TW201740498A - 基板支撐裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種基板支撐裝置，其目的在於，在執行用於利用環氧樹脂模塑膠（EMC）材質的基板而製作單晶片系統（SoC）的回流焊製程時，最小化基板和支撐基板的支撐板之間的熱傳遞引起的熱損失，從而防止由基板的翹曲現象引起的製程不良。為了實現上述目的，本發明的基板支撐裝置在進行用於製造單晶片系統（SoC）的回流焊製程時固定支撐環氧樹脂模塑膠材質的基板，其中包括：支撐板，可升降地配備於對基板進行熱處理的腔室的內部，並用於支撐基板；複數個基板支撐部件，在支撐板上相隔預定間距而配備，並由隔熱材料形成，以用於使基板被放置而得到支撐的同時阻斷被熱處理的基板和支撐板之間的熱傳遞。

Description

基板支撐裝置
本發明提供一種基板支撐裝置，尤其提供一種在進行用於利用環氧樹脂模塑膠（EMC）材質的基板而製造單晶片系統（SoC）的回流焊製程時，防止隨著基板的熱損失而引起的翹曲現象的基板支撐裝置。
半導體封裝技術作為用於半導體產品的大容量化和高性能化的手段而得到應用，在這種半導體封裝製程中，將形成用於電連接貼裝半導體的基板或者彼此不同的半導體之間的凸塊球（bumping ball）的製程稱為回流焊（Reflow）製程。
習知回流焊製程中使用的基板由矽（Si）材質構成，因此可以用普通的真空吸盤也可以充分地固定基板而進行製程。
但是，在製造高度集成化到一個積體電路的單晶片系統（SoC；System On Chip）的情況下，利用環氧樹脂模塑膠（EMC；Epoxy Molding Compound）材質的基板而進行回流焊製程，而不是利用習知的矽基板進行回流焊製程，且上述回流焊製程大約在250℃的高溫狀態下進行，由於環氧樹脂模塑膠材質的基板具有熱膨脹率大的特性，因此在進行回流焊製程時，在基板產生翹曲（Warpage）現象，在此情況下，如果無法穩定地固定支撐基板，則會導致嚴重的製程不良。
並且，在進行回流焊製程時，如果被加熱的基板和基板被放置而得到支撐的構造物之間因熱傳遞而產生基板的熱損失，則在基板的上表面和底面之間產生溫度差，從而會導致基板的翹曲現象。
習知的基板處理製程中，與用於固定支撐基板的裝置相關的習知技術有韓國授權專利第10-1501171號（回流焊處理單元），其中公開了可以使用借助於真空壓而吸附基板的真空吸盤，或者機械夾持部或靜電吸盤的通常的技術內容。
作為另一習知技術，韓國授權專利第10-0645647號（柔性基板用夾具）中公開了在搬運夾具的上表面利用被鉸鏈驅動的按壓板以不下垂的狀態固定柔性基板的結構。
在習知技術中記載了利用機械夾持或真空吸附力而固定支撐基板的內容，但是沒有提出如下的構成：該構成在如利用環氧樹脂模塑膠材質的基板的回流焊製程等容易因熱膨脹而產生嚴重的基板翹曲的情況下，能夠藉由防止基板的熱損失並牢固地固定支撐基板而防止隨著基板的翹曲現象引起的製程不良。
本發明為了解決上述問題而提出，其目的在於提供如下的基板支撐裝置：在執行用於利用環氧樹脂模塑膠（EMC）材質的基板而製作單晶片系統（SoC）的回流焊製程時，最小化基板和支撐基板的支撐板之間的熱傳遞引起的熱損失，從而防止由基板的翹曲現象引起的製程不良。
本發明的基板支撐裝置100用於實現上述目的，其在進行用於製造單晶片系統SoC的回流焊製程時固定支撐環氧樹脂模塑膠EMC材質的基板，其中包括：支撐板110，可升降地配備於對基板進行熱處理的腔室的內部，並用於支撐基板；複數個基板支撐部件120，在支撐板110上相隔預定間距而配備，並由隔熱材料形成，以用於使基板被放置而得到支撐的同時阻斷被熱處理的基板和支撐板110之間的熱傳遞。
較佳地，在支撐板110上可以以預定的間距相隔地配備有複數個真空杯130，複數個真空杯130由隔熱材料形成，以用於藉由施加真空而吸附基板。
較佳地，在支撐板110的邊緣位置部，可以以預定的間距相隔地配備有複數個夾持單元150，夾持單元150用於向支撐板110側加壓被放置於支撐板110上的基板的邊緣部而固定支撐基板。
