KR20230148009A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20230148009A
KR20230148009A KR1020220047116A KR20220047116A KR20230148009A KR 20230148009 A KR20230148009 A KR 20230148009A KR 1020220047116 A KR1020220047116 A KR 1020220047116A KR 20220047116 A KR20220047116 A KR 20220047116A KR 20230148009 A KR20230148009 A KR 20230148009A
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Abstract

본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하도록 구성된 지지면을 가지고 히터를 포함하는 상부 금속 플레이트, 상부 금속 플레이트의 하부에 접촉하고 상부 금속 플레이트와 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 하부 금속 플레이트, 및 하부 금속 플레이트의 하부에 공기를 분사하는 공기 분사기를 포함하고, 상부 및 하부 금속 플레이트는 온도에 따라 지지면이 편평한 초기 상태와 지지면이 상방으로 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명의 기술분야는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 기판을 가열 처리하도록 구성된 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 포토리소그래피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 포토리소그래피 공정을 수행하는 설비는 도포 공정, 베이크 공정, 및 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 상기 베이크 공정에 이용되는 베이크 챔버 내에서는 기판을 냉각 또는 가열 처리한다. 상기 베이크 챔버 내에서 기판을 가열 처리할 때, 가열되는 기판의 온도 균일성이 낮아져 기판 처리 공정의 수율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 근접 핀이 생략되므로 기판에 대한 가열 처리 동안 온도 균일성이 향상될 수 있도록 구성된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하도록 구성된 지지면을 가지고, 히터를 포함하는 상부 금속 플레이트; 상기 상부 금속 플레이트의 하부에 접촉하고, 상기 상부 금속 플레이트와 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 하부 금속 플레이트; 및 상기 하부 금속 플레이트의 하부에 공기를 분사하는 공기 분사기;를 포함하고, 상기 상부 및 하부 금속 플레이트는 온도에 따라, 상기 지지면이 편평한 초기 상태와 상기 지지면이 상방으로 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성된다.
예시적인 실시예들에서, 상기 상부 및 하부 금속 플레이트는 바이메탈(bimetal)로 구성되는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 초기 상태에서, 상기 기판의 가장자리 및 중심부는 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면에 접촉되고, 상기 변형 상태에서, 상기 기판의 가장자리는 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면으로부터 이격되고, 상기 기판의 중심부는 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면에 접촉되는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 더 포함하고, 상기 리프트 핀은, 상기 상부 및 하부 금속 플레이트를 관통하는 핀 홀에 수용되고, 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면에 수직한 방향으로 승강하는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 하부 금속 플레이트는 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 복수의 금속 플레이트로 구성되는 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 초기 상태에서, 상기 상부 금속 플레이트는 소정의 온도로 가열되어 일정한 온도로 유지된 상태인 것을 특징으로 한다.
예시적인 실시예들에서, 상기 공기 분사기에서 분사되는 상기 공기는 상온이고, 상기 공기는 상기 하부 금속 플레이트를 냉각시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치는, 근접 핀이 생략되므로 기판에 대한 가열 처리 동안 온도 균일성이 향상될 수 있고, 궁극적으로 공정 수율이 향상되는 효과가 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 본 발명의 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예들은 본 발명을 더욱 충실하고 완전하게 하며 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명의 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 가진다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
이하, 첨부한 도면들에서 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들어, 제조 공정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
도 1 내지 도 3을 함께 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 반도체 웨이퍼와 같은 기판(WF)을 가열 처리하도록 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(10)는 예를 들어, 포토리소그래피 공정을 수행하도록 구성되는 반도체 설비에 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판 처리 장치(10)는 도포 공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 및/또는 현상 공정(develop process)을 수행하도록 구성된 반도체 설비에 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(10)는, 히터(112)를 포함하는 상부 금속 플레이트(110), 상부 금속 플레이트(110)와 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 하부 금속 플레이트(120), 기판(WF)을 승강시키는 리프트 핀(130), 및 하부 금속 플레이트(120)의 하부에서 공기를 분사하는 공기 분사기(140)를 포함할 수 있다.
상부 금속 플레이트(110)는 기판(WF)을 가열 처리하기 위한 열을 기판(WF)에 제공하도록 구성될 수 있다. 상부 금속 플레이트(110)는 처리 공간을 제공하는 챔버(미도시) 내에 제공될 수 있다. 상부 금속 플레이트(110)는 내부에 히터(112)를 포함할 수 있다.
상부 금속 플레이트(110)는 대체로 평판 형태를 가질 수 있으며, 상부 금속 플레이트(110) 상에 탑재되는 기판(WF)과 마주하는 지지면(110S)은 평면일 수 있다. 상부 금속 플레이트(110)는 평면적 관점에서 원 형태 또는 사각 형태와 같은 다각형 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상부 금속 플레이트(110)는 하부 금속 플레이트(120)보다 열팽창 계수가 상대적으로 작은 물질로 형성될 수 있다.
히터(112)는 상부 금속 플레이트(110)의 내부에 제공될 수 있다. 히터(112)는 예를 들어, 저항 가열 방식으로 열을 발생시키도록 구성된 히터와 같은 가열 요소(heating element)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 히터(112)는 상부 금속 플레이트(110)의 외부에 제공된 전원 공급부로부터 전원을 공급받아 열을 발생시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 히터(112)는 저항 가열 방식으로 열을 발생시키기에 적합한 소재로서 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 히터(112)는 은(Ag), 백금(Pt), 텅스텐(W), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
하부 금속 플레이트(120)는 상부 금속 플레이트(110)의 아래 부분에 접촉하도록 배치될 수 있다. 하부 금속 플레이트(120)는 평면적 관점에서 상부 금속 플레이트(110)의 형태에 대응된 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 금속 플레이트(120)는 평면적 관점에서 원 형태 또는 사각 형태와 같은 다각형 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 금속 플레이트(120)는 상부 금속 플레이트(110)보다 열팽창 계수가 상대적으로 큰 물질로 형성될 수 있다.
상부 금속 플레이트(110) 및 하부 금속 플레이트(120)는 도 1에 도시된 바와 같이 실질적으로 편평한 프로파일을 갖는 초기 상태(S1)와, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 볼록한 프로파일을 갖는 변형 상태(S2)의 사이에서 전환 가능하도록 구성될 수 있다. 본 명세서에서, 상부 금속 플레이트(110) 및 하부 금속 플레이트(120)는 바이메탈(bimetal)(BM)로 구성될 수 있으며, 이하에서, 상부 금속 플레이트(110) 및 하부 금속 플레이트(120)를 함께 바이메탈(BM)로 지칭하도록 한다.
바이메탈(BM)이 변형됨에 따라, 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)의 곡률이 변할 수 있다. 바이메탈(BM)의 초기 상태(S1)에서, 기판(WF)에 접하는 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)은 대체로 편평하고, 기판(WF)의 바닥면은 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)에 전체적으로 접촉될 수 있다.
바이메탈(BM)의 변형 상태(S2)에서, 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)은 중심부가 가장자리로부터 수직한 방향(Z 방향)으로 돌출된 볼록한 형태로 변형될 수 있다. 바이메탈(BM)의 변형 상태(S2)에서, 기판(WF)의 바닥면의 중심부는 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)에 접촉되되, 기판(WF)의 바닥면의 다른 부분은 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 이격될 수 있다.
예를 들어, 바이메탈(BM)의 초기 상태(S1)와 변형 상태(S2)의 사이에서 상태 전환은, 하부 금속 플레이트(120)의 하부에서 공기(AR)를 분사하는 공기 분사기(140)에 의해 실현될 수 있다. 상기 공기(AR)는 상온으로 제공되거나, 또는 냉각된 상태로 제공될 수 있다.
바이메탈(BM)의 초기 상태(S1)와 변형 상태(S2)의 사이에서 상태 전환을 통해, 기판(WF)과 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 사이의 제1 이격 거리(D1)가 조절될 수 있다. 일부 실시예들에서, 바이메탈(BM)의 변형 상태(S2)에서 기판(WF)과 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 사이의 제1 이격 거리(D1)는 수십 내지 수백 마이크로미터(㎛) 사이의 범위 내에서 조절될 수 있다. 구체적으로, 바이메탈(BM)의 변형 상태(S2)에서 기판(WF)과 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 사이의 제1 이격 거리(D1)는 약 200㎛ 사이로 조절될 수 있다.
리프트 핀(130)은 기판(WF)을 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)에 수직한 방향(Z 방향)으로 승강시키도록 구성될 수 있다. 리프트 핀(130)은 바이메탈(BM)의 핀 홀(PH) 내에 이동 가능하게 장착되며, 액츄에이터에 의해 승강 운동하도록 구성될 수 있다. 리프트 핀(130)은 기판(WF)을 지지하기에 적정한 개수와 위치로 제공될 수 있다.
