JP5458190B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Claims (4)
- 不純物を含有するシリコン単結晶の基板の直上に、強制的に排気を行って常圧以下の第1圧力である100〜600Torrの下で、トリクロロシランをエピタキシャル成長ガスとして用い、前記基板よりも不純物濃度が低くなるようにドーパントガスの供給を制御してエピタキシャル層を形成する第1成長工程と、
前記第1成長工程の後、前記第1圧力より高い第2圧力の下で、前記基板よりも不純物濃度が低くなるようにドーパントガスを供給してエピタキシャル層を形成する第2成長工程と、
を有するエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記第1成長工程においてドーパントガスを供給しないように、前記ドーパントガスの供給を制御する
請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第2成長工程において、トリクロロシランをエピタキシャル成長ガスとして用いる
請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1成長工程と前記第2成長工程との間に、前記第1圧力の下で前記基板よりも不純物濃度が低くなるようにドーパントガスを供給してエピタキシャル層を形成する第3成長工程
を更に有する請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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