TWI786302B - 加熱裝置及加熱方法 - Google Patents

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Abstract

為了在潔淨之加熱環境氣體下加熱基板，本發明具備有：熱平板，其自下方對被定位於加熱位置的矩形狀之基板進行加熱；升降機構，其使基板相對於熱平板而在鉛直方向上較加熱位置為高的待機位置與加熱位置之間升降；及矯正機構，其具有可抵接於基板之上表面之周緣部的矯正構件；矯正機構係在被定位於加熱位置的基板之四邊附近使矯正構件位於加熱位置，藉此在藉由熱平板對基板加熱前，將基板中朝上方翹曲的周緣部矯正至加熱位置，並於基板之加熱中限制基板之周緣部較加熱位置更向上方翹曲的情形，而藉由熱平板控制被加熱之基板之姿勢。

Description

加熱裝置及加熱方法
本發明係關於自下方加熱矩形狀之基板的加熱裝置及加熱方法。
半導體元件之製造製程之一，存在有一面將具有矩形狀之基板以大致水平姿勢加以支撐，一面自下方加熱基板的製程，即所謂之加熱處理。在該加熱處理中，近年來，隨著基板之大型化，基板之翹曲變得更大，而難以進行均勻之加熱處理。於是，提出有例如使用於日本專利特開2006-339485號公報所記載的矯正技術。在該矯正技術中，於腔室罩之下表面周緣部設置有傾斜面，於使該傾斜面抵接至基板之周緣端後，進而使腔室罩朝烘烤平板(相當於本發明之「熱平板」)側下降，而對基板之翹曲進行矯正。藉由該矯正可適當地維持基板與烘烤平板的距離，以謀求均勻之加熱處理。
在上述加熱處理中，由於在基板之翹曲矯正時，被設置於腔室罩之傾斜面與基板之周緣端相互摩擦，而有可能產生微粒。因此，難以藉由潔淨之加熱環境氣體下加熱基板。
此外，在上述加熱處理中，腔室罩之傾斜面將基板之 周緣端部壓抵至烘烤平板側，因而腔室罩之下降量較應矯正的翹曲量更大。因此，當基板之翹曲量變多時，需要據此而使下降量增大。然而，使腔室罩超過容許範圍而移動並不妥當，其存在有難以對應翹曲量增大的情況。於此情況下，無法矯正基板之翹曲。尤其是，近年來，以稱為晶圓級封裝(WLP：Wafer Level Packaging)、面板級封裝(PLP：Panel Level Packaging)的製造形態所被製造的半導體封裝中，於矩形狀之玻璃基板上多層地組合有複數個半導體晶片、晶片間之配線等，該等之熱收縮率、熱膨脹率之相異量變得比單純地層積有抗蝕劑層等的半導體基板更大。因此，期望提供有一種技術，其可提高所能矯正的基板之翹曲之最大量(以下稱為「最大矯正量」)。
本發明係鑑於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可一面提高最大矯正量，一面在潔淨之加熱環境氣體下對基板加熱的加熱裝置及加熱方法。
本發明之一態樣為一種加熱裝置，其特徵在於，其具備有：熱平板，其自下方對被定位於加熱位置的矩形狀之基板進行加熱；升降機構，其使基板相對於熱平板而在鉛直方向上較加熱位置為高的待機位置與加熱位置之間升降；及矯正機構，其具有可抵接於基板之上表面之周緣部的矯正構件；矯正機構係在被定位於加熱位置的基板之四邊附近使矯正構件位於加熱位置，藉此在藉由熱平板進行基板加熱前，將基板中朝上方翹曲的周緣部進行矯正至加熱位置，並限制於基板之加熱中基板之周緣部較加熱位置更向上方翹曲的情形，而藉由熱平板控制所被加熱之基板之姿勢。
