KR20170074549A - 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템 - Google Patents

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Abstract

기판 척 및 기판 척을 포함하는 기판 접합 설비가 제공된다. 이러한 기판 접합 시스템은 하부 기판 척 및 상기 하부 기판 척 상의 상부 기판 척을 포함한다. 상기 하부 기판 척은 평평하지 않은 하부 기판 접촉 표면을 갖고, 상기 상부 기판 척은 평평한 상부 기판 접촉 표면을 갖는다.

Description

기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템{A substrate chuck and a substrate bonding system including the same}
본 발명은 두 개의 기판들을 접합시키는 공정에 이용되는 기판 척 및 이러한 기판 척을 포함하는 기판 접합 시스템에 관한 것이다.
반도체 부품 및/또는 CIS 제품을 형성하기 위하여 두 개의 반도체 웨이퍼들을 접합시키는 웨이퍼 접합 공정(wafer bonding process)이 이용될 수 있다. 이와 같이 반도체 웨이퍼들을 접합시키는 공정 중에 다양한 형태의 공정 불량들이 발생하고 있다. 예를 들어, 접합된 두 개의 반도체 웨이퍼들 사이에 보이드가 형성되어 있는 보이드 불량 또는 두 개의 웨이퍼들 사이의 오버레이(overlay) 불량 등이 발생하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 접합 공정에 이용되는 기판 척에 대한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 접합 공정에 이용되는 기판 척을 포함하는 기판 접합 시스템에 대한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판 접합 공정에서 발생될 수 있는 불량을 방지할 수 있는 기판 척 및 이러한 기판 척을 포함하는 기판 접합 시스템에 대한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 척은 베이스; 상기 베이스 상에 배치되는 복수의 서포트 핀들; 및 상기 베이스 상에 배치되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분을 포함한다. 상기 복수의 서포트 핀들은 상기 베이스의 제1 영역 상에 배치되는 제1 서포트 핀들 및 상기 베이스의 제2 영역 상에 배치되는 제2 서포트 핀들을 포함하고, 상기 제1 서포트 핀들은 동일 평면에 위치하는 상부면들을 갖고, 상기 댐 부분은 상기 제1 서포트 핀들의 상부면들 보다 낮은 상부면을 갖는다.
일 예에서, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 둘러싸고, 상기 댐 부분은 상기 제2 영역을 둘러쌀 수 있다.
일 예에서, 상기 제1 영역의 폭은 상기 댐 부분과 상기 제1 영역 사이의 거리보다 클 수 있다.
일 예에서, 상기 제2 서포트 핀들은 상기 제1 서포트 핀들 보다 낮으면서 상기 댐 부분 보다 높을 수 있다.
일 예에서, 상기 제2 서포트 핀들은 상기 댐 부분에 가까워질수록 높이가 점점 낮아질 수 있다.
일 예에서, 상기 제2 서포트 핀들의 상부면들의 각각은 상기 댐 부분에 가까워질수록 낮아지는 기울기를 가질 수 있다.
일 예에서, 상기 베이스를 수직하게 관통하는 리프트 홀들; 및 상기 베이스의 상기 제1 영역 상에 배치되며 상기 리프트 홀들을 노출시키며 상기 리프트 홀들을 둘러싸는 리프트 가드 링들을 더 포함하되, 상기 리프트 가드 링들은 상기 제1 서포트 핀들의 상부면들과 동일 평면에 배치되는 상부면들을 가질 수 있다.
일 예에서, 상기 베이스 내의 진공 채널을 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 상기 제1 서포트 핀들의 높이는 서로 인접하는 상기 복수의 서포트 핀들 사이의 이격 거리 보다 클 수 있다.
일 예에서, 상기 복수의 서포트 핀들은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 경계와 중첩하는 제3 서포트 핀을 포함하되, 상기 제3 서포트 핀의 상부면은 평평한 부분과 경사진 부분을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템은 하부 기판 척 및 상기 하부 기판 척 상의 상부 기판 척을 포함한다. 상기 하부 기판 척은 평평하지 않은 하부 기판 접촉 표면을 갖고, 상기 상부 기판 척은 평평한 상부 기판 접촉 표면을 갖는다.
일 예에서, 상기 하부 기판 척은 하부 베이스, 상기 하부 베이스의 상부면으로부터 돌출되는 복수의 서포트 핀들, 및 상기 하부 베이스의 상부면으로터 돌출되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분을 포함하되, 상기 하부 기판 척의 상기 하부 기판 접촉 표면은 상기 복수의 서포트 핀들의 상부면들 및 상기 댐 부분의 상부면이고, 상기 복수의 서포트 핀들의 상부면들은 상기 댐 부분의 상부면 보다 높을 수 있다.
일 예에서, 상기 복수의 서포트 핀들은 상기 하부 베이스의 제1 영역 상에 배치되는 제1 서포트 핀들 및 상기 하부 베이스의 제2 영역 상에 배치되며 상기 제1 서포트 핀들 보다 낮은 높이의 제2 서포트 핀들을 포함하고, 상기 제1 서포트 핀들은 동일 평면에 위치하는 상부면들을 갖고, 상기 제2 서포트 핀들은 경사진 상부면들을 가질 수 있다.
일 예에서, 상기 하부 베이스 내의 하부 진공 채널; 상기 하부 베이스를 관통하는 하부 리프트 홀들; 및 상기 하부 베이스 상에 배치되며 상기 하부 리프트 홀들을 노출시키는 하부 리프트 가드 링들을 더 포함하되, 상기 리프트 가드 링들은 상기 제1 서포트 핀들 사이에 배치되며 상기 제1 서포트 핀들과 동일한 높이로 배치될 수 있다.
