JP7247749B2 - 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 - Google Patents
炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7247749B2 JP7247749B2 JP2019098412A JP2019098412A JP7247749B2 JP 7247749 B2 JP7247749 B2 JP 7247749B2 JP 2019098412 A JP2019098412 A JP 2019098412A JP 2019098412 A JP2019098412 A JP 2019098412A JP 7247749 B2 JP7247749 B2 JP 7247749B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon carbide
- polycrystalline
- substrate
- susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明の一実施形態にかかるサセプタ100について、図面を参照して説明する。本実施形態のサセプタ100は、例えば、後述する、成膜装置1000、及び、炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法に用いることができる。
次に、本発明の一実施形態にかかる成膜装置を、図面を参照して説明する。図2に示す、本実施形態の成膜装置1000は、例えば前述したサセプタ100を用いて、支持基板200に炭化ケイ素多結晶膜Fを成膜させることができるものである。本実施形態では、成膜装置1000に前述したサセプタ100を用いる場合について説明する。
次に、本発明の一実施形態にかかる炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法を、図面を参照して説明する。本実施形態では、前述のサセプタ100、及び、成膜装置1000を用いて支持基板200に炭化ケイ素多結晶膜Fを成膜する、炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法を説明する。以下の説明は炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法の一例であり、問題のない範囲で温度、圧力、ガス雰囲気等の各条件や、手順等を変更してもよい。本実施形態の炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法は、特に、厚さ50μm~500μmの炭化ケイ素多結晶膜を成膜する場合に適用することができる。
成膜の反応場において、原料ガスやキャリアガスの流れる方向と支持基板200の成膜対象面200aとが垂直になるように、支持基板200を保持してもよい。
支持基板200として、直径150mm、厚さ50μmの平行平板状の黒鉛製基板を用いた。また、サセプタ本体110は、直径160mm、厚さ100mmの黒鉛製で内部が中空の円板状のものを用い、ヒーター120は、直径50mm、厚さ25μmの円板状でカーボン製のものを用いた。また、支持基板200の中心部210の温度を計測する温度センサとして、白金ロジウム合金(ロジウム30%)、白金ロジウム合金(ロジウム6%)の電極を有する熱電対を用いた。支持基板200をサセプタ100の第1保持面110aに保持して、黒鉛製のボルトと黒鉛製のナットを用いて固定した。このとき、サセプタ本体110、ヒーター120、支持基板200の中心は一直線上に位置していた。
中心線状であって円周端部から内側に0.5mmの部分(本実施例においては、この部分を「円周端部」とする)について測定した。結果を表1に示した。
実施例2~実施例5、比較例1~比較例4として、雰囲気温度と支持基板200の中心部210の温度(以下、「中心部温度」と記載することがある)を種々変更したこと以外は、実施例1と同様にして、炭化ケイ素多結晶膜Fを成膜した。実施例2~実施例5、従来例、比較例1~比較例3の、成膜工程における温度条件と、膜厚の測定結果を表1に示した。
雰囲気温度と中心部温度を同じにした従来例においては、図4に示すように、中心部よりも円周端部の方が厚膜となり、円周端部膜厚と中心部膜厚の差が170μmであった。従来例の結果を考慮して、円周端部と中心部との膜厚差が60μmよりも小さいときに、炭化ケイ素多結晶膜の膜厚差が小さいと判断した。これに対して、中心部温度を雰囲気温度よりも50℃~200℃高くした実施例1~実施例5においては、膜厚差が0μm~40μmとなり、いずれの条件においても、雰囲気温度と中心部温度を同じにした従来例よりも厚さが均一な炭化ケイ素多結晶膜Fが得られた。また、実施例において得られた炭化ケイ素多結晶膜Fは、後工程の研削工程において問題はなく、従来例に比べて厚さが均一であったことから、研削処理の負担が小さかった。
110 サセプタ本体
110a 第1保持面
110b 第2保持面
120 ヒーター
200 支持基板
200a 成膜対象面
1000 成膜装置
F、F’ 炭化ケイ素多結晶膜
Claims (1)
- 化学蒸着により支持基板の成膜対象面に炭化ケイ素多結晶膜を成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程において、
雰囲気温度が、1000℃~1500℃の範囲内であり、
前記成膜対象面の中心部を、前記雰囲気温度よりも50℃~200℃高くなるように加熱する、炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098412A JP7247749B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019098412A JP7247749B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020194835A JP2020194835A (ja) | 2020-12-03 |
JP7247749B2 true JP7247749B2 (ja) | 2023-03-29 |
Family
ID=73547640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019098412A Active JP7247749B2 (ja) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7247749B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343779A (ja) | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2003502878A (ja) | 1999-06-24 | 2003-01-21 | ナーハ ガジル、プラサード | 原子層化学気相成長装置 |
JP2005294508A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Toyo Tanso Kk | サセプタ |
JP2007250644A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 加熱部材、及びこれを用いた基板加熱装置 |
JP2017103356A (ja) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2018101721A (ja) | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08188468A (ja) * | 1994-12-29 | 1996-07-23 | Toyo Tanso Kk | 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-05-27 JP JP2019098412A patent/JP7247749B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003502878A (ja) | 1999-06-24 | 2003-01-21 | ナーハ ガジル、プラサード | 原子層化学気相成長装置 |
JP2002343779A (ja) | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2005294508A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Toyo Tanso Kk | サセプタ |
JP2007250644A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 加熱部材、及びこれを用いた基板加熱装置 |
JP2017103356A (ja) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2018101721A (ja) | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020194835A (ja) | 2020-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110249417B (zh) | 用于深沟槽内的低温选择性外延的方法及设备 | |
US20140264384A1 (en) | SiC SUBSTRATE WITH SiC EPITAXIAL FILM | |
JP7163756B2 (ja) | 積層体、積層体の製造方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP2015198213A (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウェハの製造方法及びそれに用いる炭化珪素単結晶基板のホルダー | |
JP2002033284A (ja) | 縦型cvd用ウェハホルダー | |
JP7255473B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7247749B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、サセプタ、及び、成膜装置 | |
JPH11121311A (ja) | 炭化ケイ素材およびその製造方法並びに炭化ケイ素ウエハ | |
JP7247819B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7294021B2 (ja) | 黒鉛製支持基板の表面処理方法、炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7273267B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7400337B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7322408B2 (ja) | 炭化珪素多結晶基板、炭化珪素多結晶膜の製造方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7220845B2 (ja) | サセプタ、サセプタの再生方法、及び、成膜方法 | |
CN117026378A (zh) | SiC外延晶片及SiC器件 | |
JP7220844B2 (ja) | SiC多結晶基板の製造方法 | |
JP7338193B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7279465B2 (ja) | 支持基板、支持基板の保持方法、及び、成膜方法 | |
JP7413768B2 (ja) | 多結晶基板の製造方法 | |
JP7322371B2 (ja) | 炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
JP7367497B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶膜の成膜方法、および、炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
JP7371510B2 (ja) | 成膜方法および基板の製造方法 | |
JP6117522B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
JP2021103720A (ja) | エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法 | |
JP7392526B2 (ja) | 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230214 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7247749 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |