TW202000965A - SiC構件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供用於確保SiC構件1的外觀簡潔美觀的技術。 [解決手段] 一種SiC構件，其包括具有在前後方向上貫穿的基準孔之基板、第1SiC塗覆物、及第2SiC塗覆物，其中前述第1SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述基準孔相連之第1孔、形成前述第1孔的內周表面並擴展至前述第1孔周邊之第1區域、及擴展至與前述第1區域相鄰的前述第1區域的周邊之第2區域，且前述第2SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述第1孔相連之第2孔、形成前述第2孔的內周表面並擴展至前述第2孔周邊之第3區域、及擴展至與前述第3區域相鄰的前述第3區域的周邊之第4區域，且其中前述第1區域包括晶體在傾斜於前述前後方向的第1方向上成長之晶體結構，且前述第2區域、前述第3區域以及前述第4區域包括晶體在沿著前述前後方向的第2方向上成長之晶體結構。

Description

SiC構件及其製造方法
本發明係有關於含有SiC材料的SiC構件及其製造方法。
含有SiC（Silicon Carbide，碳化矽）的SiC塗覆物具有高耐久性、高耐酸性、低電阻率等的優異特性，且作為應用於半導體製造裝置的部件廣泛地使用。例如，專利文獻1公開了使用SiC構件作為電漿蝕刻（Plasma etching）裝置內的蝕刻環（Etcher ring）或噴淋頭（Shower head）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開第2008-252045號公報
[發明所欲解決的課題]
晶圓處理裝置可能由於輕微的製程變化而造成SiC晶圓的產品出現缺陷。再者，由於晶圓處理裝置會在工廠內處理大量的SiC晶圓，因此SiC晶圓的產品缺陷的問題不僅發生在單一SiC晶圓還可能影響到大量的SiC晶圓。為晶圓處理裝置中的消耗部件之SiC構件，必須滿足耐久性和雜質濃度等所需的規格。然而，如果源自於晶體結構或層結構的圖案顯現於SiC構件的表面上，則在某些情況下可能會引起晶圓處理裝置的使用者擔憂故障的問題。
例如，在專利文獻1的SiC構件中，使用於電漿蝕刻處理裝置內的噴淋頭的表面上設置有SiC層。
在專利文獻1中，噴淋頭在電漿蝕刻處理裝置中被反複地使用，表面的SiC層會劣化。為了再生劣化的SiC層，會削掉劣化的SiC層，並在其表面上再度形成SiC層。這種噴淋頭從前表面到後表面設置有複數通孔，且在設置有上述通孔的狀態下再度形成SiC層。因此，在SiC構件的通孔周圍的表面上，會形成具有晶體沿不同方向成長的晶體結構之SiC層。結果，在SiC構件的通孔周圍可能會出現黑點圖案。
本發明係為了解決上述問題而完成的，目的在於提供用於確保SiC構件的外觀簡潔美觀的技術 [用於解決課題的手段]
作為解決上述問題的第1方面，考量了以下手段：一種具有前側及後側的SiC構件，其包括具有在前後方向上貫穿的基準孔之基板、至少形成於前述基板的前述前側的表面上之第1SiC塗覆物、及形成於前述第1SiC塗覆物的前述前側的表面上之第2SiC塗覆物，其中前述第1SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述基準孔相連之第1孔、形成前述第1孔的內周表面並擴展至前述第1孔周邊之第1區域、及與前述第1區域相鄰並擴展至前述第1區域的周邊之第2區域，且前述第2SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述第1孔相連之第2孔、形成前述第2孔的內周表面並擴展至前述第2孔周邊之第3區域、及擴展至與前述第3區域相鄰的前述第3區域的周邊之第4區域，且其中前述第1區域包括晶體在傾斜於前述前後方向的第1方向上成長之晶體結構，且前述第2區域、前述第3區域以及前述第4區域包括晶體在沿著前述前後方向的第2方向上成長之晶體結構。
