TW201818497A - 保持裝置、檢查裝置、檢查方法、樹脂封裝裝置、樹脂封裝方法及樹脂封裝品的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供保持裝置、檢查裝置、檢查方法、樹脂封裝裝置、樹脂封裝方法及樹脂封裝品的製造方法，其即使對已變形的對象也通過矯正對象的變形而將該對象穩定地保持在工作臺上。保持裝置（1）具備：工作臺（2），用於載置對象（11）；多個抽吸孔（3），設置在工作臺（2）上且用於抽吸對象（11）；密封件（10），設置在工作臺（2）上且包圍多個抽吸孔（3）的周圍；按壓部件（7）；在配置有密封件（10）的位置上，將對象（11）的周圍按壓到工作臺（2）上；和減壓機構（6），與多個抽吸孔（3）連接。

Description

保持裝置、檢查裝置、檢查方法、樹脂封裝裝置、樹脂封裝方法及樹脂封裝品的製造方法
本發明有關於一種保持裝置、檢查裝置、檢查方法、樹脂封裝裝置、樹脂封裝方法及樹脂封裝品的製造方法。
近年來，對經樹脂封裝的封裝後基板(包含經樹脂封裝的封裝後晶圓)等所要求的精度(尺寸精度等)不斷提高。因此，通過在樹脂封裝之前或樹脂封裝之後(或者，在樹脂封裝之前和之後)保持基板(包含晶圓)等而進行測量等的方法不斷增加。
在專利文獻1中記載有利用多個抽吸孔來抽吸基板的保持裝置。
專利文獻1：日本專利公開2007-201275號公報
但是，例如在樹脂封裝之前將電子部件等搭載在基板上的情況下，因該搭載而存在基板彎曲(歪斜或翹曲)的情況。
另外，在樹脂封裝之後，樹脂封裝後基板從成型模取出後經冷卻而收縮時，因基板與封裝樹脂之間的熱膨脹係數(線性膨脹係數)的差異而存在基板彎曲的情況。
在習知的專利文獻1中記載的保持裝置存在如下問題：當基板彎曲時，不能穩定地保持基板。以下，在本發明中有時會將“基板彎曲”、“基板歪斜”和“基板翹曲”等情況涵蓋而表述為“基板變形”。
為瞭解決上述問題，本發明所有關的保持裝置包括：工作臺，用於載置對象；多個抽吸孔，設置在所述工作臺上且用於抽吸所述對象；密封件，設置在所述工作臺上且包圍所述多個抽吸孔的周圍；按壓部件，在配置有所述密封件的位置上，將所述對象的周圍按壓到所述工作臺上；以及減壓機構，與所述多個抽吸孔連接。
為瞭解決上述問題，本發明所有關的檢查裝置包括：工作臺，用於載置對象；多個抽吸孔，設置在所述工作臺上且用於抽吸對象；密封件，設置在所述工作臺上且包圍所述多個抽吸孔的周圍；按壓部件，在配置有所述密封件的位置上，將所述對象的周圍按壓到所述工作臺上；減壓機構，與所述多個抽吸孔連接；以及檢查機構，在利用所述按壓部件按壓所述對象的周圍之後，利用所述減壓機構經由所述多個抽吸孔抽吸所述對象的狀態下，對所述對象進行檢查。
為瞭解決上述問題，本發明所有關的檢查方法包括以下步驟：在設置有多個抽吸孔和包圍所述多個抽吸孔的周圍的密封件的工作臺上載置對象；在配置有所述密封件的位置上，利用按壓部件將所述對象的周圍按壓到所述工作臺上；通過按壓所述對象的周圍，在所述工作臺與所述對象之間形成空間；通過經由所述多個抽吸孔抽吸所述空間的空氣，將所述對象拉近並緊貼在所述工作臺上；以及在使所述對象緊貼在所述工作臺上的狀態下，使用檢查機構對所述對象進行檢查。
根據本發明，即使是已變形(已彎曲、已歪斜或已翹曲)的對象，也能通過矯正對象的變形而將該對象穩定地保持在工作臺上。
下面，參照圖式對本發明所有關的實施方式進行說明。本發明的任一幅圖為了易於理解均進行適當省略或誇張以示意性地繪製。對相同的結構要素使用相同的圖式標記，並適當省略說明。此外，在本發明中，“對象”中包含基板及在基板上形成有絕緣體或導電體等的複合體。“基板”中包含玻璃環氧層壓板、印刷基板、玻璃基板和金屬基板等一般基板和半導體晶圓等。“樹脂封裝品”為經樹脂封裝的對象，包含後述的封裝後基板。
[實施方式1]
(保持裝置的結構)
參照第1圖對本發明所有關的保持裝置的結構進行說明。保持裝置為通過真空吸附將對象緊貼並保持在工作臺上的保持裝置。待保持對象為基板或在基板上形成有絕緣體或金屬等的複合體。在實施方式1中表示將具有矩形形狀的基板作為對象而緊貼並保持在工作臺上的例。作為基板，例如可使用玻璃環氧層壓板、印刷基板、陶瓷基板和引線框等。或者，可使用在這些基板上成型有封裝樹脂的封裝後基板等。
如第1圖的(a)所示，保持裝置1具備用於載置基板的工作臺2和設置在工作臺2上的多個抽吸孔3。在工作臺2上以格子狀形成有多個抽吸孔3。在第1圖中，沿長邊方向形成有十個抽吸孔3，並且沿短邊方向形成有五個抽吸孔3。因此，在工作臺2上總共形成有50個抽吸孔3。如第1圖的(b)所示，各個抽吸孔3從工作臺2的表面貫通至背面。可以與待保持的基板4(圖中用雙點劃線表示的部分)的大小及基板4的變形狀態(例如，基板的歪斜或翹曲狀態)等對應地任意設定抽吸孔3的數量。多個抽吸孔3經由與各個抽吸孔3相連的管道5被連接到減壓機構6。作為減壓機構6，例如可使用真空泵等。
在保持裝置1中，與基板4的形狀及大小對應地設置有用於將基板4的周圍按壓到工作臺2上的按壓部件7。按壓部件7例如由沿上下方向具有開口部8的框狀部件構造。按壓部件7為只按壓基板4的周圍而不按壓基板4的中央部等的按壓部件。按壓部件7通過設置於保持裝置1的驅動機構(未圖示)來升降。作為按壓部件7，優選使用抑制施加給基板4的機械損傷的材料。例如可使用聚醚醚酮(PEEK：Poly Ether Ether Ketone)等。也可以在按壓部件7的底面上設置緩衝部件或彈性部件等。
如第1圖的(b)所示，在工作臺2上設置有包圍多個抽吸孔3的周圍的密封用槽9。在密封用槽9中配置有例如O型圈等密封件10。以密封件10的上部從工作臺2的表面突出的方式配置密封件10。作為密封件10，優選使用矽橡膠或氟橡膠等。優選密封件10為具有適度的硬度且易伸張的材質。
在配置有密封件10的位置的上方配置有框狀的按壓部件7。俯視時，密封件10被包圍在框狀的按壓部件7的內部。如第1圖的(a)所示，在將按壓部件7和密封件10重疊的狀態繪製為俯視圖的情況下，密封件10被完全包圍在按壓部件7中。因此，雖然在後面描述，如第2圖的(b)所示，在由配置在工作臺2上的密封件10和按壓部件7夾持基板4(在第2圖中為封裝後基板11)的周邊的狀態下，該基板4的周邊被按壓到工作臺2上。
(保持裝置的操作)
參照第1圖至第2圖，對保持裝置1中將對象緊貼並保持在工作臺2上的操作進行說明。在第2圖中，對將例如在基板上成型有封裝樹脂的封裝後基板作為對象而緊貼並保持在工作臺2上的例進行說明。
首先，如第2圖的(a)所示，將封裝後基板11載置在工作臺2的規定位置上。封裝後基板11具有：基板12，例如由印刷基板或引線框等構成；和多個晶片狀部件(未圖示)，被安裝在基板12所具有的多個區域中；和封裝樹脂13，以一併覆蓋多個區域的方式成型。如果基板12的熱膨脹係數與封裝樹脂13的熱膨脹係數之差較大，則在從成型模中取出封裝後基板11並將該封裝後基板11置於比成型溫度更低的常溫狀態時，會存在封裝後基板11變形的情況。在第2圖中，作為封裝後基板11變形的例，示出產生了例如向封裝後基板11的表面側(成型有封裝樹脂13的側)凸出這樣的翹曲的例。
如第2圖的(a)所示，如果將產生了向表面側凸出這樣的翹曲的封裝後基板11載置在工作臺2上，則封裝後基板11和工作臺2不會緊貼，而是在封裝後基板11與工作臺2之間產生間隙14。如果該間隙14較大，則即使利用減壓機構6抽吸封裝後基板11，抽吸力也較弱，有可能不能將封裝後基板11吸附到工作臺2上。另外，即使利用減壓機構6抽吸封裝後基板11，如果在封裝後基板11與工作臺2之間產生空氣洩漏，則也有可能不能將封裝後基板11充分吸附到工作臺2上。在具有大面積的封裝後基板11中，該現象特別明顯。所謂“不能將封裝後基板11吸附到工作臺2上”是指不能將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11與工作臺2緊貼。