本發明之其他態樣為一種加熱方法，其特徵在於，其 具備有如下步驟：相對於熱平板而將矩形狀之基板定位於既定之加熱位置的步驟；使可抵接於基板之上表面之周緣部的矯正構件自較加熱位置為高的位置朝向被定位於加熱位置的基板下降，在基板之四邊附近將矯正構件定位於加熱位置，於矯正構件之下降中將基板中朝上方翹曲的周緣部矯正至加熱位置的步驟；及保持將矯正構件定位於加熱位置的狀態而藉由熱平板對基板進行加熱，並且於基板之加熱中限制基板之周緣部較加熱位置更向上方翹曲的步驟。
在如此所構成之發明中，矯正構件可抵接於基板之上表面的周緣部。又，矯正構件係在被定位於加熱位置的基板之四邊附近而位於加熱位置。因此，在藉由熱平板進行基板加熱前，基板中朝上方翹曲的周緣部可抵接於矯正構件而被矯正至加熱位置。又，即便於基板之加熱中，基板之周緣部較加熱位置更向上方翹曲，其仍會抵接於矯正構件而使該翹曲被限制。藉由此一矯正構件朝鉛直下方抵接至基板之上表面，可一面控制基板之姿勢，一面藉由熱平板加熱該基板。
如上所述，矯正構件朝鉛直下方抵接於基板之上表面而矯正翹曲。因此，其可抑制微粒之產生而在潔淨之環境氣體下加熱基板，且可較習知技術提高最大矯正量。
1‧‧‧加熱裝置
10‧‧‧腔室
11‧‧‧頂板
12‧‧‧側板
13‧‧‧底板
14‧‧‧擋門
15‧‧‧開口
20‧‧‧熱平板
21‧‧‧球體
22‧‧‧加熱器
30‧‧‧升降機構
31‧‧‧貫通孔
32‧‧‧升降銷
33、46‧‧‧升降構件
34‧‧‧升降銷驅動部
40‧‧‧矯正機構
41、42‧‧‧貫通孔
43‧‧‧升降柱
44‧‧‧連結金屬件
45‧‧‧支撐部
45A~45D‧‧‧支撐構件
47‧‧‧升降柱驅動部
48、48a‧‧‧矯正銷(矯正構件)
49‧‧‧矯正塊(矯正構件)
90‧‧‧控制部
451‧‧‧下表面
452‧‧‧貫通孔
481‧‧‧(矯正銷之)下端部
482‧‧‧(矯正銷之)上端部
483‧‧‧下側螺帽(螺帽)
484‧‧‧上側螺帽(螺帽)
491‧‧‧軸部
492‧‧‧抵接面
Da‧‧‧(基板與矯正銷之)距離
DR‧‧‧下垂量
P1‧‧‧本加熱位置(加熱位置)
P2‧‧‧預備加熱位置(加熱位置)
P3‧‧‧(支撐部與矯正銷48之移動後之)位置
P4‧‧‧(支撐部與矯正銷48之移動前之)位置
S‧‧‧基板
Sa‧‧‧(基板之)周緣部
W‧‧‧寬度
Z‧‧‧鉛直方向
圖1係顯示本發明之加熱裝置之第1實施形態之圖。
圖2係圖1之A-A線剖視圖。
圖3係用以說明矯正銷對於支撐部之安裝之圖。
圖4係顯示藉由圖1所示之加熱裝置進行加熱動作之流程圖。
圖5係示意性地顯示加熱動作之主要步驟之圖。
圖6係顯示利用不具有矯正機構的加熱裝置進行加熱處理之情況下之溫度特性的曲線圖。
圖7係顯示利用本實施形態之加熱裝置進行加熱處理之情況下之溫度特性的曲線圖。
圖8係顯示本發明之加熱裝置之第2實施形態之圖。
圖9係顯示本發明之加熱裝置之第3實施形態之圖。
圖10係顯示本發明之加熱裝置之第4實施形態之圖。
圖11係顯示本發明之加熱裝置之第5實施形態之圖。
圖1係顯示本發明之加熱裝置的第1實施形態之圖。此外，圖2係圖1之A-A線剖視圖。該加熱裝置1係於俯視下具有矩形狀，且為接取於表面上層積有半導體晶片、配線等的半導體封裝用玻璃基板(以下簡稱為「基板」)S而進行加熱者。再者，關於基板之材質、層積物之種類，並不限定於此，此外，亦可為對例如半導體封裝以外之半導體元件之製造中所被使用的基板進行加熱者。
如圖1所示，加熱裝置1具備有接取基板S的腔室10。藉由在腔室10內進行處理，可防止藉由加熱處理而所揮發的氣體成分朝周圍飛散的情形，且可藉由對被加熱之基板S周圍進行覆蓋而抑制熱之發散，以提高能量效率。為了該等目的，腔室10為將頂板11、側板12、底板13及擋門14組合為箱型的構造。
