KR20230050234A - 기판 반송 방법, 기판 반송 장치, 성형 방법, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

기판 반송 방법, 기판 반송 장치, 성형 방법, 및 물품 제조 방법 Download PDF

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KR20230050234A
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Abstract

기판을 제1 장치로부터 제2 장치에 반송하는 방법이 제공된다. 기판에 제1 장치에 있을 때 기판에 재료가 도포된다. 제1 및 제2 보유지지부를 포함하는 기판 반송 장치가 사용된다. 제1 단계로서, 기판은 제1 장치 적재면으로부터 기판 반송 장치에 전달된다. 그 후 기판은 제1 장치로부터 제2 장치에 반송된다. 그 후 기판은 제1 보유지지부로부터 제2 장치에 전달된다. 제1 단계에서, 기판 아래의 공간에 제1 보유지지부가 삽입된 상태에서 제1 보유지지부를 상승시키는 것은, 제1 보유지지부가 기판을 보유지지하게 하며, 제2 보유지지부가, 기판과 대면하는 보호 부재 면과 반대측의 보호 부재 면에 제공된 보유지지 및 수용부를 보유지지함으로써, 보호 부재를 보유지지하게 한다.

Description

기판 반송 방법, 기판 반송 장치, 성형 방법, 및 물품 제조 방법{SUBSTRATE CONVEYANCE METHOD, SUBSTRATE CONVEYANCE APPARATUS, MOLDING METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 개시내용은 기판 반송 방법, 기판 반송 장치, 성형 방법, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
경화성 조성물 등의 재료가 도포된 기판과 몰드를 서로 접촉시킴으로써 재료를 성형하는 성형 장치가 알려져 있다. 이러한 성형 장치의 예는 임프린트 장치 및 평탄화 장치를 포함한다. 임프린트 장치에서는, 대응하는 패턴을 갖는 몰드를 사용함으로써, 기판 상에 도포된 재료에 패턴을 형성할 수 있다. 평탄화 장치에서는, 평탄면을 갖는 몰드를 사용함으로써, 기판 상에 도포된 재료를 평탄화할 수 있다.
재료를 기판에 도포하는 단계는 상술한 성형 장치와는 다른 장치에 의해 실행될 수 있다. 이 경우, 재료를 기판에 도포한 후에 기판을 반송하는 단계가 발생하기 때문에, 재료를 기판에 도포하고 나서 성형을 행할 때까지 시간이 걸린다. 따라서, 예를 들어, 재료의 처리 전의 재료의 증발로 의해, 예를 들어 평탄화 처리에 요구되는 평탄도를 달성할 수 없을 가능성이 있다.
또한, 기판을 반송하는 단계에서, 기판 상에 이물(파티클)이 부착될 가능성이 있을 수 있다. 기판에 이물이 부착된 상태에서 재료를 성형하는 경우에는, 요구되는 평탄도를 달성할 수 없을 가능성이 있다. 상술한 성형 장치뿐만 아니라, 노광 장치를 포함하는 모든 리소그래피 장치에서, 기판 상에 도포된 재료가 증발하거나 기판 상에 이물이 부착되는 것은 바람직하지 않다. 일본 특허 출원 공개 제2003-92335호는, 기판의 상부를 덮는 분진 부착 방지 유닛을 포함하는 기판 반송 장치를 개시하며, 기판에의 이물의 부착을 저감하는 방법을 개시한다.
일본 특허 출원 공개 공보 제2003-92335호는, 가동식의 분진 부착 방지 유닛을 개시하며, 기판의 전달 시에 분진 부착 방지 유닛을 구동함으로써, 기판의 전달을 가능하게 한다. 그러나, 기판의 전달 시에, 분진 부착 방지 유닛을 구동함으로써 공기의 흐름이 발생할 가능성이 있어, 재료가 증발할 수 있는 상황을 초래할 수 있다.
본 개시내용은 기판 상에 도포된 재료의 증발을 저감하는데 유리한 기판 반송 방법에 관한 것이다.
본 개시내용의 양태에 따르면, 기판을 보유지지하도록 구성되는 제1 보유지지부 및 상기 기판의 상면을 보호하는 보호 부재를 보유지지하도록 구성되는 제2 보유지지부를 포함하는 기판 반송 장치를 사용하여, 제1 장치에 적재되고 재료가 도포된 상기 기판을, 상기 제1 장치와는 다른 제2 장치에 반송하는 기판 반송 방법은, 상기 기판을 상기 제1 장치의 적재면으로부터 상기 기판 반송 장치에 전달하는 제1 단계, 상기 기판을 상기 제1 장치로부터 상기 제2 장치에 반송하는 제2 단계, 및 상기 기판을 상기 제1 보유지지부로부터 상기 제2 장치에 전달하는 제3 단계를 포함하며, 상기 제1 단계에서, 상기 기판 아래의 공간에 상기 제1 보유지지부가 삽입된 상태에서 상기 제1 보유지지부를 상승시키는 것은, 상기 제1 보유지지부가 상기 기판을 보유지지하게 하고, 상기 제2 보유지지부가, 상기 기판과 대면하는 상기 보호 부재의 면과 반대측의 상기 보호 부재의 면에 제공된 보유지지 및 수용부를 보유지지함으로써, 상기 보호 부재를 보유지지하게 한다.
본 개시내용의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 평탄화 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2a, 도 2b, 및 도 2c는 평탄화 처리를 도시하는 도면이다.
도 3은 기판 반송 장치에 관련된 유닛을 도시하는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 기판 반송 장치 및 보호 부재를 각각 도시하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 기판을 전달하는 단계를 도시하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6f는 물품 제조 방법을 도시하는 도면이다.
이하에, 본 개시내용의 예시적인 실시형태를 첨부의 도면에 기초하여 설명한다. 도면에서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 첨부하고, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다.
경화성 조성물 같은 재료가 도포된 기판과 템플릿을 서로 접촉시킴으로써 재료를 성형하는 성형 장치가 알려져 있다. 이러한 성형 장치의 예는 임프린트 장치 및 평탄화 장치를 포함한다. 도 1은 제1 예시적인 실시형태에 따른 성형 장치로서의 평탄화 장치(100)의 구성을 개략적으로 도시한다. 본 예시적인 실시형태에서는, 중력 방향을 Z축 방향으로 정의하고, Z축 방향에 대하여 수직인 면을 XY 평면으로 정의한다. 일반적으로는, 피처리 물체인 기판(1)은 기판(1)의 표면이 XY 평면과 평행해지도록 기판 스테이지(3) 위에 놓인다.
기판(1) 상의 기초 패턴은, 전 단계에서 형성된 패턴에 기인하는 요철 프로파일을 갖는다. 특히, 최근의 메모리 소자의 다층 구조화의 진행에 수반하여, 피처리 기판(1)은 약 100 nm의 단차를 가질 수 있다. 이러한 요철 프로파일의 영향으로 인해, 기판(1)이 노광 장치의 초점 심도(DOF)로부터 벗어날 수 있는 가능성이 있다. 종래, 기판(1) 상의 기초 패턴을 평탄화하는 방법으로서, 예를 들어 스핀-온 카본(spin-on carbon)(SOC) 또는 화학적 기계 연마(CMP)를 사용해서 평탄화층을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 어떤 상황하에서는, 종래 기술에 의해 충분한 평탄도가 얻어질 수 없고, 이 후 다층 구조화의 진행으로 인해 기초 패턴의 요철 차는 더 증가하는 경향이 있다.
평탄화 장치는, 기판에 미리 공급된 미경화 조성물에, 평탄면을 갖는 템플릿(평면 템플릿)을 접촉시켜서 기판의 표면을 국소적으로 평탄화한다. 그 후, 조성물과 평면 템플릿이 서로 접촉하는 상태에서, 조성물을 경화시키고, 경화된 조성물로부터 평면 템플릿을 분리한다. 이러한 방식으로, 기판 상에 평탄화층이 형성된다. 평탄화 장치는, 기판의 단차에 대응하는 양의 조성물을 적하물로 도포하기 때문에, 기존의 방법보다 더 높은 평탄화 정밀도를 갖는 것이 기대된다.
평탄화 장치(100)는, 가압 부재인 템플릿(9)을 사용해서 기판(1) 상의 조성물을 성형한다. 평탄화 장치(100)는, 기판(1) 상의 재료에 템플릿(9)을 접촉시킨 상태에서 조성물을 경화시키고, 경화된 조성물로부터 템플릿(9)을 분리하는 것으로 기판(1) 상에 재료의 평탄화층을 형성한다.
기판(1)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼일 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 기판(1)은, 알루미늄, 티타늄-텅스텐 합금, 알루미늄-규소 합금, 알루미늄-구리-규소 합금, 산화규소, 질화규소 등으로부터 선택되는 원하는 재료로 형성될 수 있다. 또한, 기판(1)으로서, 실란 커플링 처리, 실라잔 처리, 또는 유기 박막 형성 처리 같은 표면 처리를 사용해서 접착층을 형성해서 조성물에 대한 접착성이 향상된 기판을 사용할 수 있다. 기판(1)은 전형적으로는 직경이 300 mm인 원형이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
템플릿(9)은 광 조사 단계를 고려해서 광투과 재료로 형성될 수 있다. 이러한 재료는, 예를 들어 유리, 석영, 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리카르보네이트 수지 같은 광투과 수지, 투명 금속 증착막, 폴리디메틸실록산 막 같은 가요성 막, 광경화 막, 또는 금속 막일 수 있다. 템플릿(9)은 300 mm보다 크고 500 mm보다 작은 직경의 원형이 바람직하지만, 이것에 한정되지 않는다. 템플릿(9)의 두께는 바람직하게는 0.25 mm 이상 2 mm 미만이지만, 이것에 한정되지 않는다.
조성물은, 광이 조사되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물, 예를 들어 자외선(UV) 경화성 액체일 수 있다. UV 경화성 액체로서는, 전형적으로는 아크릴레이트 액체 또는 메타크릴레이트 액체 같은 모노머 액체가 사용될 수 있다. 경화성 조성물은 성형가능 재료라고도 지칭될 수 있다. 이하에서는, 성형가능 재료를 단순히 "재료"라고도 지칭한다.
평탄화 장치(100)의 구성에 대해서 설명한다. 평탄화 장치(100)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 척(2), 기판 스테이지(3), 베이스 정반(4), 지주(5), 천장판(6), 가이드 바아(7), 지주(8), 템플릿 척(11), 헤드(12), 및 얼라인먼트 스코프 선반(13)을 포함한다. 평탄화 장치(100)는 압력 조정 유닛(15), 공급 유닛(17), 얼라인먼트 스코프(19), 광원(20), 스테이지 구동 유닛(21), 세정 유닛(23), 입력 유닛(24), 및 제어 유닛(200)을 더 포함한다. 기판 척(2) 및 기판 스테이지(3)는 기판(1)을 보유지지해서 이동시킬 수 있다. 템플릿 척(11) 및 헤드(12)는 템플릿(9)을 보유지지해서 이동시킬 수 있다.
기판(1)은, 반송 핸드(제1 보유지지부)를 포함하는 기판 반송 장치(18)에 의해, 평탄화 장치(100)의 외부로부터 평탄화 장치(100) 안으로 반송되며, 기판 척(2)에 의해 보유지지된다.
기판 스테이지(3)는, 베이스 정반(4)에 의해 지지되고, 기판 척(2)에 의해 보유지지된 기판(1)을 미리결정된 위치에 정렬하기 위해서 X 방향 및 Y 방향으로 구동된다. 스테이지 구동 유닛(21)은, 예를 들어 리니어 모터나 에어 실린더를 포함하여, 기판 스테이지(3)를 XY 평면 내에서 구동한다. 대안적으로, 스테이지 구동 유닛(21)은 기판 스테이지(3)를 2축 이상의 방향(예를 들어, 6축 방향)으로 구동하는 기능을 가질 수 있다. 또한, 스테이지 구동 유닛(21)은, 회전 기구를 포함하여 기판 척(2) 또는 기판 스테이지(3)를 Z축 주위로 회전시킬 수 있다.