較佳地，夾持單元150可以包括：按壓板151，鉸鏈結合於支撐板110而可旋轉地配備於支撐板110，從而支撐板110側加壓被放置於支撐板110上的基板的邊緣部；彈性部件154，向朝支撐板110的方向彈性支撐按壓板151，其中，按壓板151可以與以能夠貫通支撐板110而進行升降的方式配備的升降銷63連動，從而以鉸鏈軸152為中心進行上下旋轉。
較佳地，支撐板110可以包括：中央部111；複數個圓形部112，在中央部111的周圍以同心的結構配備；複數個連接部113，連接中央部111和複數個圓形部112、112a、112b並配備成輻射狀，基板支撐部件120可以配備於圓形部112和連接部113上。
較佳地，在中央部111可以以輻射狀延伸形成有延伸部114，該延伸部114位於連接部113之間，在延伸部114上還可以配備有基板支撐部件120。
較佳地，支撐板110可以包括：中央部111；複數個圓形部112，在中央部111的周圍以同心的結構配備；複數個連接部113，連接中央部111和複數個圓形部112、112a、112b並配備成輻射狀，真空杯130可以配備於中央部111、圓形部112和連接部113上。
較佳地，在中央部111、圓形部112和連接部113的內部可以連接有用於給複數個真空杯130施加真空的真空線。
較佳地，在支撐板110的邊緣部可以沿著圓周方向相隔預定間距而形成有複數個突出部115，在複數個突出部115上結合有環板140，在環板140上配備有複數個夾持單元150。
較佳地，在環板（140）上可以配備有複數個基板引導部160，複數個基板引導部160配備於相鄰地配置的夾持單元150之間，用於支撐基板的外側端而防止基板的側向遊動。
較佳地，基板引導部160可以包括：主體161，結合於環板140上；引導突起162，從主體161的一側面向朝支撐板110中央的方向突出預定長度而支撐基板的外側端。
較佳地，在支撐板110的邊緣部可以沿著圓周方向相隔預定間距而形成有複數個突出部115，在複數個突出部115上可以配備有複數個夾持單元150。
較佳地，在突出部115上可以配備有墊片156，墊片156具有彼此不同的厚度且能夠被交替設置以調節夾持單元150的高低。
較佳地，隔熱材料可以是聚醚醚酮、高強度塑膠、聚醯亞胺、聚四氟乙烯中的其中一種。
根據本發明的基板支撐裝置具有以下效果：藉由在支撐基板的支撐板上配備由隔熱材料形成的基板支撐部件和真空杯，從而有效地防止基板和支撐板之間的熱傳遞引起的基板的熱損失，據此防止由環氧樹脂模塑膠形成的基板的翹曲現象，並使基板的溫度維持為恒定，從而可以增大基板的加熱速度，並縮短基板的加熱時間，據此可以減少用於製造單晶片系統（SoC）的回流焊製程的不良率。
並且，藉由在支撐板的邊緣位置部配備用於向支撐板側加壓被放置於支撐板上的基板的邊緣部而固定支撐基板，並防止被放置的基板的位置脫離的夾持單元，從而可以有效地防止基板的翹曲現象。
以下，參照圖式而對本發明的較佳實施例的構成和作用進行詳細說明。
參照第1圖，應用本發明的基板處理裝置1是為了製造單晶片系統（SoC）而執行對環氧樹脂模塑膠（EMC；Epoxy Molding Compound）材質的基板W進行熱處理的回流焊（Reflow）製程的裝置，其中，包括：腔室10，在內部配備有對基板W進行熱處理的熱處理空間S，在一側配備有為了搬入/搬出基板W而開閉的門11；加熱部20，配備於腔室10的上部而對基板W進行加熱；噴頭30，配備於加熱部20的下側，並形成有複數個噴射孔31，從而使藉由氣體供應部40供應的製程氣體被均勻地噴射到熱處理空間S；冷卻部50，配備於腔室10的下部而冷卻被加熱部20熱處理的基板W；升降驅動部60，在靠近加熱部20的加熱位置與接觸於冷卻部50的冷卻位置之間，使基板W和放置固定基板W的支撐板110升降；排氣部70，配備於腔室10的下部而排出被噴射到熱處理空間S的製程氣體。並且，在腔室10的內部配備有用於固定支撐基板W的基板支撐裝置100。
加熱部20是配備在向基板W的上側相隔的位置而給基板W的上表面供應熱的構成，其可以形成為照射加熱光的燈形態，或者形成為內置有加熱器而輻射熱的板形態等。加熱部20被配備成靠近氣體供應部40的周圍以及噴頭30的上側，從而使從氣體供應部40供應至噴頭30的製程氣體被加熱部20加熱到適於製程溫度的溫度後，藉由噴射孔31而被噴射到熱處理空間S。