接著，如第2圖的(b)所示，使用設置於保持裝置1的驅動機構(未圖示)來使按壓部件7從規定位置下降。使按壓部件7的底面與封裝後基板11的周圍接觸，並利用按壓部件7使封裝後基板11的周圍緊貼在密封件10上。在使封裝後基板11的周圍緊貼在密封件10上的狀態下，進一步按壓封裝後基板11。由此，能夠經由密封件10在封裝後基板11與工作臺2之間形成經密閉的密閉空間15。因此，能防止空氣從形成于封裝後基板11與工作臺2之間的密閉空間15向外部洩漏。在該狀態下，經由密封件10在封裝後基板11與工作臺2之間形成經密閉的密閉空間15很重要，封裝後基板11的周圍也未必需要與工作臺2緊貼。
接著，如第2圖的(c)所示，在利用按壓部件7且經由密封件10將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上的狀態下，利用減壓機構6來抽吸形成在封裝後基板11與工作臺2之間的密閉空間15中存在的空氣。通過抽吸密閉空間15中存在的空氣，密閉空間15內的壓力從大氣壓變為負壓(真空)。由於密閉空間15內的壓力變為小於大氣壓，由大氣壓產生將封裝後基板11按壓到工作臺2上的力。換言之，通過減壓機構6抽吸封裝後基板11，封裝後基板11被拉近工作臺2。由此，能夠將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。通過經由多個抽吸孔3抽吸封裝後基板11，能夠將封裝後基板11保持在緊貼於工作臺2上的狀態。
如第2圖的(b)所示，形成于封裝後基板11與工作臺2之間的密閉空間15所占的面積相當於真空抽吸面積(受壓面積)。具體而言，第2圖的(b)的A所示區域中的空間區域的面積、即未與工作臺2接觸的封裝後基板11的基板12側的表面積相當於受壓面積。該受壓面積越大，則由大氣壓受到的力越大，並且將封裝後基板11抽吸到工作臺2上的抽吸力越大。因此，即使在封裝後基板11的面積較大的情況下，或者封裝後基板11的翹曲較大的情況下，也能將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而保持封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態。
(作用效果)
在本實施方式中，保持裝置1為包括如下構件的結構：工作臺2，用於載置作為對象的封裝後基板11；多個抽吸孔3，設置在工作臺2上且用於抽吸封裝後基板11；密封件10，設置在工作臺2上且包圍多個抽吸孔3的周圍；按壓部件7，在配置有密封件10的位置上，將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上；和減壓機構6，與多個抽吸孔3連接。
根據這種結構，通過在封裝後基板11與工作臺2之間形成密閉空間15，並抽吸密閉空間15中存在的空氣來將封裝後基板11拉近並緊貼在工作臺2上。因此，能夠將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而保持封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態。
根據本實施方式，在保持裝置1中的工作臺2上設置有：多個抽吸孔3，用於抽吸作為對象的封裝後基板11；和密封件10，用於包圍抽吸孔3的周圍。在配置有密封件10的位置上設置有按壓部件7，該按壓部件7用於將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上。即使在封裝後基板11上產生翹曲的情況下，通過由按壓部件7按壓封裝後基板11的周圍，也能經由密封件10在封裝後基板11與工作臺2之間形成經密閉的密閉空間15。
在該狀態下，使用減壓機構6抽吸密閉空間15中存在的空氣。由此，密閉空間15內的壓力變為小於大氣壓，並由大氣壓產生將封裝後基板11按壓到工作臺2上的力。通過減壓機構6對封裝後基板11的抽吸，封裝後基板11被拉近並緊貼在工作臺2上。因此，能夠將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而保持封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態。
根據本實施方式，通過抽吸形成于封裝後基板11與工作臺2之間的密閉空間15中存在的空氣，使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。由於密閉空間15所占的面積相當於真空受壓面積，因此密閉空間15所占的面積越大則用於將封裝後基板11抽吸到工作臺2上的抽吸力越大。因此，即使在封裝後基板11的面積較大的情況下，或者在封裝後基板11的翹曲較大的情況下，也能通過將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而保持封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態。
在本實施方式中，由大氣壓產生將封裝後基板11按壓到工作臺2上的力。由此，通過將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。在該情況下，也可以通過緩和按壓部件7的按壓力或者對密封件10採用易滑材質等來使封裝後基板11在密封件10上滑動。由此，能夠防止矯正封裝後基板11的翹曲時產生的封裝後基板11的破損。
[實施方式2]
(保持裝置的結構)
參照第3圖，對實施方式2的保持裝置進行說明。如第3圖所示，保持裝置16為用於使具有圓形形狀的基板(對象)緊貼並保持在工作臺上的保持裝置。作為基板，可使用晶圓或在晶圓上成型有封裝樹脂的晶圓級封裝等。
如第3圖的(a)所示，保持裝置16包括用於載置圓形基板的工作臺17和設置於工作臺17的多個抽吸孔3。在工作臺17上例如以圓周狀形成有多個抽吸孔3。可以與待保持的基板18(圖中用雙點劃線表示的部分)的大小及基板18的變形狀態(基板的歪斜或翹曲等狀態)等對應地任意設定抽吸孔3的數量。多個抽吸孔3經由與各個抽吸孔3相連的管道5被連接到減壓機構6。作為減壓機構6，可使用真空泵等。
與實施方式1同樣地，在保持裝置16中，與基板18的大小對應地設置有用於將基板18的周圍按壓到工作臺17上的按壓部件19。按壓部件19由沿上下方向具有開口部20的圓板狀部件構造。作為按壓部件19，可使用聚醚醚酮(PEEK：Poly Ether Ether Ketone)等。也可以在按壓部件19的底面上設置緩衝部件或彈性部件等。按壓部件19通過設置於保持裝置16的驅動機構(未圖示)來升降。
如第3圖的(b)所示，在工作臺17上設置有包圍多個抽吸孔3的周圍的密封用槽21。在密封用槽21中配置有例如O型圈等密封件22。因此，在由被配置在工作臺17上的密封件22和按壓部件19夾持基板18的周邊的狀態下，該基板18的周邊被按壓到工作臺17上。
可以將例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等的晶圓、或者以晶圓狀態被樹脂封裝的晶圓級封裝件等作為基板18而保持在工作臺17上。在這些情況下，將如與晶圓的口徑對應地按壓晶圓周圍的圓環狀按壓部件設置在保持裝置16中即可。
在本實施方式中，在工作臺17上以圓周狀形成有多個抽吸孔3。不限於此，可以任意設定多個抽吸孔3的位置。例如，也可以在半導體前工序中的製造工序結束之後，以與晶圓被分割而單片化的各個晶片區域對應的方式形成有抽吸孔3。
