KR100396014B1 - 기판처리장치,기판지지장치,기판처리방법및기판제조방법 - Google Patents

기판처리장치,기판지지장치,기판처리방법및기판제조방법 Download PDF

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KR100396014B1
KR100396014B1 KR10-1998-0034737A KR19980034737A KR100396014B1 KR 100396014 B1 KR100396014 B1 KR 100396014B1 KR 19980034737 A KR19980034737 A KR 19980034737A KR 100396014 B1 KR100396014 B1 KR 100396014B1
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토루 타키사와
타카오 요네하라
켄지 야마가타
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캐논 가부시끼가이샤
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    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer

Abstract

본 발명은, 흡착홈(3a), (3b)의 공간을 배기하여 웨이퍼(1)의 전체면을 웨피어지지대(3)의 흡착면에 흡착해서 웨이퍼(1)를 만곡시킨다. 웨이퍼(2)를 웨이퍼(1)에 수평으로 대향시킨 상태에서, 가압핀(6a)에 의해 웨이퍼(2)의 중심부를 가압한다. 이에 의해, 2매의 웨이퍼(1),(2)의 중심부가 밀착하고, 밀착부는, 중앙부(3c)의 주변부근까지 서서히 확대해서, 대략 원형상을 취한다. 그후, 흡착홈(3a)에 의한 흡착을 정지한다. 그 결과 웨이퍼(1)가 평탄하게 되고, 또한 웨이퍼(1),(2)의 전체면이 밀착한다.

Description

기판처리장치, 기판지지장치, 기판처리방법 및 기판제조방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE SUPPORT APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE FABRICATION METHOD}
본 발명은, 기판처리장치, 기판지지장치, 기판처리방법 및 기판제조방법에 관한 것으로서, 특히, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리장치, 기판지지장치 및 기판처리방법 그리고 이들의 장치 또는 방법을 적용한 기판의 제조방법에 관한 것이다.
2매의 웨이퍼(기판)을 밀착시켜, 양극접합처리, 가압처리, 열처리 등을 행함으로써 맞붙이는 방법은, SOI등의 구조를 가진 웨이퍼의 제조에 적합하다.
도 25A 내지 도 25B는 웨이퍼를 접합공정의 일부를 표시한 개략도이다. 이 접합공정에서는, 먼저, 도 25A에 표시한 바와 같이, 제 1웨이퍼(1)의 접합면을 위로해서 웨이퍼지지지그(201)위에 제 1웨이퍼(1)를 세트하고, 제 2웨이퍼(2)의 접합면을 아래로해서 제 1웨이퍼위에 제 2웨이퍼를 서서히 맞포갠다. 이 상태에서, 위쪽의 웨이퍼(2)는, 도 25A에 표시한 바와 같이, 웨이퍼간의 기체(예를 들면, 공기, 불활성기체)에 의해 부유한 상태로 된다.
이어서, 웨이퍼(1),(2)간의 기체가 완전히 배출되기전에, 도 25B에 표시한 바와 같이, 위쪽의 웨이퍼(2)의 중심부근을 가압핀(202)에 의해서 가압하면, 웨이퍼의 중심부사이의 공기가 바깥둘레방향으로 압출되고, 우선, 중심부에서웨이퍼(1),(2)가 밀착하고, 그후, 웨이퍼간의 기체가 바깥둘레방향을 향해서 서서히 압출되면서 밀착부분의 면적이 확대하고, 최종적으로 웨이퍼의 전체가 밀착된다.
이 방법은, 간이한 지그에 의해 2매의 웨이퍼를 밀착시키는 방법으로서 유용할 뿐만아니라, 대구경의 웨이퍼에 용이하게 적용할 수 있는 기초기술로서 고려되고 있다.
일반적으로, 웨이퍼의 대구경화에 따라, 웨이퍼면내의 균일화를 확보하는 것이 곤란하게 된다. 상기 방법은, 대구경의 웨이퍼의 제조에 적용했을 경우에도, 이 면내균일성의 문제를 극복할 수 있는 것으로서, 기대되고 있다. 그러나, 보다 대구경화에 적합한 기술이 요망되고 있다.
본 발명의 목적은, 대구경의 기판을 용이하게 밀착시키기 위한 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 의한 웨이퍼처리장치의 전체구성을 개략적으로 표시한 사시도
도 2는 도 1의 일부를 확대한 도면
도 3은 웨이퍼지지대에 설치된 진공흡착기구의 일예를 표시한 도면
도 4는 웨이퍼지지대에 설치된 진공흡착기구의 일예를 표시한 도면
도 5A 내지 도 5F는 웨이퍼처리장치에 의해 2매의 웨이퍼를 밀착시킬때에, 밀착부가 확대하는 모양을 개념적으로 표시한 도면
도 6A 내지 도 6F는 종래의 웨이퍼처리장치에 의해 2매의 웨이퍼를 밀착시킬 때에, 밀착부가 확대하는 모양을 개념적으로 표시한 도면
도 7 내지 도 12는 도 1 과 도 2에 표시한 웨이퍼처리장치의 선(A-A')을 따라서 취한 단면도
도 13은 웨이퍼처리장치의 제어계의 구성예를 표시한 블록도
도 14는 웨이퍼처리장치의 제어수순을 표시한 순서도
도 15는 제 2실시예에 의한 웨이퍼지지대의 구성예를 표시한 단면도
도 16은 제 3실시예에 의한 웨이퍼지지대의 구성예를 표시한 단면도
도 17은 제 4실시예에 의한 웨이퍼지지대의 구성예를 표시한 단면도
도 18은 제 4실시예에 의한 웨이퍼지지대의 구성예를 표시한 단면도
도 19는 2매의 웨이퍼를 밀착시키기 위한 준비가 완료한 상태를 표시한 도면
도 20은 밀착부가 제 1밀착경계(b1)까지 도달한 상태를 개략적으로 표시한 도면
도 21은 밀착부가 제 2밀착경계(b2)까지 도달한 상태를 개략적으로 표시한 도면
도 22는 밀착부가 제 3밀착경계(b3)까지 도달한 상태를 개략적으로 표시한 도면
도 23은 2매의 웨이퍼의 전체면이 밀착한 상태를 개략적으로 표시한 도면
도 24A 내지 도 24E는 SOI구조등을 가진 웨이퍼의 제조공정의 일예를 표시한 도면
도 25는 웨이퍼를 맞붙이는 공정의 일부를 표시한 개략도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 제 1웨이퍼 2 : 제 2웨이퍼
3,3',3",30 : 웨이퍼지지대 3a,3b : 흡착홈
3c : 중앙부 3d : 주변부
3e : 주변면 3f : 중앙면
4 : 웨이퍼이동기구 4a : 홈
4b : 축 4c : 웨이퍼흡착유닛
4d : 회동용모터 5 : z축스테이지
6 : 가압기구 6a : 가압핀
6b : 축 6c : 진동자
6d : 회동용모터 7∼9 : 웨이퍼카세트
10 : 웨이퍼반송로보트 11 : 웨이퍼얼라인먼트유닛
12,15 : 변위검출기 12a,15a : 센서
12b,15b : 구동기 13,14 : 로드핀
16 : 패널부 16a : 표시패널
16b : 조작패널 17 : 제어기
17a : CPU 17b : 프로그램
18 : 파이프 18a,18b : 흡인구멍
19 : 밸브제어유닛 19a,19b : 밸브
19c : 중앙쪽밸브구동기 19d : 주변쪽밸브구동기
20 : 펌프 31 : 제 1지지부재
32 : 제 2지지부재 33 : 제 3지지부재
34 : 제 4지지부재 35 : 연결봉
36,37 : 접동용부재 36a,36b,37a,37b : 접동용핀
38,39 : 랙 38a,39a : 안내홈
40,41 : 모터 100 : 웨이퍼처리장치
b1 : 제 1밀착경계 b2 : 제 2밀착경계
b3 : 제 3밀착경계
본 발명에 관한 기판처리장치는, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리장치로서, 제 1기판을 지지하는 지지유닛과, 상기 지지유닛에 의해 지지된 제 1기판에 대향한 제 2기판을 가압하는 가압유닛을 구비한 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판의 소정부분이 제 2기판으로부터 분리되도록 만곡하는 상태 및 만곡하지 않는 상태에서, 이 제 1기판을 지지가능한 것을 특징으로 한다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 가압유닛은, 상기 지지유닛에 의해 지지된 제 1기판에 대향한 제 2기판의 이면을 가압하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판의 주변부가 제 2기판으로부터 분리되도록 만곡하는 상태 및 만곡하지 않는 상태에서, 이 제 1기판을 지지가능하며, 상기 가압유닛은, 상기 지지유닛에 의해 지지된 제 1기판에 대향한 제 2기판의 대략 중앙부에 가압하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 상기 가압유닛에 의해 제 2기판의 이면에 가압한 다음에 소정의 시간이 경과할때까지는, 제 1기판을 만곡한 상태에서 지지하고, 그후, 이 제 1기판을 만곡하지 않는 상태에서 지지하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 상기 가압유닛에 의해 제 2기판의 이면에 대해 가압을 개시한 다음에 제 1, 제 2기판의 밀착부가 소정의 영역으로 확대할때까지는 제 1기판을 만곡한 상태에서 지지하고, 그후, 이 제 1기판을 만곡하지 않는 상태에서 지지하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판과 제 2기판의 밀착부가 중심쪽으로부터 주변방향을 향해서 단계적으로 확대하도록, 이 제 1기판의 만곡을 조정하기 위한 조정유닛을 가진 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 조정유닛은, 제 1기판과 제 2기판의 밀착부를 동심원형상으로 단계적으로 확대하도록, 이 제 1기판의 만곡을 조정하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판의 이면을 흡착해서이 제 1기판을 만곡시키는 흡착수단을 가진 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 주변부의 높이가 중앙부의 높이보다도 낮은 지지대를 가지고, 이 지지대에 제 1기판을 흡착하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지대는, 원반형상의 중앙부와, 단일 또는 복수의 고리모양의 주변부를 가진 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지대는, 원반형상의 중앙부와, 고리모양의 주변부를 가지고, 상기 주변부의 흡착면은, 상기 중앙부의 흡착면에 대해서 경사지고 있는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 중앙부의 흡착면과 상기 주변부의 흡착면에 각각 제 1기판을 흡착하기 위한 흡착기구를 가진 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 중앙부 및/또는 주변부의 흡착면에는, 제 1기판을 지지하기 위한 프로그형상의 핀들(frog-like pins)이 형성되고, 핀사이의 공간을 배기함으로써 제 1기판을 흡착하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지대중의 상기 주변부의 흡착면에만 제 1기판을 흡착하기 위한 흡착기구를 가진 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지수단의 지지대는, 제 1기판의 중앙부가 상기 지지대의 중앙부로부터 분리하도록 이 제 1기판의 주변부만을 흡착하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 제 1기판에 대향한 제 2기판을 상기 지지유닛에 의해 지지한 후에 이 제 2기판의 지지를 해제하는 기판조작유닛을 부가하여 구비하고, 상기 가압유닛은, 상기 기판조작수단에 의해 제 2기판의 지지를 해제할때에 이 제 2기판에 가압하는 것이 바람직하다.