冷卻部50是用於將被加熱部20加熱處理的基板W以及支撐板110冷卻至能夠搬出的溫度的構成，在冷卻部50的內部可以配備有使冷卻水流動的冷卻水路（未示出）等去熱單元。
升降驅動部60包括借助於伺服電動機或者氣缸等驅動源的驅動而升降的提升銷61、升降支撐部62和升降銷63。在升降驅動部60可以配備有用於分別驅動提升銷61、升降支撐部62和升降銷63的專門的驅動器。
提升銷61以貫通冷卻部50和支撐板110而進行升降的方式配備，其功能為，使從移送機械手等基板移送裝置（未示出）接手的基板W被置於支撐板110上，或者使基板W從支撐板110分離。
升降支撐部62以沿上下方向貫通冷卻部50而支撐支撐板110並進行升降的方式配備，其功能為，使支撐板110和固定於此的基板W在靠近加熱部20的加熱位置與接觸於冷卻部50的冷卻位置之間升降。
升降銷63以貫通支撐板110而進行升降的方式配備，其功能為，使後述的夾持單元150在開放狀態和關閉狀態之間轉換，在下文中對其構成和作用進行說明。
以下，對根據本發明的第一實施例的基板支撐裝置100的構成及作用進行說明。
參照第1至4圖，本發明的基板支撐裝置100是在進行用於製造單晶片系統（SoC）的回流焊製程時用於固定支撐環氧樹脂模塑膠（EMC）材質的基板的基板支撐裝置，其包括：支撐板110，可升降地配備於對基板進行熱處理的腔室的內部，並用於支撐基板；複數個基板支撐部件120，在支撐板110上相隔預定間距而配備，用於放置並支撐基板，並由隔熱材料形成以阻斷被熱處理的基板和支撐板110之間的熱傳遞。並且，在支撐板110上，由隔熱材料形成的複數個真空杯130以預定的間距相隔而配備，複數個真空杯130用於藉由施加真空而吸附基板。
因此，基板W的底面接觸到基板支撐部件120和真空杯130的上端，且基板支撐部件120和真空杯130由隔熱材料形成，據此基板W和支撐板110之間的熱傳遞被阻斷，從而可以防止被加熱處理的基板W的熱損失。因此，能夠均勻地維持被加熱處理的基板W的上表面和底面之間的溫度，從而可以防止在產生溫度差的情況下有可能發生的基板的翹曲現象。
一實施例中，構成基板支撐部件120和真空杯130的隔熱材料可以由聚醚醚酮（PEEK；Polyether ether ether ketone）、高強度塑膠、聚醯亞胺（PLAVIS）、聚四氟乙烯（Teflon）中的其中一種形成。但是，隔熱材料不限於這種實施例，可以用公知的多種隔熱材料代替。
支撐板110包括：中央部111；複數個圓形部112、112a、112b，在中央部111的周圍以同心結構得到配備；複數個連接部113、113a、113b，連接中央部111和複數個圓形部112、112a、112b並配備成輻射狀；複數個延伸部114，位於連接部113、113a之間，從中央部111以輻射狀延伸；以及複數個突出部115，在支撐板110的周圍部沿著圓周方向相隔預定間距而形成。
一實施例中，基板支撐部件120可以配置在圓形部112、112b和連接部113、113b以及延伸部114上。真空杯130可以配置在中央部111和圓形部112、112a以及連接部113、113a上。
在中央部111和圓形部112、112a以及連接部113、113a的內部連接有用於給複數個真空杯130施加真空的真空線（未示出）。
另外，在支撐板110的突出部115上結合有圓形的環板140，在環板140上配備有複數個夾持單元150、150-1和基板引導部160。
夾持單元150、150-1和基板引導部160可以在環板140上沿著圓周方向以相隔預定角度的方式配置，作為一示例，在兩個夾持單元150、150-1之間配置有一個基板引導部160，這種兩個夾持單元150、150-1和一個基板引導部160的組合可以在圓周方向相隔地配置複數個。
夾持單元150向支撐板110側加壓被放置於支撐板110上的基板的邊緣部從而起到固定基板的功能；基板引導部160支撐被放置於支撐板110上的基板的外側端，從而起到防止基板的側向遊動。
