KR20230146450A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법 Download PDF

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KR20230146450A
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다케히코 우에노
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

임프린트 장치는, 몰드에 압력을 가함으로써 몰드를 변형시키도록 구성되는 몰드 변형 기구, 기판에 압력을 가함으로써 기판을 변형시키도록 구성되는 기판 변형 기구, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리하는 동안 몰드의 변형량 및 기판의 변형량을 측정하도록 구성되는 측정 유닛, 및 분리 동안, 측정 유닛에 의해 측정된 변형량들에 기초하여, 몰드의 변형량과 기판의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있도록, 몰드 변형 기구에 의해 몰드에 가해지는 압력 및 기판 변형 기구에 의해 기판에 가해지는 압력을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등을 제조하기 위한 리소그래피 기술로서, 몰드를 사용하여 기판 상의 임프린트재를 성형하는 임프린트 기술이 공지되어 있다. 임프린트 기술은, 몰드와 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로써 기판 상에 임프린트재의 패턴(돌출부 및 홈 패턴)을 형성할 수 있다.
전술한 임프린트 기술이 적용된 임프린트 장치에서, 일반적으로, 몰드를 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 분리하는 단계(몰드 분리 단계)는 몰드를 보유지지하는 헤드를 상승시키는 것에 의해서 행해진다. 일본 특허 제5728602호는 몰드 분리 단계 동안 몰드와 기판 사이의 접촉 영역(임프린트재)에 불균일한 응력 및 왜곡이 발생하는 것을 방지하기 위해 몰드의 두께와 기판의 두께를 일치시키는 기술을 제안한다. 또한, 일본 특허 공개 공보 제2018-74159호는 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리하는 데 필요한 힘(몰드 분리력)의 측정값에 따라 몰드의 이면 및 기판의 이면의 각각에 압력을 가함으로써 몰드 분리력을 감소시키는 기술을 제안하고 있다.
그러나, 몰드 분리 단계에서, 몰드의 변형량과 기판의 변형량 사이에 차이가 있는 경우, 불균일한 응력 및 왜곡이 몰드와 기판 사이의 접촉 영역에서, 즉 기판 상의 임프린트재의 패턴에서 발생된다. 이는 패턴 결함의 개수의 증가를 초래한다.
본 발명은 기판 상에 임프린트재의 패턴을 고정밀도로 형성하는 데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치로서, 상기 몰드에 압력을 가함으로써 상기 몰드를 상기 기판의 측을 향해 볼록 형상으로 변형시키도록 구성되는 몰드 변형 기구, 상기 기판에 압력을 가함으로써 상기 기판을 상기 몰드의 측을 향해 볼록 형상으로 변형시키도록 구성되는 기판 변형 기구, 상기 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리하는 동안 상기 몰드의 변형량 및 상기 기판의 변형량을 측정하도록 구성되는 측정 유닛, 및 상기 분리 동안, 상기 몰드의 변형량과 상기 기판의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있도록, 상기 측정 유닛에 의해 측정된 변형량들에 기초하여 상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력 및 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는 임프린트 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 양태는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 2는 몰드 분리 단계에서 몰드 및 기판의 이상적인 변형의 예를 도시하는 도면이다.
도 3은 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 몰드 변형 정보 및 기판 변형 정보의 예를 도시하는 그래프이다.
도 5는 본 실시예의 몰드 분리 단계를 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 몰드 분리 단계에서 몰드 및 기판의 각각의 변형의 예를 각각 도시하는 도면이다.
도 7은 몰드 분리 단계에서 몰드 및 기판 각각의 변형의 예를 각각 도시하는 도면이다.
도 8a 내지 도 8f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시예를 상세하게 설명한다. 다음의 실시예는 청구된 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다는 것에 유의한다. 다수의 특징이 실시예에서 설명되지만, 모든 그러한 특징을 요구하는 발명으로 제한되지 않고, 다수의 그러한 특징이 적절하게 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면에서, 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 그에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는 물품으로서의 반도체 소자, 액정 표시 소자 또는 자기 저장 매체와 같은 디바이스를 위한 제조 단계인 리소그래피 단계에 채용되어 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(1)는 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하기 위한 임프린트 처리를 수행한다. 더 구체적으로는, 임프린트 장치(1)는, 기판 상에 공급(배치)된 미경화 임프린트재를 몰드에 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써, 몰드의 패턴이 전사되는 경화물의 패턴을 형성한다.
