KR20170093313A - 반도체 웨이퍼 처리 장비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 처리 장비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼 처리 장비는, 반도체 웨이퍼를 지지하는 척과, 척의 상부면에 배치되는 챔버 덮개와, 그리고 챔버 덮개로부터 아래 방향으로 돌출되도록 배치되어 반도체 웨이퍼의 가장자리에서의 구부러진 상태를 평평한 상태가 되도록 반도체 웨이퍼의 가장자리를 고정하는 클램프를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 처리 장비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법{Apparatus for processing semiconductor wafer and method of processing semiconductor wafer using the apparatus}
본 개시의 여러 실시예들은 반도체 제조설비에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼 처리 장비 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 처리 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼를 이용한 반도체 제조과정 중 이루어지는 여러 과정에서 웨이퍼의 구부러짐(warpage)이 유발될 수 있다. 예컨대 화학적기계적폴리싱(CMP; Chemical Mechanical Processing) 또는 후면 그라인딩(back grinding)과 같은 기계적 공정에 의한 스트레스는 웨이퍼 구부러짐의 원인으로 작용할 수 있다. 또한 열적 산화, 급속열처리(RTP; Rapid Thermal Processing), 리소그라피에서의 베이크(bake) 공정, 열압착 본딩(thermal compression bonding) 공정과 같은 열처리 공정에 의한 스트레스도 웨이퍼 구부러짐의 원인으로 작용할 수 있다. 특히 실리콘 웨이퍼와 다른 물질, 예컨대 실리콘 웨이퍼 하부에 배치되는 에폭시몰딩컴파운드(EMC; Epoxy Molding Compound)의 열팽창계수(CTE; Coefficient of Thermal Expansion)의 차이는 웨이퍼 구부러짐을 더 촉진시킨다. 웨이퍼 구부러짐이 발생된 상태에서, 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 제조공정을 진행하는 경우, 웨이퍼에 대한 가스 공급이나 온도 분포 등이 불균일해지며, 이는 공정 불량을 야기시킬 수 있다. 또한 웨이퍼 구부러짐이 유지되게 되면, 제조 공정이 이루어진 이후 패키지 단계에서 반도체 칩의 손상과 불량을 유발하는 원인으로 작용할 수 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 과제는, 웨이퍼 구부러짐이 있는 반도체 웨이퍼를 제조하는 과정에서 웨이퍼 구부러짐이 억제되도록 한 후에 제조 공정이 수행되도록 할 수 있는 반도체 웨이퍼 처리 장비를 제공하는 것이다.
본 출원이 해결하고자 하는 다른 과제는, 이와 같은 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 제공하는 것이다.
일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비는, 반도체 웨이퍼를 지지하는 척과, 척의 상부면에 배치되는 챔버 덮개와, 그리고 챔버 덮개로부터 아래 방향으로 돌출되도록 배치되어 반도체 웨이퍼의 가장자리에서의 구부러진 상태를 평평한 상태가 되도록 반도체 웨이퍼의 가장자리를 고정하는 클램프를 포함한다.
일 예에서, 챔버 덮개와 함께 내부 공간을 한정하는 챔버 외벽과, 척을 지지하는 척 지지부와, 그리고 챔버 외벽을 통해 가스 공급이 이루어지도록 배치되는 가스투입구들을 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 척 및 챔버 덮개 내에는 각각 제1 히터 및 제2 히터가 내장될 수 있다.
일 예에서, 클램프는, 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 클램프는, 수평 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수도 있다.
일 예에서, 클램프는, 챔버 덮개로부터 하부 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프 봉과, 그리고 클램프 봉에 결합되어 반도체 웨이퍼의 가장자리를 눌러줄 수 있도록 배치되는 클램프 바디를 포함할 수 있다. 클램프 바디는, 측면이 반도체 웨이퍼의 가장자리 측면에 접할 수 있는 돌출부를 가질 수 있다.
다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비는, 내부 공간을 한정하는 챔버 외벽 및 챔버 덮개와, 내부 공간 내에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 척과, 그리고 내부 공간의 바닥의 챔버 덮개로부터 위 방향으로 돌출되도록 배치되어 반도체 웨이퍼의 가장자리에서의 구부러진 상태를 평평한 상태가 되도록 반도체 웨이퍼의 가장자리를 고정하는 클램프를 포함한다.
일 예에서, 척을 지지하는 척 지지부와, 그리고 챔버 외벽을 통해 가스 공급이 이루어지도록 배치되는 가스투입구들을 더 포함할 수 있다.
일 예에서, 척 및 챔버 덮개 내에는 각각 제1 히터 및 제2 히터가 내장될 수 있다.
일 예에서, 클램프는, 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수 있다. 클램프는, 수평 방향으로 이동 가능하도록 배치될 수도 있다.
일 예에서, 클램프는, 내부 공간의 바닥의 챔버 덮개로부터 상부 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프 봉과, 그리고 클램프 봉에 결합되어 반도체 웨이퍼의 가장자리를 눌러줄 수 있도록 배치되는 클램프 바디를 포함할 수 있다. 클램프 바디는, 측면이 반도체 웨이퍼의 가장자리 측면에 접할 수 있는 돌출부를 가질 수 있다.
또 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비는, 반도체 웨이퍼를 지지하는 척을 포함하되, 척은 내부에 배치되는 복수개의 진공 홀들을 포함하여, 진공 홀들의 진공 상태에 의해 반도체 웨이퍼가 척 표면으로 흡착력을 받도록 한다.