상기 기판처리장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판을 대략 수평으로 지지하고, 상기 기판조작유닛은, 제 2기판을 상기 제 1기판의 위쪽에 대략 수평으로 지지한 후에 상기 제 2기판의 지지를 해제하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 기판지지장치는, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시킬때에 두매의 기판중에서 한쪽의 기판을 지지하는 기판지지장치로서, 기판을 만곡한 상태 및 만곡하지 않는 상태에서 지지가능한 지지유닛을 가진 것을 특징으로 한다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 기판의 주변부가 중앙부에 대해서 만곡한 상태 및 만곡하지 않는 상태에서 이 기판을 지지가능한 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 먼저, 기판을 만곡한 상태에서 지지하고, 그후, 이 기판을 만곡하지 않는 상태에서 지지하는 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 지지하고 있는 기판과, 이 기판과 밀착시켜야 할 다른 기판과의 밀착부가 중심부로부터 주변방향을 향해서 단계적으로 확대하도록, 이 지지하고 있는 기판의 만곡을 조정하기 위한 조정유닛을 가진 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 조정수단은, 상기 밀착부가 동심원형상으로 단계적으로 확대하도록, 상기 지지하고 있는 기판의 만곡을 조정하는 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 기판의 이면을 흡착해서 이 기판을 만곡시키는 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 주변부의 높이가 중앙부의 높이보다도 낮은 지지대를 가지고, 이 지지대에 기판을 흡착하는 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 원반형상의 중앙부와, 단일 또는 복수의 고리모양의 주변부를 가진 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛은, 원반형상의 중앙부와, 고리모양의 주변부를 가지고, 상기 주변부의 흡착면은, 상기 중앙부의 흡착면에 대해서 경사지고 있는 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 중앙부의 흡착면과 상기 주변부의 흡착면은 각각 기판을 흡착하기 위한 흡착기구를 가진 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지대중의 상기 주변부의 흡착면에만 기판을 흡착하기 위한 흡착기구를 가진 것이 바람직하다.
상기 기판지지장치에 있어서, 상기 지지유닛의 지지대는, 기판의 중앙부가 상기 지지대의 중앙부로부터 분리되도록 이 기판의 주변부만을 흡착하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 주변부를 상기 제 2기판의 주변부로부터 분리되도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을가압하는 단계와 소정의 시간이 경과한 후, 상기 제 1기판을 만곡하지 않는 상태로 설정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 주변부를 상기 제 2기판의 주변부로부터 분리하도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와, 상기 제 1기판과 상기 제 2기판의 밀착부가 소정의 영역까지 확대한 후에, 상기 제 1기판을 만곡하지 않는 상태로 설정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 주변부를 상기 제 2기판의 주변부로부터 분리하도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와, 상기 제 1기판과 상기 제 2기판의 밀착부가 중심부로부터 주변방향을 향해서 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 조정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 기판을 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 주변부를 상기 제 2기판의 주변부로부터 분리하도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와, 상기 제 1기판과 상기 제 2기판의 밀착부가 중심부로부터 주변방향을 향해서 동심원형상으로 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 조정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 소정부분을 상기 제 2기판으로부터 분리하도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와, 소정의 시간이 경과한 후, 상기 제 1기판을 만곡하지 않는 상태로 설정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 소정부분을 상기 제 2기판으로부터 분리하도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와, 상기 제 1기판과 상기 제 2기판의 밀착부가 소정의 영역까지 확대한 후에, 상기 제 1기판을 만곡하지 않는 상태로 설정하는 단계와 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 기판처리방법은, 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서, 제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와, 상기 제 1기판의 소정부분을 상기 제 2기판으로부터 분리하도록 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와, 상기 제 1기판과 상기 제 2기판의 밀착부를 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 조정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기의 각 기판처리방법에 있어서, 상기 제 2기판의 이면을 가압하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기타 목적, 특징 및 이점은 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예의 이하의 상세설명으로부터 명백하게 될 것이다.
이하, 첨부도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
(제 1실시예)
도 1은, 본 실시예에 의한 웨이퍼처리장치(100)의 전체구성을 개략적으로 표시한 사시도이다. 도 2는, 도 1의 일부를 확대한 도면이다. 도 3 및 도 4는, 도 1 및 도 2에 표시한 웨이퍼처리장치(100)의 웨이퍼지지유닛의 구성을 표시한 단면도이다. 도 7 내지 도 12는, 도 1 및 도 2에 표시한 웨이퍼처리장치(100)를 선(A-A')을 따라서 취한 단면도로서, 2매의 웨이퍼를 밀착시키는 동작을 표시하고 있다.
이 웨이퍼처리장치(100)는, 2매의 웨이퍼를 맞포개서 밀착시키는 장치로서, 예를 들면, 2매의 웨이퍼를 맞붙여서 SOI 등의 구조를 가진 웨이퍼를 제조하는 방법을 실행하기에 적합한 것이다.
이 웨이퍼처리장치(100)는 웨이퍼지지대(3)와 웨이퍼이동기구(4)로 이루어진다. 웨이퍼지지대(3)는 제 1웨이퍼(1)(도 3참조)의 이면을 지지하고, 웨이퍼이동기구(4)는 제 2웨이퍼(2)(도 3참조)의 이면을 흡착해서 제 1웨이퍼(1)와 대략 평행하게 제 2웨이퍼(2)를 대향시킨다.
웨이퍼지지대(3)는, 제 1웨이퍼(1)의 이면에만 접촉하도록 구성되는 것이 바람직하고, 이에 의해 제 1웨이퍼(1)가 파티클에 의해서 오염되는 것을 방지할 수 있고 또한 제 1웨이퍼(1)의 외주부의 파손을 방지할 수 있다. 이 웨이퍼지지대(3)는, 제 1웨이퍼(1)를 흡착하기 위한 진공흡착기구를 가진다. 도 3 및 도 4는, 가압핀(6a)에 의해 웨이퍼(2)의 중심부를 가압하고 있는 웨이퍼지지기구를 표시하고 있다(도 11, 12참조).
웨이퍼이동기구(4)는 제 2웨이퍼(2)의 이면에만 접촉하도록 구성되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 웨이퍼를 진공흡착하기 위한 홈(4a)를 가진다. 제 2웨이퍼(2)를 흡착하기 위해서는, 홈(4a)내의 공기를 배기하면 된다. 웨이퍼이동기구(4)는 웨이퍼흡착유닛(4c)이 제 2웨이퍼(2)의 이면을 흡착한 상태에서, 축(4b)을 중심으로해서 제 2웨이퍼(2)를 약 180˚회동해서, 제 1웨이퍼(1)와 대략 평행하게 제 2웨이퍼(2)를 대향시킨다. 또한, 축(4b)은, 웨이퍼지지대(3)와 웨이퍼흡착유닛(4c)의 대략 중간에 위치한다.
또, 웨이퍼처리장치(100)는, 대향한 2매의 웨이퍼(1),(2)간의 간격을 조정하기 위한 기구로서 변위검출기(12),(15)와 Z축스테이지(5)로 이루어진다(도 7). 변위검출기(15)는 제 1웨이퍼(1)가 웨이퍼지지대(3)위에 얹어놓인 후에 제 1웨이퍼(1)의 두께를 계측한다. 변위검출기(12)는 제 2웨이퍼(2)가 웨이퍼흡착유닛(4c)에 의해 흡착된 후에 제 2웨이퍼의 두께를 계측한다. 양변위검출부(12),(15)에 의한 계측결과에 의거해서, Z축스테이지(5)(도 7)은 웨이퍼지지대(3)를 수직방향으로 구동시켜서 웨이퍼(1),(2)간의 간격을 설정치로 조정한다.