가압 부재인 템플릿(9)은, 반송 핸드를 포함하는 플레이트 반송 장치(22)에 의해 평탄화 장치(100)의 외부로부터 반송되며, 템플릿 척(11)에 의해 보유지지된다. 템플릿(9)은, 예를 들어 원형 또는 사각형이며, 기판(1)의 상에 배치된 재료와 접촉하는 평탄면(10)을 포함하는 제1 면과, 제1 면의 반대측의 제2 면을 갖는다. 평탄면(10)의 크기는, 본 예시적인 실시형태에서는, 기판(1)의 크기와 동일하거나 그보다 크다. 템플릿 척(11)은, 헤드(12)에 의해 지지되고, 템플릿(9)의 θZ 방향의 위치(Z축 둘레의 기울기)를 보정하는 기능을 가질 수 있다. 템플릿 척(11) 및 헤드(12)는 각각, 광원(20)으로부터 콜리메이터 렌즈를 통해서 방출되는 광(자외선)을 통과시키는 개구를 갖는다. 템플릿 척(11)은 템플릿(9)을 기계적으로 보유지지하는 보유지지부로서 기능한다. 예를 들어, 템플릿 척(11)은, 템플릿(9)의 제2 면이 위를 향하는 상태에서 해당 제2 면을 끌어 당겨서 템플릿(9)을 보유지지한다. 헤드(12)는 템플릿 척(11)을 기계적으로 보유지지한다. 템플릿 척(11) 및 헤드(12)는 평탄화 막 형성 처리를 행하는 형성 유닛으로서 기능한다. 헤드(12)는, 템플릿(9)을 기판(1) 상의 재료와 접촉시키고 템플릿(9)을 기판(1) 상의 재료로부터의 분리하는 때에 기판(1)과 템플릿(9) 사이의 거리를 결정하기 위한 구동 기구(도시되지 않음)를 포함하며, 템플릿(9)을 Z 방향으로 이동시킨다. 헤드(12)의 구동 기구는, 리니어 모터, 에어 실린더, 또는 보이스 코일 모터 등의 액추에이터를 포함할 수 있다. 템플릿 척(11) 또는 헤드(12)에는 기판(1) 상의 재료에 대한 템플릿(9)의 가압력을 계측하기 위한 로드셀이 제공될 수 있다.
플레이트 변형 기구는 공간 영역(A)을 밀봉 공간으로 만드는 밀봉 부재(14)를 포함한다. 공간 영역(A)은 템플릿 척(11) 내부에 존재하는 공간 및 템플릿(9)에 의해 둘러싸이는 내부 공간에 의해 형성된다. 플레이트 변형 기구는 템플릿 척(11) 외부에 제공되어 공간 영역(A) 내의 압력을 조정하는 압력 조정 유닛(15)을 더 포함한다. 밀봉 부재(14)는, 석영 유리 등으로 이루어진 광투과 평판 부재로 형성되고, 그 일부에, 압력 조정 유닛(15)에 연결되는 배관(16)을 위한 연결구(도시되지 않음)를 포함한다. 압력 조정 유닛(15)은, 공간 영역(A)의 압력을 상승시킴으로써, 템플릿(9)이 기판(1) 측을 향해 볼록하게 변형되는 양을 증가시킬 수 있다. 압력 조정 유닛(15)은, 공간 영역(A)의 압력을 저하시킴으로써, 템플릿(9)이 볼록하게 변형되는 양을 감소시킬 수 있다. 베이스 정반(4)에는 천장판(6)을 지지하는 지주(5)가 제공된다. 가이드 바아(7)는, 천장판(6)에 현수되고, 얼라인먼트 스코프 선반(13)을 관통하며, 헤드(12)에 고정된다. 얼라인먼트 스코프 선반(13)은 지주(8)를 통해서 천장판(6)에 현수된다. 가이드 바아(7)는 얼라인먼트 스코프 선반(13)을 관통한다. 얼라인먼트 스코프 선반(13)에는, 예를 들어, 사입사 상 어긋남 방식을 사용하여, 기판 척(2)에 의해 보유지지되는 기판(1)의 높이(평탄도)를 계측하기 위한 높이 계측 시스템(도시되지 않음)이 제공된다.
얼라인먼트 스코프(19)는, 기판 스테이지(3)에 제공된 기준 마크와 템플릿(9)에 제공된 얼라인먼트 마크를 관찰하기 위한 광학 시스템 및 촬상 시스템을 포함한다. 템플릿(9)에 얼라인먼트 마크가 제공되어 있지 않을 경우에는, 얼라인먼트 스코프(19)는 반드시 제공되지는 않아도 된다. 얼라인먼트 스코프(19)는, 기판 스테이지(3)에 제공된 기준 마크와 템플릿(9)에 제공된 얼라인먼트 마크 사이의 상대적인 위치를 계측하고, 그 사이의 위치 어긋남을 보정하는 얼라인먼트 동작을 위해 사용된다.
본 예시적인 실시형태에서, 후술하는 바와 같이, 재료가 기판(1) 상에 도포되어 있는 상태에서 기판 반송 장치(18)에 의해 기판(1)을 평탄화 장치(100)에 반송하며, 따라서 공급 유닛(17)은 필수적인 구성요소가 아니지만, 공급 유닛(17)이 제공될 수 있다. 공급 유닛(17)은, 기판(1) 상으로 미경화 재료를 토출하는 토출구(노즐)를 갖는 디스펜서를 포함하고, 기판(1) 상에 재료를 공급(도포)한다.