일 예에서, 상기 상부 기판 척은 상부 베이스, 상기 상부 베이스의 가운데 부분을 관통하는 상부 관통 홀, 상기 상부 베이스의 가장 자리 부분에 배치되는 상부 진공 채널, 상기 상부 관통 홀과 상기 상부 진공 채널 사이의 상기 상부 베이스를 관통하는 상부 리프트 홀들을 포함하고, 상기 하부 기판 척은 하부 베이스, 상기 하부 베이스 상에 배치되는 복수의 서포트 핀들, 상기 하부 베이스 상에 배치되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분, 상기 하부 베이스를 관통하며 상기 복수의 서포트 핀들 사이에 배치되는 하부 리프트 홀들, 상기 하부 베이스 상에 배치되며 상기 하부 기프트 홀들을 노출시키는 하부 가드 링들을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 척은 베이스; 상기 베이스 상에 배치되는 복수의 서포트 핀들; 상기 베이스 상에 배치되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분; 상기 베이스 내에 배치되는 진공 채널; 상기 베이스를 수직하게 관통하는 리프트 홀들; 및 상기 베이스 상에 배치되며 상기 리프트 홀들을 노출시키는 리프트 가드 링들을 포함한다. 상기 복수의 서포트 핀들은 상기 베이스의 제1 영역 상에 배치되는 제1 서포트 핀들 및 상기 베이스의 제2 영역 상에 배치되는 제2 서포트 핀들을 포함한다. 상기 제1 서포트 핀들은 동일 평면에 배치되는 상부면들을 갖는다. 상기 제1 서포트 핀들은 상기 댐 부분의 상부면 보다 높은 상부면들을 갖는다.
일 예에서, 상기 베이스의 상기 제2 영역은 상기 베이스의 상기 제1 영역을 둘러쌀 수 있다.
일 예에서, 상기 제2 서포트 핀들은 경사진 상부면들을 가질 수 있다.
일 예에서, 상기 진공 채널은 상기 베이스를 관통하되, 상기 진공 채널의 상부 진공 홀은 상기 제1 서포트 핀들 사이에 배치되고, 상기 진공 채널의 하부 진공 홀은 상기 상부 진공 홀과 중첩하지 않으며 상기 상부 진공 홀 보다 상기 베이스의 외측에 가까운 기판 척.
일 예에서, 상기 베이스는 SiC 물질로 형성될 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예에 의한 상기 제1 기판 척은 상기 하부 베이스 위에 배치되는 상기 복수의 서포트 핀들을 포함할 수 있다. 이러한 상기 제1 기판 척의 상기 복수의 서포트 핀들은 상기 제1 기판 척 상에 위치할 수 있는 하부 기판과 접촉할 수 있다. 접합 공정을 반복 진행할 때 발생할 수 있는 이물질은 상기 제1 기판 척의 상기 기판 접촉 표면에 위치하지 않고 상기 복수의 서포트 핀들 사이에 위치할 확률이 높을 수 있다. 이와 같이 복수의 서포트 핀들 사이에 위치하는 이물질은 상기 제1 기판 척과 상기 하부 기판 사이의 접촉에 영향을 미치지 않기 때문에 이러한 이물질에 의한 접합 공정 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예에 의한 상기 제1 기판 척은 강성 물질, 예를 들어 SiC 물질로 형성할 수 있으므로, 이물질 및 주변 환경에 의한 변형이 최소화될 수 있다.
본 발명의 기술적 다양한 실시예에 의한 상기 제1 기판 척을 이용하는 기판 접합 시스템에서, 상기 제1 기판 척의 복수의 서포트 핀들과 상기 하부 기판이 접촉하는 방식이기 때문에, 상기 제1 기판 척과 상기 하부 기판 사이의 접촉면적을 최소화할 수 있다. 따라서, 제1 기판 척과 상기 하부 기판 사이의 접촉 면적이 줄어들면서 제1 기판 척의 진공에 의해 상기 하부 기판에 전달되는 힘을 최소화하여 오버레이 감소 효과를 얻을 수 있기 때문에, 오버레이 불량 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 기판 접합 시스템은 평탄하지 않는 기판 접촉 표면을 갖는 제1 기판 척과 평탄한 기판 접촉 표면을 갖는 제2 기판 척을 포함할 수 있다. 접합 공정 중에, 상기 제2 기판 척의 하부에 배치될 수 있는 상부 기판은 휘어지면서 상기 제1 기판 척의 상부에 있는 하부 기판과 접합이 시작될 수 있다. 상기 제1 기판 척의 상기 기판 접촉 표면은 평탄하지 않기 때문에, 상기 하부 기판은 휘어진 상태로 상기 제1 기판 척 상에 놓여져 있을 수 있다. 따라서, 휘어진 상부 기판과 휘어진 하부 기판을 접합시킬 수 있다. 본 발명자는 이와 같이 접합된 하부 및 상부 기판들에서 오버레이 불량이 감소하는 것을 알 수 있었다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템을 나타낸 개념도이다.
도 2는본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템의 제1 설비를 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템의 제1 설비의 제1 기판 척의 일 예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템의 제1 설비의 제1 기판 척의 일 예를 나타낸 탑 뷰이다.
도 5, 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템의 제1 설비의 제1 기판 척의 일부를 나타낸 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템의 제1 설비의 제1 기판 척의 다른 예를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템의 제1 설비의 제2 기판 척의 일 예를 나타낸 단면도이다.