리프트 핀(130)은, 리프트 핀(130)의 상단이 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)보다 하측에 위치되도록 하강된 핀-다운 위치(도 2 참조)와, 리프트 핀(130)의 상단이 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 상방으로 돌출되어 기판(WF)을 지지하도록 구성된 핀-업 위치(도 3 참조) 사이에서 승강하도록 구성될 수 있다.
기판(WF)이 상부 금속 플레이트(110)로 로딩되는 과정에서, 외부에서 제공된 기판(WF)은 핀-업 위치에 있는 리프트 핀(130) 상에 안착되고, 리프트 핀(130)이 핀-업 위치로부터 핀-다운 위치로 하강하는 과정에서, 기판(WF)은 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 상에 안착될 수 있다.
기판(WF)이 상부 금속 플레이트(110)에서 언로딩되는 과정에서, 기판(WF)은 리프트 핀(130)이 핀-다운 위치에 있는 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 상에 위치하고, 리프트 핀(130)이 핀-다운 위치로부터 핀-업 위치로 상승하는 과정에서, 기판(WF)은 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 분리될 수 있다.
공기 분사기(140)는 복수의 에어 홀(142)을 통해 하부 금속 플레이트(120)의 하부에서 상온의 공기(AR) 또는 냉각된 공기(AR)를 분사함으로써, 하부 금속 플레이트(120)의 온도를 조절할 수 있다. 공기 분사기(140)가 제공하는 공기(AR)는 청정 건조 공기, 불활성 가스 등을 포함할 수 있다. 공기 분사기(140)는 공기(AR)를 주입하기 위한 에어 인젝터, 공기(AR)를 배기하기 위한 배기 펌프, 및 복수의 에어 홀(142)에 연결된 공기 유로에 설치된 유량 제어 밸브 등을 포함할 수 있다.
이하에서, 본 발명의 기판 처리 장치(10)를 이용한 기판 처리 방법을 순서대로 간략하게 설명하도록 한다.
먼저, 도 1을 참조하면, 외부에서 제공된 기판(WF)이 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 상에 안착될 수 있다. 기판(WF)은 상부 금속 플레이트(110)의 편평한 상태의 지지면(110S)에 놓여 지지될 수 있다. 기판(WF)을 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 상에 안착시킨 후, 기판(WF)에 대한 가열 처리를 진행할 수 있다. 예를 들어, 상부 금속 플레이트(110)의 히터(112)에서 생성된 열을 이용하여, 기판(WF)을 가열 처리할 수 있다. 여기서, 상부 금속 플레이트(110)는 소정의 온도로 가열되어 일정한 온도로 유지된 상태일 수 있다. 예를 들어, 상부 금속 플레이트(110)는 약 90℃ 내지 약 400℃ 범위의 소정의 온도로 가열된 상태로 유지될 수 있다. 즉, 초기 상태(S1)에서도 상부 금속 플레이트(110)는 가열된 상태일 수 있다.
다음으로, 도 2를 참조하면, 기판(WF)에 대한 가열 처리가 완료되면, 하부 금속 플레이트(120)의 온도가 감소하도록, 공기 분사기(140)는 하부 금속 플레이트(120)의 하부에 공기(AR)를 분사하고, 하부 금속 플레이트(120)의 온도가 감소됨에 따라 바이메탈(BM)은 초기 상태(S1)로부터 변형 상태(S2)로 변형될 수 있다. 즉, 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)은 점차 중심부가 볼록한 형태로 변형될 수 있다.
바이메탈(BM)이 초기 상태(S1)로부터 변형 상태(S2)로 변형되는 동안, 기판(WF)은 가장지리로부터 중심부를 향하는 방향으로 점진적으로 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 분리될 수 있다. 기판(WF)의 중심부는 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)에 접촉되고, 기판(WF)의 가장자리는 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 제1 이격 거리(D1)만큼 이격될 수 있다. 기판(WF)의 바닥면의 가장자리가 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 이격되므로, 상부 금속 플레이트(110)와 기판(WF) 간의 분리가 용이하게 구현될 수 있다.
기판(WF)에 대한 가열 처리가 완료되면, 하부 금속 플레이트(120)의 온도가 감소하도록, 공기 분사기(140)는 하부 금속 플레이트(120)의 하부에 공기(AR)를 분사하고, 하부 금속 플레이트(120)의 온도가 감소됨에 따라 바이메탈(BM)은 초기 상태(S1)로부터 변형 상태(S2)로 변형될 수 있다. 즉, 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)은 점차 중심부가 볼록한 형태로 변형될 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하면, 바이메탈(BM)의 변형 상태(S2)로 변형이 완료되면, 리프트 핀(130)이 핀-업 위치로 상승하면서, 기판(WF)의 중심부를 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 제2 이격 거리(D2)만큼 완전히 이격시킬 수 있다.