由於保持裝置16的操作與實施方式1所示的保持裝置1的操作相同，因此省略說明。保持裝置16實現與實施方式1所示的保持裝置1同樣的效果。
實施方式3
(檢查裝置的結構)
參照第4圖，對實施方式3中使用的檢查裝置進行說明。檢查裝置為在實施方式1所示的保持裝置1或實施方式2所示的保持裝置16中增加檢查機構的裝置。通過在保持裝置中增加檢查機構，能夠將保持裝置用作檢查裝置。作為檢查機構，例如增加用於測量基板厚度的機構和用於檢查基板表面狀態的結構等。由於檢查機構以外的結構及操作與實施方式1的保持裝置1或實施方式2的保持裝置16相同，因此省略說明。
檢查裝置23為例如在保持裝置1中進一步增加接觸位移感測器、光學位移感測器或影像處理系統等檢查機構的結構。通過設置接觸位移感測器或光學位移感測器以作為檢查機構，能夠準確地測量緊貼並保持在工作臺2上狀態的基板的厚度。通過設置搭載有CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補性氧化金屬半導體)圖像感測器或CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合元件)圖像感測器等的影像處理系統以作為檢查機構，能夠進行基板的表面檢查、缺陷檢查和圖案檢查等。由於將基板保持在緊貼於工作臺2上的狀態，因此能夠在清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下進行準確的檢查。此外，也可以應用圖像識別系統來測量保持在工作臺2上的基板的厚度。作為影像處理，可使用通過對照相機拍攝到的圖像進行二值化來進行邊緣檢測等的常規影像處理。
在第4圖中，對例如設置接觸位移感測器以作為檢查機構的情況進行說明。如第4圖所示，檢查裝置23在工作臺2的上方具備接觸位移感測器24。接觸位移感測器24能夠借助設置於檢查裝置23的移動機構(未圖示)沿Y方向及Z方向移動。通過使用接觸位移感測器24，能夠在任意位置上測量基板的厚度。
此外，在檢查裝置23中，按壓部件7為只按壓基板的周圍而不按壓基板的中央部等的結構。即，檢查裝置23為能夠檢查在檢查中重要的封裝後基板的封裝樹脂的整個區域或封裝前基板的安裝有半導體晶片的區域的整個區域的結構。因此，接觸位移感測器24在按壓部件7所具有的開口部8沿X方向、Y方向及Z方向移動。由此，能夠在基板中的任意位置上測量基板厚度。
在本實施方式中，檢查裝置23為不會通過按壓部件來按壓基板的中央部等的結構。由此，即使工作臺的剛性較弱，也防止因按壓基板的中央部而基板的中央部在每個工作臺上彎曲。此外，對於封裝前基板而言，防止因按壓部件而損傷半導體晶片等。
(檢查裝置的操作)
參照第4圖，表示將第2圖所示的具有翹曲的封裝後基板11作為基板(對象)進行檢查的情況。在本實施方式中，對例如使用檢查裝置23來測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度的操作進行說明。此外，在以下的實施方式中，也表示將具有翹曲的封裝後基板11作為基板進行檢查的情況。
首先，如第4圖的(a)所示，在檢查裝置23中，在工作臺2上未載置封裝後基板11的狀態下，使接觸位移感測器24下降而使其與工作臺2的規定位置P1接觸。工作臺2的規定位置P1與用於測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度的位置P2(參照第4圖的(b))對應。在工作臺2的規定位置P1上，利用接觸位移感測器24測量工作臺面的高度位置h1。將該測量出的工作臺面的高度位置h1作為工作臺2的基準高度而存儲在記憶體等中。接觸位移感測器24上升，並在規定位置P1的上方待機。
接著，如第4圖的(b)所示，將具有翹曲的封裝後基板11載置在工作臺2的規定位置上。接著，使按壓部件7下降而將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上。由此，經由密封件，在封裝後基板11與工作臺2之間形成密閉空間15(參照第2圖)。接著，利用減壓機構6抽吸封裝後基板11，將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼並保持在工作臺2上。在該狀態下，封裝後基板11的翹曲得到矯正而被平坦地緊貼在工作臺2上。
接著，接觸位移感測器24下降並與封裝後基板11所具有的基板12的規定位置P2接觸。在基板12的規定位置P2上，利用接觸位移感測器24測量基板12的高度位置h2。由於封裝後基板11平坦地緊貼並保持在工作臺2上，因此能夠準確地測量基板12的高度位置h2。求出該測量出的基板12的高度位置h2與預先存儲的工作臺面的高度位置h1之間的差分(h2-h1)。該差分(h2-h1)相當於在封裝後基板11的規定位置P2上封裝後基板11所具有的基板12的厚度。俯視時，基板12的規定位置P2和工作臺2的規定位置P1為同一測量位置。因此，能夠通過求出接觸位移感測器24測量的兩點的高度位置的差分(h2-h1)而準確地求出規定位置P2上的基板2的厚度。如此，能夠在封裝後基板11平坦地緊貼在工作臺2上的狀態下，使用檢查裝置23來準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度。
(作用效果)
在本實施方式中，檢查裝置23為具備如下構件的結構：工作臺2，用於載置作為對象的封裝後基板11；多個抽吸孔3，設置在工作臺2上且用於抽吸封裝後基板11；密封件10，設置在工作臺2上且包圍多個抽吸孔3的周圍；按壓部件7，在配置有密封件10的位置上，將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上；減壓機構6，與多個抽吸孔3連接；和接觸位移感測器24，其為在利用按壓部件7按壓封裝後基板11的周圍並利用減壓機構6經由多個抽吸孔3抽吸封裝後基板11的狀態下，對封裝後基板11進行檢查的檢查機構。
根據這種結構，經由密封件10，在具有翹曲的封裝後基板11與工作臺2之間形成密閉空間15。通過抽吸密閉空間15中存在的空氣，將封裝後基板11拉近並緊貼在工作臺2上。能夠將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼並保持在工作臺2上。因此，能夠在清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下，使用接觸位移感測器24來準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度。
根據本實施方式，在檢查裝置23中設置有：按壓部件7，與封裝後基板11對應且將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上；和接觸位移感測器24，用於測量封裝後基板11的厚度。即使在封裝後基板11中產生翹曲或歪斜等變形的情況下，也能利用按壓部件7按壓封裝後基板11的周圍，從而經由密封件10在封裝後基板11與工作臺2之間形成經密閉的密閉空間15。
在該狀態下，使用減壓機構6抽吸密閉空間15中存在的空氣。由此，能夠矯正封裝後基板11的變形而使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。在封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態下，使用接觸位移感測器24來測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度。因此，能夠在清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下，準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度。