도 9 내지 도 14는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템 및 이러한 기판 접합 시스템을 이용하여 진행하는 기판 접합 공정을 설명하기 위해 나타낸 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관 관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 '아래(below)' 또는 '아래(beneath)'로 기술된 소자는 다른 구성요소의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께 또는 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 휘어진 기판에서 휘어진 부분은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 구성요소의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템을 나타낸 개념도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템(1)은 제1 설비(100) 및 제2 설비(200)를 포함할 수 있다.
상기 제1 설비(100)는 두 개의 기판들을 접합시킬 수 있는 접합 설비일 수있고, 상기 제2 설비(200)는 접합된 두 개의 기판들의 접합 강도를 증가시킬 수 있는 열처리 설비일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 설비(100)는 두 개의 기판들을 접촉시키어 접합할 수 있는 설비일 수 있고, 상기 제2 설비(200)는 열처리 공정(annealing process)을 진행하여 접촉된 두 개의 기판들 사이의 접합 강도를 증가시킬 수 있는 열처리 설비일 수 있다.
도 2는 상기 제1 설비(100)을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 1과 함께, 도 2를 참조하면, 상기 제1 설비(100)는 접합 대상이 되는 제1 및 제2 기판들이 드나들 수 있는 로드 포트(3), 상기 제1 설비(100) 내에서 이동 장치(9)를 이용하여 상기 제1 및 제2 기판들을 이동시킬 수 있는 이송 공간(6), 상기 제2 기판을 플라즈마 처리할 수 있는 플라즈마 챔버(12), 상기 제1 및 제2 기판들을 세정할 수 있는 세정 부(15), 및 상기 제1 및 제2 기판들을 접합시킬 수 있는 접합 부(24)를 포함할 수 있다.
상기 접합 부(24)는 제1 부분(18) 및 제2 부분(21)을 포함할 수 있다. 상기 제1 부분(18)은 상기 이송 장치(9)에 의해 이송된 상기 제1 및 제2 기판들이 안착할 수 있는 부분일 수 있다. 상기 제2 부분(21)은 상기 제1 및 제2 기판들에 대한 접합 공정이 이루어지는 부분일 수 있다.
상기 접합 부(24)는 상기 제1 및 제2 기판들 중 상기 제2 기판이 안착될 수 있는 제1 기판 척(90), 상기 제1 기판 척(90)이 놓여질 수 있는 플레이트(35), 상기 플레이트(35)를 상기 제1 부분(18)과 상기 제2 부분(21) 사이를 왕복 운동 시킬 수 있는 레일 시스템(30)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 접합 부(24)는 상기 제1 기판 척(90) 상부에 배치되며 상기 제1 기판 척(90)과 마주볼 수 있는 제2 기판 척을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 척(90)의 일 예에 대하여 도 3과 함께, 도 4, 도 5, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명하기로 한다. 도 3은 상기 제1 기판 척(90)의 일 예를 나타낸 단면도이고, 도 4는 본 발명의 상기 제1 기판 척(90)의 일 예를 나타낸 탑 뷰이고, 도 5는 상기 제1 기판 척(90)의 일 예의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 6a 및 도 6b의 각각은 상기 제1 기판 척(90)의 일 예의 일부를 나타낸 단면도이다.
우선, 도 3과 함께 도 4를 참조하면, 상기 제1 기판 척(90)은 제1 베이스(43), 댐 부분(46), 복수의 서포트 핀들(55), 하부 리프트 홀들(57), 하부 리프트 가드 링들(58) 및 하부 진공 채널(61)을 포함할 수 있다. 상기 제1 기판 척(90)은 하부 기판 척으로 명명될 수도 있고, 상기 제1 베이스(43)는 하부 베이스로 명명될 수도 있다.
상기 제1 베이스(43)는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 가질 수 있다. 상기 제1 베이스(43)는 SiC 물질로 형성될 수 있다. 상기 댐 부분(46)은 상기 제1 베이스(43)의 상부면(43a) 상에 배치되며 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 상기 제1 영역(A1)은 상기 제1 베이스(43)의 가운데 부분에 위치할 수 있으며 원 모양일 수 있다. 상기 제2 영역(A2)은 상기 제1 영역(A1)을 둘러싸는 도넛 모양일 수 있다. 상기 제1 영역(A1)의 폭 또는 지름은 상기 제2 영역(A2)의 폭 보다 클 수 있다. 여기서, 상기 제2 영역(A2)의 폭은 상기 제1 영역(A1)과 상기 댐 부분(46) 사이의 거리일 수 있다. 따라서, 상기 제1 영역(A1)의 폭 또는 지름은 상기 제1 영역(A1)과 상기 댐 부분(46) 사이의 거리 보다 클 수 있다.
상기 댐 부분(46)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 상부면(43a)으로부터 상부로 돌출될 수 있다. 상기 댐 부분(46)은 평평한 상부면을 가질 수 있다. 탑 뷰에서, 상기 댐 부분(46)은 링 모양일 수 있다. 상기 댐 부분(46)은 상기 제1 베이스(43)의 외측 모서리와 이격될 수 있다. 상기 제1 베이스(43)에서, 외측 모서리와 상기 댐 부분(46) 사이의 엣지 영역(43e)은 상기 댐 부분(46)의 상부면 보다 낮을 수 있으며 평평할 수 있다.
상기 하부 리프트 홀들(57)은 상기 제1 베이스(43)를 관통할 수 있다. 상기 하부 리프트 홀들(57)은 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1 베이스(43)를 관통할 수 있다.
상기 리프트 가드 링들(58)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 상부면(43A) 상에 배치될 수 있다. 상기 리프트 가드 링들(58)은 상기 하부 리프트 홀들(57)에 각각 대응할 수 있으며, 상기 하부 리프트 홀들(57)을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 리프트 가드링들(58)은 속이 빈 파이프 모양으로 형성되며, 상기 리프트 가드 링들(58)의 가운데의 비어 있는 부분들은 상기 하부 리프트 홀들(57)과 중첩하며 상기 하부 리프트 홀들(57)을 노출시킬 수 있다.