일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 방법은, 척과, 척의 상부면에 배치되는 챔버 덮개와, 그리고 챔버 덮개로부터 아래 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비의 척 위로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계와, 그리고 클램프를 수직 방향으로 이동시켜 반도체 웨이퍼의 가장자리의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되도록 하는 단계를 포함한다.
일 예에서 클램프를 수평 방향으로 미세 이동시켜 반도체 웨이퍼가 정렬되도록 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 방법은, 내부 공간을 한정하는 챔버 외벽 및 챔버 덮개와, 내부 공간 내에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 척과, 그리고 내부 공간의 바닥의 챔버 덮개로부터 위 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비의 척 위로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계와, 그리고 클램프를 수직 방향으로 이동시켜 반도체 웨이퍼의 가장자리의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되도록 하는 단계를 포함한다.
또 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 방법은, 내부에 배치되는 복수개의 진공 홀들을 포함하는 척을 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비의 척 위로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계와, 그리고 진공 홀을 진공 상태로 만들어서 반도체 웨이퍼의 구부러진 부분에 척 표면을 향한 흡착력을 유발시켜서 반도체 웨이퍼의 상태가 평평한 상태가 되도록 하는 단계를 포함한다.
여러 실시예들에 따르면, 웨이퍼 구부러짐이 있는 반도체 웨이퍼를 제조하는 과정에서 웨이퍼 구부러짐이 억제되도록 한 후에 제조 공정이 수행되도록 할 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1은 웨이퍼 구부러짐이 발생한 반도체 웨이퍼의 예들을 나타내 보인 도면이다.
도 2는 웨이퍼 구부러짐이 발생한 반도체 웨이퍼의 다른 예들을 나타내 보인 도면이다.
도 3은 일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다.
도 4는 도 3의 반도체 웨이퍼 처리 장비의 클램프 내부 구조를 나타내 보인 도면이다.
도 5는 도 3의 반도체 웨이퍼 처리 장비의 클램프 평면 구조의 일 예를 반도체 웨이퍼와 함께 나타내 보인 도면이다.
도 6은 도 3의 반도체 웨이퍼 처리 장비의 클램프 평면 구조의 다른 예를 나타내 보인 도면이다.
도 7 내지 도 10은 도 2의 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 11은 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다.
도 12 내지 도 15는 도 11의 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 16은 또 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다.
도 17 및 도 18은 도 16의 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 19는 또 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다.
본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다. 또한, 어느 부재의 "상"에 위치하거나 "상부", "하부", 또는 "측면"에 위치한다는 기재는 상대적인 위치 관계를 의미하는 것이지 그 부재에 직접 접촉하거나 또는 사이 계면에 다른 부재가 더 도입되는 특정한 경우를 한정하는 것은 아니다. 또한, 어느 한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"의 기재는, 다른 구성 요소에 전기적 또는 기계적으로 직접 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수 있으며, 또는, 중간에 다른 별도의 구성 요소들이 개재되어 연결 관계 또는 접속 관계를 구성할 수도 있다.
도 1은 웨이퍼 구부러짐이 발생한 반도체 웨이퍼의 예들을 나타내 보인 도면이다. 도 1에서 (a), (b), (c)로 나타낸 도면은, 각각 구부러짐이 발생되지 않은 정상적인 반도체 웨이퍼(110)와, 스마일 형상(smile shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(120)와, 그리고 크라이 형상(cry shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(130)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼들(110, 120, 130) 각각은, 실리콘층(111)에 에폭시몰딩컴파운드(EMC; Epoxy Molding Compound)층(112)이 부착된 구조로 구성될 수 있다. 에폭시몰딩컴파운드층(112)은 여러 목적으로 사용될 수 있으며, 일 예에서 에폭시몰딩컴파운드층(112)은 반도체 제조 공정이 수행되는 과정에서 실리콘층(111)을 지지하기 위한 목적으로 사용될 수 있다. 다른 예에서 반도체 웨이퍼들(110, 120, 130) 각각은 베어 실리콘 웨이퍼(bare silicon wafer)일 수도 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 정상적인 반도체 웨이퍼(110)는 평평한 상태를 유지하고 있는 반면에, 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼들(120, 130)은 실리콘층(111)이 배치되는 위 방향으로 구부러지거나, 또는 에폭시몰딩컴파운드층(112)이 부착된 아래 방향으로 구부러진 상태가 유지된다. 이와 같은 구부러짐은, 실리콘층(111)을 구성하는 실리콘(Si)과 에폭시몰딩컴파운드층(112)을 구성하는 에폭시몰딩컴파운드의 열팽창 계수가 서로 다르기 때문일 수 있으며, 또한 열적 스트레스가 부분적으로 가해지는 상태로 반도체 웨이퍼 처리가 수행되는 때문일 수도 있다. 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼들(120, 130)의 경우, 구부러짐이 유지되는 상태에서 반도체 제조 설비 내에서의 처리 공정을 진행할 경우 적절하게 공정이 이루어지지 않을 수 있다.