마지막으로, 도시되지는 않았지만, 가열 공정이 완료된 기판(WF)은 기판 이송 수단에 의해 상부 금속 플레이트(110)로부터 언로딩될 수 있다.
일반적인 기판 처리 장치의 경우, 기판(WF)은 히터가 매립된 핫 플레이트의 표면으로부터 돌출된 근접 핀(proximity pin) 상에 안착되며, 근접 핀에 의해 지지된 기판(WF)은 핫 플레이트의 표면으로부터 일정 거리 이격된다. 핫 플레이트에서 기판(WF)을 가열 처리하기 위한 열이 발생되면, 기판(WF)은 핫 플레이트를 통해 전달된 열을 통해 간접적으로 가열 처리된다. 그러나, 근접 핀을 포함하는 가열 장치의 경우, 기판(WF)을 가열하는 동안 근접 핀에 접촉된 기판(WF) 부분과 근접 핀에 접촉되지 않는 기판(WF)의 다른 부분 사이에서 온도 편차가 발생되는 문제가 발생될 수 있다.
이를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는, 바이메탈(BM)을 사용하여 근접 핀이 생략되므로, 기판(WF)에 대한 가열 처리가 수행되는 동안 온도 균일성이 향상될 수 있고, 궁극적으로 공정 수율이 향상될 수 있는 효과가 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도들이다.
이하에서 설명하는 기판 처리 장치들(20, 30)을 구성하는 대부분의 구성 요소 및 상기 구성 요소를 이루는 물질은, 앞서 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서, 설명의 편의를 위하여, 앞서 설명한 기판 처리 장치(10)와 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(20)는, 히터(112)를 포함하는 상부 금속 플레이트(110), 상부 금속 플레이트(110)와 서로 다른 열팽창 계수를 가지며 2개의 부분으로 구성되는 하부 금속 플레이트(120A), 기판(WF)을 승강시키는 리프트 핀(130), 및 하부 금속 플레이트(120A)의 하부에서 공기를 분사하는 공기 분사기(140)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 기판 처리 장치(20)에서, 하부 금속 플레이트(120A)는 제1 하부 금속 플레이트(121) 및 제2 하부 금속 플레이트(122)를 포함할 수 있다. 여기서 하부 금속 플레이트(120A)가 2개의 부분으로 구성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 하부 금속 플레이트(120A)는 3개 이상의 부분으로 구성될 수도 있다.
제1 하부 금속 플레이트(121)는 상부 금속 플레이트(110)의 아래 부분에 접촉하도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 하부 금속 플레이트(122)는 제1 하부 금속 플레이트(121)의 아래 부분에 접촉하도록 배치될 수 있다.
제1 하부 금속 플레이트(121) 및 제2 하부 금속 플레이트(122)는 각각 평면적 관점에서 상부 금속 플레이트(110)의 형태에 대응된 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 하부 금속 플레이트(121) 및 제2 하부 금속 플레이트(122)는 각각 평면적 관점에서 원 형태 또는 사각 형태와 같은 다각형 형태를 가질 수 있다.
예를 들어, 하부 금속 플레이트(120A)는 상부 금속 플레이트(110)보다 열팽창 계수가 상대적으로 큰 물질로 형성될 수 있다. 이에 더해, 제2 하부 금속 플레이트(122)는 제1 하부 금속 플레이트(121)보다 열팽창 계수가 상대적으로 큰 물질로 형성될 수 있다.
리프트 핀(130)은 기판(WF)을 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)에 수직한 방향(Z 방향)으로 승강시키도록 구성될 수 있다. 리프트 핀(130)은 상부 금속 플레이트(110), 제1 하부 금속 플레이트(121), 및 제2 하부 금속 플레이트(122)의 핀 홀(PH) 내에 이동 가능하게 장착되며, 액츄에이터에 의해 승강 운동하도록 구성될 수 있다. 리프트 핀(130)은 기판(WF)을 지지하기에 적정한 개수와 위치로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(20)는, 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 3개의 금속 플레이트를 사용하여 근접 핀이 생략되므로, 기판(WF)에 대한 가열 처리가 수행되는 동안 온도 균일성이 향상될 수 있고, 궁극적으로 공정 수율이 향상될 수 있는 효과가 있다.