상기 하부 진공 채널(61)은 상기 제1 베이스(43)를 관통할 수 있다. 상기 제1 베이스(43)의 상기 상부면(43a)에 위치하는 상기 하부 진공 채널(61)의 한쪽 끝 부분, 예를 들어 상부 진공 홀(61a)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 제1 영역(A1)에 배치될 수 있다. 상기 제1 베이스(43)의 상기 하부면(43b)에 위치하는 상기 하부 진공 채널(61)의 다른쪽 끝 부분, 예를 들어 하부 진공 홀(61b)은 상기 상부 진공 홀(61a)과 중첩하지 않을 수 있다. 상기 하부 진공 홀(61b)은 상기 상부 진공 홀(61a) 보다 외측에 위치할 수 있다. 상기 상부 진공 홀(61a)은 상기 제1 영역(A1)의 상기 제1 베이스(43)의 상부면(43a)에 위치할 수 있고, 상기 하부 진공 홀(61b)은 상기 엣지 영역(43e)의 상기 제1 베이스(43)의 하부면(43b)에 위치할 수 있다.
상기 복수의 서포트 핀들(55)은 제1 서포트 핀들(49), 제2 서포트 핀들(51) 및 제3 서포트 핀들(53)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서포트 핀들(49)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 제1 영역(A1) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 서포트 핀들(49)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 상부면(43a)으로부터 상부로 돌출되면서 서로 동일한 높이로 배치될 수 있다. 상기 제1 서포트 핀들(49)은 상기 리프트 가드 링들(58)과 동일 높이로 형성될 수 있다. 상기 리프트 가드 링들(58)은 상기 제1 서포트 핀들(49) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 서포트 핀들(51)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 제2 영역(A2) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 서포트 핀들(51)은 상기 제1 베이스(43)의 상기 상부면(43a)으로부터 돌출되면서 상기 제1 서포트 핀들(49) 및 상기 리프트 가드 링들(58) 보다 낮은 높이로 형성될 수 있다.
상기 제1 서포트 핀들(49) 및 상기 복수의 제2 서포트 핀들(51)에 대하여 도 3 및 도 4와 함께 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.
도 3 및 도 4와 함께 도 5를 참조하면, 상기 제1 서포트 핀들(49)은 동일 평면에 배치되는 평평한 상부면들을 가질 수 있으며, 상기 제1 베이스(43)의 상기 상부면(43a)으로부터 제1 높이(ΔH1)로 돌출될 수 있다.
상기 댐 부분(46)은 상기 제1 높이(ΔH1) 보다 낮은 제2 높이(ΔH2)로 형성될 수 있다. 상기 댐 부분(46)의 상부면은 상기 제1 서포트 핀들(49)의 상부면 보다 낮은 레벨로 형성될 수 있다. 상기 댐 부분(56)의 폭은 상기 복수의 핀들(55) 각각의 상부면의 폭 보다 클 수 있다. 여기서, 상기 댐 부분(56)은 일정한 폭의 링 모양으로 형성될 수 있으며, 이러한 링 모양의 폭을 상기 댐 부분(56)의 폭으로 정의할 수 있다.
상기 제2 서포트 핀들(51)은 상기 제1 높이(ΔH1)와 상기 제2 높이(ΔH2) 사이의 높이로 형성될 수 있다. 상기 제2 서포트 핀들(51)은 상기 제1 서포트 핀들(49)에 가까운 핀들 보다 상기 댐 부분(46)에 가까운 핀들의 높이가 낮을 수 있다. 상기 제2 서포트 핀들(51)은 상기 댐 부분(46)에 가까워질수록 높이가 낮아질 수 있다. 상기 제2 서포트 핀들(51)은 상기 댐 부분(46)에 가까워질수록 높이가 점차적으로 낮아질 수 있다. 상기 제2 서포트 핀들(51)의 상부면들은 일정한 각도(θ)로 경사질 수 있다. 상기 각도(θ)는 0도 보다 크고 90도 보다 작은 각도일 수 있다. 상기 제2 서포트 핀들(51)의 각각은 경사진 상부면을 갖되, 상기 댐 부분(46)을 향하는 부분이 낮을 수 있다.
상기 복수의 서포트 핀들(55) 중에서, 서로 인접하는 핀들은 제1 거리(ΔL)만큼 이격될 수 있다. 상기 복수의 서포트 핀들(55)은 서로 동일한 폭(ΔW1)을 가질 수 있다. 상기 댐 부분(56)은 상기 제1 폭(ΔW1) 보다 큰 제2 폭(ΔW2)을 가질 수 있다.
일 예에서, 상기 댐 부분(56)의 상기 제2 폭(ΔW2)은 상기 제1 거리(ΔL) 보다 클 수 있다.
도 6a 및 도 6b를 참조하여 상기 복수의 서포트 핀들(55)과 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2)의 경계(B)에 대하여 설명하기로 한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2) 사이의 경계(B)는 원 모양일 수 있다. 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2) 사이의 경계(B)는 상기 제1 서포트 핀들(49)과 상기 제2 서포트 핀들(52) 사이를 지나는 부분과 상기 복수의 서포트 핀들(55) 중 일부 핀들과 중첩하는 부분이 있을 수 있다.
일 예에서, 도 6a에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2) 사이의 상기 경계(B)는 상기 제1 서포트 핀들(49)과 상기 제2 서포트 핀들(52) 사이를 지날 수 있다.