도 2는 웨이퍼 구부러짐이 발생한 반도체 웨이퍼의 다른 예들을 나타내 보인 도면이다. 도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼들(140, 150, 160) 각각은, 실리콘층(141, 151, 161)에 에폭시몰딩컴파운드(EMC)층(142, 152, 162)이 부착된 구조로 구성될 수 있다. 다른 예에서 반도체 웨이퍼들(140, 150, 160) 각각은 베어 실리콘 웨이퍼(bare silicon wafer)일 수도 있다. 정상적인 반도체 웨이퍼(도 1의 110)는 평평한 상태를 유지하고 있는 반면에, 도면에서 (a)에 나타낸 바와 같이, 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(140)는 S자 형태의 웨이브(wave) 형상으로 구부러지거나, 도면에서 (b)로 나타낸 바와 같이, 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(150)는 중심부와 가장자리가 위를 향해 돌출되는 W자 형상으로 구부러지거나, 또는 도면에서 (c)에 나타낸 바와 같이, 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(160)는 중심부와 가장자리가 아래를 향해 돌출되는 M자 형상으로 구부러질 수 있다.
도 3은 일 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다. 본 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비(200)는, 스마일 형상(smile shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(도 1의 120)에 대한 처리 공정을 수행하기 위한 장비이다. 도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼 처리 장비(200)는 챔버(chamber) 구조를 갖는다. 즉 챔버외벽(210)에 의해 내부 공간이 한정된다. 반도체 웨이퍼 처리 장비(200) 내부의 하단에는 반도체웨이퍼(120)를 지지하는 척(chuck)(220)이 배치된다. 척(220)은 척 지지부(230)에 의해 지지된다. 도면에서 화살표(232)로 나타낸 바와 같이, 척 지지부(230)은 상하로 이동이 가능하다. 척 지지부(230)가 상하로 이동되면, 척(220)도 이에 연동되어 같이 상하로 이동된다. 척(230) 내에는 제1 히터가 내장되어 있을 수 있다. 반도체 웨이퍼 처리 장비(200)의 상단에는 챔버덮개(240)가 배치된다. 챔버덮개(240) 내에는 제2 히터가 내장되어 있을 수 있다. 제1 히터 및 제2 히터는 반도체 웨이퍼(120)에 대한 열처리 공정시 열을 공급하는데 사용될 수 있다. 챔버외벽(210)의 양 측면에는 복수개의 가스투입구들(251-254)이 배치된다. 본 예에서는 4개의 가스투입구들(251-254)이 배치되지만, 이는 하나의 예시로서 4개보다 적거나 더 많은 가스투입구들이 배치될 수도 있다. 가스투입구들(251-254)을 통해서 냉각가스나 또는 반응가스를 반도체 웨이퍼 처리 장비(200) 내부로 공급할 수 있다.
챔버덮개(240)의 하단부에는 클램프(clamp)(260)가 배치된다. 도면에서 화살표(268)로 나타낸 바와 같이, 클램프(260)는 수직방향으로 이동 가능하다. 또한 도면에서 화살표(269)로 나타낸 바와 같이, 클램프(260)는 수평방향으로 미세하게 이동 가능하다. 클램프(260)의 수직방향 및 수평방향으로의 이동을 위해, 클램프(260)는 모터 시스템(motor system)과 결합될 수 있다. 모터 시스템은 챔버덮개(240) 내에 배치되거나, 또는 외부에 배치되어 챔버덮개(240)를 관통하는 중간 연결부를 통해 클램프(260)에 결합될 수 있다. 클램프(260)는 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리에 수직방향으로 중첩되도록 배치된다.
클램프(260)는, 챔버덮개(240)로부터 하부 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프봉(261)과, 클램프봉(261)에 결합되어 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리를 눌러주는 클램프바디(262)를 포함한다. 클램프바디(262)는, 하부 일부 표면으로부터 돌출되는 돌출부(263)를 갖는다. 클램프바디(262)의 하부면은 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 상부면에 접촉될 수 있으며, 돌출부(263)의 측면은 반도체 웨이퍼(120)의 측면에 접촉될 수 있다. 즉 클램프(260)의 수직방향으로의 이동을 통해 클램프바디(262)의 하부면이 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 상부면에 접촉되도록 할 수 있으며, 클램프(260)의 수평방향으로의 미세 이동을 통해 클램프바디(262)의 돌출부(263) 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 측면에 접촉되도록 할 수 있다. 척(220) 위에 로딩되는 반도체 웨이퍼(120)가, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 스마일 형상(smile shape)의 웨이퍼 구부러짐, 즉 가장자리는 위로 구부러지고 중심부는 아래로 구부러지는 웨이퍼 구부러짐을 갖더라도, 클램프바디(262)가 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 상부면에 접하면서 하부 방향으로 일정 크기의 힘을 가해줌에 따라, 평평해진 상태의 반도체 웨이퍼(120)에 대해 반도체 웨이퍼 처리 프로세스를 진행할 수 있다. 이때 클램프바디(262)의 돌출부(263) 측면은 반도체 웨이퍼(120)가 수평방향으로 이동되지 않도록 반도체 웨이퍼(120)의 위치를 고정시켜 준다.
도 4는 도 3의 반도체 웨이퍼 처리 장비의 클램프 내부 구조를 나타내 보인 도면이다. 도 4를 참조하면, 클램프(260)는 히터(264) 및 히터 케이블(265)이 내장되는 구조를 가질 수도 있다. 구체적으로 히터(264)는 클램프바디(262) 내에 내장된다. 히터 케이블(265)은 클램프봉(261) 및 클램프바디(262) 내에 내장되며, 히터(264)의 일면, 예컨대 상부면에 결합된다. 히터 케이블(265)은 챔버덮개(240)를 통해 외부의 열원(heating source)과 결합될 수 있다. 히터 케이블(265)을 통해 히터(264)로 일정 크기의 열을 공급할 수 있다. 히터(264)에 열이 공급되면, 클램프바디(262)의 온도를 상승시킬 수 있으며, 이에 따라 클램프바디(262)와 클램프바디(262)에 접촉되는 반도체 웨이퍼(120) 사이의 온도 편차를 최소한으로 줄일 수 있다.