夾持單元150、150-1包括：按壓板151，鉸鏈結合於支撐板110而可旋轉地配備於支撐板110，並向支撐板110側加壓被放置於支撐板110上的基板W的邊緣部；彈性部件154，向朝支撐板110的方向彈性支撐按壓板151，按壓板151被配備成與以能夠貫通支撐板110而進行升降的方式配備的升降銷63連動，從而能夠以鉸鏈軸152為中心進行上下旋轉。
按壓板151的下端部結合於鉸鏈軸152，鉸鏈軸152的兩端結合於被安裝於支撐板110的邊緣部的固定塊153。
彈性部件154可以由扭矩彈簧構成，該扭矩彈簧結合於鉸鏈軸152的周圍，且兩端支撐於支撐板110的上表面以及按壓板151的一側面。
如第2和3圖所示，在基板W被放置於支撐板110上之前的狀態下，隨著升降銷63上升，按壓板151被向上側抬起而成為開放狀態，如第4圖所示，基板W被放置於支撐板110上之後，隨著升降銷63下降，按壓板151借助於彈性部件154的彈性力而向下側旋轉，從而將放置於支撐板110上的基板W的邊緣部向支撐板110側進行加壓而進行固定。
基板引導部160包括：主體161，結合於環板140上；以及引導突起162，從主體161的一側面向朝支撐板110的中央的方向突出預定長度而支撐基板W的外側端。
在熱處理製程後，具有上述構成的基板支撐裝置100在支撐基板W的狀態下下降而被放置於冷卻部50上，然後進行冷卻製程。
參照第5和6圖，冷卻部50是使基板W和基板支撐裝置100能夠被放置而進行冷卻處理的構成，其包括：使支撐板110的中央部111、圓形部112、連接部113和延伸部114分別插入而被放置於殼體56的內側的中央槽51、圓形槽52、52a、52b、連接槽53、53a、53b以及延伸槽54；形成有使上述提升銷61貫通的貫通孔55a的冷卻板55。
中央槽51、圓形槽52、52a、52b、連接槽53、53a、53b以及延伸槽54的深度分別與支撐板110和基板支撐部件120所結合的高度、以及支撐板110與真空杯130所結合的高度相同。
因此，在基板支撐裝置100被放置於冷卻部50上的情況下，被放置於基板支撐裝置100的基板支撐部件120和真空杯130上的基板W的底面接觸到冷卻板55的上表面，且支撐板110接觸到形成於冷卻板55的中央槽51、圓形槽52、52a、52b、連接槽53、53a、53b以及延伸槽54的底面，因此能夠有效地進行基板W和支撐板110的冷卻處理。
以下，參照第7至11圖對根據本發明的第二實施例的基板支撐裝置100的構成及作用進行說明，在與第一實施例相同的部件賦予相同的圖式符號，並省略對其的重複說明。
相比第一實施例，根據本發明的第二實施例的基板支撐裝置100省略了環板140的構成，並在支撐板110的突出部115上以支撐塊155為媒介與夾持單元150、150-2結合，並在突出部115形成有使升降銷63可以沿上下方向貫通而移動的貫通孔115a，除了這些區別點之外，其他構成可以與第一實施例相同。
突出部115上結合有支撐塊155，且在支撐塊155上結合有夾持單元150、150-2的固定塊153。
並且，如第11圖所示，在突出部115上可以配備有可以被交替設置的墊片156、156-1、156-2，墊片156、156-1、156-2具有彼此不同的厚度以調節夾持單元150、150-2的高低。
並且，如第11圖的（a）和（b）所示，可以藉由對應於處理物件基板W、W’的厚度而交替設置墊片156、156-1、156-2，據此可以調節夾持單元150、150-2的高低。
如上所述，根據本發明的基板支撐裝置100的構成，在支撐基板的支撐板110上配備由隔熱材料形成的基板支撐部件120和真空杯130，並在支撐板110的邊緣位置部配備夾持單元150而固定支撐基板的週邊，從而可以有效地防止由環氧樹脂模塑膠材質形成的基板的翹曲現象，且可以使基板的溫度維持為恒定而增加基板的加熱速度（Ramp up speed），並縮短基板的加熱時間，因此可以減少用於製造單晶片系統（SoC）的回流焊製程的不良率。
如上所述，本發明不限於上述實施例，在不脫離權利要求書中請求的本發明的技術思想的情況下，在本發明的所屬技術領域中具有基本知識的人員可以進行明顯的變形實施，這種變形實施應屬於本發明的範圍內。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧腔室