또, 이 웨이퍼처리장치(100)는, 2매의 웨이퍼(1),(2)가 서로 대향하도록 지지된 상태에서, 위쪽의 웨이퍼(2)의 대략 중앙부를 가압하기 위한 가압기구(6)를 부가하여 가진다. 가압기구(6)의 가압핀(6a)은, 2매의 웨이퍼(1),(2)가 서로 대향하도록 지지된 후, 축(6b)을 중심으로해서 위쪽의 웨이퍼(2)의 이면부근까지 회동한다. 그리고, 웨이퍼이동기구(4)의 웨이퍼흡착부(4c)가 위쪽의 웨이퍼(2)의 흡착을 해제할때에, 가압기구(6)는, 가압핀(6a)을 위쪽의 웨이퍼(2)의 이면에 밀어붙여서 가압한다. 2매의 웨이퍼(1),(2)는, 가압된 부분으로부터 외주방향을 향해서 서서히 밀착한다. 따라서, 웨이퍼(1),(2)사이의 기체가 그 외주방향을 향해서 배출되어, 웨이퍼(1),(2)사이에 기체가 잔류되는 것을 방지한다.
그런데, 웨이퍼흡착유닛(4c)이 웨이퍼(2)를 흡착을 해제함과 거의 동시에 웨이퍼(2)는 가압핀(6a)에 의해 가압되는 것이 바람직하다. 이 경우, 설정치로 조정된 2매의 웨이퍼(1),(2)간의 간격을 유지한 상태에서 가압동작을 개시할 수 있기 때문에, 밀착된 웨이퍼에 균일한 품질을 부여할 수 있고, 또한 웨이퍼(1),(2)사이에 기체가 잔류하는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 또, 웨이퍼(1),(2)사이의 어긋남을 방지할 수 있다.
가압기구(6)는, 가압핀(6a)을 진동시키는 진동자(즉, 압전소자)를 내장하고 있으며, 웨이퍼(2)를 가압할때에 가압핀(6a)을 진동시킴으로써, 웨이퍼(1),(2)사이의 기체를 효율적으로 배출할 수 있다.
또, 가압핀(6a)에 의한 웨이퍼(2)의 가압은 다른 타이밍동안 제어될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼(2)의 흡착을 해제한 후, 웨이퍼(1),(2)사이의 기체가 소정량이상 배출되기전의 소정의 타이밍동안 가압을 행하여도 되고, 웨이퍼(2)의 흡착을 해제한 후, 일정한 시간을 계측한 후에 가압을 행하여도 되고, 웨이퍼(2)의 흡착을 해제한 후, 웨이퍼(1),(2)사이의 거리가 웨이퍼(2)의 자체중량등에 의해 소정거리이하로 되기전의 소정의 타이밍동안 가압을 행하여도 된다.
이 웨이퍼처리장치(100)는 웨이퍼반송로보트(10)와 웨이퍼얼라인먼트유닛 (11)을 가진다. 웨이퍼반송로보트(10)는 웨이퍼(1),(2)를 각각 웨이퍼지지대(3)와, 웨이퍼흡착유닛(4c)에 각각 세트하고, 밀착된 웨이퍼를 웨이퍼지지대(3)로부터 수취한다.
이 웨이퍼처리장치(100)에 있어서는, 미처리된 웨이퍼(1),(2)가 각각 수용된 웨이퍼카세트(7),(8) 및 처리완료된 웨이퍼를 수용하기 위한 웨이퍼카세트(9)를 소정위치에 배치한다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 미처리된 웨이퍼(1),(2)의 이면을 아래쪽으로 해서 웨이퍼카세트(7),(8)에 수용하는 것으로 한다.
조작패널(16)의 조작스위치(16b)에 의해 웨이퍼의 밀착처리의 개시가 지시되면, 웨이퍼반송로보트(10)는, 웨이퍼카세트(7)에 수용된 미처리의 웨이퍼(1)의 이면을 흡착해서 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)까지 반송한다. 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)은, 반송된 웨이퍼(1)의 중심위치 및 방향(즉, 오리엔테이션·플랫, 노치의 위치)를 센서에 의해 검지해서, 검출된 중심위치 및 방향을 조정한다. 여기서, 웨이퍼얼라이먼트유닛(11)은, 웨이퍼(1)의 이면에만 접촉하도록 구성되는 것이 바람직하다.
그후, 웨이퍼반송로보트(10)는 위치맞춤이 종료된 웨이퍼(1)를 수취하고, 웨이퍼지지대(3)로부터 상부방향으로 돌출하고 있는 로드핀(13)위의 소정위치에 얹어놓는다. 이와 같은 방식으로, 웨이퍼(1)가 로드핀(13)의 위에 얹어놓인 후에, 웨이퍼지지대(3)가 상승하여 웨이퍼(1)를 지지한다. 웨이퍼(1)는, 이미 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)에 의해 위치맞춤되고, 그 위치관계를 유지한 채로 웨이퍼지지대(3)위에 반송되기 때문에, 웨이퍼지지대(3)위에서 재차 웨이퍼(1)의 중심위치 및 방향을맞출 필요는 없다. 다만, 웨이퍼지지대(3)위에서 웨이퍼(1)의 위치맞춤을 행하는 구성을 채용할 수도 있다.
이어서, 웨이퍼반송로보트(10)는 웨이퍼카세트(8)로부터 미처리된 웨이퍼(2)를 인출하고, 상기와 마찬가지의 수순에 의해, 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)에 의해 웨이퍼(2)의 중심위치 및 방향을 조정하고, 웨이퍼이동기구(4)의 웨이퍼흡착유닛(4c)으로부터 상부방향으로 돌출한 로드핀(14)위의 소정 위치에 웨이퍼(2)를 얹어놓는다. 이와 같이 해서, 웨이퍼(2)가 로드핀(14)위에 얹어놓인 후에, 웨이퍼흡착유닛(4c)이 축(4b)을 중심으로해서 웨이퍼(2)의 이면에 접촉하기 까지 회동하고, 홈(4a)의 공간을 배기함으로써 웨이퍼(2)가 웨이퍼흡착유닛(4c)에 흡착된다. 상기 순서와 마찬가지로, 웨이퍼(2)는, 이미 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)에 의해 위치맞춤되고, 그 위치관계를 유지한 채로 웨이퍼흡착유닛(4c)에 흡착되기 때문에, 흡착시에 재차 웨이퍼(2)의 중심위치 및 방향을 맞출필요는 없다. 또한, 웨이퍼(2)의 흡착시에, 웨이퍼흡착유닛(4c)을 회동시키는 대신에, 로드핀(14)을 아래쪽으로 후퇴시키는 구성도 유효하다.
이와 같이 해서 웨이퍼(1),(2)가 각각 웨이퍼지지대(3), 웨이퍼흡착유닛(4c)에 의해서 지지된 상태에서, 상기 변위검출기(14),(12)는, 웨이퍼(1),(2)의 두께를 계측한다. 구체적으로는, 변위검출기(15),(12)는, 웨이퍼(1),(2)의 상부까지 센서(15a),(12a)를 이동시켜, 예를 들면 웨이퍼(1),(2)에 광을 조사해서 그 반사광에 의거해서, 웨이퍼(1),(2)의 두께를 각각 계측한다.
웨이퍼(1),(2)의 두께의 계측이 종료하면, 상기한 바와 같이, 웨이퍼흡착유닛(4c)은 축(4b)을 중심으로해서 약 180℃회동하고, 웨이퍼(2)를 웨이퍼(1)와 대략 평행하게 대향시킨다. 그후, Z축 스테이지(5)에 의해 웨이퍼(1),(2)간의 간격을 조정하고, 가압핀(6a)에 의해 웨이퍼(2)에 가압함으로써 밀착처리가 종료된다.
밀착처리가 종료되면, 웨이퍼지지대(3)는 Z축스테이지(5)에 의해 하강되고, 처리완료된 웨이퍼가 로드핀(13)에 의해 지지된 상태로 된다. 그후, 웨이퍼반송로보트(10)는, 처리완료된 웨이퍼를 수취하고, 웨이퍼카세트(9)에 수용한다.
이와 같은 수순을 반복해서 실행함으로써, 웨이퍼카세트(7),(8)에 수용된 복수매의 웨이퍼를 연속적으로 처리할 수 있다.
다음에, 웨이퍼지지대(3)의 구성에 대해서 설명한다. 웨이퍼지지대(3)는, 원반형상의 중앙부(3c)와, 원환형상주변부(3d)를 가지고, 중앙부(3c)와 주변부(3d)의 흡착면(웨이퍼(1)를 흡착하는 면)에는, 각각 웨이퍼(1)를 진공흡착하기 위한 흡착홈(3a),(3b)이 형성되어 있다. 도 3 및 도 4에 표시한 예에 있어서는, 흡착홈(3a)은, 동심원고리모양의 9개의 홈으로 이루어지고, 흡착홈(3b)은, 동심원고리모양의 4개의 홈으로 이루어진다.
흡착홈(3a),(3b)은, 각각 흡인구멍(18a),(18b)에 연결되고, 또, 각각 밸브(19a),(19b)에 연결되고 있다. 이 밸브(19a),(19b)는, 파이프(18)를 개재해서 진공펌프(20)에 연결되어 있다. 흡착홈(3a),(3b)에 의한 웨이퍼의 흡착동작은, 개별적으로 개폐가능한 밸브(18a),(18b)에 의해 독립적으로 제어될 수 있다.
여기서, 웨이퍼(1)의 흡착기구로서는 여러 가지의 형태를 채용할 수 있다. 바람직한 일예로서, 프로그의 (form of frog)으로 배열된 핀들에 의해 웨이퍼(1)를지지하는 동시에 당해 핀사이의 공간을 배기함으로써 웨이퍼(1)를 웨이퍼지지대(3)의 흡착면에 흡착하는 기구가 있다. 이 흡착기구에 의하면, 웨이퍼(1)와 웨이퍼지지대(3)의 사이의 파티클 등에 의한 영향(예를 들면, 웨이퍼(1)의 평탄성의 악화등)이 경감된다. 이 흡착기구의 일예를 들면, 웨이퍼의 사이즈가 8"인 경우, 각 핀의 직경이 약 0.2㎜, 핀간의 거리(피치)가 약 2.2㎜의 흡착기구가 있다. 이 기구에서는, 웨이퍼와 웨이퍼지지대와의 접촉율은 약 1.2%가 된다.
가압핀(6a)에 의해 웨이퍼(2)를 가압하기 위해서는, 먼저, 밸브(19a),(19b)의 쌍방을 개방함으로써, 흡착홈(3a),(3b)의 쌍방에서 웨이퍼(1)를 흡착한다. 이에 의해, 웨이퍼(1)는, 도 3에 표시한 바와 같이, 주변부(3d)가, 웨이퍼(2)로부터 분리되도록 만곡되고, 즉 웨이퍼(1)는 우산의 형상으로 휘어진 상태로 된다.
이 상태에서, 도 3에 표시한 바와 같이 해서 웨이퍼(2)의 중심부가 가압된다. 그 결과, 2매의 웨이퍼(1),(2)의 중심부가 밀착하고, 또한 밀착부가 주변방향을 향해서 서서히 확대된다. 중앙부(3c)의 외주부 부근까지 전체둘레에 걸쳐서 대략 균일하게 밀착부가 확대된때에, 밀착부의 확대가 정지한다. 이것은 웨이퍼(1)가 우산의 형상으로 휘어짐상태에서 지지되고 있기 때문이다.
그런데, 웨이퍼의 중심부로부터 주변부를 향해서 밀착부가 확대되는 것은, 웨이퍼의 전체둘레에 대해 동일한 속도로 항상 진행한다고는 할 수 없다. 이 이유로서는, 예를 들면, 웨이퍼(1),(2)의 부착된 면이 불균일하거나, 웨이퍼(1),(2)를 밀착시키는 방향으로 작용하는 힘이 중앙부에서 크고 주변부에서 작아지기 때문에, 중앙부로부터 주변부의 방향으로 웨이퍼의 불균일성에 의한 영향을 증가시킨다.
밀착부의 확대가 동일한 속도로 진행하지 않는 경우, 즉 밀착부가 동심원형상으로 확대하지 않는 경우, 웨이퍼사이에 기체(즉, 공기)가 잔류할 수 있다. 이 현상은, 웨이퍼가 대구경화할수록 현저하게 되는 것으로 생각할 수 있다.
그러나, 도 3에 표시한 바와 같이, 웨이퍼(1)를 우산의 형상으로 휘어지게 한 상태에서 가압을 행하면, 2매의 웨이퍼(1),(2)의 밀착부의 확대는, 일단 중앙부(3c)의 외주부근에서 정지한다. 따라서, 중앙부(3c)의 외주부근에서 밀착부의 확대속도의 불균일성이 흡수되고, 그 결과, 밀착부는 대략 원형으로 형성된다.
밀착부가 대략 원형으로 취한 후에 (즉, 가압을 개시한 후 소정시간이 경과된때), 밸브(19b)를 폐쇄함으로써, 흡착홈(3b)에 의한 흡착을 정지하면, 우산의 형상으로 휘어져 있던 웨이퍼(1)는, 도 4에 표시한 바와 같이 평탄하게 된다. 따라서, 밀착부가 재차 중앙부(3c)로부터 외주방향으로 향해서 확대한다.
상기한 바와 같이, 중심부로부터 주변을 향하는 각방향(전체둘레)에서 밀착부의 확대속도의 차를 웨이퍼의 밀착처리의 중도에서 흡수한다. 이와 같은 방식으로 밀착부를 대략 원형으로 형성한 후에, 이 처리를 계속한다. 따라서, 대구경의 웨이퍼이어도 보다 균일하게 밀착시킬 수 있다.
도 5A 내지 도 5B는 웨이퍼처리장치(100)에 의해 2매의 웨이퍼를 밀착시킬때에, 밀착부가 확대하는 모양을 개념적으로 표시한 도면이다. 동도면에 있어서, 밀착부의 확대는, 5A→5B→5C→5D→5E→5F의 순으로 진행한다. 또한, 도 5A 내지 도 5B에 있어서, 빗금친 영역은, 2매의 웨이퍼의 밀착부를 표시한다.
도 3에 표시한 바와 같이, 아래쪽의 웨이퍼(웨이퍼(1))의 전체면을 흡착한상태에서, 가압핀(6a)에 의한 웨이퍼(2)의 중심부에 대한 가압을 개시하면, 먼저, 도 5A에 표시한 바와 같이 웨이퍼의 중심부에 밀착부가 형성되고, 도 5B와 도 5C에 표시한 바와 같이, 서서히 밀착부가 확대한다. 이때, 밀착부의 형상은, 완전히 원형으로 되지 않고, 도 5C에 표시한 바와 같이, 밀착부의 외주는 불균일이 생기는 일이 많다.
밀착부의 확대는 도 5D에 표시한 바와 같은 상태, 즉, 웨이퍼지지유닛(3)의 중앙부(3C)의 외주부근까지 진행한때에, 정지한다(이하, 밀착부의 확대가 정지하는 위치를 밀착경계(contact boundary)로 칭함). 따라서, 밀착부가 전체 둘레에 걸쳐서 밀착경계에 도달하기 까지, 외주부(3c)의 흡착홈(3b)에 의해 웨이퍼를 계속 흡착함으로써, 밀착부는 거의 원형으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 4에 표시한 바와 같이, 주변부의 흡착홈(3b)에 접속된 밸브(19b)를 폐쇄해서, 웨이퍼의 주변부의 흡착을 해제함으로써, 아래쪽의 웨이퍼(웨이퍼1)가 평탄하게 된다. 따라서, 도 5E에 표시한 바와 같이, 밀착부의 확대가 재차 진행하고, 최종적으로, 도 5F에 표시한 바와 같이, 2매의 웨이퍼가 전체면에 걸쳐서 밀착한다.
도 6A 내지 도 6F는, 도 25A 내지 도 25B에 표시한 웨이퍼지지지그(201)에 의해 2매의 웨이퍼를 밀착시킬때에, 밀착부가 확대하는 모양을 개념적으로 표시한 도면이다. 도 6A 내지 도 6F에 있어서, 밀착부의 확대는, 6A→6B→6C→6D→6E→6F의 순으로 진행한다.
이 처리에서, 밀착부가 방사형상으로 확대할 때 각 방향으로 확대의 속도간의 차가 처리의 중도에서 흡수되지 않기 때문에, 특히 웨이퍼의 주변부근에서 그 속도차에 의한 영향이 현저하게 되고, 도 6F에 표시한 바와 같이, 웨이퍼사이의 기체가 배출되지 않고 잔존하고, 비밀착부(601)를 형성하여도 된다. 단, 도 6A 내지 도 6F에 표시한 예는, 웨이퍼(1)의 지지의 방법을 제외하고는, 웨이퍼처리장치(100)와 동일한 조건하에서 웨이퍼를 밀착시켰을 경우의 결과를 표시한 것이며, 밀착처리의 조건을 변경함으로써, 비밀착부(601)의 발생을 억제할 수 있는 가능성이 있다.
이 비밀착부(601)는, 후속의 공정에 악영향을 미치게하는 것을 말할 것도 없다. 예를 들면, 웨이퍼처리장치(100)를 후술하는 SOI웨이퍼의 제조공정에 적용하는 경우에는, 비밀착부(601)에서 결함이 유발되기 때문에, 당해 영역을 이용할 수 없고, 수율의 저하는 피할 수 없다.
다음에, 도 7 내지 도 12를 참조하면서, 2매의 웨이퍼를 밀착시킬때의 웨이퍼처리장치(100)의 동작을 설명한다.
웨이퍼반송로보트(10)에 의해 웨이퍼(1),(2)가 각각 로드핀(13),(14)위에 얹어놓이게 되면, 도 7에 표시한 바와 같이, Z축스테이지(5)는, 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 소정의 위치까지 웨이퍼지지대(3)를 상승시킨다. 또한, 웨이퍼이동기구(4)는, 웨이퍼(2)를 흡착가능한 소정위치까지 축(4b)을 중심으로해서 웨이퍼흡착유닛(4c)을 회동시킨다.
이어서, 도 8에 표시한 바와 같이, 변위검출기(15),(12)의 센서(15a),(12a)가 웨이퍼(1),(2)위에 위치결정되도록 이동하고, 웨이퍼(1),(2)의 두께를 각각 계측한다. 그리고, 웨이퍼(1),(2)의 두께가 계측된 후, 센서(15a),(12a)는, 도 7에 표시한 초기상태의 위치로 복귀한다.