도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(30)는, 히터(112)를 포함하는 상부 금속 플레이트(110), 상부 금속 플레이트(110)와 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 하부 금속 플레이트(120), 기판(WF)을 승강시키는 복수의 리프트 핀(130A), 및 하부 금속 플레이트(120)의 하부에서 공기를 분사하는 공기 분사기(140)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 기판 처리 장치(30)에서, 복수의 리프트 핀(130A)은 기판(WF)을 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)에 수직한 방향(Z 방향)으로 승강시키도록 구성될 수 있다. 복수의 리프트 핀(130A)은 상부 금속 플레이트(110)의 중심부의 주변에 배치되도록 구성될 수 있다. 여기서 복수의 리프트 핀(130A)이 2개로 구성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 리프트 핀(130A)은 3개 이상으로 구성될 수도 있다.
복수의 리프트 핀(130A)은 바이메탈(BM)의 복수의 핀 홀(PH) 내에 이동 가능하게 장착되며, 액츄에이터에 의해 승강 운동하도록 구성될 수 있다. 복수의 리프트 핀(130A)은 기판(WF)을 지지하기에 적정한 개수와 위치로 제공될 수 있다.
복수의 리프트 핀(130A)은, 복수의 리프트 핀(130A)의 상단이 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)보다 하측에 위치되도록 하강된 핀-다운 위치와, 복수의 리프트 핀(130A)의 상단이 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 상방으로 돌출되어 기판(WF)을 지지하도록 구성된 핀-업 위치 사이에서 승강하도록 구성될 수 있다.
기판(WF)이 상부 금속 플레이트(110)로 로딩되는 과정에서, 외부에서 제공된 기판(WF)은 핀-업 위치에 있는 복수의 리프트 핀(130A) 상에 안착되고, 복수의 리프트 핀(130A)이 핀-업 위치로부터 핀-다운 위치로 하강하는 과정에서, 기판(WF)은 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 상에 안착될 수 있다.
기판(WF)이 상부 금속 플레이트(110)에서 언로딩되는 과정에서, 기판(WF)은 복수의 리프트 핀(130A)이 핀-다운 위치에 있는 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S) 상에 위치하고, 복수의 리프트 핀(130A)이 핀-다운 위치로부터 핀-업 위치로 상승하는 과정에서, 기판(WF)은 상부 금속 플레이트(110)의 지지면(110S)으로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(30)는, 바이메탈(BM)을 사용하여 근접 핀이 생략되므로, 기판(WF)에 대한 가열 처리가 수행되는 동안 온도 균일성이 향상될 수 있고, 궁극적으로 공정 수율이 향상될 수 있는 효과가 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형상으로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10, 20, 30: 기판 처리 장치
110: 상부 금속 플레이트
112: 히터
120: 하부 금속 플레이트
130: 리프트 핀
140: 공기 분사기
142: 에어 홀

Claims (7)

  1. 기판을 지지하도록 구성된 지지면을 가지고, 히터를 포함하는 상부 금속 플레이트;
    상기 상부 금속 플레이트의 하부에 접촉하고, 상기 상부 금속 플레이트와 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 하부 금속 플레이트; 및
    상기 하부 금속 플레이트의 하부에 공기를 분사하는 공기 분사기;를 포함하고,
    상기 상부 및 하부 금속 플레이트는 온도에 따라, 상기 지지면이 편평한 초기 상태와 상기 지지면이 상방으로 볼록하게 변형된 변형 상태 사이에서 전환하도록 구성되는,
    기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 금속 플레이트는 바이메탈(bimetal)로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 초기 상태에서, 상기 기판의 가장자리 및 중심부는 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면에 접촉되고,
    상기 변형 상태에서, 상기 기판의 가장자리는 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면으로부터 이격되고, 상기 기판의 중심부는 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면에 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 더 포함하고,
    상기 리프트 핀은, 상기 상부 및 하부 금속 플레이트를 관통하는 핀 홀에 수용되고, 상기 상부 금속 플레이트의 상기 지지면에 수직한 방향으로 승강하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부 금속 플레이트는 서로 다른 열팽창 계수를 가지는 복수의 금속 플레이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 초기 상태에서, 상기 상부 금속 플레이트는 소정의 온도로 가열되어 일정한 온도로 유지된 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 공기 분사기에서 분사되는 상기 공기는 상온이고,
    상기 공기는 상기 하부 금속 플레이트를 냉각시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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