공급 유닛(17)은, 예를 들어 피에조-제트 방법 또는 마이크로-솔레노이드 방법을 채용하며, 기판(1) 상에 약 1 피코리터의 미소한 용적의 재료를 공급할 수 있다. 공급 유닛(17)에서의 토출구의 수는 특별히 한정되지 않고, 1개일 수 있거나(싱글 노즐이 사용될 수 있거나) 또는 2개 이상(예를 들어, 100개 이상)일 수 있다. 공급 유닛(17)은 1 열의 노즐 또는 복수 열의 노즐을 갖는 리니어 노즐 어레이를 포함할 수 있다. 본 예시적인 실시형태에서, 재료가 도포되어 있는 기판(1)을 평탄화 장치(100)에 반송하고, 공급 유닛(17)은 재료를 기판(1) 상에 더 도포할 수 있다.
세정 유닛(23)은, 템플릿(9)이 템플릿 척(11)에 의해 보유지지된 상태에서, 템플릿(9)을 세정한다. 세정 유닛(23)은, 본 예시적인 실시형태에서는, 기판(1) 상의 경화된 재료로부터 템플릿(9)을 분리하는 것에 의해, 템플릿(9)에 부착된 재료, 특히, 평탄면(10)에 부착된 재료를 제거한다. 세정 유닛(23)은, 예를 들어 템플릿(9)에 부착된 재료를 닦아낼 수 있거나, 또는 UV 조사, 웨트 세정, 드라이 플라스마 세정을 사용해서 템플릿(9)에 부착된 재료를 제거할 수 있다.
제어 유닛(200)은, 중앙 처리 유닛(CPU) 및 메모리를 포함하는 컴퓨터 장치이며, 평탄화 장치(100)를 전체적으로 제어한다. 제어 유닛(200)은, 평탄화 장치(100)의 구성요소를 통괄적으로 제어해서 평탄화 처리를 행하는 처리 유닛으로서 기능한다. 본 예시적인 실시형태에서, 평탄화 처리란, 템플릿(9)의 평탄면(10)을 기판(1) 상의 재료에 접촉시켜서 평탄면(10)이 기판(1)의 표면 프로파일을 추종하고 재료를 평탄화하게 하는 처리이다. 평탄화 처리는, 일반적으로는, 로트 단위로, 즉, 동일한 로트에 포함되는 복수의 기판 각각에 대하여 행하여진다.
이어서, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여, 평탄화 장치(100)를 사용한 평탄화 처리에 대해서 설명한다. 도 2a는, 기초 패턴(1a)이 형성되어 있는 기판(1) 상에 재료(IM)가 배치되어 있는 상태를 나타낸다. 이어서, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 기판(1) 상의 재료(IM)와 템플릿(9)의 평탄면(10)을 서로 접촉시킨다. 템플릿(9)이 재료(IM)를 가압함으로써 재료(IM)는 기판(1)의 전체에 걸쳐 퍼진다. 도 2b는, 템플릿(9)의 전체 평탄면(10)이 기판(1) 상의 재료(IM)에 접촉하고, 템플릿(9)의 평탄면(10)이 기판(1)의 표면 프로파일을 추종하는 상태를 나타낸다. 그리고, 도 2b에 나타내는 상태에서, 광원(20)으로부터 템플릿(9)을 통해서 기판(1) 상의 재료(IM)에 광이 방출되어, 재료(IM)를 경화시킨다. 그 후, 기판(1) 상의 경화된 재료(IM)로부터 템플릿(9)이 분리된다. 이러한 방식으로, 기판(1)의 전체면에서 균일한 두께의 재료(IM)의 층(평탄화층)이 형성된다. 도 2c는 기판(1) 상에 재료(IM)의 평탄화층이 형성된 상태를 나타내고 있다.
이어서, 도 3을 참조하여, 기판(1)이 반입 스테이션(25)에 반송된 후 기판(1)이 반출 스테이션(26)에 반송되기 전의 기간에 기판(1)이 통과하는 유닛에 대해서 설명한다. 도 3은 기판 반송 장치(18)에 관련된 구성을 도시한다. 반입 스테이션(25) 및 반출 스테이션(26)은 기판(1)을 주고 받는 인터페이스부이다. 기판 반송 장치(18)는 도 3에 나타내는 유닛 사이에서 기판(1)을 반송한다.
유닛(27)은, 평탄화 장치(100)에 의해 행해지는 평탄화 처리를 위한 전처리를 행하며, 예를 들어 재료를 기판(1) 상에 도포하는 장치일 수 있다. 유닛(27)에 의해 전처리된 기판(1)은 평탄화 장치(100)에 반송된다. 대안적으로, 유닛(27) 대신에, 기판(1)에 부착되어 있는 이물을 검사하는 이물 검사 유닛 또는 기판(1)의 온도를 미리결정된 온도로 되도록 조정하는 온도 조정 유닛에 의해 전처리가 행해질 수 있다. 재료를 기판(1) 상에 도포하는 장치는 도 3에 나타내는 구성 외부의 유닛일 수 있다. 이 경우에는, 재료가 도포된 기판(1)이 반입 스테이션(25)에 반입된다.
평탄화 장치(100)는, 기판(1) 상의 재료를 평탄화하는 평탄화 처리를 실행한다. 처리 후에, 기판(1)은 기판 반송 장치(18)에 의해 반출 스테이션(26)에 반송된다. 대안적으로, 기판(1)은 반출 스테이션(26)에 반송되기 전에 후처리를 행하는 유닛을 통과할 수 있다.
이어서, 재료의 증발 또는 이물의 부착에 의해 야기되는 영향에 대해서 설명한다. 기판(1) 상에 재료가 도포된 후 평탄화 장치(100)에 의해 평탄화 처리가 행해지기 전의 기간에, 반송 단계가 행해지기 때문에 재료의 증발이 일어날 수 있다. 이러한 경우에는, 평탄화 처리에서 원하는 정밀도(평탄도)를 충족하는데 실패할 수 있다. 본 예시적인 실시형태는 기판(1) 상에 도포된 재료의 증발을 저감하는 것을 가능하게 한다. 또한, 본 예시적인 실시형태는, 기판(1) 상에 이물이 부착되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 이물에 기인한 평탄화 처리의 정밀도 저하를 억제할 수도 있다.