이어서, 도 9에 표시한 바와 같이, 웨이퍼이동기구(4)는, 축(4b)을 중심으로해서 웨이퍼흡착유닛(4c)을 약 180˚회동시킴으로써 웨이퍼(1),(2)를 거의 수평으로 대향시키고, 앞서 계측한 웨이퍼(1),(2)의 두께에 의거해서, Z축스테이지(5)에 의해 웨이퍼지지대(3)의 높이를 조정하여, 웨이퍼(1),(2)사이의 간격을 설정치로 조정한다. 이 간격은, 예를 들면, 웨이퍼의 중앙부에서, 20∼100㎛정도가 바람직하고, 30∼60㎛가 더욱 바람직하다. 또, 밸브(19a),(19b)를 개방함으로써, 웨이퍼(1)의 전체면을 웨이퍼지지대(3)의 흡착면에 흡착한다. 이에 의해, 웨이퍼(1)는, 상기한 바와 같이, 우산의 형상으로 휘어진 상태로 된다.
이어서, 도 10에 표시한 바와 같이, 축(6b)을 중심으로해서 가압핀(6a)를 회동시키고, 웨이퍼(2)의 이면부근(즉, 가압핀(6a)이 웨이퍼(2)의 이면과 대략 접촉하는 위치)까지 회동시킨다.
이어서, 도 11에 표시한 바와 같이, 웨이퍼흡착유닛(4c)이 웨이퍼(2)의 흡착을 해제함과 동시에, 가압핀(6a)은 웨이퍼(2)의 이면에 가압한다. 이에 의해, 웨이퍼(1) 및 (2)는, 중심부로부터 밀착경계까지 서서히 밀착하고, 도 5D에 표시한 상태, 즉, 밀착부가 거의 원형으로 형성된 상태로 된다. 또한, 가압시에는, 가압핀(6a)을 진동시킴으로써, 웨이퍼(1),(2)사이의 기체를 효율적으로 배출할 수 있다.
이어서, 도 12에 표시한 바와 같이, 웨이퍼(1)의 외주부의 흡착을 해제한다.이에 의해, 웨이퍼(1),(2)의 밀착부는, 밀착경계를 넘어서 주변방향을 향해서 확대한다. 또한, 상기한 바와 같이, 밸브(19b)를 폐쇄해서, 흡착홈(3b)을 대기압으로 함으로써, 웨이퍼(1)의 외주부의 흡착이 해제된다. 또, 이 흡착의 해제는, 가압핀(6a)에 의한 가압동작을 개시한 후, 밀착부가 밀착경계까지 확대하고, 그 형상이 거의 원형으로 된 후에 행할 필요가 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 가압동작의 개시후, 소정시간(밀착부가 전체둘레에 걸쳐서 밀착경계까지 확대하기 위하여 충분한 시간)이 경과한때에 흡착을 정지한다. 대안으로, 웨이퍼(2)의 휘어짐을 센서(15a)에 의해 계측함으로써, 밀착부가 밀착경계까지 확대한 것을 확인한 후에 흡착을 정지한다.
이어서, 가압기구(6)를 원래의 상태(도 2에 표시한 상태)로 복귀시킨 후에, 웨이퍼흡착부(4c)를 원래의 상태(도 2에 표시한 상태)로 복귀시킨다. 그리고, 밸브(19a)를 폐쇄해서, 흡착홈(3a)을 대기압으로 설정한 후에 (웨이퍼(1)의 흡착을 해제한 후), 웨이퍼지지대(3)를 하강시켜서, 밀착된 웨이퍼가 로드핀(13)에 의해 지지된 상태로 한다. 이 상태에서, 웨이퍼반송로보트(10)는, 밀착된 웨이퍼의 하부를 흡착하고, 웨이퍼를 웨이퍼카세트(9)까지 반송하여 웨이퍼카세트(9)에 웨이퍼를 수용한다.
도 13은, 웨이퍼처리장치(100)의 제어계의 구성예를 표시한 블록이다. 제어기(17)의 프로그램(17b)에 의거해서 동작하는 CPU(17a)에 의해, 웨이퍼반송로보트(10), 웨이퍼얼라인먼트유닛(11), 변위검출기(12),(15), Z축스테이지(5), 웨이퍼이동기구(4), 가압기구(6), 조작패널부(16), 밸브제어부(19)를 제어한다.
도 14는, 프로그램(17b)에 의거하여 행한 제어수순을 표시한 순서도이다. 이하, 이 순서도를 참조하면서, 웨이퍼처리장치(100)의 제어계의 동작을 설명한다.
조작패널(16)의 조작에 의해, 밀착처리의 개시가 지시되면, 컴퓨터(17a)는, 스텝S101에서 제어계(17)에 접속된 각 구성요소를 초기화한다. 또, 이 초기화공정에서는, CPU(17a)는 웨이퍼카세트(7),(8),(9)의 존재와 위치를 확인한다. 준비가 완료되지 않는 경우에는, CPU(17a)는 표시패널(16a)에 이 경우를 표시하는 정보를 표시하고, 조작자에게 정보를 알린다.
스텝S102에서, CPU(17a)는 웨이퍼반송로보트(10)를 제어해서, 웨이퍼카세트(7)에 수용된 웨이퍼(1)를 흡착시키고, 스텝S103에서, CPU(17a)는, 흡착한 웨이퍼(1)를 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)까지 반송하고, 여기서 웨이퍼(1)의 위치맞춤(중심위치와 방향)을 행한다. 스텝S104에서, CPU(17a)는, 웨이퍼반송로보트 (10)를 제어해서, 웨이퍼지지대(3)로부터 상부방향으로 돌출한 로드핀(13)위의 소정위치에 웨이퍼(1)를 얹어놓는다. CPU(17a)는 또한 Z축스테이(5)를 제어해서, 웨이퍼지지대(3)를 소정위치까지 상승시킨다. CPU(17a)는 밸브(19a)를 개방함으로써, 웨이퍼(1)의 중앙부를 흡착시킨다.
스텝S105에서, CPU(17a)는 웨이퍼반송로보트(10)를 제어해서, 웨이퍼카세트 (8)에 수용된 웨이퍼(2)를 흡착시킨다. 스텝S106에서, CPU(17a)는 웨이퍼얼라인먼트유닛(11)까지 웨이퍼(2)를 반송하고, 여기서 웨이퍼(2)의 위치맞춤(중심위치와 방향)을 행한다. 스텝S107에서, CPU(17a)는 웨이퍼반송로보트(10)를 제어해서, 웨이퍼흡착유닛(4c)으로부터 상부방향으로 돌출한 로드핀(14)위의 소정위치에 웨이퍼(2)를 얹어놓는다. CPU(17a)는 또한 웨이퍼이동기구(4)의 회동용 모터(4d)를 제어해서, 축(4b)을 중심으로 해서 웨이퍼흡착유닛(4c)을 소정각도만큼 회동시켜, 웨이퍼흡착유닛(4c)에 의해 웨이퍼(2)를 흡착시킨다.
스텝S108에서, CPU(17a)는 변위검출기(15)의 구동기(15b)를 제어하고, 센서(15a)를 웨이처(1)의 상부의 소정위치까지 이동시켜, 센서(15a)에 의해 웨이퍼(1)의 두께를 계측한다.
스텝S109에서, CPU(17a)는 변위검출기(12)의 구동기(12b)를 제어하고, 센서(12a)를 웨이퍼(2)의 상부의 소정위치까지 이동시켜, 센서(12a)에 의해 웨이퍼(2)의 두께를 계측한다.
스텝S110에서, CPU(17a)는 웨이퍼이동기구(4)의 회동용 모터(4d)를 제어해서, 축(4b)을 중심으로해서 웨이퍼흡착유닛(4c)을 약 180˚회동시켜서, 웨이퍼(1),(2)를 대략 수평으로 대향시킨다.
스텝S111에서, CPU(17a)는 웨이퍼(1),(2)의 계측된 두께에 의거해서, 웨이퍼(1),(2)사이의 간격을 설정치로 조정하기 위한 데이터를 작성한다. CPU(17a)는 이 데이터에 의거해서 Z축스테이지(5)를 제어하여, 웨이퍼(1),(2)사이의 간격을 조정한다.
스텝S112에서, CPU(17a)는 가압기구(6)의 회동용 모터(6d)를 제어해서, 축(6b)을 중심으로해서 가압핀(6a)을 회동시키고, 즉, 웨이퍼(2)의 이면에 가압핀(6a)의 선단부가 거의 접촉하는 상태로 한다.
스텝S113에서, CPU(17a)는 밸브(19b)를 개방함으로써, 웨이퍼(1)의 전체면을 웨이퍼지지대(3)의 흡착면에 흡착시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(1)는, 우산의 형상으로 휘어진 상태로 된다.
스텝S114에서, CPU(17a)는 웨이퍼흡착부(4c)에 의한 웨이퍼(2)의 흡착을 해제시킨다. 그리고, 스텝S115에서, CPU(17a)는 가압기구(6)의 회동용 모터(6d) 및 진동자(6c)를 제어해서, 가압핀(6a)에 의해 웨이퍼(2)의 이면을 가압하는 동시에 가압핀(2)을 진동시킨다. 또한, 스텝S114를 실행한 직후에 스텝S115를 실행함으로써, 웨이퍼(2)가 거의 동시에 해제되고 가압될 수 있다. 단, 스텝S114의 실행후, 소정의 시간을 계측한때에 가압을 또한 개시할 수도 있다.