在此方面中，第1SiC塗覆物包括具有晶體在傾斜於前後方向的第1方向上成長之晶體結構的第1區域、和具有晶體在沿著前後方向的第2方向上成長之晶體結構的第2區域。再者，第2SiC塗覆物包括具有晶體在沿著前後方向的第2方向上成長之晶體結構的第3區域和第4區域。如此一來，能夠將包括具有晶體在彼此不同的方向上成長之晶體結構的第1區域和第2區域之第1SiC塗覆物，以包括具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的第3區域和第4區域之第2SiC塗覆物覆蓋。因此，在SiC構件的表面上會出現具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的SiC塗覆物。結果，能夠防止SiC構件的表面上出現黑點圖案，且能夠確保SiC構件的外觀簡潔美觀。第1SiC塗覆物及第2SiC塗覆物可以各自是分別在不同的步驟中所形成的膜層。再者，第1SiC塗覆物及第2SiC塗覆物也可以是在單一步驟中所形成的單一膜層中的下層部分和上層部分。
在第2方面中，考量了以下手段：前述SiC構件係包括在前述前後方向上貫穿的複數基準孔之噴淋頭，且前述基準孔、前述第1孔以及前述第2孔形成前述複數基準孔中的其中一者。
在此方面中，在噴淋頭的表面上會出現具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的SiC塗覆物。結果，能夠防止噴淋頭的表面上出現黑點圖案。
作為上述SiC構件的製造方法，考量了第3方面。
在第3方面中，考量了SiC構件的製造方法，其包括：準備具有在前後方向上貫穿的基準孔之基板的步驟、至少在前述基板的前述前側的表面上形成第1SiC塗覆物的步驟、及在前述第1SiC塗覆物的前述前側的表面上形成第2SiC塗覆物的步驟，其中前述第1SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述基準孔相連之第1孔、形成前述第1孔的內周表面並擴展至前述第1孔周邊之第1區域、及與前述第1區域相鄰並擴展至前述第1區域的周邊之第2區域，且前述第2SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述第1孔相連之第2孔、形成前述第2孔的內周表面並擴展至前述第2孔周邊之第3區域、及擴展至與前述第3區域相鄰的前述第3區域的周邊之第4區域，且其中前述第1區域包括晶體在傾斜於前述前後方向的第1方向上成長之晶體結構，且前述第2區域、前述第3區域以及前述第4區域包括晶體在沿著前述前後方向的第2方向上成長之晶體結構。
在此方面中，第1SiC塗覆物包括具有晶體在傾斜於前後方向的第1方向上成長之晶體結構的第1區域、和具有晶體在沿著前後方向的第2方向上成長之晶體結構的第2區域。再者，第2SiC塗覆物包括具有晶體在沿著前後方向的第2方向上成長之晶體結構的第3區域和第4區域。如此一來，能夠將包括具有晶體在彼此不同的方向上成長之晶體結構的第1區域和第2區域之第1SiC塗覆物，以包括具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的第3區域和第4區域之第2SiC塗覆物覆蓋。因此，在SiC構件的表面上會出現具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的SiC塗覆物。結果，能夠提供防止SiC構件的表面上出現黑點圖案之SiC構件的製造方法。
再者，在上述製造方法中，需要設想如何製造出第1孔及第2孔的步驟。為此，可以考量以下所示之第4方面。
在第4方面中，考量了SiC構件的製造方法，其中形成前述第1SiC塗覆物的步驟包括：在前述基板的前述前側的表面上沉積SiC材料以形成第1SiC層的步驟；以及將形成於在前述前後方向上與前述基準孔相連的第5區域中的前述第1SiC層去除以形成前述第1孔的步驟，且其中形成前述第2SiC塗覆物的步驟包括：在前述第1SiC塗覆物的前述前側的表面上沉積前述SiC材料以形成第2SiC層的步驟；以及將形成於在前述前後方向上與前述第5區域相連的第6區域中的前述第2SiC層去除以形成前述第2孔的步驟。
在此方面中，第1SiC層形成於基板的前側的表面上，且將形成於在前後方向上與基準孔相連的第5區域中的第1SiC層去除，以形成第1孔。再者，第2SiC層形成於第1SiC層的前側的表面上，且將形成於在前後方向上與第5區域相連的第6區域中的第2SiC層去除，以形成第2孔。如此一來，能夠容易地得到在前後方向上與基準孔相連的第1孔及第2孔，而不需預先對在前後方向上與基準孔的內周表面相連的區域進行遮罩（mask）處理。結果，能夠提供防止SiC構件的表面上出現黑點圖案之SiC構件的製造方法。