根據本實施方式，在檢查裝置23中，首先在工作臺2上未載置封裝後基板11的狀態下，使用接觸位移感測器24來測量規定位置P1上的工作臺面的高度位置h1。接著，在工作臺2上載置封裝後基板11，並將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。在該狀態下，使用接觸位移感測器24來測量封裝後基板11的規定位置P2上的基板12的高度位置h2。通過對測量出的基板12的高度位置h2和預先測量的工作臺面的高度位置h1進行比較，能夠準確地求出封裝後基板11所具有的基板12的厚度。因此，能夠在清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下，準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度。
根據本實施方式，通過抽吸形成于封裝後基板11與工作臺2之間的密閉空間15中存在的空氣，使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。由於密閉空間15所占的面積相當於真空受壓面積，因此即使在封裝後基板11的面積較大的情況下，或者在封裝後基板11的翹曲較大的情況下，也能通過將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。因此，即使在具有大面積的封裝後基板11或翹曲較大的封裝後基板11中，也能在封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態下，準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度。
在本實施方式中，為了方便說明，示出僅測量封裝後基板11所具有的基板12的一處厚度的情況。不限於此，可使用接觸位移感測器24在多個位置上以相同方式測量基板12的厚度。此時，能求出封裝後基板11所具有的基板12的厚度平均值和偏差。
[實施方式4]
參照第5圖，對使用檢查裝置23來測量封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度的操作進行說明。
首先，如第5圖的(a)所示，將具有翹曲的封裝後基板11載置在工作臺2的規定位置上。接著，通過使按壓部件7下降而將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上。接著，通過使用減壓機構6抽吸封裝後基板11，從而將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀並使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。在該狀態下，封裝後基板11被平坦地保持在工作臺2上。
接著，接觸位移感測器24下降並與封裝後基板11的規定位置P2接觸。在封裝後基板11的規定位置P2上，利用接觸位移感測器24測量封裝後基板11所具有的基板12的高度位置h2。將該測量出的基板12的高度位置h2作為封裝後基板11所具有的基板12的相對高度而存儲在記憶體等中。
接著，接觸位移感測器24上升，並且接觸位移感測器24移動至封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的上方的規定位置上。接觸位移感測器24下降並與封裝後基板11的規定位置P3接觸。在封裝後基板11的規定位置P3上，利用接觸位移感測器24測量封裝後基板11的高度位置h3。求出該測量出的封裝後基板11的高度位置h3與預先存儲的基板12的相對高度位置h2之間的差分(h3-h2)。該差分(h3-h2)相當於封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度。在封裝後基板11被平坦地保持在工作臺2上的狀態下，通過測量封裝後基板11所具有的基板12的高度位置h2及封裝後基板11的高度位置h3，能夠求出封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度。
根據本實施方式，封裝後基板11在其翹曲被矯正為平坦狀的狀態下被緊貼並保持在工作臺2上。因此，能夠在清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下，使用接觸位移感測器24來測量封裝後基板11所具有的基板12的高度位置h2及封裝後基板11的高度位置h3這兩個高度位置。因此，能夠通過求出測量出的高度位置的差分(h3-h2)來易於求出以往難以測量的封裝樹脂13的厚度。
根據本實施方式，通過抽吸形成于封裝後基板11與工作臺2之間的密閉空間15中存在的空氣，使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。由於密閉空間15所占的面積相當於真空受壓面積，因此即使在封裝後基板11的面積較大的情況下，或者在封裝後基板11的翹曲較大的情況下，也能將封裝後基板11的翹曲矯正為平坦狀而使封裝後基板11緊貼並保持在工作臺2上。因此，即使在具有大面積的封裝後基板11或翹曲較大的封裝後基板11中，也能在封裝後基板11緊貼在工作臺2上的狀態下，求出封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度。
根據本實施方式，能求出在樹脂成型裝置中被樹脂封裝的封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度。因此，能夠容易進行以往難以實現的封裝樹脂13的膜厚管理，換言之，能夠容易進行作為最終產品的封裝件的厚度管理。由此，能夠穩定且容易管理樹脂成型中的成型處理工序。
在本實施方式中，為了方便說明，示出僅測量封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的一處厚度的情況。不限於此，可使用接觸位移感測器24以相同方式測量多個位置上的基板12及封裝後基板11的厚度。此時，能求出封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度平均值和偏差。
[實施方式5]
參照第6圖，對使用檢查裝置23在封裝後基板11的同一位置上分別測量基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度的操作進行說明。
首先，如第6圖的(a)所示，在檢查裝置23中的工作臺2上未載置任何產品的狀態下，使接觸位移感測器24向測量位置的上方移動。接著，接觸位移感測器24下降並與工作臺2的規定位置P4接觸。工作臺2的規定位置P4與用於測量封裝前基板26所具有的基板12的厚度的位置P5(參照第6圖的(b))及用於測量封裝後基板11的厚度的位置P6(參照第6圖的(c))對應。在工作臺2的規定位置P4上，利用接觸位移感測器24測量工作臺面的高度位置h4。將該測量出的工作臺面的高度位置P4作為基準高度而存儲在記憶體等中。接觸位移感測器24上升，並在規定位置P4的上方待機。
接著，如第6圖的(b)所示，將安裝有多個半導體晶片25的封裝前基板26載置在工作臺2的規定位置上。接著，通過使按壓部件7下降而將封裝前基板26的周圍按壓到工作臺2上。接著，使用減壓機構6抽吸封裝前基板26，從而矯正封裝前基板26的變形並使封裝前基板26緊貼在工作臺2上。在該狀態下，封裝前基板26的變形得到矯正而被平坦地緊貼在工作臺2上。
