１は、基準孔１５の中心Ｏまで、ＣＶＤ－ＳｉＣ層が形成されることで形成される。これにより、第１部分２８１の表側２の表面は、基板３の表側の表面Ｓ１と略平行な面に沿って平坦に形成することができる。
　第２部分２８２は、第１部分２８１と隣り合って基板３の表側の表面Ｓ１に形成されたＣＶＤ－ＳｉＣ層の部分である。第２部分２８２は、ＳｉＣ結晶が基板３の表側の表面Ｓ１に対して垂直方向に成長する。すなわち、第２部分２８２は、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を含む。また、第２部分２８２は、ＣＶＤ－ＳｉＣ層が基板３の表側の表面Ｓ１と略平行な面を形成しながら積層されることで、形成される。これにより、第２部分２８２の表側２の表面は、基板３の表側の表面Ｓ１と略平行な面に沿って平坦に形成することができる。
　このようにして、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５は、基板３の表側の表面Ｓ１に沿って平坦に形成することができる。また、第１ＳｉＣ層２８は、基準孔１５の内周面を含んで形成される。さらに、第１ＳｉＣ層２８は、基準孔１５を閉塞して形成される。
　第１ＳｉＣ層２８が形成されると、図５に示すように、ＣＶＤ法を用いて第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５にＳｉＣ材料を堆積させてＣＶＤ－ＳｉＣ層からなる第２ＳｉＣ層３０を形成する。第２ＳｉＣ層３０は、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５から、表側の表面Ｓ５の形状に沿ってＳｉＣ結晶が成長することで、形成される。第２ＳｉＣ層３０は、第３部分３０１と、第４部分３０２と、を含んで形成される。
　第３部分３０１は、第１ＳｉＣ層２８の第１部分２８１の表側２の表面に形成されたＣＶＤ－ＳｉＣ層の部分である。第３部分３０１は、ＳｉＣ結晶が第１ＳｉＣ層２８の第１部分２８１の表側２の表面に対して垂直に成長する。すなわち、第３部分３０１は、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を含んで形成される。また、第３部分３０１は、ＣＶＤ－ＳｉＣ層が基板３の表側の表面Ｓ１と略平行な面を形成しながら積層されることで、形成される。これにより、第３部分３０１の表側２の表面は、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５と略平行な面に沿って平坦に形成することができる。
　第４部分３０２は、第３部分３０１と隣り合って第１ＳｉＣ層２８の第２部分２８２の表側２の表面に形成されたＣＶＤ－ＳｉＣ層の部分である。第４部分３０２は、ＳｉＣ結晶が第１ＳｉＣ層２８の第２部分２８２の表側２の表面に対して垂直に成長する。すなわち、第４部分３０２は、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を含む。また、第４部分３０２は、ＣＶＤ－ＳｉＣ層が基板３の表側の表面Ｓ１と略平行な面を形成しながら積層されることで、形成される。これにより、第４部分３０２の表側２の表面は、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５と略平行な面に沿って平坦に形成することができる。このため、第２ＳｉＣ層の表側の表面Ｓ６は、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５と略平行な面に沿って平坦に形成することができる。
　第２ＳｉＣ層３０が形成されると、図６に示すように、表裏方向Ｎにおいて基準孔１５に連なる第５領域３２に形成された第１ＳｉＣ層２８を除去して第１孔１６が形成される。また、表裏方向Ｎにおいて第５領域３２に連なる第６領域３４に形成された第２ＳｉＣ層３０を除去して第２孔１８が形成される。本実施形態では、超音波加工などの機械加工によって、第１孔１６と第２孔１８が形成される。第２ＳｉＣ層３０の表側２の材料面を削り、ＳｉＣ部材１の表側２の表面を形成する。
　第５領域３２は、第１ＳｉＣ層２８のうち、表裏方向Ｎにおいて基準孔１５に連なる領域である。すなわち、第５領域３２は、第１ＳｉＣ層２８の第１部分２８１の一部である。第５領域３２に形成された第１ＳｉＣ層２８を除去すると、第１ＳｉＣ層２８のうち第１部分２８１の一部と第２部分２８２が残る。当該第１部分２８１の一部は、第１孔１６の内周面を形成し第１孔１６周辺に拡がる第１領域２０となる。また、第２部分２８２は、第１領域２０と隣り合い第１領域２０の周辺に拡がる第２領域２２となる。
　このような製造方法を経て、最終的に残存した第１ＳｉＣ層２８が、表裏方向Ｎにおいて基準孔１５に連なる第１孔１６と、第１孔１６の内周面を形成し第１孔１６周辺に拡がる第１領域２０と、第１領域２０と隣り合い第１領域２０の周辺に拡がる第２領域２２と、を有する第１ＳｉＣコート５として形成される。
　第６領域３４は、第２ＳｉＣ層３０のうち、表裏方向Ｎにおいて第５領域３２に連なる領域である。すなわち、第６領域３４は、第２ＳｉＣ層３０の第３部分３０１の一部である。第６領域３４に形成された第２ＳｉＣ層３０を除去すると、第２ＳｉＣ層３０のうち第３部分３０１の一部と第４部分３０２が残る。当該第３部分３０１の一部は、第２孔１８の内周面を形成し第２孔１８周辺に拡がる第３領域２４となる。また、第４部分３０２は、第３領域２４と隣り合い第３領域２４の周辺に拡がる第４領域２６となる。