在第5方面中，考量了SiC構件的製造方法，其中形成前述第1SiC層以覆蓋前述基準孔的內周表面，且形成前述第5區域以覆蓋前述基準孔的內周表面。
在此方面中，形成第1SiC層以覆蓋基板的前側的表面和基準孔的內周表面。再者，將形成於基準孔的內周表面和在前後方向上與基準孔的內周表面相連的第5區域中的第1SiC層去除，以形成第1孔。如此一來，能夠容易地得到在前後方向上與基準孔相連的第1孔及第2孔，而不需預先對基準孔的內周表面進行遮罩處理。結果，能夠提供防止SiC構件的表面上出現黑點圖案之SiC構件的簡易製造方法。
在第6方面中，考量了SiC構件的製造方法，其中形成前述第1SiC層以封住前述基準孔。
在此方面中，形成第1SiC層以封住基板的基準孔。如此一來，第1SiC層的前側的表面能夠沿著基板的前側的表面平坦地形成。因此，能夠防止形成於第1SiC層的前側的表面上之第2SiC層的晶體結構由於第1SiC層的前側的表面之不平坦而造成晶體在傾斜於前後方向的第1方向上成長。結果，能夠提供防止SiC構件的表面上出現黑點圖案之SiC構件的簡易製造方法。
在第7方面中，考量了SiC構件的製造方法，其中在形成前述第1孔的步驟及形成前述第2孔的步驟中，在形成前述第2SiC層之後，將前述第1SiC層的前述第5區域及前述第2SiC層的前述第6區域去除，以形成前述第1孔及前述第2孔。
在此方面中，在形成第2SiC層之後，形成第1孔和第2孔。如此一來，SiC構件的前側僅會出現晶體在沿著前後方向的第2方向上成長的晶體結構。結果，能夠提供防止SiC構件的表面上出現黑點圖案之SiC構件的簡易製造方法。
以下，配合圖式對本發明的實施形態進行說明。 （1）整體結構 SiC構件1包括基板3、第1SiC塗覆物5、和第2SiC塗覆物7。如圖1和圖2所示，SiC構件1具有前側2和後側4，且從前側2貫穿至後側4的複數通孔13形成陣列。在本實施形態中，SiC構件1係在半導體製造過程中的蝕刻製程或成膜製程中所使用的電漿處理裝置中將反應氣體或惰性氣體釋放至處理容器內的噴淋頭。再者，通孔13係作為SiC構件1之噴淋頭的反應氣體或惰性氣體流通之氣體注入孔。另外，以下將從後側4朝向前側2的方向稱為前後方向N。
基板3具有前側的表面S1、後側的表面S4、和基準孔15。基準孔15在前後方向N上從基板3的後側的表面S4貫穿至前側的表面S1。基準孔15包括設置於後側4的第1基準孔15a、和設置於基板3的前側的表面S1的第2基準孔15b。第1基準孔15a形成為例如具有直徑D1、中心O之圓柱。第2基準孔15b形成為具有比第1基準孔15a的直徑D1更小的直徑D2、與第1基準孔15a相同的中心O之圓柱。在本實施形態中，直徑D1為大約1～2mm的大小，而直徑D2為大約0.5～1mm的大小。第1SiC塗覆物5形成於基板3的前側的表面S1上。基板3的後側的表面S4成為SiC構件1的後側4。
第1SiC塗覆物5具有前側的表面S2、第1孔16、第1區域20、和第2區域22。第1SiC塗覆物5藉由化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition，以下稱為CVD法)所形成的CVD-SiC所構成。
第1孔16在前後方向N上與基準孔15相連。第1孔16形成為例如具有相同於第2基準孔15b的直徑D1、與第1基準孔15a及第2基準孔15b相同的中心O之圓柱。
圖3係繪示出通孔13之一在圖2中的C部分的放大圖。圖3的箭頭表示藉由CVD法SiC晶體成長的方向。如圖3所示，第1區域20形成第1孔16的內周表面並擴展至第1孔16的周邊。再者，第1區域20包括晶體在傾斜於前後方向N的第1方向M上生長之晶體結構。
第2區域22與第1區域20相鄰並擴展至第1區域的周邊。第2區域22包括晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長的晶體結構。因此，在第1SiC塗覆物5的前側的表面S2上出現晶體在不同方向上成長的晶體結構。發明人發現，在這種狀態下，在對前側的表面S2加工並進行氧化處理的情況下，會出現如圖7所示之黑點。因此，如圖2及圖3所示，第2SiC塗覆物7形成於第1SiC塗覆物5的前側的表面S2上，以覆蓋在前側的表面S2上所出現的晶體在不同方向上成長的晶體結構。
如圖2所示，第2SiC塗覆物7具有前側的表面S3、第2孔18、第3區域24、和第4區域26。第2SiC塗覆物7藉由CVD法所形成的CVD-SiC所構成。在本實施形態中，第2SiC塗覆物7的前側的表面S3成為SiC構件1的前側2。