11‧‧‧門
100‧‧‧基板支撐裝置
110‧‧‧支撐板
111‧‧‧中央部
112‧‧‧圓形部
112a‧‧‧圓形部
112b‧‧‧圓形部
113‧‧‧連接部
113a‧‧‧連接部
113b‧‧‧連接部
114‧‧‧延伸部
115‧‧‧突出部
115a‧‧‧升降銷貫通孔
120‧‧‧基板支撐部件
130‧‧‧真空杯
140‧‧‧環板
150‧‧‧夾持單元
150-1‧‧‧夾持單元
150-2‧‧‧夾持單元
151‧‧‧按壓板
152‧‧‧鉸鏈軸
153‧‧‧固定塊
154‧‧‧彈性部件
155‧‧‧支撐塊
156‧‧‧墊片
156-1‧‧‧墊片
156-2‧‧‧墊片
160‧‧‧基板引導部
161‧‧‧主體
162‧‧‧引導突起
20‧‧‧加熱部
30‧‧‧噴頭
31‧‧‧噴射孔
40‧‧‧氣體供應部
50‧‧‧冷卻部
51‧‧‧中央槽
52‧‧‧圓形槽
52a‧‧‧圓形槽
52b‧‧‧圓形槽
53‧‧‧連接槽
53a‧‧‧連接槽
53b‧‧‧連接槽
54‧‧‧延伸槽
55‧‧‧冷卻板
55a‧‧‧貫通孔
56‧‧‧殼體
60‧‧‧升降驅動部
61‧‧‧提升銷
62‧‧‧升降支撐部
63‧‧‧升降銷
70‧‧‧排氣部
W‧‧‧基板
W’‧‧‧基板
S‧‧‧熱處理空間
第1圖是概略地示出根據本發明的一實施例的包括基板支撐裝置的基板處理裝置的剖視圖。
第2圖是示出根據本發明的第一實施例的基板處理裝置的開放狀態的立體圖。
第3圖是示出根據本發明的第一實施例的基板處理裝置的開放狀態的平面圖。
第4圖是示出根據本發明的第一實施例的基板支撐裝置的關閉狀態的立體圖。
第5圖是示出根據本發明的第一實施例的基板處理裝置中配備的冷卻部的立體圖。
第6圖是示出根據本發明的第一實施例的基板支撐裝置被置於冷卻部上的狀態的立體圖。
第7圖是示出根據本發明的第二實施例的基板支撐裝置的開放狀態的立體圖。
第8圖是示出根據本發明的第二實施例的基板處理裝置的開放狀態的平面圖。
第9圖是示出根據本發明的第二實施例的基板支撐裝置的關閉狀態的立體圖。
第10圖是示出根據本發明的第二實施例的基板支撐裝置被置於冷卻部上的狀態的立體圖。
第11圖是用於說明夾持單元的高度調節作用的剖視圖。
110‧‧‧支撐板
111‧‧‧中央部
112‧‧‧圓形部
112a‧‧‧圓形部
112b‧‧‧圓形部
113‧‧‧連接部
113a‧‧‧連接部
113b‧‧‧連接部
114‧‧‧延伸部
115‧‧‧突出部
120‧‧‧基板支撐部件
130‧‧‧真空杯
140‧‧‧環板
150‧‧‧夾持單元
151‧‧‧按壓板
152‧‧‧鉸鏈軸
153‧‧‧固定塊
154‧‧‧彈性部件
160‧‧‧基板引導部
161‧‧‧主體
162‧‧‧引導突起
63‧‧‧升降銷

Claims (14)

  1. 一種基板支撐裝置，其在進行用於製造單晶片系統的回流焊製程時固定支撐環氧樹脂模塑膠材質的一基板，該基板支撐裝置包括： 一支撐板（110），可升降地配備於對該基板進行熱處理的一腔室的內部，並用於支撐該基板； 複數個基板支撐部件（120），在該支撐板（110）上相隔預定間距而配備，並由隔熱材料形成，以用於使該基板被放置而得到支撐的同時阻斷被熱處理的該基板和該支撐板（110）之間的熱傳遞。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐裝置，其中 在該支撐板（110）上以預定的間距相隔地配備有複數個真空杯（130），該複數個真空杯（130）由隔熱材料形成，以用於藉由施加真空而吸附該基板。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板支撐裝置，其中 在該支撐板（110）的邊緣位置部以預定的間距相隔地配備有複數個夾持單元（150），該夾持單元（150）用於向該支撐板（110）側加壓被放置於該支撐板（110）上的該基板的邊緣部而固定支撐該基板。