일 예에서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2) 사이의 경계(B)의 일부는 상기 복수의 서포트 핀들(55) 중 일부 핀들과 중첩할 수 있다. 이와 같이, 상기 상기 복수의 서포트 핀들(55) 중에서 상기 제1 및 제2 영역들(A1, A2) 사이의 경계(B)와 중첩하는 핀들은 제3 서포트 핀들(53)로 명명할 수 있다.
상기 제3 서포트 핀들(53)의 각각은 평평한 제1 상부면(53a) 및 경사진 제2 상부면(53b)을 가질 수 있다.
상기 제3 서포트 핀들(53)의 상기 제1 상부면들(53a)은 상기 제1 서포트 핀들(49)의 상부면들과 동일한 높이에 배치될 수 있다. 상기 제3 서포트 핀들(53)의 상기 제2 상부면들(53b)은 상기 제2 서포트 핀들(51)의 상부면들과 동일한 각도(θ)로 경사질 수 있다. 상기 제3 서포트 핀들(53)의 상기 제2 상부면들(53b)은 상기 제2 서포트 핀들(51)의 상부면들과 동일하게 상기 댐 부분(46)을 향할수록 낮아지도록 경사질 수 있다.
일 예에서, 상기 제2 서포트 핀들(49)은 경사진 상부면들을 가질 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 7과 같이, 서로 다른 높이를 가지면서 평평한 상부면을 갖는 제2 서포트 핀들(51')이 배치될 수 있다. 이와 같이 평평한 상부면을 갖는 상기 제2 서포트 핀들(51')은 상기 제1 서포트 핀들(49) 보다 낮은 높이를 가지면서 상기 댐 부분(46)에 가까울수록 단계적으로 높이가 낮아질 수 있다.
상기 제1 기판 척(90)과 마주볼 수 있는 제2 기판 척(190)에 대하여 도 8을 참조하여 설명하기로 한다.
도 8을 참조하면, 제2 기판 척(190)은 상부 베이스(115), 및 상부 관통 홀(145), 상부 리프트 홀들(125), 및 상부 진공 채널(135)을 포함할 수 있다.
상기 상부 관통 홀(145)은 상기 제2 기판 척(190)의 가운데 부분을 관통할 수 있다. 상기 상부 진공 채널(135)은 상기 제2 기판 척(190)의 가장 자리 부분에 배치될 수 있다. 상기 상부 리프트 홀들(125)은 상기 상부 관통 홀(145)과 상기 상부 진공 채널(135) 사이의 상기 상부 베이스(115)를 관통할 수 있다.
이하에서, 도 9 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 접합 시스템(1) 및 이러한 기판 접합 시스템(1)을 이용하여 진행하는 기판 접합 공정을 설명하기로 한다. 도 9 내지 도 14에서, 도 9는 제1 기판(300)이 제1 기판 척(90)에 안착되고, 제2 기판(400)이 제2 기판 척(190)에 안착된 것을 나타낸 도면이고, 도 10은 제1 및 제2 기판들(300, 400)을 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 기판 접합 시스템(1)의 리프트 핀들(92, 192)의 횡단면을 나타낸 도면이고, 도 12는 제1 및 제2 기판들(300, 400)이 접합하기 시작하는 모양을 나타낸 도면이고, 도 13은 제1 기판 척(92) 상에서 제1 및 제2 기판들(300, 400)이 접합된 것을 나타낸 도면이고, 도 14는 제2 설비(200) 내에서 진행하는 열처리 공정을 나타낸 도면이다.
우선, 도 1및 도 2와 함께 도 9를 참조하면, 상기 기판 접합 시스템(1)는 서로 마주보는 상기 제1 기판 척(90) 및 상기 제2 기판 척(190)을 포함할 수 있다. 상기 제1 기판 척(90)은 하부 기판 척으로 명명될 수 있고, 상기 제1 기판 척(90) 상의 상기 제2 기판 척(190)은 상부 기판 척으로 명명될 수 있다.
상기 제1 기판 척(90)은 도 3 내지 도 6b를 참조하여 설명한 것과 같을 수 있다. 상기 제2 기판 척(190)은 도 8을 참조하여 설명한 것과 같을 수 있다.
상기 제1 기판 척(90) 상에 제1 기판(300)을 위치시킬 수 있다. 상기 제2 기판 척(190)의 하부에 제2 기판(400)을 위치시킬 수 있다. 이하에서, 상기 제1 기판(300)은 하부 기판으로 명명하고, 상기 제2 기판(400)은 상부 기판으로 명명하기로 한다.
상기 하부 기판(300) 및 상기 상부 기판(400)의 일 예에 대하여 도 10을 참조하여 설명하기로 한다.
도 10을 참조하면, 상기 하부 기판(300)은 하부 반도체 웨이퍼(310) 및 상기 하부 반도체 웨이퍼(310) 상에 배치되며 내부 회로 및/또는 내부 배선(315)을 덮는 하부 절연 구조물(320)을 포함할 수 있다.
상기 상부 기판(400)은 상부 반도체 웨이퍼(410) 및 상기 상부 반도체 웨이퍼(410) 상의 상부 절연 층(420)을 포함할 수 있다. 상기 상부 반도체 웨이퍼(410)은 베어 반도체 웨이퍼일 수 있고, 상기 상부 절연 층(420)은 상기 제1 설비(100)의 상기 플라즈마 챔버(12)에서 형성될 수 있다.