接著，接觸位移感測器24下降並與封裝前基板26的規定位置P5接觸。封裝前基板26的規定位置P5為未安裝有半導體晶片25且基板12的上表面露出的區域。在封裝前基板26的規定位置P5上，利用接觸位移感測器24測量封裝前基板26的高度位置h5。求出該測量出的封裝前基板26的高度位置h5與預先存儲的工作臺面的基準高度位置h4之間的差分(h5-h4)。該差分(h5-h4)相當於在封裝前基板26的規定位置P5上封裝前基板26所具有的基板12的厚度。將封裝前基板26的高度位置h5存儲在記憶體等中。
接著，接觸位移感測器24上升，並在規定位置P5的上方待機。使按壓部件7上升並停止在原來的位置上。從工作臺2上取出封裝前基板26。在該狀態下，檢查裝置23返回至初始的待機狀態。
接著，如第6圖的(c)所示，將封裝後基板11載置在工作臺2的規定位置上。該封裝後基板11為樹脂封裝有在上述規定位置P5上測量出高度位置h5的封裝前基板26的封裝後基板。因此，封裝前基板26和封裝後基板11在檢查裝置23的工作臺2上載置在相同的位置上。接著，通過使按壓部件7下降而將封裝後基板11的周圍按壓到工作臺2上。接著，使用減壓機構6抽吸封裝後基板11，從而矯正封裝後基板11的變形並使封裝後基板11緊貼在工作臺2上。在該狀態下，封裝後基板11被平坦地保持在工作臺2上。
接著，接觸位移感測器24下降並與封裝後基板11的規定位置P6接觸。在封裝後基板11的規定位置P6上，利用接觸位移感測器24測量封裝後基板11的高度位置h6。求出該測量出的封裝後基板11的高度位置h6與預先存儲的封裝前基板26的高度位置h5之間的差分(h6-h5)。該差分(h6-h5)相當於在封裝後基板11的規定位置P6上封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的厚度。如此，能夠在矯正封裝前基板26及封裝後基板11的變形而平坦地保持在工作臺2上的狀態下，在封裝後基板11的同一位置上準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度。
根據本實施方式，在檢查裝置23中，封裝前基板26及封裝後基板11在矯正變形的狀態下被緊貼並保持在工作臺2上。因此，能夠在清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下，使用接觸位移感測器24來準確地測量同一位置上的封裝後基板11所具有的基板12的高度位置h5及封裝後基板11的高度位置h6。因此，能夠由這些高度位置h6、h5及同一位置上的工作臺面的基準高度位置h4準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度。
根據本實施方式，即使在基板的面積較大的情況下，或者在基板的翹曲較大的情況下，也能矯正封裝前基板26及封裝後基板11的變形而使其緊貼並保持在工作臺2上。因此，即使在具有大面積的封裝後基板11或翹曲較大的封裝後基板11中，也能準確地測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度。
在本實施例中，為了方便說明，示出僅測量封裝後基板11所具有的基板12的一處厚度及封裝樹脂13的一處厚度的情況。不限於此，可使用接觸位移感測器24在多個位置上測量封裝後基板11所具有的基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度。此時，能求出封裝後基板11所具有的基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度的平均值和偏差。
在本實施方式中，通過使用接觸位移感測器24來分別測量同一位置上的工作臺面的基準高度位置h4、封裝後基板11所具有的基板12的高度位置h5及封裝後基板11的高度位置h6，並且求出封裝後基板11所具有的基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度。不限於此，也可以在例如開始生產時進行工作臺面的基準高度位置h4的測量並且共用其值。進行工作臺面的基準高度位置h4的測量，並且與樹脂封裝的次數相應地共用其值。這樣能夠減少基準高度位置h4的測量次數。
在本實施方式中，對於具有基板12及封裝樹脂13這雙層結構的封裝後基板11分別求出基板12的厚度及封裝樹脂13的厚度。不限於此，即使是具有三層以上結構的基板(對象)，也能在各個層中測量高度位置。通過分別求出這些測量出的高度位置的差分，能夠準確地求出各層的厚度。
此外，在本實施方式中，在封裝前基板26緊貼在工作臺2上的狀態下，利用接觸位移感測器24來測量封裝前基板26的高度位置。不限於封裝前基板26的高度位置的測量，在封裝前基板26緊貼在工作臺2上的狀態下，例如可檢查半導體晶片25的缺損狀態等。在該情況下，能夠使用接觸位移感測器、光學位移感測器、圖像識別系統或線性感測器等，來檢查半導體晶片25是否正常配置在基板12上或者半導體晶片25有無缺損等。在半導體晶片25缺損的情況下，能調整樹脂成型時供給的樹脂量。由此，即使在封裝前基板中半導體晶片缺損的情況下，也能以規定的封裝件厚度進行樹脂成型。
[實施方式6]
(樹脂成型裝置的結構)
參照第7圖，對實施方式6的樹脂成型裝置進行說明。第7圖所示的樹脂成型裝置為包括目前為止所說明的檢查裝置23的樹脂成型裝置。在第7圖中示出例如使用壓縮成型法的樹脂成型裝置。
樹脂成型裝置27包括分別作為結構要素的基板供給收納模組28、檢查模組29、三個成型模組30A、30B、30C和樹脂供給模組31。作為結構要素的基板供給收納模組28、檢查模組29、三個成型模組30A、30B、30C和樹脂供給模組31分別相對於其他結構要素能夠彼此裝卸，並且能夠更換。
在基板供給收納模組28中設置有：封裝前基板供給部32，用於供給封裝前基板26；封裝後基板收納部33，用於收納封裝後基板11；基板載置部34，用於轉交封裝前基板26和封裝後基板11；和基板運送機構35，用於運送封裝前基板26和封裝後基板11。基板載置部34在基板供給收納模組28內沿Y方向移動。基板運送機構35在基板供給收納模組28、檢查模組29及各個成型模組30A、30B、30C內沿X方向、Y方向和Z方向移動。規定位置S1為基板運送機構35在未操作狀態下待機的位置。
在檢查模組29中設置有實施方式3至5所示的檢查裝置23。檢查裝置23包括工作臺2、減壓機構6、按壓部件7和接觸位移感測器24。根據需要，使用檢查裝置23來檢查工作臺2的基準高度位置、封裝前基板26所具有的基板12的高度位置、封裝後基板11所具有的基板12的高度位置及封裝後基板11的高度位置、封裝前基板26中的半導體晶片的配置狀態等。
在各成型模組30A、30B、30C中設置有能夠升降的下模36和與下模36相對配置的上模(參照第8圖)。在下模36中設置有將被供給樹脂材料的型腔37。在下模36中設置有用於供給長形狀的離型膜的離型膜供給機構38(在第7圖中用雙點劃線表示的矩形部分)。各成型模組30A、30B、30具備對上模和下模36進行開模及合模的合模機構39(在第7圖中用雙點劃線表示的圓形部分)。
在樹脂供給模組31中設置有：X-Y工作臺40；樹脂收容部41，被載置在X-Y工作臺40上；樹脂材料投入機構42，用於向樹脂收容部41投入樹脂材料；和樹脂運送機構43，用於運送樹脂收容部41。X-Y工作臺40在樹脂供給模組31內沿X方向及Y方向移動。樹脂運送機構43在樹脂供給模組31及各個成型模組30A、30B、30C內沿X方向、Y方向和Z方向移動。規定位置R1為樹脂運送機構43在未操作狀態下待機的位置。