第2孔18在前後方向N上與第1孔16相連。第2孔18形成為例如具有相同於第2基準孔15b的直徑D2、與第1基準孔15a及第2基準孔15b相同的中心O之圓柱。亦即，基準孔15、第1孔16及第2孔18形成SiC構件1的複數通孔13的其中一者。
如圖3所示，第3區域24形成第2孔18的內周表面並擴展至第2孔的周邊。第4區域26與第3區域24相鄰並擴展至第3區域的周邊。第3區域24及第4區域26包括晶體在沿著前後方向的第2方向L上成長的晶體結構。亦即，第2SiC塗覆物7具有包括晶體在特定的方向上成長的晶體結構之第3區域24及第4區域26。因此，在第2SiC塗覆物7的前側的表面S3上，亦即在SiC構件1的前側2上，會出現晶體在特定的方向上成長的晶體結構。
（2）製造方法 圖4至圖6係繪示出通孔13之一在圖2中的C部分的放大圖。圖4至圖6中的箭頭表示藉由CVD法SiC晶體成長的方向，亦即晶體結構的晶體成長的方向。
可以藉由以下的製程製造出SiC構件1。首先，準備具有在前後方向N上貫穿的基準孔15的基板3。在本實施形態中，基板3係在半導體製造過程中的蝕刻製程或成膜製程中所使用的電漿處理裝置中多次使用且表面的SiC層劣化的噴淋頭。在這種情況下，在藉由機械加工對前側的表面S1及未繪示出的後側的表面S4進行研磨以去除劣化的SiC層的狀態下準備基板3。
準備好基板3後，如圖4所示，使用CVD法在基板3的前側的表面S1上沉積SiC材料，以形成由CVD-SiC層所構成的第1SiC層28。藉由晶體從基板3的前側的表面S1及基準孔15的內周表面沿著基板3的形狀成長出SiC晶體，以形成第1SiC層28。第1SiC層28形成為包括第1部分281、和第2部分282。
第1部分281係從基板3的基準孔15的內周表面至邊緣E的周邊所形成之CVD-SiC層的一部分，其中邊緣E為基板3的基準孔15與前側的表面S1之間的邊界。在第1部分281中，SiC晶體朝向基板3的基準孔15的中心O成長。亦即，第1部分281形成為包括在傾斜於前後方向N的第1方向M上成長之晶體結構。再者，形成第1部分281以封住基準孔15。亦即，藉由將CVD-SiC層形成至基準孔15的中心O，以形成第1部分281。如此一來，能夠沿著與基板3的前側的表面S1大致上平行之表面平坦地形成第1部分281的前側的表面2。
第2部分282係與第1部分281相鄰且形成於基板3的前側的表面S1之CVD-SiC層的一部分。在第2部分282中，SiC晶體在垂直於基板3的前側的表面S1的方向上成長。亦即，第2部分282包括晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構。再者，藉由形成大致上平行於基板3的前側的表面S1之表面的同時積層CVD-SiC層，以形成第2部分282。藉此，能夠沿著與基板3的前側的表面S1大致上平行之表面平坦地形成第2部分282的前側2的表面。
如此一來，能夠沿著基板3的前側的表面S1平坦地形成第1SiC層28的前側的表面S5。再者，形成第1SiC層28以覆蓋基準孔15的內周表面。而且，形成第1SiC層28以封住基準孔15。
如圖5所示，形成第1SiC層28後，使用CVD法在第1SiC層28的前側的表面S5上沉積SiC材料，以形成由CVD-SiC層所構成的第2SiC層30。藉由SiC晶體從第1SiC層28的前側的表面S5沿著前側的表面S5的形狀成長，以形成第2SiC層30。第2SiC層30形成為包括第3部分301和第4部分302。
第3部分301係第1SiC層28的第1部分281的前側2的表面上所形成的CVD-SiC層的一部分。在第3部分301中，SiC晶體相對於第1SiC層28的第1部分281的前側2的表面垂直地成長。亦即，第3部分301形成為包括晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構。再者，藉由形成大致上平行於基板3的前側的表面S1之表面的同時積層CVD-SiC層，以形成第3部分301。藉此，能夠沿著與第1SiC層28的前側的表面S5大致上平行之表面平坦地形成第3部分301的前側2的表面。
