JP2010003735A - エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Sの直上に、基板Sよりも不純物濃度が低い第1層を気相成長させる第1成長工程(1st Growth工程)と、第1層よりも上に第2層を気相成長させる第2成長工程(2nd Growth工程)とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第1成長工程において、強制的に排気を行って常圧AP以下の第1圧力RPの下で気相成長させ、第2成長工程において、第1圧力RPより高い第2圧力APの下で気相成長させるようにする。
【選択図】図2
Description
Claims (11)
- 不純物を含有するシリコン単結晶の基板の直上に、前記基板よりも不純物濃度が低い第1の層を気相成長させる第1成長工程と、前記第1の層よりも上に第2の層を気相成長させる第2成長工程とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記第1成長工程において、強制的に排気を行って常圧以下の第1圧力の下で気相成長させ、
前記第2成長工程において、前記第1圧力より高い第2圧力の下で気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第2の層は、前記第1の層よりも不純物濃度が高い
請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1成長工程の前に、前記基板を所定温度に昇温する昇温工程を更に有し、
前記昇温工程において、強制的に排気を行って前記第1圧力の下で前記基板を昇温させる
請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1の層は、ノンドープ層である
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1の層及び前記第2の層との間に少なくとも1以上の第3の層を気相成長させる第3成長工程を有し、
少なくとも1以上の第3の層の気相成長を、強制的に排気を行って前記第1圧力の下で実行する
請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1圧力の下での気相成長させる総時間を所定時間以内とする、又は、前記第1圧力の下で気相成長させる層の厚さを所定厚さ以下とする
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度の低い第1の層と、前記第1の層よりも上方に形成される第2の層とを有し、
前記基板と前記第1の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記エピタキシャルウェーハの平面上複数個所における、第2の層の表面近傍の第1抵抗率に対する、前記遷移領域から上方へ略5μmにおける第2抵抗率の割合についての平均が80パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。 - 基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度が低い第1の層と、前記第1の層よりも上方に形成される第2の層とを有し、
前記基板と前記第1の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記エピタキシャルウェーハの平面上複数個所における、第2の層の表面近傍の第1抵抗率に対する、前記遷移領域から上方へ略5μmにおける第2抵抗率の割合の最小値が70パーセント以上であり、且つ、前記割合の最大値が90パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。 - 基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度の低い第1の層と、前記第1の層よりも上方に形成される第2の層とを有するエピタキシャルウェーハであって、
前記第2の層の表面近傍の抵抗率は、前記基板の抵抗率より3桁以上高く、前記基板上の層の合計の層厚は、10μmを超えており、
前記基板と第1の層の界面から上方へ10μmの位置における抵抗率が、前記第2の層の表面近傍の抵抗率が20Ωcm以上である場合には、前記第2の層の表面近傍の抵抗率の50パーセント以上であり、前記第2の層の表面近傍の抵抗率が15〜20Ωcmの場合には、前記第2の層の表面近傍の抵抗率の60パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。 - 基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度が低い第1の層と、前記第1の層よりも上方に形成される第2の層とを有するエピタキシャルウェーハであって、
前記第2の層の表面近傍の抵抗率は、前記基板の抵抗率より3桁以上高く、
前記基板と前記第1の層の界面から、前記基板上の層の合計の層厚の略16.7パーセントの厚さだけ上方の位置における抵抗率が、前記第2の層の表面近傍の抵抗率が20Ωcm以上である場合には、前記第2の層の表面近傍の抵抗率の50パーセント以上であり、前記第2の層の表面近傍の抵抗率が15〜20Ωcmの場合には、前記第2の層の表面近傍の抵抗率の60パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。 - 基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度が低い第1の層と、前記第1の層よりも上方に形成される第2の層とを有するエピタキシャルウェーハであって、
前記第2の層の表面近傍の抵抗率は、前記基板の抵抗率より3桁以上高く、前記基板上の層の合計の層厚は、10μmを超えており、
前記第2の層の表面近傍の抵抗率が10Ωcm以上であり、前記基板と前記第1の層との界面から10μmにおける前記第2の層の抵抗率が、前記第2の層の表面近傍の抵抗率×0.167+6.16(Ωcm)より大きいエピタキシャルウェーハ。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52110570A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-16 | Hitachi Ltd | Forming method of silicon epitaxial layer |
JPH01161826A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 気相エピタキシャル成長法 |
JPH09246196A (ja) * | 1996-03-09 | 1997-09-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶およびシリコン単結晶薄膜の製造方法 |
JP2000191395A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェ―ハの薄膜形成方法および半導体ウェ―ハ |
JP2004327716A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法 |
JP2005150364A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2006229234A (ja) * | 2006-02-16 | 2006-08-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
JP2007081045A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン・ウェーハの製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52110570A (en) * | 1976-03-15 | 1977-09-16 | Hitachi Ltd | Forming method of silicon epitaxial layer |
JPH01161826A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 気相エピタキシャル成長法 |
JPH09246196A (ja) * | 1996-03-09 | 1997-09-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶およびシリコン単結晶薄膜の製造方法 |
JP2000191395A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェ―ハの薄膜形成方法および半導体ウェ―ハ |
JP2004327716A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長方法 |
JP2005150364A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2007081045A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン・ウェーハの製造方法 |
JP2006229234A (ja) * | 2006-02-16 | 2006-08-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ |
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