CN117153671B - 碳化硅衬底的外延生长方法以及碳化硅外延片 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种碳化硅衬底的外延生长方法以及碳化硅外延片。所述外延生长方法用于在碳化硅衬底上交替生长不同掺杂类型的外延层。所述外延生长方法包括：对放置于反应腔室内的碳化硅衬底进行刻蚀；在完成刻蚀的碳化硅衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上交替生长第一外延层和第二外延层；其中，所述缓冲层、所述第一外延层和所述第二外延层于所述反应腔室内生长；所述第二外延层生长完成后，转移所述第二中间态衬底至缓冲腔室，并清洁所述反应腔室；所述第一外延层从所述缓冲腔室转移至清洁完毕的反应腔室内继续生长；所述缓冲腔室与所述反应腔室同属于同一外延生长设备。
Description
技术领域
本申请涉及把半导体元件加工领域，特别是涉及一种在碳化硅衬底上交替生长不同掺杂类型的外延层的外延方法以及基于该方法得到的碳化硅外延片。
背景技术
碳化硅外延技术是一种在半导体领域广泛应用的制备方法。外延过程就是在单晶衬底上沿其原来的结晶轴方向生长出新单晶层的过程，新生长的单晶层即外延层。和硅器件工艺有所区别，几乎所有的碳化硅电力电子器件工艺均在4H-SiC同质外延层上实现。而多层不同掺杂的碳化硅外延层具有多种用途，包括功率放大器，射频放大器，高频开关，光电子器件，传感器和光伏电池。研究表明，碳化硅器件相比较于传统硅基器件，拥有更好的耐压和耐高温特性，开关频率更高，器件参数更加优良。但在开发多层外延工艺的方法上，传统CVD生长炉存在诸多未解决的问题。
传统工艺制备多层不同掺杂外延层的流程较为复杂，需要克服问题较多，效率不高，成本居高不下，这些问题严重阻碍了对碳化硅外延层进行多层不同类型掺杂的工艺研发和后续应用。其中主要工艺难点为，掺杂不同类型载流子，需要解决同腔体内载流子记忆效应，机台无法兼容两种掺杂源问题和不同机台生长重复传片，生长时间长，生产效率低的缺点。
发明内容
为了解决上述问题，本申请公开了一种用于碳化硅衬底的外延生长方法。所述外延生长方法能够对提高具有层叠的不同掺杂类型的外延层的碳化硅外延片的生长效率，减少生产时间，降低生产成本。
本申请一方面提供一种用于碳化硅衬底的外延生长方法。所述外延生长方法用于在碳化硅衬底上交替生长不同掺杂类型的外延层。所述外延生长方法可以包括：对放置于反应腔室内的碳化硅衬底进行刻蚀；在完成刻蚀的碳化硅衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上交替生长第一外延层和第二外延层；其中，所述缓冲层、所述第一外延层和所述第二外延层于所述反应腔室内生长；所述第二外延层生长完成后，转移所述碳化硅衬底至缓冲腔室，并清洁所述反应腔室；所述第一外延层在从所述缓冲腔室转移至清洁完毕的反应腔室内的碳化硅衬底上继续生长；所述缓冲腔室与所述反应腔室同属于同一外延生长设备。
在一些可行的实施方式中，所述刻蚀使用的刻蚀气体为氢气，刻蚀温度为1550-1600℃。
在一些可行的实施方式中，所述缓冲层的生长中，碳源气体的流量为10-30sccm，硅源气体的流量为30-60sccm，缓冲掺杂气体的流量为10-20sccm。
在一些可行的实施方式中，所述缓冲层的厚度为0.8-1.2μm。
在一些可行的实施方式中，所述第一外延层包括N型外延层，在N型外延层的生长中，碳源气体与硅源气体的碳/硅比为0.8-1.2，N型掺杂气体的流量为30-50sccm。
在一些可行的实施方式中，所述第一外延层的厚度为0.5-10μm。
在一些可行的实施方式中，所述第二外延层包括P型外延层，在P型外延层的生长中，碳源气体与硅源气体的碳/硅比为2.0-3.0，P型掺杂气体的流量为0.5-2sccm。
在一些可行的实施方式中，所述第二外延层的厚度为0.5-5μm。
在一些可行的实施方式中，所述清洁所述反应腔室可以包括：向所述反应腔室内通入除杂气体，所述除杂气体用于与P型掺杂气体中的P型掺杂离子反应；预定时间后向所述反应腔室内通入清洁气体，以对所述反应腔室进行气体置换。
本申请另一方面提供一种碳化硅外延片。所述碳化硅外延片可以基于上述碳化硅衬底的外延生长方法制备。
本申请所披露的碳化硅衬底的外延生长方法，可以在同一工艺空间内实现不同掺杂类型的外延层的生长，工艺流程简单，生产时间短，生产效率高。
附图说明
本申请将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本申请的一些实施例所示的碳化硅衬底的外延生长方法的示例性流程图；