다시, 도 1및 도 2와 함께 도 9를 참조하면, 상기 제1 기판 척(90) 상에 하부 기판(300)을 위치시키는 것은 상기 이동 장치(9)를 이용하여 상기 로드 포트(3)로부터 상기 하부 기판(300)을 상기 세정 부(15)로 이동시키어 상기 하부 기판(300)을 세정하고, 세정된 하부 기판(300)을 상기 접합 부(24)의 상기 제1 부분(18)에 위치하고 있는 상기 제1 기판 척(90) 상으로 이동시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 설비(100)의 상기 접합 부(24)의 상기 제1 부분(18)은 하부 리프트 핀들(92) 및 상부 리프트 핀들(192)을 포함할 수 있다. 상기 하부 리프트 핀들(92) 및 상부 리프트 핀들(192)은 왕복 수직 운동을 할 수 있다. 상기 하부 리프트 핀들(92) 및 상부 리프트 핀들(192)의 각각은 내부에 흡입 채널을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 11과 같이, 상기 하부 리프트 핀들(92)의 각각은 진공을 이용하는 흡입 채널(94)을 가질 수 있다.
상기 제1 기판 척(90) 하부의 하부 리프트 핀들(92)은 상승하여 상기 제1 기판 척(90)의 상기 하부 리프트 홀들(57)을 지나면서 상기 제1 기판 척(90)의 상기 제1 서포트 핀들(49) 보다 높게 이동할 수 있고, 상기 하부 리프트 핀들(92)은 상기 하부 기판(300)과 접촉하면서 상기 하부 리프트 핀들(92)의 흡입 채널들(94)을 이용하여 상기 하부 기판(300)을 고정 또는 흡착시킬 수 있다.
이어서, 상기 하부 리프트 핀들(92)이 하강 운동하면서 상기 하부 기판(300)은 상기 제1 기판 척(90)의 상기 제1 서포트 핀들(49)과 접촉할 수 있다. 그리고, 상기 하부 기판(300)은 휘어지면서 상기 제1 기판 척(90)의 상기 제2 및 제3 서포트 핀들(51, 53) 및 상기 댐 부분(46)과 접촉할 수 있다. 이 경우에, 상기 하부 기판(300)은 상기 제1 기판 척(90)의 하부 진공 채널(61)에 의한 흡입력에 의해 상기 제1 기판 척(90)에 고정될 수 있다.
따라서, 상기 하부 기판(300)은 상기 제1 기판 척(90) 상에서 복수의 서포트 핀들(55)의 상부면들 및 상기 댐 부분(46)의 상부면과 접촉하면서 휘어진 부분이 발생할 수 있다.
상기 하부 기판(300)에서, 상기 제1 기판 척(90)의 상기 제1 영역(A1)과 중첩하는 제1 부분(300a)은 평평할 수 있고, 상기 제1 기판 척(90)의 상기 제2 영역(A2)과 중첩하는 제2 부분(300b)은 외측으로 갈수록 낮아지는 기울기로 경사질 수 있고, 상기 댐 부분(46)과 중첩하는 부분(300c)은 상기 제1 부분(300a) 보다 낮은 레벨이면서 평평할 수 있다.
상기 제1 기판 척(90)에서 상기 하부 기판(300)과 접촉하는 부분은 하부 기판 접촉 표면으로 명명할 수 있다. 따라서, 상기 제1 기판 척(90)에서, 상기 복수의 서포트 핀들(55)의 상부면들 및 상기 댐 부분(46)의 상부면은 하부 기판 접촉 표면일 수 있다.
상기 플라즈마 챔버(12)에서 상기 상부 절연 층(420)이 형성된 상기 상부 기판(400)은 상기 세정 부(15)에서 세정될 수 있다. 세정된 상부 기판(400)은 상기 접합 부(24)로 이송될 수 있다. 상기 제2 기판 척(190) 상부의 상부 리프트 핀들(192)은 하강하여 상기 제2 기판 척(190)의 상기 상부 리프트 홀들(125)을 지나면서 상기 제2 기판 척(190) 하부로 이동하여 상기 상부 리프트 핀들(192)의 흡입 채널들(94)을 이용하여 상기 접합 부(24)로 이송된 상기 상부 기판(400)을 고정 또는 흡착할 수 있다.
이어서, 상기 상부 리프트 핀들(192)을 상승 시키어 상기 제2 기판 척(190)의 하부면에 상기 상부 기판(400)을 접촉시킬 수 있다. 상기 상부 기판(400)은 상기 제2 기판 척(190)의 상기 상부 진공 채널(135)에 의한 흡입력에 의해 상기 제2 기판 척(190)에 흡착 및/또는 고정될 수 있다. 상기 제2 기판 척(190)의 하부에 안착된 상기 상부 기판(400)은 평평할 수 있다.
상기 상부 기판(400)과 접촉하는 상기 제2 기판 척(190)의 하부면, 즉 상부 기판 접촉 표면은 평평할 수 있다. 상기 하부 기판(300)과 접촉하는 상기 제1 기판 척(90)의 하부 기판 접촉 표면은 상기 복수의 서프트 핀들(55)의 상부면들 및 상기 댐 부분(46)의 상부면일 수 있고, 이러한 하부 기판 접촉 표면은 평평하지 않을 수 있다.
상기 접합 부(24) 내의 상기 제1 부분(18)에 위치하는 상기 제1 및 제2 기판 척들(90, 190)의 각각은 상기 제2 부분(21)으로 각각 이동할 수 있다.
상기 제2 부분(21)으로 각각 이동된 상기 제1 및 제2 기판 척들(90, 190)은 서로 이격될 수 있다. 또한, 상기 하부 및 상부 기판들(300, 400)도 이격될 수 있다.
상기 접합 부(24)의 상기 제2 부분(21)은 상부 핀(155)을 포함할 수 있다. 상기 상부 핀(155)은 수직 왕복운동을 할 수 있다. 상기 상부 핀(155)은 상기 제2 기판 척(190)의 상기 상부 관통 홀(145)을 지나면서 상기 상부 기판(400)에 압력을 가하여 상기 상부 기판(400)을 휘어지게 할 수 있다.