第4部分302係與第3部分301相鄰並形成於第1SiC層28的第2部分282的前側2的表面上的CVD-SiC層的一部分。在第4部分302中，SiC晶體相對於第1SiC層28的第2部分282的前側2的表面垂直地成長。亦即，第4部分302包括晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構。再者，藉由形成大致上平行於基板3的前側的表面S1之表面的同時積層CVD-SiC層，以形成第4部分302。藉此，能夠沿著與第1SiC層28的前側的表面S5大致上平行之表面平坦地形成第4部分302的前側2的表面。藉此，能夠沿著與第1SiC層28的前側的表面S5大致上平行之表面平坦地形成第2SiC層的前側的表面S6。
如圖6所示，形成第2SiC層30後，將形成於在前後方向N上與基準孔15相連的第5區域32中的第1SiC層28去除，以形成第1孔16。再者，將形成於在前後方向N上與第5區域32相連的第6區域34中的第2SiC層30去除，以形成第2孔18。在本實施形態中，藉由超音波加工等的機械加工製程形成第1孔16和第2孔18。刮削第2SiC層30的前側2的材料表面，以形成SiC構件1的前側2的表面。
第5區域32係第1SiC層28之中在前後方向N上與基準孔15相連的區域。亦即，第5區域32係第1SiC層28的第1部分281的一部分。去除形成於第5區域32中的第1SiC層28後，保留第1SiC層28之中的第1部分281的一部分和第2部分282。上述第1部分281的一部分成為形成第1孔16的內周表面並擴展至第1孔16的周邊之第1區域20。再者，第2部分282成為與第1區域20相鄰並擴展至第1區域20的周邊之第2區域22。
在歷經上述的製造方法之後，最終保留的第1SiC層28形成第1SiC塗覆物5，其中第1SiC塗覆物5具有在前後方向N上與基準孔15相連的第1孔16、形成第1孔16的內周表面並擴展至第1孔16的周邊的第1區域20、和與第1區域20相鄰並擴展至第1區域20的周邊的第2區域22。
第6區域34係第2SiC層30之中在前後方向N上與第5區域32相連的區域。亦即，第6區域34係第2SiC層30的第3部分301的一部分。去除形成於第6區域34中的第2SiC層30後，保留第2SiC層30之中的第3部分301的一部分和第4部分302。上述第3部分301的一部分成為形成第2孔18的內周表面並擴展至第2孔18的周邊之第3區域24。再者，第4部分302成為與第3區域24相鄰並擴展至第3區域24的周邊之第4區域26。
在歷經上述的製造方法之後，最終保留的第2SiC層30形成第2SiC塗覆物7，其中第2SiC塗覆物7具有在前後方向N上與第1孔16相連的第2孔18、形成第2孔18的內周表面並擴展至第2孔18的周邊的第3區域24、和與第3區域24相鄰並擴展至第3區域24的周邊的第4區域26。
（3）變化例 無需明說即可理解，本申請發明的實施形態並不限定於以上的實施例，而且只要屬於本發明的技術範圍內則可以採用各種的形態。
例如，在上述實施形態中，列舉出了用於設置有通孔13的電漿處理裝置之噴淋頭作為SiC構件1。然而，SiC構件不限定於噴淋頭，只要是用於設置有基準孔的基材之構件，也可以是具有不同形狀的構件。
（4）功用效果 當具有上述的結構時，第1SiC塗覆物5包括具有晶體在傾斜於前後方向N的第1方向M上成長之晶體結構的第1區域20、和具有晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構的第2區域22。再者，第2SiC塗覆物7包括具有晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構的第3區域24和第4區域26。如此一來，能夠將包括具有晶體在彼此不同的方向上成長之晶體結構的第1區域20和第2區域22之第1SiC塗覆物5，以包括具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的第3區域24和第4區域26之第2SiC塗覆物7覆蓋。因此，在SiC構件1的表面上會出現具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的SiC塗覆物。結果，能夠防止SiC構件1的表面上出現黑點圖案，且能夠確保SiC構件的外觀簡潔美觀。
再者，當具有上述的結構時，在作為SiC構件1之噴淋頭的表面上會出現具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的SiC塗覆物。結果，能夠防止噴淋頭的表面上出現黑點圖案。