图2是根据本申请的一些实施例所示的外延生长装置的示例性结构示意图；
图3是根据本申请的一些实施例所示的碳化硅外延片的示例性结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中的元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
本文中使用的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及／或”或“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
以下参考附图对本申请的一些实施例进行说明。应当注意的是，以下描述是为了说明的目的，并不旨在限制本申请的保护范围。
图1是根据本申请的一些实施例所示的碳化硅衬底的外延生长方法的示例性流程图。所述外延生长方法可以在碳化硅衬底上交替生长不同掺杂类型的外延层。例如，P型掺杂外延层和N型掺杂外延层的交替生长。如图1所示，外延生成方法100可以包括以下操作。
步骤110，对放置于反应腔室内的碳化硅衬底进行刻蚀。
在一些实施例中，所述反应腔室可以是碳化硅外延生长装置的组成部件。例如，所述碳化硅外延生长装置可以包括外延生长炉，所述反应腔室可以是生长炉中的化学气相沉积室。在其中可以实现诸如刻蚀、外延生长等操作。该化学气相沉积室可以实现不同类型的化学气相沉积工艺，包括但不限于等离子增强化学气相沉积（PECVD）、高密度等离子体化学气相沉积（HDP CVD）、微波等离子化学气相沉积（MPCVD）、微波电子回旋共振等离子化学气相沉积（ECR-MPCVD）、超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、热化学气相沉积（TCVD）、高温化学气相沉积（HTCVD）、金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）、激光诱导化学气相沉积（LCVD）等或其任意组合。本申请不做具体限定。
在一些实施例中，所述刻蚀可以包括原位刻蚀。例如，将所述反应腔室内升温至预定的刻蚀温度后，保持该刻蚀温度进行原位刻蚀。又例如，可以进行升温速率控制，从开始升温到升温至刻蚀温度的过程中进行原位刻蚀。还例如，可以采用原位辅助刻蚀，在升温至一定程度后向所述反应腔室内通入固定流量的碳源气体，并继续升温至刻蚀温度。在这个升温过程中进行原位刻蚀。在一个可行的实施方式中，所述反应腔室的温度可以从初始温度的900℃升温至1550-1600℃，例如，1550℃、1560℃、1570℃、1580℃、1590℃、1600℃等。升温时间可以是例如600s。升温完成后向所述反应腔室内通入刻蚀气体。在本申请中所述刻蚀气体可以是氢气，流量大小可以是例如100slm。此时，所述反应腔体内的压力可以是100mbar，也可以是其他。比如，80mbar、90mbar、110mbar、110mbar等。刻蚀时间可以是例如150s，经过刻蚀后的碳化硅衬底的亚表面损伤被祛除，同时可以获得规则的表面台阶结构。
步骤120，在完成刻蚀的碳化硅衬底上生长缓冲层。
在一些实施例中，所述缓冲层的生长也可以是在所述反应腔室内进行。示例性的，向所述反应腔室内通入碳源气体和硅源气体，同时通入缓冲掺杂气体。所述碳源气体的流量可以是10-30sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是11-29sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是12-28sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是13-27sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是14-26sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是15-25sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是16-24sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是17-23sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是18-22sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是19-21sccm。