이어서, 기판 반송 장치(18)의 구성 및 기판 반송 장치(18)를 사용해서 기판(1)을 반송하는 방법에 대해서 설명한다. 도 4a는 기판 반송 장치(18)의 구성을 도시하는 도면이다. 기판 반송 장치(18)는, 제1 보유지지(28), 제2 보유지지(29), 및 관절 유닛(30)을 포함한다. 제1 보유지지부(28)는, 기판(1)을 그 위에 탑재하고, 진공에서 기판(1)을 흡착하는 진공 척킹 유닛 또는 정전기력을 사용해서 기판(1)을 흡착하는 정전 척킹 유닛을 사용해서 기판(1)의 저면을 보유지지하도록 구성된다. 제2 보유지지부(29)는 후술하는 보호 부재(31)를 보유지지하기 위해서 제공된다. 관절 유닛(30)은, 회전 기구를 포함하며, 기판(1)을 각각의 유닛에 반송할 수 있다. 기판 반송 장치(18)는, 고정밀 구동을 위해, 리니어 모터, 위치 계측을 위한 간섭계, 또는 인코더를 포함할 수 있다.
도 4b는 기판 반송 장치(18)가 기판(1)을 반송하는 상태를 도시한다. 기판(1)의 상면 위에는, 제2 보유지지부(29)에 의해 보유지지되는 보호 부재(31)가 배치된다. 보호 부재(31)가 기판(1)에 근접해서 배치되어 있는 것에 의해, 기판(1)에 도포되어 있는 재료의 증발을 억제할 수 있다. 또한, 기판(1)에 대한 이물의 부착을 저감할 수 있다. 보호 부재(31)는 기판(1)의 상면을 덮도록 배치된다. 도 4b에 나타내는 바와 같이, 보호 부재(31)는 기판(1)의 측면도 덮도록 배치되는 것이 바람직하다.
보호 부재(31)가 보호 부재(31)의, 기판(1)과 대면하는 면과 반대측의 면에 제공된 제2 보유지지부(29)에 의해 보유지지될 수 있도록, 보호 부재(31) 상에는 보유지지 및 수용부(32)가 제공된다. 보유지지 및 수용부(32) 각각에는, 예를 들어 제2 보유지지부(29)가 삽입될 수 있는 공간이 제공된다. 제2 보유지지부(29)에는, 제1 보유지지부(28)와 마찬가지로, 진공 척킹 유닛 또는 정전 척킹 유닛이 제공될 수 있다. 복수의 보유지지 및 수용부(32)가 제공될 수 있다.
여기서, 재료의 증발 및 이물의 부착을 저감하기 위해서 보호 부재(31)의 하면(기판(1)과 대면하는 면)을 기판(1)의 상면(보호 부재(31)와 대면하는 면)에 대하여 어느 정도 근접시키는지에 대해서 설명한다. 일반적으로, 유체는 고체와의 경계면으로부터의 거리에 따라 점성이 발생한다. 경계면 근방의 극히 좁은 영역에서 점성의 영향이 발생하고, 경계면으로부터 먼 영역에서는 점성의 영향이 거의 발생하지 않는다. 본 예시적인 실시형태에 따른 기판 반송 장치(18)는, 기판(1)과 보호 부재(31)를 서로 근접하게 배치함으로써, 기판(1)과 보호 부재(31) 사이에 유체의 점성이 발생하는 공간을 제공한다.
원형 배관을 흐르는 점성 성질을 갖는 유체의 정상 층류해로서 하겐-포아젤 흐름식(Hagen-Poiseuille flow equation)이 알려져 있다. 하겐-포아젤 흐름식을 변형해서 정지한 2매의 병행 평판으로 끼워진 유체의 유속을 나타냄으로써, 평면 포아젤 흐름식이 얻어진다. 평면 포아젤 흐름식은, 평판에 가까운 위치에서는 유속이 느리고 평판으로부터 먼 위치에서는 유속이 빠른 것을 나타낸다. 환언하면, 평면 포아젤 흐름식은, 2매의 병행 평판 사이의 거리를 감소시키면, 그 사이 공간의 유속이 느려지고 그 사이를 흐르는 유체가 이동하기 어려워지는 것을 나타낸다. 유사하게, 본 예시적인 실시형태에서도, 기판(1)의 상면과 보호 부재(31)의 하면 사이의 거리를, 예를 들어 2 mm 이하가 되도록 설정함으로써, 측면으로부터의 기체의 유입을 저감하는 효과를 기대할 수 있다. 따라서, 기판(1)에의 이물의 부착을 감소시킬 수 있다. 또한, 평면 포아젤 흐름식에 따라, 기판(1)의 상면과 보호 부재(31)의 하면 사이의 거리를 더 감소시킴으로써, 상기의 효과를 더 향상시킬 수 있다. 기체의 종류에 따라 점성 성질이 다르므로, 적절히 기판(1)의 상면과 보호 부재(31)의 하면 사이의 최적 거리를 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 기판(1)과 보호 부재(31) 사이의 접촉은 기판(1) 상의 재료에 영향을 미치기 때문에, 기판(1)과 보호 부재(31)를 서로 접촉시키지 않는 것이 바람직하다.
또한, 보호 부재(31)에 통기 구멍을 제공하고, 보호 부재(31)와 기판(1) 사이의 공간이 외기에 대하여 양압이 되도록 통기 구멍으로부터 분위기 가스를 취입한다. 이러한 방식으로, 이물의 유입을 감소시키는 효과를 향상시킬 수 있다.