根據上述的製造方法，第1SiC塗覆物5包括具有晶體在傾斜於前後方向N的第1方向M上成長之晶體結構的第1區域20、和具有晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構的第2區域22，而且，第2SiC塗覆物7包括具有晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長之晶體結構的第3區域24和第4區域26。如此一來，能夠將包括具有晶體在彼此不同的方向上成長之晶體結構的第1區域20和第2區域22之第1SiC塗覆物5，以包括具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的第3區域24和第4區域26之第2SiC塗覆物7覆蓋。因此，在SiC構件1的表面上會出現具有晶體在特定的方向上成長之晶體結構的SiC塗覆物。結果，能夠防止SiC構件1的表面上出現黑點圖案，且能夠提供能確保SiC構件1的外觀簡潔美觀的製造方法。
再者，根據上述的製造方法，第1SiC層28形成於基板3的前側的表面S1上，且將形成於在前後方向N上與基準孔15相連的第5區域32中的第1SiC層28去除，以形成第1孔16。再者，第2SiC層30形成於第1SiC層28的前側的表面S5上，且將形成於在前後方向N上與第5區域32相連的第6區域34中的第2SiC層30去除，以形成第2孔18。如此一來，能夠容易地得到在前後方向N上與基準孔15相連的第1孔16及第2孔18，而不需預先對在前後方向N上與基準孔15相連的區域進行遮罩處理。結果，能夠提供防止SiC構件1的表面上出現黑點圖案之SiC構件1的簡易製造方法。
再者，根據上述的製造方法，形成第1SiC層28以覆蓋基板3的前側的表面S1和基準孔15的內周表面，而且將形成於基準孔15的內周表面和在前後方向N上與基準孔15的內周表面相連的區域所構成之第5區域32中的第1SiC層28去除，以形成第1孔16。如此一來，能夠容易地得到在前後方向N上與基準孔15相連的第1孔16及第2孔18，而不需預先對基準孔15的內周表面進行遮罩處理。
再者，根據上述的製造方法，形成第1SiC層28以封住基板3的基準孔15。如此一來，能夠沿著基板3的前側的表面S1平坦地形成第1SiC層28的前側的表面S5。因此，能夠防止形成於第1SiC層28的前側的表面S5上之第2SiC層30的晶體結構由於第1SiC層28的前側的表面S5之不平坦而造成晶體在傾斜於前後方向N的第1方向M上成長。結果，能夠提供防止SiC構件1的表面上出現黑點圖案之SiC構件1的簡易製造方法。
再者，根據上述的製造方法，在形成第2SiC層30之後，形成第1孔16和第2孔18。如此一來，SiC構件1的前側2僅會出現晶體在沿著前後方向N的第2方向L上成長的晶體結構。結果，能夠提供防止SiC構件1的表面上出現黑點圖案之SiC構件1的簡易製造方法。
1‧‧‧SiC構件 2‧‧‧前側 3‧‧‧基板 4‧‧‧後側 5‧‧‧第1SiC塗覆物 7‧‧‧第2SiC塗覆物 13‧‧‧通孔 15‧‧‧基準孔 16‧‧‧第1孔 18‧‧‧第2孔 20‧‧‧第1區域 22‧‧‧第2區域 24‧‧‧第3區域 26‧‧‧第4區域 28‧‧‧第1SiC層 30‧‧‧第2SiC層 32‧‧‧第5區域 34‧‧‧第6區域 S1‧‧‧基板3的前側的表面 S2‧‧‧第1SiC塗覆物的前側的表面 S3‧‧‧第2SiC塗覆物的前側的表面 M‧‧‧第1方向 L‧‧‧第2方向 15a‧‧‧第1基準孔 15b‧‧‧第2基準孔 281‧‧‧第1部分 282‧‧‧第2部分 301‧‧‧第3部分 302‧‧‧第4部分 C‧‧‧部分 D1‧‧‧直徑 D2‧‧‧直徑 E‧‧‧邊緣 N‧‧‧前後方向 O‧‧‧中心 S4‧‧‧表面 S5‧‧‧表面 S6‧‧‧表面
[圖1]係繪示出根據本發明的SiC構件的構造的立體圖。 [圖2]係繪示出根據本發明的SiC構件沿著A-A剖面的剖面示意圖。 [圖3]係繪示出根據本發明的SiC構件的通孔之一的放大圖。 [圖4]係繪示出根據本發明的SiC構件的基準孔周邊的第1SiC層之晶體成長方向的示意圖。 [圖5]係繪示出根據本發明的SiC構件的基準孔周邊的第1SiC層和第2SiC層之晶體成長方向的示意圖。 [圖6]係繪示出根據本發明的SiC構件的第5區域及第6區域的示意圖。 [圖7]係SiC構件的表面上出現黑點的示意照片。