도 5는 도 3의 반도체 웨이퍼 처리 장비의 클램프 평면 구조의 일 예를 반도체 웨이퍼와 함께 나타내 보인 도면이다. 도 5를 참조하면, 본 예에 따른 클램프(260)는 일체로 구성된 클램프바디(262)와 클램프바디(262)에 결합되는 복수개의 클램프봉들(261)로 구성될 수 있다. 클램프바디(262)의 일부는, 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리와 수직방향으로 중첩된다. 도면에서 점선(269)은 돌출부분이 있는 부분과 돌출부분이 없는 부분의 경계를 나타낸다. 즉 점선(269) 바깥쪽 영역은, 클램프바디(262)의 돌출부분이 있는 부분이며, 점선(269) 안쪽 영역은, 클램프바디(262)의 돌출부분이 없는 부분이다. 클램프바디(262)의 돌출부분이 있는 부분과 없는 부분의 경계는 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리와 일정 간격(d) 이격된다. 즉 이 경계 안쪽의 평면적은 반도체 웨이퍼(120)의 평면적보다 넓다. 클램프바디(262)의 내측 형상은 불균일한 형상을 갖는다. 구체적으로 반도체 웨이퍼(120)는 다이(die)들이 배치되는 다이영역(120a)과, 다이가 배치되는 않는 주변영역(120b)으로 구분할 수 있다. 다이영역(120a)에 배치되는 다이들 각각은, 예컨대 사각 형상의 평면 구조를 갖는 반면, 반도체 웨이퍼(120)는 원형의 평면 구조를 갖는다. 이에 따라 원형의 반도체 웨이퍼(120) 내에 사각 형상의 다이들을 형성하게 되면, 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리에는 더 이상 다이를 배치시킬 수 없는 더미영역이 존재하게 된다. 클램프바디(262)가 다이영역(120a)과 컨택하게 되면, 다이영역(120a) 내의 다이들을 손상시킬 수 있다. 따라서 클램프바디(262)는 이 더미영역, 즉 주변영역(120b)에만 컨택되도록 할 필요가 있으며, 이를 위해 본 예에서 클램프바디(262)은 다이영역(120a)의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 갖는다.
도 6은 도 3의 반도체 웨이퍼 처리 장비의 클램프 평면 구조의 다른 예를 나타내 보인 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 예에 따른 클램프(260')는, 복수개의 클램프바디들(260a-260d)과, 각각이 클램프바디들(260a-260d) 각각에 결합되는 복수개의 클램프봉들(261a-261d)로 구성될 수 있다. 클램프바디들(260a-260d)은, 도 5를 참조하여 설명한 일체화된 클램프바디에서 일부를 제거함으로써 세그먼트들(segments)의 형태로 구성될 수 있다. 본 예에서 클램프바디들(260a-260d)은 4개로 예시하였지만, 이는 단지 하나의 예로서 4개보다 적거나 더 많을 수도 있다. 도면에서 점선(269')은 돌출부분이 있는 부분과 돌출부분이 없는 부분의 경계를 나타낸다. 즉 점선(269') 바깥쪽 영역은, 클램프바디들(260a-260d) 각각의 돌출부분이 있는 부분이며, 점선(269) 안쪽 영역은, 클램프바디들(260a-260d) 각각의 돌출부분이 없는 부분이다. 도 5를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 클램프바디들(260a-260d) 각각의 돌출부분이 있는 부분과 없는 부분의 경계는 반도체 웨이퍼의 가장자리와 일정 간격 이격된다. 또한 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 클램프바디들(260a-260d) 각각의 내측 형상은 반도체 웨이퍼의 다이영역의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 갖는다.
도 7 내지 도 10은 도 2의 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다. 도 7 내지 도 10에서 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 7을 참조하면, 스마일 형상(smile shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(120)를 반도체 웨이퍼 처리 장비(200) 내의 척(220) 위에 로딩(loading)한다. 반도체 웨이퍼(120)를 로딩하기 전에, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 척(220) 위의 빈 공간이 충분히 확보되도록 클램프(260)를 위 방향으로 이동시켜, 반도체 웨이퍼(120)가 척(220) 위로 로딩되는데 클램프(260)가 방해하지 않도록 한다. 반도체 웨이퍼(120)는, 구부러진 형상으로 인해, 그 중심부는 척(220) 위에 흡착되지만, 가장자리는 척(220) 표면 위로로부터 이격된 상태로 로딩되게 된다.
도 8을 참조하면, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 클램프(260)를 아래 방향으로 이동시켜 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 표면에 클램프바디(262) 하부면이 접촉되도록 한다. 이 상태에서 클램프(260)를 아래 방향으로 더 이동시켜 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리가 척(220) 위에 흡착되도록 한다. 위로 구부러져 있던 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 부분은 클램프바디(262)에 눌려서 평평한 상태로 될 수 있다. 이때 도면에서 "A"로 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리를 눌러주는 클램프바디(262)의 돌출부(263) 측면과 반도체 웨이퍼(120)의 측면 사이에는 미세한 틈이 발생될 수 있다.