또한 기판(1) 상의 재료의 증발은 기판(1)과 보호 부재(31)를 서로 근접시켜서 배치함으로써 감소될 수 있다. 기판(1)의 상면과 보호 부재(31)의 하면 사이의 거리를 작게 함으로써, 기체가 공간에 대해 유입 및 유출하는 것이 어려워진다. 따라서, 공간 내에서 재료의 포화 증기의 양을 유지하고, 재료의 증발을 억제할 수 있다. 재료의 종류에 따라 포화 증기의 양 등의 성질이 다르기 때문에, 적절히 기판(1)의 상면과 보호 부재(31)의 하면 사이의 최적 거리를 설정하는 것이 바람직하다.
본 예시적인 실시형태에서는, 보호 부재(31)는 기판(1)과 반대측의 보호 부재(31)의 면에서 제2 보유지지부(29)에 의해 보유지지된다. 보호 부재(31)가 기판(1)과 대면하는 측의 보호 부재(31)의 면으로부터 제2 보유지지부(29)에 의해 보유지지되는 경우에는, 기판(1)과 보호 부재(31) 사이에 제2 보유지지부(29)가 배치된다. 이 경우, 보호 부재(31)를 기판(1)에 대하여 충분히 근접해서 배치할 수 없다. 따라서, 본 예시적인 실시형태에 따른 효과가 저감될 수 있는 가능성이 있다. 또한, 기판(1)과 보호 부재(31) 사이에 제2 보유지지부(29)가 배치되지 않도록 보호 부재(31) 부근의 영역을 제2 보유지지부(29)에 의해 보유지지하는 경우에는, 보호 부재(31)가 왜곡될 수 있는 가능성이 있다. 보호 부재(31)와 기판(1)이 서로 근접한 상태에서 보호 부재(31)가 왜곡되는 경우, 보호 부재(31)와 기판(1) 상의 재료가 서로 접촉할 수 있는 가능성이 있다. 본 예시적인 실시형태에서는, 제2 보유지지부(29)가 보호 부재(31)의, 기판(1)과 대면하는 면과 반대측의 면에서 보호 부재(31)를 보유지지하기 때문에, 보호 부재(31)의 왜곡을 야기하지 않도록 보유지지 및 수용부(32)의 위치를 적절히 설정하는 것이 가능하다.
또한, 본 예시적인 실시형태는, 보유지지 및 수용부(32)가 보호 부재(31)의, 기판(1)과 대면하는 면에 제공되는 경우에 비해, 제2 보유지지부(29)와 보유지지 및 수용부(32) 사이의 접촉으로 인해 발생할 수 있는 분진이 기판(1)에 부착되는 것을 방지할 수 있는 점에서 유리하다.
예를 들어, 보호 부재(31)에는 광투과 재료(예를 들어, 석영)가 사용될 수 있다. 이러한 재료가 사용되는 경우에는, 광을 사용한 각종 계측 등의 기판(1)의 상면과 비접촉 상태에서 행해질 수 있는 기판 처리를, 보호 부재(31)를 배치한 상태에서 행할 수 있다. 또한, 보호 부재(31)에 정전기력을 가하여 이물을 끌어당기는 것에 의해, 기판(1)에 이물이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 5a 내지 도 5d를 참고하여, 재료가 도포된 기판(1)을 기판 반송 장치(18)를 사용해서 유닛(27)(제1 장치)으로부터 평탄화 장치(100)(제2 장치)로 반송할 때까지의 절차에 대해서 설명한다. 도 5a는, 유닛(27)의 스테이지(33)에 기판(1)이 적재되어 있고, 유닛(27)의 보유지지부(34)가 보유지지 및 수용부(32a)를 보유지지하여 보호 부재(31)를 보유지지하고 있는 상태를 나타낸다.
도 5b에 나타내는 바와 같이, 스테이지(33)의 적재면(기판(1)이 적재되는 면)으로부터 돌출부(35)가 돌출되어 기판(1)을 상승시킨다. 이때, 돌출부(35)는, 기판(1)이 보호 부재(31)에 접촉하지 않도록 기판(1)을 상승시킨다. 돌출부(35)를 돌출시키는 대신에, 유닛(27)의 스테이지(33)에 제1 보유지지부(28)를 삽입할 수 있는 홈이 형성될 수 있다.
이어서, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 제1 보유지지부(28)를 기판(1) 아래의 공간에 삽입하고, 제2 보유지지부(29)를 보유지지 및 수용부(32b)에 제공되어 있는 공간에 삽입한다. 도 5a 내지 도 5d에서는, 설명을 위해서, 보유지지 및 수용부(32a, 32b) 각각이 마치 상부와 하부로 분할되어 있는 것처럼 도시된다. 보유지지 및 수용부(32a, 32b) 각각은, 예를 들어 제2 보유지지부(29)를 삽입할 수 있도록, 관통 구멍을 구비하거나 U자 형상을 가질 수 있다.
이어서, 도 5c에 나타내는 위치로부터 도 5d에 나타내는 위치로 제1 보유지지부(28) 및 제2 보유지지부(29)를 상승시키면, 제1 보유지지부(28)는 기판(1)을 보유지지하며, 제2 보유지지부(29)는 보유지지 및 수용부(32b)를 보유지지하여 보호 부재(31)를 보유지지한다. 도 5a 내지 도 5d에 도시되는 일련의 단계를 제1 단계라 칭한다.
이때, 기판(1)의 전달 및 보호 부재(31)의 전달이 병행해서(또는 동시에) 행해지도록, 제1 보유지지부(28)와 제2 보유지지부(29) 사이의 거리를 결정하는 것이 바람직하다. 더 구체적으로는, 도 5c에 나타내는 상태에서, 제1 보유지지부(28)의 상면과 기판(1)의 하면 사이의 거리와, 제2 보유지지부(29)의 상면과 보유지지 및 수용부(32b)의 하면 사이의 거리가 서로 동일해지도록, 제1 보유지지부(28)와 제2 보유지지부(29) 사이의 거리를 결정하는 것이 바람직하다. 기판(1) 및 보호 부재(31)의 동시 전달은, 기판(1)과 보호 부재(31) 사이의 거리가 변하지 않는 상태에서, 기판(1)과 보호 부재(31)가 유닛(27)으로부터 기판 반송 장치(18)로 전달될 수 있는 점에서 유리하다.