3‧‧‧基板
5‧‧‧第1SiC塗覆物
7‧‧‧第2SiC塗覆物
15b‧‧‧第2基準孔
16‧‧‧第1孔
18‧‧‧第2孔
20‧‧‧第1區域
22‧‧‧第2區域
24‧‧‧第3區域
26‧‧‧第4區域
S2‧‧‧第1SiC塗覆物的前側的表面
S3‧‧‧第2SiC塗覆物的前側的表面
M‧‧‧第1方向
L‧‧‧第2方向N前後方向
O‧‧‧中心

Claims (7)

  1. 一種SiC構件，其係具有前側及後側的SiC構件，且包括具有在前後方向上貫穿的基準孔之基板、至少形成於前述基板的前述前側的表面上之第1SiC塗覆物、及形成於前述第1SiC塗覆物的前述前側的表面上之第2SiC塗覆物， 其中前述第1SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述基準孔相連之第1孔、形成前述第1孔的內周表面並擴展至前述第1孔周邊之第1區域、及擴展至與前述第1區域相鄰的前述第1區域的周邊之第2區域，且前述第2SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述第1孔相連之第2孔、形成前述第2孔的內周表面並擴展至前述第2孔周邊之第3區域、及擴展至與前述第3區域相鄰的前述第3區域的周邊之第4區域， 且其中前述第1區域包括晶體在傾斜於前述前後方向的第1方向上成長之晶體結構，且前述第2區域、前述第3區域以及前述第4區域包括晶體在沿著前述前後方向的第2方向上成長之晶體結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之SiC構件，其中前述SiC構件係包括在前述前後方向上貫穿的複數基準孔之噴淋頭，且前述基準孔、前述第1孔以及前述第2孔形成前述複數基準孔中的其中一者。
  3. 一種SiC構件的製造方法，其係具有前側及後側的SiC構件的製造方法，其包括： 準備具有在前後方向上貫穿的基準孔之基板的步驟、至少在前述基板的前述前側的表面上形成第1SiC塗覆物的步驟、及在前述第1SiC塗覆物的前述前側的表面上形成第2SiC塗覆物的步驟， 其中前述第1SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述基準孔相連之第1孔、形成前述第1孔的內周表面並擴展至前述第1孔周邊之第1區域、及擴展至與前述第1區域相鄰的前述第1區域的周邊之第2區域，且前述第2SiC塗覆物包括在前述前後方向上與前述第1孔相連之第2孔、形成前述第2孔的內周表面並擴展至前述第2孔周邊之第3區域、及擴展至與前述第3區域相鄰的前述第3區域的周邊之第4區域， 且其中前述第1區域包括晶體在傾斜於前述前後方向的第1方向上成長之晶體結構，且前述第2區域、前述第3區域以及前述第4區域包括晶體在沿著前述前後方向的第2方向上成長之晶體結構。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之SiC構件的製造方法，其中形成前述第1SiC塗覆物的步驟包括： 在前述基板的前述前側的表面上沉積SiC材料以形成第1SiC層的步驟；以及 將形成於在前述前後方向上與前述基準孔相連的第5區域中的前述第1SiC層去除以形成前述第1孔的步驟， 且其中形成前述第2SiC塗覆物的步驟包括： 在前述第1SiC塗覆物的前述前側的表面上沉積前述SiC材料以形成第2SiC層的步驟；以及 將形成於在前述前後方向上與前述第5區域相連的第6區域中的前述第2SiC層去除以形成前述第2孔的步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之SiC構件的製造方法，其中形成前述第1SiC層以覆蓋前述基準孔的內周表面，且形成前述第5區域以覆蓋前述基準孔的內周表面。
  6. 如申請專利範圍第4或5項任一項所述之SiC構件的製造方法，其中形成前述第1SiC層以封住前述基準孔。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項所述之SiC構件的製造方法，其中在形成前述第1孔的步驟及形成前述第2孔的步驟中，在形成前述第2SiC層之後，將前述第1SiC層的前述第5區域及前述第2SiC層的前述第6區域去除，以形成前述第1孔及前述第2孔。
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