스텝S115의 실행을 개시한 후, 소정의 시간이 경과하면, 흐름은 스텝S116으로 진행한다. 스텝S116에서, CPU(17a)는 밸브(19b)를 폐쇄함으로써 흡착홈(3b)의 압력을 대기압으로 복귀하여, 웨이퍼(1)의 외주부의 흡착을 해제한다. 이에 의해, 웨이퍼(1)는 평탄하게 되는 동시에 밀착부가 외주방향을 향해서 확대한다.
웨이퍼(1),(2)의 밀착이 완료하면, 흐름은 스텝S117로 진행하고, 또한 CPU(17a)는 가압기구(6)의 회동용 모터(6d)를 제어해서, 가압핀(6a)을 초기상태의 위치로 복귀시킨다. 그리고, 스텝S118에서, CPU(17a)는 웨이퍼이동기구(4)의 회동용 모터(4d)를 제어해서, 웨이퍼흡착유닛(4c)을 초기상태의 위치로 복귀시킨다.
그리고, 스텝S119에서, CPU(17a)는 밸브(19a)를 폐쇄함으로써 웨이퍼(1)의 흡착을 완전히 해제하고, 스텝S120에서, CPU(17a)는 Z축스테이지(5)를 제어해서, 웨이퍼지지대(3)를 하강시켜, 초기상태의 위치로 복귀시킨다. 이에 의해, 밀착된웨이퍼는, 로드핀(13)에 의해 지지된다.
스텝S121에서, CPU(17a)는 웨이퍼반송로보트(10)를 제어해서, 밀착된 웨이퍼를 웨이퍼카세트(9)까지 반송하여 웨이퍼를 웨이퍼카세트(9)에 수용한다.
스텝S122에서, CPU(17a)는 웨이퍼카세트(7),(8)에 수용된 웨이퍼전체에 대해서, 밀착처리가 완전히 행했는지의 여부를 판정하고, 미처리된 웨이퍼가 잔류하고 있는 경우에는, 흐름은 스텝S102로 복귀하여 처리를 반복한다. CPU(17a)가 스텝S122에서, 웨이퍼전체에 대해서 밀착처리가 완전히 행하는 것으로 판정하는 경우에는, CPU(17a)는 처리절차전체를 종료한다. CPU(17a)는, 예를 들면, 표시패널(16a)위에 상기 결과를 표시하거나 또는 버저등에 의해 조작자에게 알리는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 이 웨이퍼처리장치(100)에 의하면, 2매의 웨이퍼의 주변부는 원환형상으로 분리되고, 또한 한쪽의 웨이퍼의 대략 중심부가 가압된다. 2매의 웨이퍼의 밀착부가 거의 원형으로 취하는 경우, 일단 밀착부의 확대를 정지시키고, 이에 의해 밀착부의 확대속도의 불균일성을 흡수한다. 따라서, 2매의 웨이퍼사이의 기체를 보다 효율적으로 또한 확실히 배출할 수 있다.
또, 이 웨이퍼처리장치(100)는 다음의 효과를 달성한다. 1) 위쪽의 웨이퍼(2)의 흡착이 해제되는 동시에 가압을 개시하기 때문에, 웨이퍼(1),(2)사이의 기체를 확실히 외주방향으로 배출할 수 있다. 2) 웨이퍼(1),(2)를 서로 대향시킨 경우 위쪽의 웨이퍼(2)가 미끄러지지않기 때문에, 2매의 웨이퍼(1),(2)를 정확히 위치맞춤할 수 있다. 3) 웨이퍼(1),(2)사이의 간격을 적절한 거리로 조정할 수있기 때문에, 제조되는 웨이퍼의 품질을 균일화할 수 있고, 또, 웨이퍼(1),(2)를 미리 분류하는 작업을 불필요하게 한다. 4) 웨이퍼(1),(2)의 표면이 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 5) 웨이퍼의 외주부의 결손을 방지할 수 있다. 6) 웨이퍼의 가압시에 웨이퍼에 진동을 부여함으로써, 웨이퍼사이에 잔류하는 기체를 더욱더 감소할 수 있다.
(제 2실시예)
본 실시예는, 제 1실시예에 의한 웨이퍼지지대(3)의 다른 구성예를 제공하는 것이다. 도 15는, 본 실시예에 의한 웨이퍼지지대(3')의 구성예를 표시한 단면도이다. 또한, 제 1실시예에서와 같이 동일한 도면부호는 제 2실시예에서 실질적으로 동일한 부분에 나타낸 것에 유의하여야 한다.
이 웨이퍼지지대(3')에서는, 웨이퍼의 흡착면중에서 중앙부는 축방향(도 15의 Z방향)에 대해서 수직인 원형상의 중앙면(3f)이다. 웨이퍼흡착면의 주변부는 중앙면(3f)에 대해서 경사진 고리모양의 주변면(3e)이다.
웨이퍼지지대(3) 대신에 이 웨이퍼지지대(3')와 일체화 되어 있는 웨이퍼처리장치도 제 1실시예와 마찬가지의 효과를 달성한다.
(제 3실시예)
본 실시예는, 제 1실시예에 의한 웨이퍼지지대(3)의 다른 구성예를 제공하는 것이다. 도 16은, 본 실시예에 의한 웨이퍼지지대(3)의 구성예를 표시한 단면도이다. 또한, 제 1실시예에서와 같이 동일한 도면부호는 제 3실시예에서 실질적으로 동일한 부분을 나타낸 것에 유의하여야 한다.
이 웨이퍼지지대(3")는 중앙부의 흡착홈을 삭제한 것을 제외하고는, 제 1실시예에 의한 웨이퍼지지대(3)와 실질적으로 동일하다. 이 웨이퍼지지대(3")에 의해 웨이퍼를 흡착하면, 도 16에 표시한 바와 같이, 웨이퍼의 중앙부가 흡착면으로부터 부상한다. 따라서, 웨이퍼지지대(3")의 흡착면과 웨이퍼와의 사이에 이물질이 부착한 경우에도 조작은 이물질에 의한 영향을 받기 어렵다.
(제 4실시예)
본 실시예는, 웨이퍼처리장치이외의 구성예를 제공하는 것이다. 상기 실시예에서는, 2매의 웨이퍼의 밀착처리시에 밀착부가 1회만 형성된다. 그러나, 구경이 한층더 큰 웨이퍼를 적절하게 밀착하기 위해서는, 밀착부를 2회이상 형성하는 것이 유효하다. 본 실시예는, 밀착부의 형상을 3회 조정하기 위한 웨이퍼처리장치에 관한 것이다.
도 17 및 도 18은, 본 실시예에 의한 웨이퍼처리장치의 일부를 표시한 단면도이다. 또한, 제 1실시예에서와 같이 동일한 도면부호는 도 17과 도 18에서 실질적으로 동일한 부분을 나타낸다. 또, 웨이퍼를 진공흡착하기 위한 흡인구멍과 밸브 등의 구성요소는 도 17과 도 19에서 생략하고 있다. 또, 도 17과 도 18에서 도시되지 않은 부분은 제 1실시예에 의한 웨이퍼처리장치(100)와 마찬가지이다. 즉, 본 실시예에 의한 웨이퍼처리장치는, 제 1실시예에 의한 웨이퍼처리장치(100)에서 Z축스테이지(5)위의 구조물(웨이퍼지지대(3))을 대치함으로써 얻어진다.
본 실시예에서는, 웨이퍼지지대(30)는, 제 1지지부재(31), 제 2지지부재(32), 제 3지지부재(33), 제 4지지부재(34)를 가진다. 제 1지지부재(31)는, 원반형상을 가지고, 연결부재(35)에 의해 지지대(51)에 연결되어 있다. 이 지지대(51)는 Z축스테이지(5)에 고정되어 있다. 제 2지지부재(32)는, 제 1지지부재(31)의 주위를 둘러싸게 되는 원환형상의 형상을 가지고, 접동용 부재(36)에 연결되어 있다. 제 3지지부재(33)는, 제 2지지부재(32)의 주위를 둘러싸게 되는 원환형상의 형상을 가지고, 접동용 부재(37)에 연결되어 있다. 또, 제 4지지부재(34)는, 제 3지지부재(33)의 주위를 둘러싸게되는 원환형상의 형상을 가지고, 연결부재(35)를 개재해서 제 1지지부재(31)에 연결되어 있다.
제 2지지부재(32)에 연결된 접동용 부재(36)는, 각각의 랙(38),(39)의 안내홈(38a),(39a)에 걸어맞춤한 접동용 핀(36a),(36b)을 가지고 있다. 또, 제 3지지부재(33)에 연결된 접동용 부재(37)는, 각각의 랙(38),(39)의 안내홈(38a),(39a)에 걸어맞춤한 접동용 핀(37a),(37b)을 가지고 있다.