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板支撐裝置，其中 該夾持單元（150）包括： 一按壓板（151），鉸鏈結合於該支撐板（110）而可旋轉地配備於該支撐板（110），從而向該支撐板（110）側加壓被放置於該支撐板（110）上的該基板的邊緣部； 一彈性部件（154），向朝該支撐板（110）的方向彈性支撐該按壓板（151）， 其中，該按壓板（151）與以能夠貫通該支撐板（110）而進行升降的方式配備的一升降銷（63）連動，從而以一鉸鏈軸（152）為中心進行上下旋轉。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐裝置，其中 該支撐板（110）包括：一中央部（111）；複數個圓形部（112），在該中央部（111）的周圍以同心的結構配備；該複數個連接部（113），連接該中央部（111）和複數個圓形部（112、112a、112b）並配備成輻射狀， 該基板支撐部件（120）配備於該圓形部（112）和一連接部（113）上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板支撐裝置，其中 在該中央部（111）以輻射狀延伸形成有一延伸部（114），該延伸部（114）位於該連接部（113）之間， 在該延伸部（114）上還配備有該基板支撐部件（120）。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之基板支撐裝置，其中 該支撐板（110）包括：一中央部（111）；複數個圓形部（112），在該中央部（111）的周圍以同心的結構配備；複數個連接部（113），連接該中央部（111）和該複數個圓形部（112、112a、112b）並配備成輻射狀， 該真空杯（130）配備於該中央部（111）、該圓形部（112）和該連接部（113）上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之基板支撐裝置，其中 在該中央部（111）、該圓形部（112）和該連接部（113）的內部連接有用於給該複數個真空杯（130）施加真空的真空線。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之基板支撐裝置，其中 在該支撐板（110）的邊緣部沿著圓周方向相隔預定間距而形成有複數個突出部（115）， 在該複數個突出部（115）上結合有一環板（140）， 在該環板（140）上配備有該複數個夾持單元（150）。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板支撐裝置，其中 在該環板（140）上配備有複數個基板引導部（160），該複數個基板引導部（160）配備於相鄰地配置的該夾持單元（150）之間，用於支撐該基板的外側端而防止該基板的側向遊動。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之基板支撐裝置，其中 該基板引導部（160）包括： 一主體（161），結合於該環板（140）上； 一引導突起（162），從該主體（161）的一側面向朝該支撐板（110）中央的方向突出預定長度而支撐該基板的外側端。
  12. 如申請專利範圍第3項所述之基板支撐裝置，其中 在該支撐板（110）的邊緣部沿著圓周方向相隔預定間距而形成有複數個突出部（115）， 在該複數個突出部（115）上配備有該複數個夾持單元（150）。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板支撐裝置，其中 在該突出部（115）上配備有一墊片（156），該墊片（156）具有彼此不同的厚度且能夠被交替設置以調節該夾持單元（150）的高低。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之基板支撐裝置，其中 隔熱材料是聚醚醚酮、高強度塑膠、聚醯亞胺、聚四氟乙烯中的其中一種。
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