在基板供給收納模組28中設置有控制部CTL。控制部CTL用於控制封裝前基板26及封裝後基板11的運送、樹脂材料的運送、成型模的合模及開模、封裝前基板26及封裝後基板11的厚度測量等。控制部CTL可以設置在檢查模組29、各成型模組30A、30B、30C或樹脂供給模組31中。
(樹脂成型裝置的操作)
參照第7圖至第8圖，對使用樹脂成型裝置27來進行樹脂封裝的操作進行說明。首先，在基板供給收納模組28中，由封裝前基板供給部32向基板載置部34送出封裝前基板26。基板運送機構35從規定位置S1沿-Y方向移動，並且基板運送機構35從基板載置部34接收封裝前基板26。基板運送機構35返回至規定位置S1。
接著，例如基板運送機構35沿+X方向移動至成型模組30B的規定位置M1。在成型模組30B中，基板運送機構35沿-Y方向移動並停止在下模36上方的規定位置C1。由離型膜供給機構38向下模36供給離型膜44(參照第8圖的(a))。基板運送機構35上升以將封裝前基板26供給到上模45(參照第8圖的(a))。基板運送機構35返回至基板供給收納模組28的規定位置S1。
接著，在樹脂供給模組31中，使X-Y工作臺40沿-Y方向移動，並使樹脂收容部41停止在樹脂材料投入機構42下方的規定位置。通過使X-Y工作臺40沿X方向及Y方向移動，從樹脂材料投入機構42向樹脂收容部41供給規定量的樹脂材料。在向樹脂收容部41供給樹脂材料之後，X-Y工作臺40返回至原來的位置。
接著，使樹脂運送機構43從規定位置R1沿-Y方向移動。樹脂運送機構43接收載置在X-Y工作臺40上的樹脂收容部41。樹脂運送機構43返回至規定位置R1。樹脂運送機構43沿-X方向移動至成型模組30B的規定位置M1。
接著，在樹脂供給模組31中，樹脂運送機構43沿-Y方向移動並停止在下模36上方的規定位置C1。通過使樹脂運送機構43下降，從樹脂收容部41向型腔37供給樹脂材料46(參照第8圖的(a))。樹脂運送機構43返回至規定位置R1。此外，在第8圖的(a)中示出供給顆粒狀樹脂以作為樹脂材料的情況。
接著，如第8圖的(b)所示，通過使樹脂材料46熔化而生成流動性樹脂47。利用合模機構39(參照第7圖)使下模36上升，對上模45和下模36進行合模。通過合模，使安裝在封裝前基板26上的半導體晶片25浸漬到在型腔37內熔化的流動性樹脂47中。
接著，如第8圖的(c)所示，對流動性樹脂47進行加熱，加熱時間為流動性樹脂47的硬化所需的時間。通過使流動性樹脂47硬化而成型硬化樹脂48。由此，通過被成型為與型腔37的形狀對應的硬化樹脂48來對安裝在封裝前基板26上的半導體晶片25進行樹脂封裝
接著，如第8圖的(d)所示，在經過規定時間之後，對上模45和下模36進行開模。在上模45的型面上固定有經樹脂封裝的封裝後基板11。
接著，基板運送機構35從基板供給收納模組28的規定位置S1移動至成型模組30B的規定位置M1。進而，基板運送機構35移動至下模36上方的規定位置C1，從而利用基板運送機構35來接收封裝後基板11。
接著，基板運送機構35從成型模組30B移動至檢查模組29，並停止在檢查裝置23的工作臺2上方的規定位置E1。從基板運送機構35向檢查裝置23轉交封裝後基板11。基板運送機構35返回至規定位置S1。
接著，使用檢查裝置23，例如分別測量經樹脂封裝的封裝後基板11所具有的基板12的高度位置h2和封裝後基板11的高度位置h3(參照第5圖)。控制部CTL通過對這些高度位置進行比較而求出封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的相對厚度。
接著，通過使基板運送機構35移動至檢查裝置23的工作臺2上方的規定位置E1，從檢查裝置23接收封裝後基板11。通過使基板運送機構35移動，向基板載置部34轉交封裝後基板11。將封裝後基板11從基板載置部34收納在封裝後基板收納部33中。通過目前為止的步驟，完成樹脂封裝。
根據本實施方式，在樹脂成型裝置27的檢查模組29中設置有檢查裝置23。通過使用檢查裝置23，能夠在矯正封裝前基板26或封裝後基板11的變形而使其緊貼在工作臺2上的狀態下測量封裝前基板26所具有的基板12的高度位置、封裝後基板11所具有的基板12的高度位置及封裝後基板11的高度位置等。由此，能夠準確地求出封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的厚度。因此，能夠在樹脂成型裝置27中進行樹脂成型工序的正常管理。由此，能夠使樹脂成型裝置27穩定地工作。
在本實施方式中，示出在使用壓縮成型法的樹脂成型裝置27中設置有檢查裝置23的情況。不限於此，也可以在使用傳遞模塑法或注塑成型法的樹脂成型裝置中設置本發明的檢查裝置23。
在本實施方式中，在樹脂成型裝置27的檢查模組29中一體設置有檢查裝置23。不限於此，也可以將檢查裝置23與樹脂成型裝置27分開設置。在該情況下，可利用一台檢查裝置23來測量多個樹脂成型裝置中成型的封裝樹脂的厚度。
在各實施方式中，使用檢查裝置23所具有的接觸位移感測器24來測量工作臺2的高度位置、封裝前基板26所具有的基板12的高度位置、封裝後基板11所具有的基板12的高度位置及封裝後基板11的高度位置等。不限於此，可以使用光學位移感測器或圖像識別系統來進行同樣的測量。
在各實施方式中，示出在檢查裝置23中設置有作為檢查機構的接觸位移感測器24的情況。不限於此，可以在檢查裝置23中設置有接觸位移感測器24和影像處理系統這兩個檢查機構。在該情況下，可以使用檢查裝置23來進行封裝後基板11所具有的基板12的厚度測量、封裝後基板11所具有的封裝樹脂13的厚度測量、以及封裝後基板11的表面檢查和缺陷檢查等。此外，也可以對封裝前基板26檢查半導體晶片的缺損狀態等。
如上述，上述實施方式的保持裝置為具備如下構件的結構：工作臺，用於載置對象；多個抽吸孔，設置在工作臺上且用於抽吸對象；密封件，設置在工作臺上且包圍多個抽吸孔的周圍；按壓部件，在配置有密封件的位置上，將對象的周圍按壓到工作臺上；和減壓機構，與多個抽吸孔連接。
根據該結構，能夠矯正對象的變形而使其緊貼並保持在工作臺上。
上述實施方式的檢查裝置為具備如下構件的結構：工作臺，用於載置對象；多個抽吸孔，設置在工作臺上且用於抽吸對象；密封件，設置在工作臺上且包圍多個抽吸孔的周圍；按壓部件，在配置有密封件的位置上，將對象的周圍按壓到工作臺上；減壓機構，與多個抽吸孔連接；和檢查機構，在利用按壓部件按壓對象的周圍並且利用減壓機構經由多個抽吸孔抽吸對象的狀態下，對對象進行檢查。
根據該結構，能夠在使對象緊貼在工作臺上而清除翹曲或歪斜等變形影響的狀態下，使用檢查機構來準確地進行對象的檢查。
此外，在上述實施方式的檢查裝置中，檢查機構為包含接觸位移感測器、光學位移感測器和影像處理系統中的任一個的結構。
根據該結構，能夠準確地進行對象的厚度測量或對象的表面檢查等。
此外，樹脂成型裝置為具備上述實施方式的檢查裝置的結構。
根據該結構，能夠在樹脂成型裝置中進行樹脂成型工序的正常管理。因此，能夠使樹脂成型裝置穩定地工作。
上述實施方式的檢查方法包括以下步驟：將對象載置在設置有多個抽吸孔和包圍多個抽吸孔的周圍的密封件的工作臺上；在配置有密封件的位置上，利用按壓部件將對象的周圍按壓到工作臺上；通過按壓對象的周圍而在工作臺與對象之間形成空間；通過經由多個抽吸孔抽吸空間的空氣，將對象拉近並緊貼在工作臺上；和在使對象緊貼在工作臺上的狀態下使用檢查機構對對象進行檢查。
根據該方法，能夠在使對象緊貼在工作臺上而清除翹曲或外形等變形影響的狀態下，使用檢查機構來對對象進行準確的檢查。