可选地或优选地，所述碳源气体的流量可以是20sccm。所述硅源气体的流量可以是30-60sccm。可选地或优选地，所述硅源气体的流量可以是32-58sccm。可选地或优选地，所述硅源气体的流量可以是34-56sccm。可选地或优选地，所述硅源气体的流量可以是36-54sccm。可选地或优选地，所述硅源气体的流量可以是38-52sccm。可选地或优选地，所述硅源气体的流量可以是40-50sccm。例如，又可以是40sccm、41sccm、42sccm、43sccm、44sccm、45sccm、46sccm、47sccm、48sccm、49sccm、50sccm等。所述缓冲掺杂气体的流量可以是10-20sccm，例如，10sccm、11sccm、12sccm、13sccm、14sccm、15sccm、16sccm、17sccm、18sccm、19sccm、20sccm等。当然，以上气体的流量可以是其对应的流量范围内的任一数值，本申请不做限定。在进行缓冲层生长中，所使用的载气可以是氢气，其流量可以是例如100slm。生长时间可以为200-300s。例如，210s、220s、230s、240s、250s、260s、270s、280s、290s、300s或其范围内任意数值。所使用的碳源气体可以是例如甲烷、乙烯、乙炔、丙烷等中的一种或以上，所使用的硅源气体可以是例如硅烷、二氯氢硅、三氯氢硅、四氯氢硅中的一种或以上。所述缓冲掺杂气体可以N型离子掺杂气体，例如，氮气、三氢化磷等。所述反应腔体内的压力可以是300mbar，腔体内的温度可以是1620℃。所的到的缓冲层也可以是N型掺杂层。
在一些实施例中，所述缓冲层的厚度可以是0.8-1.2μm。例如，0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm等，或者该范围内其他厚度。
步骤130，在所述缓冲层上交替生长第一外延层和第二外延层。
在一些实施例中，所述第一外延层和所述第二外延层可以分别是N型外延层和P型外延层。为说明方便，在本申请中指定第一外延层为N型外延层，第二外延层为P型外延层。所述第一外延层和所述第二外延层的交替生长，可以是先在所述第二中间态衬底的缓冲层上生长第一外延层，再在第一外延层上继续生长第二外延层。随后重复生长第一外延层和第二外延层。所述交替生长也可以是先在所述第二中间态衬底的缓冲层上生长第二外延层，再在第二外延层上继续生长第一外延层。随后重复生长第二外延层和第一外延层。
以在缓冲层上首先生成第一外延层为例进行说明。所述第一外延层的生长可以是继续在所述反应腔室内进行。示例性的，在所述缓冲层生长完毕后，在预定时间内（例如，20-30s内）将碳源气体和硅源气体的流量分别增加到50-65sccm和80-110sccm，将所述缓冲掺杂气体作为生长第一外延层（也就是N型外延层）的掺杂气体，其流量可以增加到30-50sccm。随后保持流量的稳定进行N型外延层的持续生长。在生长过程中碳源气体与硅源气体的碳/硅比可以是0.8-1.2，例如，0.8、0.9、1.0、1.1、1.2等。在以上生长条件下，所述第一外延层的生长速度可以是55-75μm/h，生长厚度可以是0.5-5μm，根据不同的场景可以有不同的厚度选择。所使用的载气可以保持氢气不变化。
在一些实施例中，当所述第一外延层生长完毕后，碳源气体和硅源气体可以继续通入所述反应腔室。对流量进行改变，碳源气体的流量可以变更为100-150sccm，硅源气体的流量可以变更为30-40sccm。对掺杂气体进行更换，通入P型离子掺杂气体，例如，三甲基铝或三氟化硼等。掺杂气体的流量可以是0.5-2sccm，示例性的，可以是0.5sccm、0.6sccm、0.7sccm、0.8sccm、0.9sccm、1.0sccm、1.1ccm、1.2sccm、1.3sccm、1.4sccm、1.5sccm、1.6sccm、1.7sccm、1.8sccm、1.9sccm、2.0sccm等。在所述第二外延层的生长过程中，碳源气体与硅源气体的碳/硅比可以是2.0-3.0。高碳硅比可增强铝的掺杂，而且同时抑制氮的掺杂，从而保证掺杂的高效和无污染。在以上生长条件下，所述第二外延层的生长速度可以是55-75μm/h，生长厚度可以是0.5-10μm，根据不同的场景可以有不同的厚度选择。所使用的载气可以保持氢气不变化。