擋門14可開閉自如地被安裝於設在腔室10之一側面的開口15，在閉狀態下經由襯墊(省略圖示)而被壓抵至腔室10之 側面，藉此封閉開口15。另一方面，於圖1中以虛線顯示之擋門14之開狀態下，可經由被開放的開口15而與外部之間進行基板S之交換。即，被未圖示之外部之搬送機器人等所保持的未處理之基板S係經由開口15而被搬入至腔室10內。此外，腔室10內之已處理完畢之基板S係藉由搬送機器人等而朝外部被搬出。
於腔室10之底部設置有熱平板20。於熱平板20之上表面，設置有複數個凹部(省略圖示)，且於各凹部嵌入有直徑較凹部之深度稍大的球體21。可在該等球體21之頂部自下方支撐基板S，自外部被搬入的基板S係將層積有半導體晶片等的面朝上而被載置於球體21上。如此，在自熱平板20之上表面形成有被稱為接近間隙(proximity gap)的微小空間之狀態下，定位基板S。在本說明書中，將如此被定位而進行加熱處理的基板S之位置(在本說明書中為鉛直方向Z上之基板S之上表面的高度位置)稱為「本加熱位置」。此外，如後所詳述般，在本說明書中，將在鉛直方向Z上用於進行基板S之交接而使其暫時地待機的待機位置與本加熱位置之間所進行預備加熱的位置稱為「預備加熱位置」。
如圖1所示，為了對被定位於本加熱位置(圖5中之符號P1)、預備加熱位置(圖5中之符號P2)的基板S施以加熱處理，於熱平板20之內部內置有加熱器22。藉由自控制全部裝置的控制部90對該加熱器22供給電力，加熱器22則運作。藉此，來自熱平板20之上表面的輻射熱均勻地加熱基板S。再者，球體21之個數、位置可配合基板S之平面尺寸等而適當地設定。
於加熱裝置1，為了在熱平板20與搬送機器人之間平順地進行基板S之交接而設置有升降機構30。具體而言，於腔室 10之底板13及熱平板20設置有複數個於鉛直方向Z所延伸的貫通孔31，於該等貫通孔31之各者插通有升降銷32。各升降銷32之下端被固定於升降構件33。升降構件33係藉由升降銷驅動部34而於上下方向上升降自如地被加以支撐。升降銷驅動部34係配合來自控制部90之升降指令而進行運作，並使升降構件33升降。藉此，各升降銷32一體地升降，升降銷32係在上部位置與下部位置之間移動，該上部位置為其上端較熱平板20之球體21更朝上方突出的位置，該下部位置為上端較球體21更朝下方退避的位置。此外，如於後所說明般，升降銷32可移動至上部位置及下部位置之中間位置而將基板S定位於預備加熱位置P2。
圖1顯示升降銷位於下部位置的狀態，在該狀態下，升降銷32之上端自基板S離開。因此，基板S係藉由球體21而自下方被支撐，而形成有接近間隙。如此，基板S被定位於本加熱位置P1。另一方面，當升降銷32上升時，升降銷32之上端抵接於基板S之下表面而推起基板S。藉此，基板S位於本加熱位置P1上方遠離的預備加熱位置P2。此外，藉由使其位於自預備加熱位置P2進而上方遠離的待機位置，而成為可藉由搬送機器人交接基板S。另一方面，當未支撐基板S的升降銷32上升至上部位置時，可藉由搬送機器人而將未處理之基板S搬入至待機位置。如此，可成為在搬送機器人與加熱裝置1之間交接基板S。
在本實施形態中，為了矯正基板S之翹曲以均勻地進行對基板S的加熱處理，而設置有矯正機構40。具體而言，於熱平板20之四角部分在鉛直方向Z上設置有貫通孔41。此外，與該等4個貫通孔41對應而於腔室10之底板13亦在鉛直方向Z上設置 有貫通孔42。在熱平板20之各角落上，貫穿貫通孔41、42而插通有升降柱43。於各升降柱43之上端安裝有連結金屬件44。接著，經由該等4個連結金屬件44將畫框狀(或是框狀)之支撐部45支撐在熱平板20之上方。另一方面，各升降柱43之下端被固定於升降構件46。該升降構件46係藉由升降柱驅動部47於上下方向升降自如地被加以支撐。升降柱驅動部47係因應來自控制部90之升降指令而運作，以使升降構件46升降。藉此，各升降柱43一體地升降，而使支撐部45於鉛直方向Z上移動。