랙(38),(39)은, 각각 모터(40),(41)의 회동에 의해, 반대방향(A, B)으로 이동한다. 도 18에 표시한 상태에서, 랙(38),(39)이 각각 화살표시A,B의 방향으로 이동할때에, 제 2지지부재(32) 및 제 3지지부재(33)가 이 순서로 위쪽으로 이동한다. 구체적으로는, 모터(40), (41)의 회동에 의해 랙(38),(39)이 각각 A, B방향으로 수평이동한다. 따라서, 먼저, 접동용 핀(36a),(36b)이 각각 안내홈(38a),(39a)에 걸어맞춤해서 위쪽으로 이동함으로써, 제 2지지부재(32)가 위쪽으로 밀어올려진다. 이어서 접동용 핀(37a),(37b)이 각각 안내홈(38a),(39a)에 걸어맞춤해서 위쪽으로 이동함으로써, 제 3지지부재(33)가 위쪽으로 밀어올려진다.
이상과 같이 하여, 제 2지지부재(32) 및 제 3지지부재(33)가 위쪽으로 밀어올려진 때에, 제 1 내지 제 3지지부재(31)∼(33)의 흡수면은, 거의 평면을 구성한다.
한편, 랙(38),(39)을 각각 A의 반대방향, B의 반대방향으로 수평이동시킴으로써, 제 2지지부재(32) 및 제 3지지부재(33)를 하강시키고, 도 17 및 도 18에 표시한 상태로 되돌릴 수 있다.
이하, 이 웨이퍼처리장치에 의해 2매의 웨이퍼를 밀착시키는 수순을 설명한다. 먼저, 웨이퍼반송로보트(10)(도 1참조)에 의해, 웨이퍼(1)를 로드핀(13)위에 얹어놓고, 이어서, Z축스테이지(5)를 구동해서 제 1지지부재(31)의 흡착면을 웨이퍼(1)의 이면에 접촉시킨다. 또한, 이때, 제 2 내지 제 4지지부재(32) 내지 (34)의 흡착면이 거의 평면을 구성하도록, 제 2지지부재(32) 및 제 3지지부재(33)의 위치를 제어한다.
이 상태에서, 변위검출기(15)에 의해 웨이퍼(1)의 두께를 계측하는 동시에, 변위검출기(12)에 의해, 웨이퍼흡착유닛(4c)에 흡착된 웨이퍼(2)의 두께를 계측한다. 이어서, 웨이퍼이동기구(4)는 축(4b)을 중심으로 해서 약 180˚회동시킴으로써 웨이퍼(1),(2)를 거의 수평으로 대향시킨다. 앞서 계측한 웨이퍼(1),(2)의 두께에 의거해서, Z축스테이지(5)는 웨이퍼지지대(3)의 높이를 조정하고, 웨이퍼(1),(2)사이의 간격을 설정치로 조정한다.
이어서, 제 1내지 제 4지지부재(31)∼(34)의 흡착면에 형성된 흡착홈의 내부를 배기함으로써, 웨이퍼(1)의 전체면을 흡착한다. 이어서, 축(6b)을 중심으로 해서, 웨이퍼(2)의 이면부근(즉, 가압핀(6a)이 웨이퍼(2)의 이면과 거의 접촉하는 위치)까지 가압핀(6a)을 회동시킨다. 이와 같은 방식으로 2매의 웨이퍼를 밀착시키기 위한 준비가 완료한다. 도 19는, 2매의 웨이퍼를 밀착시키기 위한 준비가 완료된 상태를 표시한 도면이다.
가압핀(6a)에 의한 가압을 개시하면, 먼저, 웨이퍼(1),(2)의 중심부가 밀착되고, 그후, 서서히 밀착부는 주변방향을 향해서 확대하고, 제 1밀착경계(b1), 즉, 제 1지지부재(31)의 주변부근에 도달한때에 그 확대가 정지한다. 그리고, 제 1밀착경계(b1)에 의해, 밀착부의 확대속도의 불균일성이 흡수되고, 결과로서, 밀착부는 거의 원형상을 취한다. 도 20은, 밀착부가 제 1밀착경계(b1)까지 도달한 상태를 개략적으로 표시한 도면이다.
이어서, 제 2지지부재(32)를 위쪽으로 이동시킴으로써, 밀착부는, 더욱 더 주변방향을 향해서 확대하고, 제 2밀착경계(b2), 즉, 제 2지지부재(32)의 주변부근까지 도달한 때에 그 확대가 정지한다. 그리고, 제 2밀착경계(b2)에 의해, 밀착부의 확대속도의 불균일성이 흡수되고, 결과로서, 밀착부는 거의 원형상을 취한다. 도 21은, 밀착부가 제 2밀착경계(b2)까지 도달한 상태를 개략적으로 표시한 도면이다.
이어서, 제 3지지부재(33)를 위쪽으로 이동시킴으로써, 밀착부는, 더욱 더 주변방향을 향해서 확대하고, 제 3밀착경계(b3), 즉, 제 3지지부재(33)의 주변부근까지 도달한때에 그 확대가 정지한다. 그리고, 제 3밀착경계(b3)에 의해, 밀착부의 확대속도의 불균일성이 흡수되고, 결과로서, 밀착부는 n의 원형상을 취한다. 도 22는, 밀착부가 제 3밀착경계(b3)까지 도달한 상태를 개략적으로 표시한 도면이다.
이어서, 제 4지지부재(34)의 흡착면에 형성된 흡착홈에 의해 웨이퍼(1)의 흡착을 해제한다. 이에 의해, 밀착부는, 더욱 더 주변방향을 향해서 확대하고, 최종적으로 웨이퍼(1)의 전체면이 웨이퍼(2)에 밀착한다. 도 23은, 웨이퍼(1),(2)의 전체면이 밀착한 상태를 개략적으로 표시한 도면이다.
이어서, 가압기구(6)를 원래의 상태로 되돌린 후에, 웨이퍼흡착부(4c)를 원래의 상태로 되돌린다. 그리고, 제 1 내지 제 3지지기구(31) 내지 (33)에 각각 형성된 각 흡착홈에 의한 흡착을 정지한 후에, 웨이퍼지지대(30)를 하강시켜서, 밀착된 웨이퍼가 로드핀(13)에 의해 지지된 상태로 한다. 이 상태에서, 웨이퍼반송로보트(10)에 의해 밀착된 웨이퍼의 하부를 흡착하고, 웨이퍼카세트(9)까지 반송하여 웨이퍼를 웨이퍼카세트(9)에 수용한다.
이상과 같이, 밀착부를 복수회 형성함으로써, 대구경의 웨이퍼이어도 보다 높은 품질로 밀착시킬 수 있다.
(다른 실시예)
상기의 각 실시예는 2매의 웨이퍼를 중심부로부터의 주변방향을 향해서 단계적으로 밀착시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이었으나, 본 발명은, 웨이퍼의 임의의 부분(예를 들면, 주변의 일부)을 먼저 밀착시키고, 그후, 밀착부의 면적을 단계적으로 확대시킴으로써 2매의 웨이퍼의 전체면을 밀착시키는 경우에도 적용가능하다.
[웨이퍼처리장치의 응용예]
다음에, 상기의 각 웨이퍼처리장치의 적용예를 설명한다. 도 24A 내지 도24F는, SOI구도등을 가진 웨이퍼의 제조공정의 일예를 표시한 도면이다.
먼저, 제 1웨이퍼(1)를 형성하기 위한 단결정Si웨이퍼(501)를 준비해서, 웨이퍼(501)의 주요표면상에 다공질Si층(502)을 형성한다(도 24A). 이어서, 다공질Si층(502)의 위에 적어도 1층의 비다공질층(503)을 형성한다(도 24B). 비다공질층(503)의 바랍직한 예는, 단결정Si층, 다결정Si층, 비정질Si층, 금속막층, 화합물반도체층, 초전도체층이 있다. 또, 비다공질층(503)의 바람직한 예는 MOSFET등의 디바이스를 형성해도 된다.
이어서, 비다공질층(503)의 위에 SiO2층(504)을 형성하여, 제 1웨이퍼(1)를 얻는다(도 24C). SiO2층(504)을 위로해서 웨이퍼카세트(7)에 제 1웨이퍼(1)를 수용한다.
또, 제 2웨이퍼(2)를 별도로 준비하고, 그 표면을 위로해서 웨이퍼카세트(8)에 수용한다.
이 상태에서, 웨이퍼처리장치를 동작시키면, 웨이퍼지지대위에서, SiO2층(504)을 샌드위치하도록, 제 1웨이퍼(1)와 제 2웨이퍼(2)가 밀착되고(도 24D), 그후, 웨이퍼카세트(9)에 밀착된 웨이퍼를 수용된다.
그후, 밀착된 웨이퍼(도 24D)에 대해서, 양극접합처리, 가압처리, 또는 필요에 따라서 열처리를 행하거나, 또는 이들 처리를 조합함으로써, 맞붙임을 강고한 것으로 해도 된다.
제 2웨이퍼(2)의 바람직한 예로서는, Si웨이퍼, Si웨이퍼위에 SiO2층을 형성한 웨이퍼, 석영 등의 투광성의 웨이퍼, 사파이어가 있다. 그러나, 제 2웨이퍼(2)는, 접착될 표면이 충분히 평탄하면 다른종류의 웨이퍼이어도 된다.
이어서, 제 2웨이퍼(2)의 다공질Si층(502)으로부터 제 1웨이퍼(1)를 제거하고(도 24E), 다공질Si층(502)을 선택적으로 에칭해서 제거한다. 도 24F는 상기의 제조방법에 의해 얻게되는 웨이퍼를 개략적으로 표시하고 있다.