　このような製造方法を経て、最終的に残存した第２ＳｉＣ層３０が、表裏方向Ｎにおいて第１孔１６に連なる第２孔１８と、第２孔１８の内周面を形成し第２孔１８周辺に拡がる第３領域２４と、第３領域２４と隣り合い第３領域２４の周辺に拡がる第４領域２６と、を有する第２ＳｉＣコート７として形成される。
　（３）変形例
　本願発明の実施の形態は、以上の実施例に限定されることなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態をとりうることは言うまでもない。
　例えば、上記実施形態では、ＳｉＣ部材１として、貫通孔１３が設けられたプラズマ処理装置に用いられるシャワーヘッドを例示した。しかし、ＳｉＣ部材は、シャワーヘッドに限定されず、基準孔を設けた基材を用いるものであれば、形状が異なる部材であってもよい。
　（４）作用、効果
　このような構成であれば、第１ＳｉＣコート５は、表裏方向Ｎに斜交する第１方向Ｍに結晶成長した結晶構造を有する第１領域２０と、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を有する第２領域２２とを含む。また、第２ＳｉＣコート７は、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を有する第３領域２４と第４領域２６とを含む。これにより、互いに異なる向きに結晶成長した結晶構造を有する第１領域２０と第２領域２２とを含む第１ＳｉＣコート５を、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有する第３領域２４と第４領域２６とを含む第２ＳｉＣコート７で被覆することができる。このため、ＳｉＣ部材１の表面には、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣコートが現れる。この結果、ＳｉＣ部材１の表面に現れる黒点模様を防止することができ、ＳｉＣ部材の外観を良好かつ簡易に確保することができる。
　また、上記構成であれば、ＳｉＣ部材１であるシャワーヘッドの表面には、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣコートが現れる。この結果、シャワーヘッドの表面に現れる黒点模様を防止することができる。
　このような製造方法であれば、第１ＳｉＣコート５は、表裏方向Ｎに斜交する第１方向Ｍに結晶成長した結晶構造を有する第１領域２０と、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を有する第２領域２２とを含む、また、第２ＳｉＣコート７は、表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長した結晶構造を有する第３領域２４と第４領域２６とを含む。これにより、互いに異なる向きに結晶成長した結晶構造を有する第１領域２０と第２領域２２とを含む第１ＳｉＣコート５を、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有する第３領域２４と第４領域２６とを含む第２ＳｉＣコート７で被覆することができる。このため、ＳｉＣ部材１の表面には、一定の方向に結晶成長した結晶構造を有するＳｉＣコートが現れる。この結果、ＳｉＣ部材１の表面に現れる黒点模様を防止でき、ＳｉＣ部材１の外観を良好かつ簡易に確保できるＳｉＣ部材１の製造方法を提供することができる。
　また、上記製造方法であれば、第１ＳｉＣ層２８は基板３の表側の表面Ｓ１に形成され、第１孔１６は、表裏方向Ｎにおいて基準孔１５に連なる第５領域３２に形成された第１ＳｉＣ層２８を除去して形成される。また、第２ＳｉＣ層３０は、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５に形成され、第２孔１８は、表裏方向Ｎにおいて第５領域３２に連なる第６領域３４に形成された第２ＳｉＣ層３０を除去して形成される。これにより、表裏方向Ｎにおいて基準孔１５に連なる領域に予めマスク処理を施すことなく、簡易に基準孔１５と表裏方向Ｎにおいて連なる第１孔１６および第２孔１８を得ることができる。この結果、ＳｉＣ部材１の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材１の簡易な製造方法を提供することができる。
　また、上記製造方法であれば、第１ＳｉＣ層２８は基板３の表側の表面Ｓ１と基準孔１５の内周面を含んで形成される、また、第１孔１６は、基準孔１５の内周面と表裏方向Ｎにおいて基準孔１５の内周面に連なる領域からなる第５領域３２に形成された第１ＳｉＣ層２８を除去して形成される。これにより、基準孔１５の内周面に予めマスク処理を施すことなく、簡易に基準孔１５と表裏方向Ｎにおいて連なる第１孔１６および第２孔１８を得ることができる。
　また、上記製造方法であれば、第１ＳｉＣ層２８は基板３の基準孔１５を閉塞して形成される。これにより、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５を基板３の表側の表面Ｓ１に沿って平坦に形成することができる。このため、第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５に形成される第２ＳｉＣ層３０の結晶構造が第１ＳｉＣ層２８の表側の表面Ｓ５の起伏によって表裏方向Ｎに斜交する第１方向Ｍに結晶成長することを防ぐことができる。この結果、ＳｉＣ部材１の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材１の簡易な製造方法を提供することができる。
　また、上記製造方法であれば、第２ＳｉＣ層３０を形成したのち、第１孔１６と第２孔１８を形成する。これにより、ＳｉＣ部材１の表側２には表裏方向Ｎに沿う第２方向Ｌに結晶成長する結晶構造だけが現れる。この結果、ＳｉＣ部材１の表面に現れる黒点模様を防止するＳｉＣ部材１の簡易な製造方法を提供することができる。
１…ＳｉＣ部材、２…表側、３…基板、４…裏側、５…第１ＳｉＣコート、７…第２ＳｉＣコート、１３…貫通孔、１５…基準孔、１６…第１孔、１８…第２孔、２０…第１領域、２２…第２領域、２４…第３領域、２６…第４領域、２８…第１ＳｉＣ層、３０…第２ＳｉＣ層、３２…第５領域、３４…第６領域、Ｓ１…基板３の表側の表面、Ｓ２…第１ＳｉＣコートの表側の表面、Ｓ３…第２ＳｉＣコートの表側の表面、Ｍ…第１方向、Ｌ…第２方向

Claims (7)

  1. 　表側と裏側を有するＳｉＣ部材であって、
    　表裏方向に貫通する基準孔を有する基板と、前記基板の少なくとも前記表側の表面に形成された第１ＳｉＣコートと、前記第１ＳｉＣコートの前記表側の表面に形成された第２ＳｉＣコートと、を備え、
    　前記第１ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記基準孔に連なる第１孔と、前記第１孔の内周面を形成し前記第１孔周辺に拡がる第１領域と、前記第１領域と隣り合い前記第１領域の周辺に拡がる第２領域と、を有し、
    　前記第２ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記第１孔に連なる第２孔と、前記第２孔の内周面を形成し前記第２孔周辺に拡がる第３領域と、前記第３領域と隣り合い前記第３領域の周辺に拡がる第４領域と、を有し、
    　前記第１領域は、前記表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を含み、
    　前記第２領域、前記第３領域および前記第４領域は、前記表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を含む、
    　ＳｉＣ部材。
  2. 　前記ＳｉＣ部材は、前記表裏方向に貫通する複数の貫通孔を備えるシャワーヘッドであり、
    　前記基準孔、前記第１孔および前記第２孔は、前記複数の貫通孔のうちの一つを形成する、
    　請求項１に記載のＳｉＣ部材。
  3. 　表側と裏側を有するＳｉＣ部材の製造方法であって、
    　前記表裏方向に貫通する基準孔を有する基板を準備する工程と、前記基板の少なくとも前記表側の表面に第１ＳｉＣコートを形成する工程と、前記第１ＳｉＣコートの前記表側の表面に第２ＳｉＣコートを形成する工程と、を備え、
    　前記第１ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記基準孔に連なる第１孔と、前記第１孔の内周面を形成し前記第１孔周辺に拡がる第１領域と、前記第１領域と隣り合い前記第１領域の周辺に拡がる第２領域と、が形成され、
    　前記第２ＳｉＣコートは、前記表裏方向において前記第１孔に連なる第２孔と、前記第２孔の内周面を形成し前記第２孔周辺に拡がる第３領域と、前記第３領域と隣り合い前記第３領域周辺に拡がる第４領域と、が形成され、
    　前記第１領域は、前記表裏方向に斜交する第１方向に結晶成長した結晶構造を含んで形成され、
    　前記第２領域、前記第３領域および前記第４領域は、前記表裏方向に沿う第２方向に結晶成長した結晶構造を含んで形成される、
    　ＳｉＣ部材の製造方法。
  4. 　前記第１ＳｉＣコートを形成する工程は、
    　前記基板の前記表側の表面にＳｉＣ材料を堆積させて第１ＳｉＣ層を形成する工程と、
    　前記表裏方向において前記基準孔に連なる第５領域に形成された前記第１ＳｉＣ層を除去して前記第１孔を形成する工程と、を有し、
    　前記第２ＳｉＣコートを形成する工程は、
    　前記第１ＳｉＣコートの前記表側の表面に前記ＳｉＣ材料を堆積させて第２ＳｉＣ層を形成する工程と、前記表裏方向において前記第５領域に連なる第６領域に形成された前記第２ＳｉＣ層を除去して前記第２孔を形成する工程と、を有する、
    　請求項３に記載のＳｉＣ部材の製造方法。
  5. 　前記第１ＳｉＣ層は、前記基準孔の内周面を含んで形成され、
    　前記第５領域は前記基準孔の内周面を含んで形成される、
    　請求項４に記載のＳｉＣ部材の製造方法。
  6. 　前記第１ＳｉＣ層は、前記基準孔を閉塞して形成される、
    　請求項４または５のいずれか１項に記載のＳｉＣ部材の製造方法。
  7. 　前記第１孔を形成する工程と前記第２孔を形成する工程は、
    　前記第２ＳｉＣ層を形成した後、前記第１ＳｉＣ層の前記第５領域と前記第２ＳｉＣ層の前記第６領域を除去して形成される、
    　請求項４から請求項６のいずれか一項に記載のＳｉＣ部材の製造方法。
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