支撐部45係配置為自藉由熱平板20而進行加熱處理的基板S之上方面對該基板S之上表面的周緣部Sa整體。亦即，支撐部45之下表面451(圖3)對向於周緣部Sa之全周。而且，複數個矯正銷48係自支撐部45之下表面451朝鉛直下方垂吊設置。
圖3係用以說明矯正銷對於支撐部之安裝的圖。於支撐部45穿設有複數個(在本實施形態中為如圖2所示之16個)貫通孔452，矯正銷48係相對於各貫通孔452而裝卸自如。更具體而言，如圖3所示般，矯正銷48之下端部481係朝鉛直下方而以前端尖細之形狀進行延伸設置。另一方面，矯正銷48之上端部482被修整為對貫通孔452插拔自如的粗細，於其外周面螺旋刻劃有公螺紋。接著，藉由使用2個螺帽483、484，而在使下端部481自支撐部45朝向鉛直下方進行突出設置的狀態下將矯正銷48固定於支撐部45。亦即，在使下側螺帽483螺旋安裝於矯正銷48之上端部482的狀態下，將矯正銷48之上端部482插入至貫通孔452而使其自支撐部45之上表面突出，接著於突出之部分安裝上側螺帽484，藉由下側螺帽483及上側螺帽484而夾入支撐部45，藉此使矯正銷 48被支撐於支撐部45。在本實施形態中，由於矯正銷48係以上述之方式所構成，因此可藉由調整下側螺帽483及上側螺帽484對於矯正銷48之上端部482的螺旋安裝位置，而高精度地調整支撐部45之下端部481對於支撐部45的下垂量DR。例如於基板S之翹曲量較大的情況下，較佳為亦將下垂量調整為較大。
再者，在圖1及圖2中，於16個貫通孔452全部安裝有矯正銷48而作為本發明之「矯正構件」，該等16根矯正銷48中被安裝於支撐部45之四角的矯正銷48a係相當於本發明之「角銷」。此外，例如亦可構成為交互地安裝矯正銷48，以取代將矯正銷48安裝於全部貫通孔452。
如此，當在將矯正銷48安裝於支撐部45的狀態下自控制部90給予上下移動指令時，升降構件46於Z方向進行升降而使矯正銷48一併地於鉛直方向上移動。藉此可矯正基板S之翹曲。對於此點利用加熱裝置1執行的加熱處理，一面參照圖4及圖5，一面加以說明。
圖4係顯示藉由圖1所示之加熱裝置所進行之加熱動作之流程圖。此外，圖5係示意性地顯示加熱動作之主要步驟之圖。該加熱處理係藉由控制部90執行預先所準備的控制程式而使各裝置進行既定之動作而實現。最初，被初始化為用以使加熱裝置1之各部分接取基板S的初始狀態。於初始狀態下，擋門14被關閉，熱平板20被升溫至用以加熱基板S的既定溫度。接著，自該狀態下將基板S搬入至腔室10內。即，在該基板搬入時間點，升降銷32被定位於上部位置，且矯正銷48被定位於較該升降銷32相當高的位置(退避位置)。接著，藉由開啟擋門14，而成為可接受自外部 搬入基板S的狀態。於此狀態下，藉由外部之搬送機器人而將基板S搬入至腔室10內，基板S係自搬送機器人被交接至升降銷32(步驟S1)。
如此，加熱處理前之基板S一面在待機位置被支撐於升降銷32上，一面等待加熱處理之開始，於搬送機器人之退避後，當擋門14被關閉時，升降銷32僅下降既定距離，如圖5之「S2時間點」之欄所示般，將基板S定位於預備加熱位置P2(步驟S2)。該「預備加熱位置」為在鉛直方向上如上述般進行基板S之交接的位置與本加熱位置P1的中間位置，藉由該定位而使鉛直方向Z上之基板S之上表面的高度位置與預備加熱位置P2一致。