이어서, 기판(1)을 평탄화 장치(100)(제2 장치)에 반송한다(제2 단계라 지칭됨). 그리고, 위에서 설명한 절차의 역의 절차를 사용해서 평탄화 장치(100)의 기판 스테이지(3)에 기판(1)을 전달한다(제3 단계라 지칭한다). 제1 내지 제3 단계를 통해, 평탄화 장치(100)로의 기판(1)의 반송이 완료된다. 보호 부재(31)의 크기는 기판(1)의 크기와 거의 동일하거나 그보다 큰 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 보호 부재(31)를 기판(1)에 근접시킨 상태에서, 기판(1)을 반송함으로써 기판(1)에 도포된 재료의 증발을 저감할 수 있다. 또한, 기판(1)에 대한 이물의 부착을 저감할 수 있다.
본 예시적인 실시형태에서는, 템플릿(9)으로서 요철 패턴이 없는 평탄면을 갖는 템플릿을 사용하지만, 본 예시적인 실시형태는 회로 패턴 전사를 위해 요철 패턴을 갖는 템플릿을 사용하는 임프린트 장치에 적용될 수 있다. 본 예시적인 실시형태는 템플릿을 사용해서 기판 상의 재료를 성형하는 성형 장치에 적용될 수 있다. 또한, 본 예시적인 실시형태는 기판의 반송을 위해 노광 장치, 전자 빔을 사용한 묘화 장치, 또는 기타 산업 장치에 적용될 수 있다.
<물품 제조 방법>
이어서, 전술의 평탄화 장치(100)를 이용한 물품(예를 들어, 반도체 집적 회로(IC) 소자, 액정 표시 소자, 컬러 필터, 또는 마이크로전기기계 시스템(MEMS))의 제조 방법을 제2 예시적인 실시형태로서 설명한다. 당해 제조 방법은, 전술한 평탄화 장치(100)를 사용해서 기판(예를 들어, 웨이퍼 또는 유리 기판) 상에 도포되어 있는 재료와 템플릿을 서로 접촉시켜서 패턴을 평탄화하는 단계, 재료를 경화시키는 단계, 및 조성물과 템플릿을 서로 분리하는 단계를 포함한다. 이들 단계를 통해, 기판 상에 평탄화막이 형성된다. 그리고, 평탄화막이 형성된 기판에 대하여 리소그래피 장치를 사용해서 패턴 형성 같은 처리를 행하고, 그 후 처리된 기판에 대해 임의의 다른 공지된 가공 단계를 사용해서 처리를 행함으로써 물품이 제조된다.
임프린트 장치를 사용한 물품(예를 들어, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 또는, 템플릿)의 제조 방법을 설명한다. 임프린트 장치에 의해 형성된 경화된 재료의 패턴은, 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 전기 회로 소자의 예는, 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 정적 RAM(SRAM), 플래시 메모리, 및 자기 RAM(MRAM)과 같은 휘발성 혹은 비휘발성 반도체 메모리와, 대규모 집적(LSI) 디바이스, 전하 결합 디바이스(CCD), 이미지 센서, 및 FPGA(Field Programmable Gate Array)와 같은 반도체 디바이스를 포함한다. 템플릿의 예는 임프린트용 몰드를 포함한다.
경화된 재료의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성요소로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 단계에서, 에칭 또는 이온 주입 후에 레지스트 마스크는 제거된다. 기판의 후처리를 행하는 후처리 단계는 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 및 패키징을 포함한다.
이제, 도 6a 내지 도 6f를 참고해서, 임프린트 장치를 사용한 물품 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 6a에 도시되는 바와 같이, 절연체 같은 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등을 사용해서 피가공재(2z)의 표면에 재료(3z)를 부여한다. 도 6a는 복수의 액적으로 된 재료(3z)가 기판(1z) 상에 부여된 상태를 나타낸다.
도 6b에 나타내는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)를, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판(1z) 상의 재료(3z)를 향해 배향하여 재료(3z)와 대면하게 한다. 도 6c에 나타내는 바와 같이, 재료(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 거기에 압력을 가한다. 재료(3z)가 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태의 재료(3z)에 몰드(4z)을 통해서 경화 에너지로서의 광을 조사해서 경화시킨다.
도 6d에 나타내는 바와 같이, 재료(3z)를 경화시킨 후 몰드(4z)와 기판(1z)을 서로 분리하면, 기판(1z) 위에 경화된 재료(3z)의 패턴이 형성되고, 재료(3z)가 성형된 성형 기판을 얻을 수 있다. 경화된 재료(3z)의 패턴은, 경화된 재료(3z)의 돌출부가 몰드(4z)의 오목부에 대응하고 경화된 재료(3z)의 오목부가 몰드(4z)의 돌출부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 재료(3z)에 몰드(4z)의 요철 패턴이 전사된다.
도 6e에 나타내는 바와 같이, 경화된 재료(3z)의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용해서 에칭을 행하면, 피가공재(2z) 중, 경화된 재료가 없거나 또는 경화된 재료가 얇게 잔존하는 부분이 피가공재(2z)의 표면으로부터 제거되어 홈(5z)이 형성된다. 도 6f에 나타내는 바와 같이, 경화된 재료(3z)의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 가공 기판(1z)을 얻을 수 있다. 가공 기판(1z)으로부터 물품을 제조할 수 있다. 본 예시적인 실시형태에서는, 경화된 재료(3z)의 패턴을 제거하지만, 경화된 재료(3z)의 패턴은 제거되지 않고, 가공 후에 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성요소로서 사용될 수 있다. 본 예시적인 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
이상 본 개시내용에 따른 예시적인 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 개시내용은 상술한 예시적인 실시형태로 한정되지 않고, 본 개시내용의 범위 내에서 다양한 방식으로 변형 및 변경될 수 있다.
본 개시내용의 예시적인 실시형태에 따르면, 기판 상에 도포된 재료의 증발을 저감하는데 유리한 기판 반송 방법을 제공할 수 있다.