在一些实施例中，在完成所述第二外延层（P型外延层）的生长后，若需要继续生长第一外延层（N型外延层），则需要干净无污染的生长环境。若继续在所述反应腔室内进行第一外延层的生长，残留的铝离子将影响N型离子的掺杂，污染生长的N型外延层。此时，在第二外延层生长完毕后，可以转移碳化硅衬底至缓冲腔室，并清洁所述反应腔室。所述缓冲腔室与所述反应腔室同属于同一外延生长设备。通过转移组件例如机器人手臂可以将碳化硅衬底进行反应腔室至缓冲腔室之间的转移。所述缓冲腔室内保持惰性环境，例如，充满有惰性气体比如氩气，以对碳化硅衬底上的生长完成的外延层进行保护。
在一些实施例中，所述清洁所述反应腔体可以是向所述反应腔体内通入除杂气体，以与P型掺杂气体中的P型掺杂离子反应。示例性的，假定P型掺杂离子为铝离子，则所述除杂气体可以是氯化氢气体。通过氯离子与铝离子的化学反应生成紧密的三氯化铝，已达到祛除铝离子的目的。示例性的化学反应方程式为〖Al〗^(3+)+〖3Cl〗^-=〖AlCl〗_3。通入的除杂气体的流量可以是1500-2000sccm。当然，在通入除杂气体之前，或者转移所述碳化硅衬底之前，所述反应腔体已经停止碳源气体、硅源气体以及掺杂气体的通入。又例如，假定P型掺杂离子为硼离子，则同样可以通入氯化氢气体作为除杂气体，以与硼离子反应生长三氯化硼以进行硼离子的清除。
在一些实施例中，在通入所述除杂气体预定时间后，例如，300-600s，可以向所述反应腔室通入清洁气体。所述清洁气体用于对所述反应腔室进行气体置换。一方面可以对残余的少量杂质进行清理，另一方面可以为所述反应腔室提供一个清洁无污染的环境。在一些实施例中，所述清洁气体可以是氢气，通入的量可以是100slm，在100-300s内持续的循环通入。
在一些实施例中，在所述反应腔室清洁完毕后，生长完第二外延层的碳化硅衬底可以从所述缓冲腔室转移值所述反应腔室，继续在所述第二外延层上进行第一外延层的生长。例如，以流量为50-65sccm通入碳源气体，以流量为80-100sccm通入硅源气体，以流量为30-50sccm通入掺杂气体（例如，氮气），继续生长厚度为0.5-5μm的N型外延层。
应当理解的是，当在所述缓冲层上生长的为第一外延层时，所述反应腔体不需要经过清洁。只需在生长完第二外延层，且需要在第二外延层之上继续生长第一外延层时，可以对所述反应腔体进行清洁，保证无污染地进行第一外延层的生长。
参考图2，图2是根据本申请的一些实施例所示的外延生长装置的示例性结构示意图。如图2所示，外延生长装置200可以包括反应腔室210和缓冲腔室220、转移腔室230、装载腔室240以及控制室350。反应腔室210可以用于碳化硅衬底的外延生长，包括但不限于衬底刻蚀、缓冲层的生长、在缓冲层上交替进行的第一外延层和第二外延层的生长。其包括有基台211，用于承载碳化硅衬底。加热部件212，用于对腔室内部进行加热实现各类工艺所需的温度。缓冲腔室220可以用于对碳化硅衬底的暂时保存。例如，前述说明中生长完第二外延层（P型外延层）的衬底。转移腔室230可以用于碳化硅衬底的转移，其包括有转移部件231，例如，机械臂。机械臂可以进入反应腔室210或缓冲腔室220，并夹取碳化硅衬底。随后在各个腔室内进行衬底的转移。装载腔室240可以作为碳化硅衬底进入外延生长装置的入口。例如，通过人工或自动的方式，碳化硅衬底可以被放置在装载腔室240中。随后，转移腔室230的转移部件231可以将碳化硅衬底转移至其他腔室，比如反应腔室210。控制室250可以对各腔室的温度、气压、通入气体的流量、时间等进行控制。
以下结合图2对外延生长方法100进行简要说明。图2所示的外延生长装置可以包括结合有缓冲腔室的碳化硅衬底外延炉（例如，水平碳化硅外延炉）。需要进行外延生长的碳化硅衬底可以放置于装载腔室240。转移腔室230中的转移部件231例如机械臂可以夹取碳化硅衬底至反应腔室210（例如，CVD反应腔室）中，进行外延生长。包括缓冲层的生长、第一外延层和/或第二外延层的生长等。待第二外延层（例如，P型外延层）生长完成后，碳化硅衬底可以从反应腔室210通过转移部件231比如机械臂夹取转移至缓冲腔室220。同时对反应腔室210进行清洁。例如，通入除杂气体进行杂质去除后再通入清洁气体进行气体置换等。待反应腔室210清洁完毕后，碳化硅衬底将通过转移腔室230的转移部件231例如机械臂夹取后重新转移至反应腔室210，继续在第二外延层上生长第一外延层。若需要继续生长的话。若无需继续生长，例如，在反应腔室210中生长完第二外延层后不再继续生长，则可以直接通过转移腔室230的转移部件231将外延生长完毕后得到的碳化硅外延片转移至装载腔室240。随后可以进行取片。或者，在反应腔室210中继续生长一层第一外延层后不再继续生长，也可以在生长完成后通过转移腔室230的转移部件231将外延生长完毕后得到的碳化硅外延片转移至装载腔室240，随后取片。控制室250则可以对各个工艺所需参数进行控制，例如，刻蚀所需温度、外延生长所需气体的选择、流量、时间等。控制室250可以具有气体面板251，用于控制进入反应腔室210的气体的种类和流量等。同时，控制室250可以反应腔室210内的加热组件221的工作，以提供工艺所需温度。