此外，在上述實施方式的檢查方法中，對象為封裝前基板或封裝後基板，通過使用檢查機構來對對象進行檢查。
根據該方法，能夠在使封裝前基板或封裝後基板緊貼在工作臺上的狀態下，對封裝前基板或封裝後基板進行準確的檢查。
此外，在上述實施方式的檢查方法中，檢查方法包括以下步驟：在未將對象載置在工作臺上的狀態下，使用檢查機構來測量工作臺的基準高度資訊；和在使對象緊貼在工作臺上的狀態下，使用檢查機構來測量對象的高度資訊，該檢查方法通過對對象的高度資訊和工作臺的基準高度資訊進行比較而求出對象的厚度。
根據該方法，能夠通過在同一位置上對工作臺的基準高度資訊和在使對象緊貼在工作臺上的狀態下測量出的對象的高度資訊進行比較，從而更準確地求出對象的厚度。
此外，在上述實施方式的檢查方法中，對象具有基板和形成在基板上的絕緣體，檢查方法包括以下步驟：在使對象緊貼在工作臺上的狀態下，使用檢查機構來測量基板的高度資訊和絕緣體額高度資訊，該檢查方法通過對絕緣體的高度資訊和基板的高度資訊進行比較而求出絕緣體的厚度。
根據該方法，能夠在使具有基板和絕緣體的對象緊貼在工作臺上的狀態下，通過對基板的高度資訊和絕緣體的高度資訊進行比較而易於求出絕緣體的相對厚度。
此外，在上述實施方式的檢查方法中，檢查機構為接觸位移感測器、光學位移感測器和圖像識別系統中的任一個機構，通過使用檢查機構而測量對象的厚度。
根據該方法，能夠在使對象緊貼在工作臺上的狀態下，通過使用接觸位移感測器、光學位移感測器和圖像識別系統中的任一個機構而準確地求出對象的厚度。
此外，樹脂封裝方法在樹脂封裝之後利用上述實施方式的檢查方法來進行檢查。
根據該方法，能夠在樹脂封裝之後準確地求出基板的厚度或封裝樹脂的厚度。
此外，樹脂封裝方法在樹脂封裝之前利用上述實施方式的檢查方法來進行檢查，並且在樹脂封裝之後也利用上述實施方式的檢查方法來進行檢查。
根據該方法，能夠在樹脂封裝之前準確地求出基板的厚度，並且能夠在樹脂封裝之後準確地求出樹脂封裝的厚度。
此外，樹脂封裝品的製造方法使用上述實施方式的樹脂封裝方法來製造樹脂封裝品。
根據該製造方法，能夠在樹脂封裝之前或樹脂封裝之後進行檢查，從而製造樹脂封裝品。
本發明並不限定於上述的各實施方式，在不脫離本發明主旨的範圍內，可根據需要，任意且適當組合而進行變更或選擇性地採用。
1、16‧‧‧保持裝置
10、22‧‧‧密封件
11‧‧‧封裝後基板
13‧‧‧封裝樹脂
14‧‧‧間隙
15‧‧‧密閉空間
17、2‧‧‧工作臺
19、7‧‧‧按壓部件
20、8‧‧‧開口部
21、9‧‧‧密封用槽
23‧‧‧檢查裝置
24‧‧‧接觸位移感測器
25‧‧‧半導體晶片
26‧‧‧封裝前基板
27‧‧‧樹脂成型裝置
28‧‧‧基板供給收納模組
29‧‧‧檢查模組
3‧‧‧抽吸孔
30A、30B、30C‧‧‧成型模組
31‧‧‧樹脂供給模組
32‧‧‧封裝前基板供給部
33‧‧‧封裝後基板收納部
34‧‧‧基板載置部
35‧‧‧基板運送機構
36‧‧‧下模
37‧‧‧型腔
38‧‧‧離型膜供給機構
39‧‧‧合模機構
4、12、18‧‧‧基板
40‧‧‧X-Y工作臺
41‧‧‧樹脂收容部
42‧‧‧樹脂材料投入機構
43‧‧‧樹脂運送機構
44‧‧‧離型膜
45‧‧‧上模
46‧‧‧樹脂材料
47‧‧‧流動性樹脂
48‧‧‧硬化樹脂
5‧‧‧管道
6‧‧‧減壓機構
A‧‧‧密閉空間所占的面積
P1、P2、P3、P4、P5、P6‧‧‧規定位置
h1、h2、h3、h4、h5、h6‧‧‧高度位置
CTL‧‧‧控制部
S1、R1、M1、C1、E1‧‧‧規定位置
第1圖是表示實施方式1的保持裝置的示意圖，(a)是俯視圖，(b)是A-A線剖視圖。 第2圖的(a)至(c)是表示在實施方式1中將封裝後基板吸附並緊貼在工作臺上的過程的示意性剖視圖。 第3圖是表示實施方式2的保持裝置的示意圖，(a)是俯視圖，(b)是B-B線剖視圖。 第4圖的(a)至(b)是表示在實施方式3中對封裝後基板所具有的基板的厚度進行測量的過程的示意性剖視圖。 第5圖的(a)至(b)是表示在實施方式4中對封裝後基板所具有的封裝樹脂的厚度進行測量的過程的示意性剖視圖。 第6圖的(a)至(c)是表示在實施方式5中對封裝後基板所具有的基板及封裝樹脂的厚度分別進行測量的過程的示意性剖視圖。 第7圖是表示在實施方式6中具備檢查裝置的樹脂成型裝置的大致結構的俯視圖。 第8圖的(a)至(d)是表示使用實施方式6的樹脂成型裝置進行樹脂封裝的過程的示意性剖視圖。

Claims (12)

  1. 一種保持裝置，其包括： 工作臺，用於載置對象； 多個抽吸孔，設置在該工作臺上且用於抽吸該對象； 密封件，設置在該工作臺上且包圍該多個抽吸孔的周圍； 按壓部件，在配置有該密封件的位置上，將該對象的周圍按壓到該工作臺上；以及 減壓機構，與該多個抽吸孔連接。
  2. 一種檢查裝置，其包括： 工作臺，用於載置對象； 多個抽吸孔，設置在該工作臺上且用於抽吸對象； 密封件，設置在該工作臺上且包圍該多個抽吸孔的周圍； 按壓部件，在配置有該密封件的位置上，將該對象的周圍按壓到該工作臺上； 減壓機構，與該多個抽吸孔連接；以及 檢查機構，在利用該按壓部件按壓該對象的周圍且利用該減壓機構經由該多個抽吸孔抽吸該對象的狀態下，對該對象進行檢查。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之檢查裝置，其中該檢查機構包括接觸位移感測器、光學位移感測器和影像處理系統中的任一個。
  4. 一種樹脂封裝裝置，包括如申請專利範圍第2或3項所述之檢查裝置。
  5. 一種檢查方法，其包括以下步驟： 在設置有多個抽吸孔和包圍該多個抽吸孔的周圍的密封件的工作臺上載置對象； 在配置有該密封件的位置上，利用按壓部件將該對象的周圍按壓到該工作臺上； 通過按壓該對象的周圍，在該工作臺與該對象之間形成空間； 通過經由該多個抽吸孔抽吸該空間的空氣，將該對象拉近並緊貼在該工作臺上；以及 在使該對象緊貼在該工作臺上的狀態下，使用檢查機構對該對象進行檢查。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之檢查方法，其中該對象為封裝前基板或封裝後基板，該檢查方法通過使用該檢查機構而對該對象進行檢查。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之檢查方法，其中該檢查方法包括以下步驟： 在未將該對象載置在該工作臺上的狀態下，使用該檢查機構來測量該工作臺的基準高度資訊；以及 在使該對象緊貼在該工作臺上的狀態下，使用該檢查機構來測量該對象的高度資訊，該檢查方法通過對該對象的高度資訊和該工作臺的基準高度資訊進行比較而求出該對象的厚度。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之檢查方法，其中該對象具有基板和形成在該基板上的絕緣體，該檢查方法包括以下步驟： 在使該對象緊貼在該工作臺上的狀態下，使用該檢查機構來測量該基板的高度資訊和該絕緣體的高度資訊，該檢查方法通過對該絕緣體的高度資訊和該基板的高度資訊進行比較而求出該絕緣體的厚度。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之檢查方法，其中該檢查機構為接觸位移感測器、光學位移感測器和圖像識別系統中的任一個，該檢查方法通過使用該檢查機構而測量該對象的厚度。
  10. 一種樹脂封裝方法，該樹脂封裝方法在樹脂封裝之後利用如申請專利範圍第5至9項中之任一項所述之檢查方法來進行檢查。
  11. 一種樹脂封裝方法，該樹脂封裝方法在樹脂封裝之前利用如申請專利範圍第5或7項所述之檢查方法來進行檢查，並且在該樹脂封裝之後利用如申請專利範圍第5至9項中之任一項所述之檢查方法來進行檢查。
  12. 一種樹脂封裝品的製造方法，該樹脂封裝品的製造方法使用如申請專利範圍第10或11項所述之樹脂封裝方法來製造樹脂封裝品。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773331B (zh) * 2020-06-22 2022-08-01 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 樹脂成形裝置及樹脂成形品的製造方法
TWI786302B (zh) * 2018-09-20 2022-12-11 日商斯庫林集團股份有限公司 加熱裝置及加熱方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6952737B2 (ja) * 2019-05-24 2021-10-20 Ｔｏｗａ株式会社 保持部材、検査機構、切断装置、保持対象物の製造方法及び保持部材の製造方法
JP2021093479A (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 冷却装置、冷却方法および半導体パッケージの製造方法
JP7368263B2 (ja) * 2020-02-14 2023-10-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN113437199A (zh) * 2021-06-29 2021-09-24 顺德职业技术学院 一种提高led显示器视效的封装胶的成模装置
EP4333585A1 (en) * 2022-08-31 2024-03-06 Nexperia B.V. Carrier positioning device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697674B2 (ja) * 1986-02-19 1994-11-30 キヤノン株式会社 ボ−ル接触型ウエハチヤツク
KR100207451B1 (ko) * 1995-12-14 1999-07-15 윤종용 반도체 웨이퍼 고정장치
JP2003158173A (ja) * 2001-11-20 2003-05-30 Oki Electric Ind Co Ltd ウェハホルダ
JP4408351B2 (ja) 2002-10-24 2010-02-03 リンテック株式会社 アライメント装置
JP2006170733A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Sharp Corp 基板位置決め保持方法及び装置
JP2007201275A (ja) 2006-01-27 2007-08-09 Fuji Mach Mfg Co Ltd 基板吸着移送装置
JP4990636B2 (ja) * 2007-01-11 2012-08-01 株式会社アルバック 搬送トレーを用いた真空処理装置
US20080302481A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Tru-Si Technologies, Inc. Method and apparatus for debonding of structures which are bonded together, including (but not limited to) debonding of semiconductor wafers from carriers when the bonding is effected by double-sided adhesive tape
KR200463459Y1 (ko) * 2008-01-23 2012-11-05 세크론 주식회사 반도체 소자 두께 측정 유닛을 구비하는 수지 몰딩 장치
JP5247175B2 (ja) * 2008-02-06 2013-07-24 株式会社アルバック 真空処理装置
CN101393885A (zh) * 2008-10-31 2009-03-25 中茂电子(深圳)有限公司 晶圆检测机台用固定/释放辅助装置、该检测机台及方法
JP2010199227A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP5411094B2 (ja) * 2010-08-27 2014-02-12 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止済基板の冷却装置、冷却方法及び搬送装置、並びに樹脂封止装置
KR101950894B1 (ko) * 2011-11-08 2019-04-22 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 수지 밀봉 장치
CN202473871U (zh) * 2012-02-09 2012-10-03 青岛嘉星晶电科技股份有限公司 晶片表面平整度测量装置
JP2015126035A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20150235871A1 (en) * 2014-02-18 2015-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Vacuum laminating apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus
JP6298719B2 (ja) * 2014-06-09 2018-03-20 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP6423660B2 (ja) * 2014-09-09 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置における検査用圧力設定値決定方法
JP5897686B1 (ja) * 2014-10-24 2016-03-30 Ｔｏｗａ株式会社 ワーク吸着板、ワーク切断装置、ワーク切断方法、およびワーク吸着板の製造方法
JP2016127086A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板吸着補助部材及び基板搬送装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI786302B (zh) * 2018-09-20 2022-12-11 日商斯庫林集團股份有限公司 加熱裝置及加熱方法
TWI773331B (zh) * 2020-06-22 2022-08-01 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 樹脂成形裝置及樹脂成形品的製造方法

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Publication number Publication date
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KR102299836B1 (ko) 2021-09-09
JP2018074093A (ja) 2018-05-10
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