도 9를 참조하면, 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 클램프바디(262)가 일체형으로 구성되는 경우, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 클램프(260)를 수평방향을 따라 한쪽 방향으로 미세하게 이동하여 클램프바디(262)의 돌출부(263) 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 일 가장자리 측면에 접촉되도록 한다. 그리고 반도체 웨이퍼(120)를 밀어서 이동 방향으로 반도체 웨이퍼(120)가 정렬되도록 한다. 이 경우 도면에서 "B"로 나타낸 바와 같이, 클램프바디(262)의 돌출부분의 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 측면에 접하는 반면에, 도면에서 "C"로 나타낸 바와 같이, 반대쪽의 클램프바디(262)의 돌출부분 측면은 반도체 웨이퍼(120)와 더 이격될 수도 있다. 반도체 웨이퍼(120)의 정렬이 추가적으로 필요할 경우, 다른 방향으로 클램프바디(262)를 이동시켜 반도체 웨이퍼(120)가 정렬되도록 할 수 있으며, 이와 같은 작업을 반복적으로 수행하여 반도체 웨이퍼(120)가 모든 방향으로 정렬될 수 있도록 할 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 복수개의 세그먼트들(segments)로 클램프바디(262)가 구성되는 경우, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 클램프바디(262)들 각각을 수평방향으로 미세하게 이동하여 클램프바디(262)들 각각의 돌출부(263) 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 측면에 접촉되도록 한다. 그리고 반도체 웨이퍼(120)를 수평방향으로 밀어서 반도체 웨이퍼(120)가 정렬되도록 한다.
비록 도면에 나타내지는 않았지만, 반도체 웨이퍼 처리 장비(200) 내에 별도의 정렬 위치 검출 장치가 있는 경우, 이를 이용하여 반도체 웨이퍼(120)의 정렬 상태를 확인하고, 오정렬이 발생되는 경우 클램프(260)의 수평방향으로의 미세 이동을 통해 반도체 웨이퍼(120)의 정렬 에러가 정정되도록 할 수도 있다. 이와 같이 반도체 웨이퍼(120)의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되고, 반도체 웨이퍼(120)의 정렬이 이루어진 상태가 되면, 반도체 웨이퍼(120)에 대한 처리 공정을 진행한다.
도 11은 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다. 본 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비(300)는, 스마일 형상(smile shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(도 1의 120)에 대한 처리 공정을 수행하기 위한 장비이다. 도 11을 참조하면, 반도체 웨이퍼 처리 장비(300)는 챔버(chamber) 구조를 갖는다. 즉 챔버외벽(310)에 의해 내부 공간이 한정된다. 반도체 웨이퍼 처리 장비(300) 내부의 하단에는 반도체웨이퍼(120)를 지지하는 척(chuck)(320)이 배치된다. 척(320)은 척 지지부(330)에 의해 지지된다. 도면에서 화살표(332)로 나타낸 바와 같이, 척 지지부(330)은 상하로 이동이 가능하다. 척 지지부(330)가 상하로 이동되면, 척(320)도 이에 연동되어 같이 상하로 이동된다. 척(330) 내에는 제1 히터가 내장되어 있을 수 있다. 반도체 웨이퍼 처리 장비(300)의 상단에는 챔버덮개(340)가 배치된다. 챔버덮개(340) 내에는 제2 히터가 내장되어 있을 수 있다. 제1 히터 및 제2 히터는 반도체 웨이퍼(120)에 대한 열처리 공정시 열을 공급하는데 사용될 수 있다. 챔버외벽(310)의 양 측면에는 복수개의 가스투입구들(351-354)이 배치된다. 본 예에서는 4개의 가스투입구들(351-354)이 배치되지만, 이는 하나의 예시로서 4개보다 적거나 더 많은 가스투입구들이 배치될 수도 있다. 가스투입구들(351-354)을 통해서 냉각가스나 또는 반응가스를 반도체 웨이퍼 처리 장비(300) 내부로 공급할 수 있다.
반도체 웨이퍼 처리 장비(300)의 바닥에는 클램프(clamp)(360)가 배치된다. 도면에서 화살표(368)로 나타낸 바와 같이, 클램프(360)는 수직방향으로 이동 가능하다. 또한 도면에서 화살표(369)로 나타낸 바와 같이, 클램프(360)는 수평방향으로 미세하게 이동 가능하다. 클램프(360)의 수직방향 및 수평방향으로의 이동을 위해, 클램프(360)는 모터 시스템(motor system)과 결합될 수 있다. 모터 시스템은 반도체 웨이퍼 처리 장비(300) 외부에 배치될 수 있다. 클램프(360)는 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리에 수직방향으로 중첩되도록 배치된다.
클램프(360)는, 반도체 웨이퍼 처리 장비(300)의 바닥으로부터 위 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프봉(361)과, 클램프봉(361)에 결합되어 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리를 눌러주는 클램프바디(362)를 포함한다. 클램프바디(362)는, 하부 일부 표면으로부터 돌출되는 돌출부(363)를 갖는다. 클램프바디(362)의 하부면은 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 상부면에 접촉될 수 있으며, 돌출부(363)의 측면은 반도체 웨이퍼(120)의 측면에 접촉될 수 있다. 즉 클램프(360)의 수직방향으로의 이동을 통해 클램프바디(362)의 하부면이 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 상부면에 접촉되도록 할 수 있으며, 클램프(360)의 수평방향으로의 미세 이동을 통해 클램프바디(362)의 돌출부(363) 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 측면에 접촉되도록 할 수 있다. 도 4를 참조하여 설명한 바와 마찬가지로, 클램프바디(362) 내에는 히터가 배치될 수 있다. 그리고 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 클램프바디(362)는, 일체형 또는 복수개의 세그먼트들로 구성될 수도 있다. 또한 클램프바디(362)는, 반도체 웨이퍼의 다이들이 배치되는 다이영역의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 가질 수 있다.