其次，使基板S保持位於預備加熱位置P2之狀態而計算出基板S與矯正銷48的距離Da，使支撐部45與矯正銷48一起朝鉛直下方移動僅僅距離Da。藉此，使矯正銷48之下端部481之前端位於預備加熱位置P2(步驟S3)。於此，在基板S呈凹狀(或也可稱為「谷狀」)翹曲，亦即，基板S之周緣部Sa如同欄之左側視圖中以虛線所顯示般朝上方翹曲的情況下，該周緣部Sa於矯正銷48之移動中藉由矯正銷48之下端部481而被朝鉛直下方壓抵，而被定位於預備加熱位置P2。如此，可藉由矯正銷48進行翹曲之矯正。另一方面，在基板S呈凸狀(或也可稱為「山狀」)翹曲，亦即，基板S之周緣部Sa如同欄之右側視圖中以實線顯示般朝下方鞠躬的情況下，矯正銷48在未與基板S之周緣部Sa接觸的狀態下被定位於預備加熱位置P2。
此外，在本實施形態中，使基板S及矯正銷48保持位於預備加熱位置P2之狀態，即將藉由矯正銷48而矯正基板S之 周緣部Sa之翹曲的狀態保持僅僅既定之時間(步驟S4)。而於該保持中執行預備加熱處理。於該加熱處理中，多數情況下因來自熱平板20之上表面的輻射熱而使基板S下表面之溫度變高，並使基板S之周緣部Sa朝上方翹曲。然而，如圖5之「預備加熱」之欄所示，在矯正銷48位於預備加熱位置P2的狀態下執行加熱處理。因此，如同欄之右側視圖中以虛線所示般，於加熱處理之開始當時呈朝下方翹曲之狀態的周緣部Sa可隨著加熱處理而朝上方翹曲，但在翹曲至預備加熱位置P2之時間點抵接至矯正銷48之下端部481，而被定位於預備加熱位置P2。此外，於此之後亦留置於預備加熱位置P2。另一方面，如同欄之左側視圖所示般，抵接至矯正銷48而被定位於預備加熱位置P2的周緣部Sa係保持此一狀態而藉由矯正銷48被留置於預備加熱位置P2。
如此，當進行藉由矯正銷48而進行翹曲矯正的同時，完成預備加熱(步驟S4中之「YES」)時，升降銷32朝下部位置下降。藉此，基板S係自升降銷32被交接至熱平板20之球體21，基板S被定位於本加熱位置P1。此外，持續著藉由矯正銷48所進行基板S之翹曲矯正，支撐部45與升降銷32之下降同步下降，而將矯正銷48定位於本加熱位置P1(步驟S5)。自該時間點起開始則進行本加熱處理。該本加熱處理為被執行至既定時間為止(步驟S6)。
即便於該本加熱處理中，亦與預備加熱處理中同樣地，藉由矯正銷48之存在而將基板S之周緣部Sa定位於本加熱位置P1的狀態下執行本加熱處理。接著，當本加熱處理完成(在步驟S6中之「YES」)時，支撐部45移動至圖5之「S2時間點」欄所圖 示的位置而使矯正銷48位於較待機位置(基板S之交接位置)更上方的位置，亦即使其位於上述退避位置(步驟S7)。接著，基板S朝外部進行卸載(步驟S8)。即，藉由升降銷32上升而使基板S自熱平板20離開，並藉由打開擋門14使搬送機器人進入，而將基板S自升降銷32對搬送機器人交接並搬出。
如以上所述，根據本實施形態，矯正銷48係被設置為可抵接於基板S上表面之周緣部Sa。接著，於加熱處理(預備加熱處理及本加熱處理)中，矯正銷48係在被定位於加熱位置(預備加熱位置P2及本加熱位置P1)的基板S四邊附近位於該加熱位置。因此，即便基板S之全周緣部Sa或一部分自預備加熱前即已翹曲，仍可抵接於矯正銷48而在預備加熱位置P2進行矯正。此外，於基板S之加熱中，即便基板S之周緣部翹曲至較加熱位置更靠上方，仍可藉由朝向矯正銷48的抵接而限制翹曲。其結果，可於基板S之面內均勻地進行加熱處理。