본 개시내용을 예시적인 실시형태를 참고해서 설명했지만, 개시내용은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 기판을 보유지지하도록 구성되는 제1 보유지지부 및 상기 기판의 상면을 보호하는 보호 부재를 보유지지하도록 구성되는 제2 보유지지부를 포함하는 기판 반송 장치를 사용하여, 제1 장치에 적재되고 재료가 도포된 상기 기판을, 상기 제1 장치와는 다른 제2 장치로 반송하는 기판 반송 방법이며,
    상기 기판을 상기 제1 장치의 적재면으로부터 상기 기판 반송 장치에 전달하는 제1 단계;
    상기 기판을 상기 제1 장치로부터 상기 제2 장치로 반송하는 제2 단계; 및
    상기 기판을 상기 제1 보유지지부로부터 상기 제2 장치에 전달하는 제3 단계를 포함하며,
    상기 제1 단계에서, 상기 기판 아래의 공간에 상기 제1 보유지지부가 삽입된 상태에서 상기 제1 보유지지부를 상승시키는 것은, 상기 제1 보유지지부가 상기 기판을 보유지지하게 하고, 상기 제2 보유지지부가, 상기 기판과 대면하는 상기 보호 부재의 면과 반대측의 상기 보호 부재의 면에 제공된 보유지지 및 수용부를 보유지지함으로써, 상기 보호 부재를 보유지지하게 하는, 기판 반송 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보유지지 및 수용부에는, 상기 제2 보유지지부가 삽입되는 공간이 제공되는, 기판 반송 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 보유지지 및 수용부에는 관통 구멍이 제공되는, 기판 반송 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단계에서, 상기 제1 장치는, 상기 기판이 적재되어 있는 스테이지로부터 돌출부를 돌출시켜, 상기 적재면과 상기 기판 사이에 상기 제1 보유지지부가 삽입될 수 있는 공간을 제공하도록 상기 기판을 상승시키는, 기판 반송 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 장치에서, 상기 기판이 적재되어 있는 스테이지에는, 상기 제1 보유지지부가 삽입될 수 있는 홈이 형성되어 있는, 기판 반송 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 단계에서, 상기 기판의 상면과 상기 보호 부재의 하면은 서로 접촉하지 않고, 상기 기판의 상면과 상기 보호 부재의 하면 사이의 거리는 2 밀리미터(mm) 이하인, 기판 반송 방법.
  7. 제1 장치에 적재되고 재료가 도포된 기판을, 상기 제1 장치와는 다른 제2 장치에 반송하도록 구성되는 기판 반송 장치이며,
    상기 기판을 보유지지하도록 구성되는 제1 보유지지부; 및
    상기 기판의 상면을 보호하는 보호 부재를 보유지지하도록 구성되는 제2 보유지지부를 포함하며,
    상기 제2 보유지지부는, 상기 제1 보유지지부에 의해 보유지지된 상기 기판과 대면하는 상기 보호 부재의 면과 반대측의 상기 보호 부재의 면에 제공된 보유지지 및 수용부를 보유지지함으로써 상기 보호 부재를 보유지지하는, 기판 반송 장치.
  8. 성형 방법이며,
    기판을 보유지지하도록 구성되는 제1 보유지지부 및 상기 기판의 상면을 보호하는 보호 부재를 보유지지하도록 구성되는 제2 보유지지부를 포함하는 기판 반송 장치를 사용하여, 제1 장치에 적재되고 재료가 도포된 상기 기판을, 상기 기판을 상기 제1 장치와는 다른 제2 장치로 반송하는 기판 반송 방법을 사용해서 성형 장치에 반송하는 기판 반송 방법으로서, 상기 기판 반송 방법은,
    상기 기판을 상기 제1 장치의 적재면으로부터 상기 기판 반송 장치에 전달하는 제1 단계,
    상기 기판을 상기 제1 장치로부터 상기 제2 장치로 반송하는 제2 단계, 및
    상기 기판을 상기 제1 보유지지부로부터 상기 제2 장치에 전달하는 제3 단계를 포함하고,
    상기 제1 단계에서, 상기 기판 아래의 공간에 상기 제1 보유지지부가 삽입된 상태에서 상기 제1 보유지지부를 상승시키는 것은, 상기 제1 보유지지부가 상기 기판을 보유지지하게 하고, 상기 제2 보유지지부가, 상기 기판에 대면하는 상기 보호 부재의 면과 반대측의 상기 보호 부재의 면에 제공된 보유지지 및 수용부를 보유지지함으로써, 상기 보호 부재를 보유지지하게 하는, 기판 반송 방법; 및
    상기 성형 장치의 템플릿과 상기 기판에 도포된 재료를 서로 접촉시켜 상기 재료를 성형하는 단계를 포함하는, 성형 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 성형 장치는, 평탄면을 갖는 상기 템플릿과 상기 재료를 서로 접촉시킴으로써 상기 기판 상에 상기 재료의 평탄화막을 형성하도록 구성되는 평탄화 장치인, 성형 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 성형 장치는, 요철 패턴을 갖는 상기 템플릿과 상기 재료를 서로 접촉시킴으로써 상기 기판 상에 상기 재료의 요철 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치인, 성형 방법.
  11. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 상기 기판 반송 방법을 사용해서 상기 기판을 성형 장치에 반송하는 단계;
    상기 성형 장치의 템플릿과 상기 기판에 도포된 상기 재료를 서로 접촉시켜서 상기 재료를 성형함으로써 성형 기판을 얻는 단계;
    상기 성형 기판을 가공함으로써 가공된 기판을 얻는 단계; 및
    상기 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  12. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 기판 반송 방법을 사용해서 상기 기판을 평탄화 장치에 반송하는 단계;
    상기 평탄화 장치를 사용해서 상기 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 평탄화막이 형성된 상기 기판을 가공함으로써 가공된 기판을 얻는 단계; 및
    상기 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
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