상기 상부 기판(400)에서, 상기 제2 기판 척(190)의 상기 상부 진공 채널(135)이 위치하는 부분은 상기 상부 진공 채널(135)의 흡입력에 의하여 상기 상부 기판(400)과 접촉해 있을 수 있고, 상기 제2 기판 척(190)의 상기 상부 핀(155)이 점점 하강하면서 상기 상부 기판(400)은 상기 상부 핀(155)이 접촉하는 부분부터 점점 아래 방향으로 휘어질 수 있다. 상기 상부 핀(155)은 상기 상부 기판(400)이 상기 하부 기판(300)과 접촉하면서 하강이 멈출수 있다.
도 13을 참조하면, 상기 제2 기판 척(190)의 상기 상부 진공 채널(135)의 흡입력을 없앨 수 있다. 상기 상부 진공 채널(135)의 흡입력을 없애는 순간, 상기 상부 기판(400)은 복원력 및 중력에 의하여 상기 상부 진공 채널(135)에 의해 상기 제2 기판 척(190)과 접촉하고 있던 가장자리 부분이 아래 방향으로 하강 운동하면서 상기 하부 기판(300)과 접촉 및 접착될 수 있다.
상기 하부 기판(300)과 상기 상부 기판(400)의 서로 마주보는 표면들(320, 420)은 산화물 물질로 형성되면서 이러한 표면들(320, 420)에는 습기가 존재하는 상태일 수 있기 때문에, 상기 하부 기판(300)과 상기 상부 기판(400)은 접착될 수 있다. 상기 하부 기판(300)과 상기 상부 기판(400)의 서로 마주보는 표면들(320, 420)에 있는 상기 습기는 상기 제1 설비(100)의 상기 세정 부(15)에서 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 기판(300)과 상기 상부 기판(400)은 상기 세정 부(15)에서 세정 된 후, 표면에 습기가 있는 상태에서 상기 접합 부(24)로 이동될 수 있다.
상기 접착된 하부 및 상부 기판들(300, 400)은 접합 기판(bonding substrate; 500)으로 명명할 수 있다.
이어서, 상기 상부 핀(도 12의 155)는 상승 운동을 할 수 있다. 이어서, 상기 접착 기판(500)이 놓여진 상기 제1 기판 척(90)은 상기 접합 부(24)의 상기 제1 부분(18)으로 이동할 수 있다.
도 14를 참조하면, 상기 접착 기판(500)은 상기 제1 기판 척(도 13의 90)으로부터 상기 제2 설비(200)로 이동될 수 있다. 상기 제2 설비(200)에서 열처리 공정(510)을 진행하여 상기 접착 기판(500)의 상기 하부 기판(300, 400) 사이의 접착 강도를 증가시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예에 의한 상기 제1 기판 척(90)은 상기 하부 베이스(43) 위에 배치되는 상기 복수의 서포트 핀들(55)을 포함할 수 있다. 이러한 상기 제1 기판 척(43)의 상기 복수의 서포트 핀들(55)은 상기 제1 기판 척(43) 상에 위치할 수 있는 제1 기판, 즉 하부 기판(300)과 접촉할 수 있다. 따라서, 제1 기판 척(90)의 상기 복수의 서포트 핀들(55)과 상기 하부 기판(300)의 하부면은 서로 접촉할 수 있다. 접합 공정을 반복 진행할 때 발생할 수 있는 이물질은 상기 제1 기판 척(90)의 상기 기판 접촉 표면(55, 46)에 위치하지 않고 상기 복수의 서포트 핀들(55) 사이에 위치할 확률이 높을 수 있다. 이와 같이 복수의 서포트 핀들(55) 사이에 위치하는 이물질은 상기 제1 기판 척(90)과 상기 하부 기판(300) 사이의 접촉에 영향을 미치지 않기 때문에 이러한 이물질에 의한 접합 공정 불량을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예에 의한 상기 제1 기판 척(90)은 강성 물질, 예를 들어 SiC 물질로 형성할 수 있으므로, 이물질 및 주변 환경에 의한 변형이 최소화될 수 있다.