척(320) 위에 로딩되는 반도체 웨이퍼(120)가, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 스마일 형상(smile shape)의 웨이퍼 구부러짐, 즉 가장자리는 위로 구부러지고 중심부는 아래로 구부러지는 웨이퍼 구부러짐을 갖더라도, 클램프바디(362)가 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 상부면에 접하면서 하부 방향으로 일정 크기의 힘을 가해줌에 따라, 평평해진 상태의 반도체 웨이퍼(120)에 대해 반도체 웨이퍼 처리 프로세스를 진행할 수 있다. 이때 클램프바디(362)의 돌출부(363) 측면은 반도체 웨이퍼(120)가 수평방향으로 이동되지 않도록 반도체 웨이퍼(120)의 위치를 고정시켜 준다.
도 12 내지 도 15는 도 11의 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다. 도 12 내지 도 15에서 도 11과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 도 12를 참조하면, 스마일 형상(smile shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(120)를 반도체 웨이퍼 처리 장비(300) 내의 척(320) 위에 로딩(loading)한다. 반도체 웨이퍼(120)를 로딩하기 전에, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 척(320) 위의 빈 공간이 충분히 확보되도록 클램프(360)를 위 방향으로 이동시켜, 반도체 웨이퍼(120)가 척(320) 위로 로딩되는데 클램프(360)가 방해하지 않도록 한다. 반도체 웨이퍼(120)는, 구부러진 형상으로 인해, 그 중심부는 척(320) 위에 흡착되지만, 가장자리는 척(320) 표면 위로로부터 이격된 상태로 로딩되게 된다.
도 13을 참조하면, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 클램프(360)를 아래 방향으로 이동시켜 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 표면에 클램프바디(362) 하부면이 접촉되도록 한다. 이 상태에서 클램프(360)를 아래 방향으로 더 이동시켜 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리가 척(320) 위에 흡착되도록 한다. 위로 구부러져 있던 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 부분은 클램프바디(362)에 눌려서 평평한 상태로 될 수 있다. 이때 도면에서 "D"로 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리를 눌러주는 클램프바디(362)의 돌출부(363) 측면과 반도체 웨이퍼(120)의 측면 사이에는 미세한 틈이 발생될 수 있다.
도 14를 참조하면, 도 6을 참조하여 설명한 바와 같이, 복수개의 세그먼트들로 클램프바디(262)가 구성되는 경우, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 클램프바디들(362) 각각을 수평방향으로 미세하게 이동하여 클램프바디들(362) 각각의 돌출부(363) 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 가장자리 측면에 접촉되도록 한다. 그리고 반도체 웨이퍼(120)를 수평방향으로 밀어서 반도체 웨이퍼(120)가 정렬되도록 한다.
도 15를 참조하면, 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 클램프바디(362)가 일체형으로 구성되는 경우, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 클램프(360)를 수평방향을 따라 한쪽 방향으로 미세하게 이동하여 클램프바디(362)의 돌출부(363) 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 일 가장자리 측면에 접촉되도록 한다. 그리고 반도체 웨이퍼(120)를 밀어서 이동 방향으로 반도체 웨이퍼(120)가 정렬되도록 한다. 이 경우 클램프바디(362)의 돌출부분의 측면이 반도체 웨이퍼(120)의 측면에 접하는 반면에, 도면에서 "E"로 나타낸 바와 같이, 반대쪽의 클램프바디(362)의 돌출부분 측면은 반도체 웨이퍼(120)와 더 이격될 수도 있다. 반도체 웨이퍼(120)의 정렬이 추가적으로 필요할 경우, 다른 방향으로 클램프바디(362)를 이동시켜 반도체 웨이퍼(120)가 정렬되도록 할 수 있으며, 이와 같은 작업을 반복적으로 수행하여 반도체 웨이퍼(120)가 모든 방향으로 정렬될 수 있도록 할 수 있다.
비록 도면에 나타내지는 않았지만, 반도체 웨이퍼 처리 장비(300) 내에 별도의 정렬 위치 검출 장치가 있는 경우, 이를 이용하여 반도체 웨이퍼(120)의 정렬 상태를 확인하고, 오정렬이 발생되는 경우 클램프(360)의 수평방향으로의 미세 이동을 통해 반도체 웨이퍼(120)의 정렬 에러가 정정되도록 할 수도 있다. 이와 같이 반도체 웨이퍼(120)의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되고, 반도체 웨이퍼(120)의 정렬이 이루어진 상태가 되면, 반도체 웨이퍼(120)에 대한 처리 공정을 진행한다.
