JP5227670B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (4)
- シリコン単結晶の基板の直上に、前記基板よりも不純物濃度が低い第1の層を気相成長させる第1成長工程と、前記第1の層よりも上に第2の層を気相成長させる第2成長工程とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記第1成長工程を常圧以下の第1圧力下で実行し、
前記第2成長工程を前記第1圧力以上の第2圧力下で実行するとともに、不純物をドープするためのドーパントガスの反応炉内への流量を前記第2成長工程の開始時点から時間と共に徐々に減少させるように1以上の流量制御部によって制御するエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第2成長工程において、前記第2の層における前記基板からの厚さに対する抵抗率の対数値が直線状となるように、1以上の前記流量制御部による前記反応炉内への前記ドーパントガスの前記流量を前記第2成長工程の開始時点から時間と共に徐々に減少させる
請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第1の層と、前記第2の層との間に第3の層を気相成長させる第3成長工程を更に有し、
前記第3成長工程において、不純物をドープするためのドーパントガスの反応炉内への流量を前記第3成長工程の開始時点から時間と共に徐々に減少させるように1以上の流量制御部によって制御する
請求項1乃至請求項2のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記第3成長工程において、前記第3の層における前記基板からの厚さに対する抵抗率の対数値が直線状となるように1以上の前記流量制御部による前記反応炉内への前記ドーパントガスの前記流量を前記第3成長工程の開始時点から時間と共に徐々に減少させ、
前記第2成長工程において、前記第2の層における前記基板からの厚さに対する抵抗率の対数値が直線状となるように1以上の前記流量制御部による前記反応炉内への前記ドーパントガスの前記流量を前記第2成長工程の開始時点から時間と共に徐々に減少させ、
前記第2成長工程及び前記第3成長工程において、前記第2の層における前記基板からの厚さに対する抵抗率の対数値の傾きの絶対値が、前記第3の層における前記基板からの厚さに対する抵抗率の対数値の傾きの絶対値よりも小さくなるように前記反応炉内への前記ドーパントガスの前記流量を制御する
請求項3に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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