為了實際驗證其功效，利用自圖1之加熱裝置1將矯正機構40除去的裝置與圖1所示的加熱裝置1，將縱510×橫510×厚度1.1mm之玻璃基板加熱至110℃時，而分別獲得圖6及圖7所示之實驗結果。圖6係顯示利用不具有矯正機構的加熱裝置進行加熱處理之情況下之溫度特性之曲線圖，圖7係顯示利用本實施形態之加熱裝置進行加熱處理之情況下之溫度特性之曲線圖。於該等曲線圖中，橫軸顯示加熱時間，縱軸顯示利用安裝於基板S上表面中央及四角的溫度感測器而所測得的計測溫度。此外，於該等曲線圖中，虛線表示基板S之上表面中央之溫度變化，其他表示基板S之上表面四角之溫度變化。由該等曲線圖可瞭解，藉由設置矯正機構 40可獲得優異之溫度均勻性。
此外，根據本實施形態，藉由矯正銷48朝鉛直下方抵接於基板S之上表面，可一面控制基板S之姿勢，一面藉由熱平板20對該基板S加熱。因此，相較於基板之端面與傾斜面相互摩擦之習知技術(日本專利特開2006-339485號公報所記載之發明)，可抑制微粒之發生，而可在潔淨之環境氣體中進行基板S之加熱。此外，可較習知技術更加提高最大矯正量。
在此一實施形態中，本加熱位置P1及預備加熱位置P2係相當於本發明之「加熱位置」之一例。此外，矯正銷48係相當於本發明之「矯正構件」之一例。此外，升降柱43、升降構件46及升降柱驅動部47係作為本發明之「移動機構」而發揮功能。
再者，本發明並不受上述實施形態所限定，只要不脫離其主旨，即可於上述說明以外進行各種變更。例如，上述實施形態中，可將16根矯正銷48安裝於畫框狀之支撐部45，但矯正銷48之根數並不限定於此，其可配合基板S之尺寸、形狀等而適當地變更。此外，對於支撐部45之構成，例如亦可如圖8、圖9所示般，使用將複數個支撐構件45A~45D加以組合者(第2實施形態、第3實施形態)。此外，亦可構成為使支撐構件45A~45D一併朝鉛直方向Z移動，亦可構成為使支撐構件45A~45D個別地朝鉛直方向Z移動。
此外，在上述實施形態中，藉由複數個矯正銷48沿著基板S之四邊而離散地壓抵基板S上表面之周緣部Sa，對基板S之翹曲進行矯正，但亦可為，如圖10所示般使用矯正塊49，該矯正塊49係沿著基板S之邊部進行延伸設置且下端部於與延伸設置 方向正交的面內被修整為前端尖細的形狀(第4實施形態)。於此情況下，可沿著基板S之邊部而連續地壓抵基板S上表面之周緣部Sa，對基板S之翹曲進行矯正。再者，同圖中之符號491係用以將矯正塊49安裝於支撐部45的軸部。
此外，於上述實施形態中，將矯正構件(矯正銷48、矯正塊49)之下端部修整為銳利，而使其與基板S上表面之周緣部Sa進行點接觸或線接觸，但下端部之形狀並不限定於此。例如，如圖11所示，亦可將矯正塊49之下端部修整為具有固定寬度W的抵接面492，於此情況下，矯正塊49可一面與基板S上表面之周緣部Sa進行面接觸一面矯正基板S之周緣部Sa之翹曲(第5實施形態)。
此外，於上述實施形態中，與藉由升降機構30而所進行之基板S之升降分開，設置有為了使各矯正銷48於鉛直方向Z上移動的移動機構(升降柱43、升降構件46及升降柱驅動部47)，但亦可構成為與基板S之升降同步，升降機構30使矯正銷48於鉛直方向Z上移動。於此情況下，不需要移動機構，而可謀求裝置構成之簡化及成本減低。
此外，於上述實施形態中，將本發明應用於經由接近間隙而進行加熱處理的加熱裝置，但亦可將本發明應用於將基板S直接載置於熱平板20之上表面而進行加熱處理的加熱裝置、或於加熱處理時吸著基板之下表面而進行加熱處理的加熱裝置(例如日本專利特開2006-319093號公報)等。
此外，於上述實施形態中，執行預備加熱與本加熱而作為加熱處理，但亦可將本發明應用於僅執行本加熱的加熱裝置。
本發明可應用於自下方進行加熱矩形狀之基板的全 部加熱技術。
20‧‧‧熱平板
22‧‧‧加熱器
32‧‧‧升降銷
45‧‧‧支撐部
48‧‧‧矯正銷(矯正構件)
481‧‧‧(矯正銷之)下端部