도 16은 또 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다. 본 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비(400)는, 크라이 형상(cry shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(도 1의 130)나, 스마일 형상(smile shape)으로 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(도 1의 140)나, 또는 도 2에 나타낸 바와 같이 S자 형태, M자 형태, W자 형태의 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼들(도 2의 150, 160, 170)에 대한 처리 공정을 수행하기 위한 장비이다. 도 16을 참조하면, 반도체 웨이퍼 처리 장비(400)는 챔버(chamber) 구조를 갖는다. 즉 챔버외벽(410)에 의해 내부 공간이 한정된다. 반도체 웨이퍼 처리 장비(400) 내부의 하단에는 반도체웨이퍼(130)를 지지하는 척(chuck)(420)이 배치된다. 척(420)은 척 지지부(430)에 의해 지지된다. 도면에서 화살표(432)로 나타낸 바와 같이, 척 지지부(430)은 상하로 이동이 가능하다. 척 지지부(430)가 상하로 이동되면, 척(420)도 이에 연동되어 같이 상하로 이동된다. 척(430) 내에는 제1 히터가 내장되어 있을 수 있다. 반도체 웨이퍼 처리 장비(400)의 상단에는 챔버덮개(440)가 배치된다. 챔버덮개(440) 내에는 제2 히터가 내장되어 있을 수 있다. 제1 히터 및 제2 히터는 반도체 웨이퍼(130)에 대한 열처리 공정시 열을 공급하는데 사용될 수 있다. 챔버외벽(410)의 양 측면에는 복수개의 가스투입구들(451-454)이 배치된다. 본 예에서는 4개의 가스투입구들(451-454)이 배치되지만, 이는 하나의 예시로서 4개보다 적거나 더 많은 가스투입구들이 배치될 수도 있다. 가스투입구들(451-454)을 통해서 냉각가스나 또는 반응가스를 반도체 웨이퍼 처리 장비(400) 내부로 공급할 수 있다.
척(420) 내에는 복수개의 진공 홀(vaccum hole)들(460)이 배치된다. 진공 홀들(460) 각각은 척(420)의 하부면으로부터 상부면을 관통하도록 배치된다. 진공 홀들(460)은 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 배치된다. 진공 홀들(460)의 수평 방향으로의 이격 간격은 일정 할 수 있지만, 필요에 따라 서로 다를 수도 있다. 즉 평면 구조에서 진공 홀들(460)이 분포하는 밀도는 다를 수도 있다. 진공 홀들(460)은 척(420)의 하단부에 배치되는 진공 라인(462)에 공통으로 연결될 수 있다. 진공 라인(462)은 진공 펌프(500)에 연결될 수 있다. 본 예에서 진공 펌프(500)는 반도체 웨이퍼 처리 장비(400) 외부에 배치되지만, 다른 예에서 진공 펌프(500)는 반도체 웨이퍼 처리 장비(400) 내부에 배치될 수도 있다. 진공 펌프(500)에 의해 진공 홀들(460) 내부는 진공 상태가 될 수 있으며, 이는 반도체 웨이퍼(130)의 하부면을 척(420) 표면을 향해 끌어당길 수 있도록 한다. 특히 척(420) 위에 로딩되는 반도체 웨이퍼(130)가, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 크라이 형상(cry shape)의 웨이퍼 구부러짐, 즉 가장자리는 아래로 구부러지고 중심부는 위로로 구부러지는 웨이퍼 구부러짐을 갖더라도, 진공 홀들(460)에 의해 발생되는 아래 방향으로의 흡착력이 반도체 웨이퍼(130)에 가해지고, 이에 따라 반도체 웨이퍼(130)의 구부러진 상태가 평평한 상태가 된다.
도 17 및 도 18은 도 16의 반도체 웨이퍼 처리 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다. 도 17 및 도 18에서 도 16과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 먼저 도 17에 나타낸 바와 같이, 구부러짐이 발생된 반도체 웨이퍼(130)를 반도체 웨이퍼 처리 장비(400) 내의 척(420) 위에 로딩(loading)한다. 반도체 웨이퍼(130)는, 구부러진 형상으로 인해, 일부는 척(420) 위에 흡착되지만, 다른 일부는 척(420) 표면 위로로부터 이격된 상태로 로딩되게 된다. 다음에 도 18에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 진공 펌프(500)를 이용하여 진공 홀들(460) 내부가 진공 상태가 되도록 한다. 진공 홀들(460) 내부가 진공 상태가 됨에 따라, 반도체 웨이퍼(130)의 하부면은 척(420) 표면을 향해 힘들 받아서 반도체 웨이퍼(130)의 구부러진 상태가 평평한 상태가 된다. 이와 같이 반도체 웨이퍼(130)의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되면, 반도체 웨이퍼(130)에 대한 처리 공정을 진행한다.
도 19는 또 다른 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비를 나타내 보인 단면도이다. 도 19에서 도 16과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타내며, 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 예에 따른 반도체 웨이퍼 처리 장비는, 척(420) 내에 배치되는 쿨러(cooler)(490)를 더 포함할 수 있다. 쿨러(490)는 쿨러(490) 내부에 냉각제가 흐를 수 있도록 구성될 수 있다. 쿨러(490)는 척(420)을 냉각시키는데 사용될 수 있다. 즉 척(420)을 가열하고자 할 때에는 척(420) 내의 제1 히터를 이용하고, 척(420)을 냉각시키고자 할 때에는 척(420) 내의 쿨러(490)를 이용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 출원의 실시 형태들을 도면들을 예시하며 설명하지만, 이는 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 설명하기 위한 것이며, 세밀하게 제시된 형상으로 본 출원에서 제시하고자 하는 바를 한정하고자 한 것은 아니다.