应当注意的是，上述有关图1中的各个步骤的描述仅仅是为了示例和说明，而不限定本说明书的适用范围。对于本领域技术人员来说，在本说明书的指导下可以对图1中的各个步骤进行各种修正和改变。然而，这些修正和改变仍在本说明书的范围之内。
本申请所披露的碳化硅衬底的外延生长方法，可以在同一工艺空间内实现不同掺杂类型的外延层的生长，工艺流程简单，生产时间短，生产效率高。
本申请还公开了一种碳化硅外延片。所述碳化硅外延片可以基于如上所述的碳化硅衬底的外延生长方法制备，其具有交替的不同掺杂类型的外延层。参考图3，图3是根据本申请一些实施例所示的碳化硅外延片的示例性结构示意图。如图3所示，碳化硅外延片300的碳化硅衬底310上生长有缓冲层320。其上依次层叠有第一外延层（N型外延层）330、第二外延层（P型外延层）340、第一外延层（N型外延层）350。N型外延层和P型外延层相互交替。当然，图3给出的仅仅为一个示例，第一外延层350之上还可以生长有第二外延层，更甚该第二外延层之上还可以生长有第一外延层。图3中所示的示例性结构，并不对本申请做出具体限定。
本文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。
应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。
Claims (10)
1.一种碳化硅衬底的外延生长方法，所述外延生长方法用于在碳化硅衬底上交替生长不同掺杂类型的外延层，其特征在于，所述外延生长方法包括：
对放置于反应腔室内的碳化硅衬底进行刻蚀；
在完成刻蚀的碳化硅衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上交替生长第一外延层和第二外延层；
其中，所述缓冲层、所述第一外延层和所述第二外延层于所述反应腔室内生长；所述第二外延层生长完成后，转移所述碳化硅衬底至缓冲腔室，并清洁所述反应腔室，所述清洁包括向所述反应腔室内通入除杂气体祛除掺杂离子，以及通入清洁气体清扫所述反应腔室；所述第一外延层在从所述缓冲腔室转移至清洁完毕的反应腔室内的碳化硅衬底上继续生长；所述缓冲腔室与所述反应腔室同属于同一外延生长设备。
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述刻蚀使用的刻蚀气体为氢气，刻蚀温度为1550-1600℃。
3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述缓冲层的生长中，碳源气体的流量为10-30sccm，硅源气体的流量为30-60sccm，缓冲掺杂气体的流量为10-20sccm。
4.根据权利要求3所述的外延生长方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为0.8-1.2μm。
5.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述第一外延层包括N型外延层，在N型外延层的生长中，碳源气体与硅源气体的碳/硅比为0.8-1.2，N型掺杂气体的流量为30-50sccm。
6.根据权利要求5所述的外延生长方法，其特征在于，所述第一外延层的厚度为0.5-10μm。
7.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述第二外延层包括P型外延层，在P型外延层的生长中，碳源气体与硅源气体的碳/硅比为2.0-3.0，P型掺杂气体的流量为0.5-2sccm。
8.根据权利要求7所述的外延生长方法，其特征在于，所述第二外延层的厚度为0.5-5μm。
9.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述清洁所述反应腔室，包括：
向所述反应腔室内通入除杂气体，所述除杂气体用于与P型掺杂气体中的P型掺杂离子反应；
预定时间后向所述反应腔室内通入清洁气体，以对所述反应腔室进行气体置换。
10.一种碳化硅外延片，其特征在于，所述碳化硅外延片基于如权利要求1-9中任一项所述的碳化硅衬底的外延生长方法制备。
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