이 제조방법에 의하면, 웨이퍼사이의 기체를 적절히 배출시킨 상태에서 2매의 웨이퍼가 밀착하기 때문에, 고품질의 웨이퍼를 제조할 수 있다.
본 발명에 의하면, 대구경의 기판을 용이하게 밀착시킬 수 있다.

Claims (43)

  1. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리장치로서,
    제 1기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 지지유닛에 의해 지지된 제 1기판에 대향하는 제 2기판의 중앙영역을 핀으로 가압하는 가압유닛과;
    를 구비한 기판처리장치에 있어서,
    상기 지지유닛은, 제 2기판으로부터 제 1기판의 소정의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 소정의 주변부를 만곡한 상태 및 제 1기판의 소정의 주변부를 만곡하지 않은 상태에서, 이 제 1기판을 지지할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가압유닛은, 상기 지지유닛에 의해 지지된 제 1기판에 대향한 제 2기판의 이면을 가압하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 지지유닛은, 상기 가압유닛이 제 2기판의 이면에 가압을 개시한 다음에 소정의 시간이 경과할 때까지는, 제 1기판을 만곡한 상태에서 지지하고, 그 후, 이 제 1기판을 만곡하지 않는 상태에서 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 지지유닛은, 상기 가압유닛이 제 2기판의 이면에 가압을 개시한 다음에 제 1, 제 2기판의 밀착부가 소정의 영역으로 확대할 때까지는, 제 1기판을 만곡한 상태에서 지지하고, 그 후, 이 제 1기판을 만곡하지 않는 상태에서 지지하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1, 제 2기판의 밀착부가 중심으로부터 주변으로 단계적으로 확대하도록, 이 제 1기판의 만곡을 조정하는 조정유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 조정유닛은, 제 1, 제 2기판의 밀착부가 동심원형상으로 단계적으로 확대하도록, 이 제 1기판의 만곡을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판의 이면을 흡착해서 이 제 1기판을 만곡시키는 흡착유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 지지유닛은, 주변부의 높이가 중앙부의 높이보다도 낮은 지지대를 포함하고, 이 지지대는 제 1기판을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 지지대는, 원반형상의 중앙부와, 단일 또는 복수의 고리모양의 주변부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 지지대는, 원반형상의 중앙부와, 고리모양의 주변부를 포함하고, 상기 주변부의 흡착면은, 상기 중앙부의 흡착면에 대해서 경사져 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 중앙부의 흡착면과 상기 주변부의 흡착면은 제 1기판을 흡착하는 흡착기구를 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 중앙부 및 주변부의 흡착면 또는 상기 중앙부나 주변부의 흡착면에는, 제 1기판을 지지하는 프로그형상의 핀들이 형성되고, 상기 핀 사이의 공간을 배기함으로써 제 1기판을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 지지대 중에서 상기 주변부의 흡착면만이 제 1기판을 흡착하는 흡착기구를 가진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제 8항에 있어서, 상기 지지유닛의 상기 지지대는, 제 1기판의 중앙부가 상기 지지대의 중앙부로부터 분리하도록 이 제 1기판의 주변부만을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제 1항에 있어서, 기판처리장치는, 제 2기판이 상기 지지유닛에 의해 지지된 제 1기판에 대향한 상태에서 제 2기판을 지지하고 또한 이 제 2기판의 지지를 해제하는 기판조작수단을 부가하여 구비하고,
    상기 가압유닛은, 상기 기판조작수단이 제 2기판의 지지를 해제할 때에 이 제 2기판을 가압하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판을 대략 수평으로 지지하고, 상기 기판조작유닛은, 상기 제 1기판의 위쪽에서 제 2기판을 대략 수평으로 지지하고, 또한 상기 제 2기판의 지지를 해제하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 1기판이 제 2기판에 맞포개지고 밀착되는 경우에, 제 1기판을 지지하는 기판지지장치로서,
    만곡한 상태 및 만곡하지 않은 상태에서 제 1기판을 지지할 수 있는 지지유닛을 구비한 기판지지장치에 있어서,
    상기 지지유닛은, 제 1, 제 2기판의 밀착부가 중심으로부터 주변으로 단계적으로 확대하도록 제 1기판의 만곡을 조정하는 조정유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 조정유닛은, 상기 밀착부가 동심원형상으로 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 지지유닛은, 제 1기판의 이면을 흡착해서 이 제 1기판을 만곡시키는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  20. 제 17항에 있어서, 상기 지지유닛은, 주변부의 높이가 중앙부의 높이보다도 낮은 지지대를 가지고, 상기 지지대는 제 1기판을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 지지대는, 원반형상의 중앙부와, 단일 또는 복수의 고리모양의 주변부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  22. 제 20항에 있어서, 상기 지지대는, 원반형상의 중앙부와, 고리모양의 주변부를 포함하고, 상기 주변부의 흡착면은, 상기 중앙부의 흡착면에 대해서 경사져 있는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  23. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 중앙부의 흡착면과 상기 주변부의 흡착면은 기판을 흡착하는 흡착기구를 가진 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  24. 제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 지지대 중에서 상기 주변부의 흡착면만이 기판을 흡착하는 흡착기구를 가진 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  25. 제 20항에 있어서, 상기 지지유닛의 상기 지지대는, 기판의 중앙부가 상기 지지대의 중앙부로부터 분리되도록 이 기판의 주변부만을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.
  26. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판의 주변으로부터 제 1기판의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 주변부를 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    소정의 시간이 경과한 후에, 상기 제 1기판의 주변부를 만곡하지 않는 상태로 선택적으로 설정하는 단계와;
    를 포함하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 가압단계는, 제 1기판의 중앙영역을 평탄하게 유지하면서 제 2기판의 중앙영역을 핀으로 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  27. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판의 주변으로부터 제 1기판의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 주변부를 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    상기 제 1, 제 2기판의 밀착부가 소정의 영역까지 확대한 후에, 상기 제 1기판의 주변부를 만곡하지 않는 상태로 선택적으로 설정하는 단계와;
    를 포함하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 가압단계는, 제 1기판의 중앙영역을 평탄하게 유지하면서 제 2기판의 중앙영역을 핀으로 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  28. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판의 주변부로부터 제 1기판의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 주변부를 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    상기 제 1, 제 2기판의 밀착영역이 중심영역으로부터 주변영역으로 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 선택적으로 조정하는 단계와;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  29. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판의 주변부로부터 제 1기판의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 주변부를 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    상기 제 1, 제 2기판의 밀착부가 중심으로부터 주변으로 동심원형상으로 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 조정하는 단계와;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  30. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판으로부터 제 1기판의 소정의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 소정의 주변부를 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    소정의 시간이 경과한 후에, 상기 제 1기판의 소정의 주변부를 만곡하지 않는 상태로 선택적으로 설정하는 단계와;
    를 포함하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 가압단계는, 제 1기판의 중앙영역을 평탄하게 유지하면서 제 2기판의 중앙영역을 핀으로 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  31. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판으로부터 제 1기판의 소정의 주변부를 분리하도록 상기 제 1기판의 소정의 주변부를 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    상기 제 1, 제 2기판의 밀착부가 소정의 영역까지 확대한 후에, 상기 제 1기판의 소정의 주변부를 만곡하지 않는 상태로 선택적으로 설정하는 단계와;
    를 포함하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 가압단계는, 제 1기판의 중앙영역을 평탄하게 유지하면서 제 2기판의 중앙영역을 핀으로 가압하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  32. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    상기 제 2기판으로부터 제 1기판의 소정부분을 분리하도록 상기 제 1기판의 소정부분을 만곡시킨 상태에서, 상기 제 2기판을 가압하는 단계와;
    상기 제 1, 제 2기판의 밀착부를 중앙으로부터 주변으로 단계적으로 확대하도록, 상기 제 1기판의 만곡을 선택적으로 조정하는 단계와;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  33. 제 26항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  34. 제 1항에 기재된 기판처리장치를 사용해서 2매의 기판을 밀착시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  35. 제 26항에 기재된 기판처리방법을 기판제조방법의 공정의 일부에 적용하는것을 특징으로 하는 기판제조방법.
  36. 제 26항에 기재된 기판처리방법을 SOI기판의 제조방법의 공정의 일부에 적용하는 것을 특징으로 하는 SOI기판의 제조방법.
  37. 제 27항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  38. 제 28항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  39. 제 29항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  40. 제 30항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  41. 제 31항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  42. 제 32항에 있어서, 상기 제 2기판의 이면은 가압되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  43. 2매의 기판을 맞포개서 밀착시키는 기판처리방법으로서,
    제 1, 제 2기판을 서로 대향시키는 단계와;
    제 1기판의 중앙영역을 평탄하게 하면서 제 1기판의 주변영역을 만곡시킨 상태로 설정하는 단계와;
    제 1기판의 만곡된 주변영역을 제 2기판의 주변영역으로부터 분리한 상태에서, 평탄한 밀착영역을 형성하는 제 1기판과 제 2기판의 중앙영역이 밀착하도록 가압하는 단계와;
    평탄한 중앙영역을 진동시키는 단계와;
    평탄한 밀착영역이 제 1, 제 2기판의 주변방향으로 증가하도록, 소정의 시간이 경과한 후에, 제 1기판의 만곡된 주변영역을 선택적으로 해제하는 단계와;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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