200...반도체 웨이퍼 처리 장비 210...챔버외벽
220...척(chuck) 230...척 지지부
240...챔버덮개 251-254...가스투입구들
260...클램프 261...클램프봉
262...클램프바디 263...돌출부분
120...반도체 웨이퍼

Claims (32)

  1. 반도체 웨이퍼를 지지하는 척;
    상기 척의 상부면에 배치되는 챔버 덮개; 및
    상기 챔버 덮개로부터 아래 방향으로 돌출되도록 배치되어 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리에서의 구부러진 상태를 평평한 상태가 되도록 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 고정하는 클램프를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 덮개와 함께 내부 공간을 한정하는 챔버 외벽;
    상기 척을 지지하는 척 지지부; 및
    상기 챔버 외벽을 통해 가스 공급이 이루어지도록 배치되는 가스투입구들을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 척 및 챔버 덮개 내에는 각각 제1 히터 및 제2 히터가 내장되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 클램프는, 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 클램프는, 수평 방향으로 이동 가능하도록 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  6. 제1항에 있어서, 상기 클램프는,
    상기 챔버 덮개로부터 하부 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프 봉; 및
    상기 클램프 봉에 결합되어 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 눌러줄 수 있도록 배치되는 클램프 바디를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 측면이 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리 측면에 접할 수 있는 돌출부를 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 클램프 바디 내에 내장되는 히터를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클램프 바디 및 히터봉 내에 내장되어 상기 히터에 결합되도록 배치되는 히터 케이블을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 따라 일체로 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 상기 반도체 웨이퍼의 다이들이 배치되는 다이영역의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 따라 복수개의 세그먼트들로 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 클램프 바디를 구성하는 세그먼트들 각각은, 상기 반도체 웨이퍼의 다이들이 배치되는 다이영역의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  14. 내부 공간을 한정하는 챔버 외벽 및 챔버 덮개;
    상기 내부 공간 내에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 척; 및
    상기 내부 공간의 바닥의 챔버 덮개로부터 위 방향으로 돌출되도록 배치되어 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리에서의 구부러진 상태를 평평한 상태가 되도록 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 고정하는 클램프를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 척을 지지하는 척 지지부; 및
    상기 챔버 외벽을 통해 가스 공급이 이루어지도록 배치되는 가스투입구들을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 척 및 챔버 덮개 내에는 각각 제1 히터 및 제2 히터가 내장되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 클램프는, 수직 방향으로 이동 가능하도록 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 클램프는, 수평 방향으로 이동 가능하도록 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  19. 제14항에 있어서, 상기 클램프는,
    상기 내부 공간의 바닥의 챔버 덮개로부터 상부 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프 봉; 및
    상기 클램프 봉에 결합되어 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 눌러줄 수 있도록 배치되는 클램프 바디를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 측면이 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리 측면에 접할 수 있는 돌출부를 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 클램프 바디 내에 내장되는 히터를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 클램프 바디 및 히터봉 내에 내장되어 상기 히터에 결합되도록 배치되는 히터 케이블을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 따라 일체로 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 상기 반도체 웨이퍼의 다이들이 배치되는 다이영역의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 클램프 바디는, 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리를 따라 복수개의 세그먼트들로 배치되는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 클램프 바디를 구성하는 세그먼트들 각각은, 상기 반도체 웨이퍼의 다이들이 배치되는 다이영역의 외주 형상에 대응되는 내주 형상을 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  27. 반도체 웨이퍼를 지지하는 척을 포함하되,
    상기 척은 내부에 배치되는 복수개의 진공 홀들을 포함하여, 상기 진공 홀들의 진공 상태에 의해 상기 반도체 웨이퍼가 상기 척 표면으로 흡착력을 받도록 하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 척 내에 배치되는 쿨러를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비.
  29. 척과, 상기 척의 상부면에 배치되는 챔버 덮개와, 그리고 상기 챔버 덮개로부터 아래 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비의 상기 척 위로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계; 및
    상기 클램프를 수직 방향으로 이동시켜 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되도록 하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 클램프를 수평 방향으로 미세 이동시켜 상기 반도체 웨이퍼가 정렬되도록 하는 단계를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  31. 내부 공간을 한정하는 챔버 외벽 및 챔버 덮개와, 상기 내부 공간 내에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 척과, 그리고 상기 내부 공간의 바닥의 챔버 덮개로부터 위 방향으로 돌출되도록 배치되는 클램프를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 장비의 상기 척 위로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계; 및
    상기 클램프를 수직 방향으로 이동시켜 상기 반도체 웨이퍼의 가장자리의 구부러진 상태가 평평한 상태가 되도록 하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
  32. 내부에 배치되는 복수개의 진공 홀들을 포함하는 척을 갖는 반도체 웨이퍼 처리 장비의 상기 척 위로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계; 및
    상기 진공 홀을 진공 상태로 만들어서 상기 반도체 웨이퍼의 구부러진 부분에 상기 척 표면을 향한 흡착력을 유발시켜서 상기 반도체 웨이퍼의 상태가 평평한 상태가 되도록 하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 처리 방법.
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KR20200117454A (ko) * 2019-04-04 2020-10-14 (주)에스티아이 기판처리장치
WO2021167581A1 (en) * 2020-02-17 2021-08-26 Jabil Inc. Apparatus, system and method for providing a semiconductor wafer leveling rim
KR20220126384A (ko) * 2021-03-09 2022-09-16 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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