Da‧‧‧(基板與矯正銷之)距離
P1‧‧‧本加熱位置(加熱位置)
P2‧‧‧預備加熱位置(加熱位置)
P3‧‧‧(支撐部與矯正銷48之移動後之)位置
P4‧‧‧(支撐部與矯正銷48之移動前之)位置
S‧‧‧基板
Sa‧‧‧(基板之)周緣部

Claims (7)

  1. 一種加熱裝置，其特徵在於，其具備有：熱平板，其為自下方對被定位於加熱位置的矩形狀之基板進行加熱；升降機構，其使上述基板相對於上述熱平板而在鉛直方向較上述加熱位置為高的待機位置與上述加熱位置之間升降；及矯正機構，其具有可抵接於上述基板之上表面之周緣部的矯正構件；上述矯正機構係在被定位於上述加熱位置的上述基板之四邊附近使上述矯正構件位於上述加熱位置，藉此在藉由上述熱平板進行對上述基板加熱前，將上述基板中朝上方翹曲的上述周緣部矯正至上述加熱位置，並於上述基板之加熱中限制上述基板之周緣部較上述加熱位置更向上方翹曲的情形，而藉由上述熱平板控制被加熱之上述基板之姿勢；上述矯正構件為將下端部修整為前端尖細形狀的矯正銷，上述矯正機構具有複數個上述矯正銷，並使各矯正銷之上述下端部點接觸於上述基板之上表面之周緣部而控制上述基板之姿勢，上述矯正機構具有支撐上述複數個矯正銷之上端部的支撐部，於藉由上述熱平板加熱被定位於上述加熱位置的上述基板之前，保持支撐上述複數個矯正銷的狀態，使上述支撐部於上述鉛直方向上移動，而使各矯正銷之上述下端部位於上述加熱位置。
  2. 如請求項1之加熱裝置，其中，上述複數個矯正銷中之4根係設置為可分別與上述基板之上表面之四角點接觸的角銷。
  3. 如請求項1之加熱裝置，其中，其具備有：移動機構，其使上述支撐部與上述基板之升降分開而在下方位置與上方位置之間移動，上述下方位置係使各矯正銷之上述下端部位於上述加熱位置的位置，上述上方位置係將各矯正銷之上述下端部拉起至較上述加熱位置更高之位置的位置。
  4. 如請求項1之加熱裝置，其中，上述升降機構係與上述基板之升降同步而在下方位置與上方位置之間移動，上述下方位置係使各矯正銷之上述下端部位於上述加熱位置的位置，上述上方位置係將各矯正銷之上述下端部拉起至較上述加熱位置更高之位置的位置。
  5. 如請求項1至3中任一項之加熱裝置，其中，上述複數個矯正銷係各自獨立而相對於上述支撐部裝卸自如。
  6. 如請求項5之加熱裝置，其中，針對上述每個矯正銷而可調整鉛直方向上之上述矯正銷朝上述支撐部的安裝。
  7. 一種加熱方法，其特徵在於，其具備有如下步驟：定位步驟，相對於熱平板將矩形狀之基板定位於既定之加熱位置；矯正步驟，使可抵接於上述基板之上表面之周緣部的矯正構件即下端部修整為前端尖細形狀的矯正銷，自較上述加熱位置為高的位置朝向被定位於上述加熱位置的上述基板下降，而在上述基板之四邊附近將上述矯正構件定位於上述加熱位置，於上述矯正構件之下降中將上述基板中朝向上方翹曲的上述周緣部矯正至上述加熱位置；複數個上述矯正銷被設置於矯正機構，且上述矯正機構具有支 撐上述複數個矯正銷之上端部的支撐部，上述矯正機構使各矯正銷之上述下端部點接觸於上述基板之上表面之周緣部而控制上述基板之姿勢，並且，於藉由上述熱平板加熱被定位於上述加熱位置的上述基板之前，保持支撐上述複數個矯正銷的狀態，使上述支撐部於鉛直方向上移動，而使各矯正銷之上述下端部位於上述加熱位置；及限制步驟，將上述矯正構件於定位在上述加熱位置的狀態下藉由上述熱平板對上述基板進行加熱，並且於上述基板之加熱中限制上述基板之周緣部較上述加熱位置更向上方翹曲。
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