본 발명의 기술적 다양한 실시예에 의한 상기 제1 기판 척(90)을 이용하는 기판 접합 시스템(1)에서, 상기 제1 기판 척(90)의 복수의 서포트 핀들(55)과 상기 하부 기판(300)이 접촉하는 방식이기 때문에, 상기 제1 기판 척(90)과 상기 하부 기판(300) 사이의 접촉면적을 최소화할 수 있다. 따라서, 제1 기판 척(90)과 상기 하부 기판(300) 사이의 접촉 면적이 줄어들면서 제1 기판 척(90)의 진공에 의해 상기 하부 기판(300)에 전달되는 힘을 최소화하여 오버레이 감소 효과를 얻을 수 있기 때문에, 오버레이 불량 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 기판 접합 시스템(1)은 평탄하지 않는 기판 접촉 표면(55, 46)을 갖는 제1 기판 척(90)과 평탄한 기판 접촉 표면을 갖는 제2 기판 척(190)을 포함할 수 있다. 접합 공정 중에, 상기 제2 기판 척(190)의 하부에 배치될 수 있는 상부 기판(400)은 휘어지면서 상기 제1 기판 척(90)의 상부에 있는 하부 기판(300)과 접합이 시작될 수 있다. 상기 제1 기판 척(90)의 상기 기판 접촉 표면(55, 46)은 평탄하지 않기 때문에, 상기 하부 기판(300)은 휘어진 상태로 상기 제1 기판 척(90) 상에 놓여져 있을 수 있다. 따라서, 휘어진 상부 기판(400)과 휘어진 하부 기판(300)을 접합시킬 수 있다. 본 발명자는 이와 같이 접합된 하부 및 상부 기판들(300, 400)에서 오버레이 불량이 감소하는 것을 알 수 있었다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
A1 : 제1 영역 A2 : 제2 영역
1 : 기판 접합 시스템 100 : 제1 설비
200 : 제2 설비 3: 로드 포트
6 : 이송 공간 9 : 이동 장치
12 : 플라즈마 챔버 15 : 세정 부
24 : 접합 부 30 : 레일 시스템
35 : 플레이트 40 : 제1 기판 척
43 : 하부 베이스 46 : 댐 부분
49 : 제1 서포트 핀들 51 : 제2 서포트 핀들
53 : 제3 서포트 핀들 55 : 서포트 핀들
57 : 하부 리프트 홀들 58 : 하부 리프트 가드 링들
61 : 진공 채널 61a: 상부 진공 홀
61b : 하부 진공 홀 90 : 제1 기판 척
190 : 제2 기판 척 155 : 상부 핀
92, 192 : 리르트 핀들 300 : 하부 기판
400 : 상부 기판

Claims (10)

  1. 베이스;
    상기 베이스 상에 배치되는 복수의 서포트 핀들; 및
    상기 베이스 상에 배치되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분을 포함하되,
    상기 복수의 서포트 핀들은 상기 베이스의 제1 영역 상에 배치되는 제1 서포트 핀들 및 상기 베이스의 제2 영역 상에 배치되는 제2 서포트 핀들을 포함하고,
    상기 제1 서포트 핀들은 동일 평면에 위치하는 상부면들을 갖고,
    상기 댐 부분은 상기 제1 서포트 핀들의 상부면들 보다 낮은 상부면을 갖는 기판 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 둘러싸고, 상기 댐 부분은 상기 제2 영역을 둘러싸고,
    상기 제1 영역의 폭은 상기 댐 부분과 상기 제1 영역 사이의 거리보다 큰 기판 척.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서포트 핀들은 상기 제1 서포트 핀들 보다 낮으면서 상기 댐 부분 보다 높고,
    상기 제2 서포트 핀들은 상기 댐 부분에 가까워질수록 높이가 점점 낮아지는 기판 척.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 서포트 핀들의 상부면들의 각각은 상기 댐 부분에 가까워질수록 낮아지는 기울기를 갖는 기판 척.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스를 수직하게 관통하는 리프트 홀들; 및
    상기 베이스의 상기 제1 영역 상에 배치되며 상기 리프트 홀들을 노출시키며 상기 리프트 홀들을 둘러싸는 리프트 가드 링들을 더 포함하되,
    상기 리프트 가드 링들은 상기 제1 서포트 핀들의 상부면들과 동일 평면에 배치되는 상부면들을 갖는 기판 척.
  6. 하부 기판 척; 및
    상기 하부 기판 척 상의 상부 기판 척을 포함하되,
    상기 하부 기판 척은 평평하지 않은 하부 기판 접촉 표면을 갖고,
    상기 상부 기판 척은 평평한 상부 기판 접촉 표면을 갖는 기판 접합 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부 기판 척은 하부 베이스, 상기 하부 베이스의 상부면으로부터 돌출되는 복수의 서포트 핀들, 및 상기 하부 베이스의 상부면으로터 돌출되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분을 포함하되,
    상기 하부 기판 척의 상기 하부 기판 접촉 표면은 상기 복수의 서포트 핀들의 상부면들 및 상기 댐 부분의 상부면이고,
    상기 복수의 서포트 핀들의 상부면들은 상기 댐 부분의 상부면 보다 높은 기판 접합 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 서포트 핀들은 상기 하부 베이스의 제1 영역 상에 배치되는 제1 서포트 핀들 및 상기 하부 베이스의 제2 영역 상에 배치되며 상기 제1 서포트 핀들 보다 낮은 높이의 제2 서포트 핀들을 포함하고,
    상기 제1 서포트 핀들은 동일 평면에 위치하는 상부면들을 갖고,
    상기 제2 서포트 핀들은 경사진 상부면들을 갖는 기판 접합 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부 베이스 내의 하부 진공 채널;
    상기 하부 베이스를 관통하는 하부 리프트 홀들; 및
    상기 하부 베이스 상에 배치되며 상기 하부 리프트 홀들을 노출시키는 하부 리프트 가드 링들을 더 포함하되,
    상기 리프트 가드 링들은 상기 제1 서포트 핀들 사이에 배치되며 상기 제1 서포트 핀들과 동일한 높이로 배치되는 기판 접합 시스템.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 상부 기판 척은 상부 베이스, 상기 상부 베이스의 가운데 부분을 관통하는 상부 관통 홀, 상기 상부 베이스의 가장 자리 부분에 배치되는 상부 진공 채널, 상기 상부 관통 홀과 상기 상부 진공 채널 사이의 상기 상부 베이스를 관통하는 상부 리프트 홀들을 포함하고,
    상기 하부 기판 척은 하부 베이스, 상기 하부 베이스 상에 배치되는 복수의 서포트 핀들, 상기 하부 베이스 상에 배치되며 상기 복수의 서포트 핀들을 둘러싸는 댐 부분, 상기 하부 베이스를 관통하며 상기 복수의 서포트 핀들 사이에 배치되는 하부 리프트 홀들, 상기 하부 베이스 상에 배치되며 상기 하부 기프트 홀들을 노출시키는 하부 가드 링들을 포함하는 기판 접합 시스템.
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