임프린트재로서는, 경화 에너지를 받음으로써 경화되는 재료(경화성 조성물)가 사용된다. 사용되는 경화 에너지의 예는 전자기파, 열 등이다. 전자기파로서는, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 자외선 등이 사용된다.
경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은 적어도 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용매를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 유형의 재료이다.
임프린트재는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 도포될 수 있다. 임프린트재는 액체 주입 헤드를 사용하여 액적 형상 또는 복수의 액적이 연결되어 형성되는 섬 또는 막 형상으로 기판 상에 도포될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)이다.
기판으로서, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 기판의 재료와는 상이한 재료로 이루어진 부재가 필요에 따라 기판의 표면 상에 형성될 수 있다. 더 구체적으로, 기판의 예는 실리콘 웨이퍼, 반도체 화합물 웨이퍼, 실리카 유리 등을 포함한다.
명세서 및 첨부 도면에서, 방향은 기판이 배치되는 평면에 평행한 방향이 X-Y 평면으로서 규정되는 XYZ 좌표계에서 표시될 것이다. XYZ 좌표계의 X축, Y축 및 Z축에 평행한 방향은 각각 X 방향, Y 방향 및 Z 방향이다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, 및 Z축 둘레의 회전은 각각 θX, θY, 및 θZ이다.
본 실시예에서, 임프린트 장치(1)는, 임프린트재의 경화 방법으로서, 임프린트재에 광을 조사함으로써 임프린트재를 경화시키는 광경화 방법을 채용한다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 임프린트 장치(1)는 조사 유닛(IU), 몰드 보유지지 유닛(MH), 공급 유닛(7), 몰드 측정 유닛(8), 기판 측정 유닛(9), 몰드 반송 유닛(10), 기판 반송 유닛(11), 몰드 변형 기구(22), 기판 변형 기구(24), 로드 셀(26) 및 제어 유닛(28)을 포함한다.
임프린트 처리에서, 조사 유닛(IU)은 임프린트재(14)를 경화시키는 광(16)(예를 들어, 자외선)으로 기판 상의 임프린트재(14)를 조사한다. 조사 유닛(IU)은, 예를 들어 광(16)을 방출하는 광원(2), 및 광원(2)으로부터 방출된 광을 임프린트 처리를 위한 적절한 상태로 조정하는 광학 부재(15)를 포함한다.
몰드 보유지지 유닛(MH)은 몰드(3)를 보유지지 및 구동하는 기능을 가지며, 헤드라고도 지칭된다. 예를 들어, 몰드 보유지지 유닛(MH)은 몰드(3)를 척킹(진공-척킹 또는 정전기 흡착)함으로써 몰드(3)를 보유지지하는 몰드 척(4), 및 몰드 척(4)(몰드 척(4)에 의해 보유지지되는 몰드(3))을 구동하는 구동 유닛(17)을 포함한다. 구동 유닛(17)은 액추에이터 등을 포함하고, Z 방향(수직 방향)으로 몰드 척(4)을 구동하는 기능을 갖는다. 구동 유닛(17)은 또한 X-Y 평면(수평 방향)에서 몰드 척(4)을 구동하는 기능 또는 몰드 척(4)을 기울이는 기능을 가질 수 있다.
몰드(3)가 몰드 보유지지 유닛(MH)에 의해 보유지지되는 동안 기판(5)에 대면하는 몰드(3)의 표면에는 기판(5)에 전사될 미리결정된 패턴이 형성되어 있다. 몰드(3)가 몰드 보유지지 유닛(MH)에 의해 보유지지되는 동안 기판(5)에 대면하는 표면의 반대측의 몰드(3)의 표면에는 조각된 오목부에 의해 형성된 캐비티(3a)가 형성되어 있다.
몰드 변형 기구(22)는 몰드 보유지지 유닛(MH)에 의해 보유지지되는 몰드(3)에 압력을 가하여, 몰드(3)를 기판(5) 측을 향해 볼록 형상으로 변형시킨다. 예를 들어, 몰드 변형 기구(22)는 캐비티(3a) 및 광 투과 부재(도시되지 않음)에 의해 둘러싸인 공간(밀봉 공간)의 압력을 조정하는 압력 조정 유닛을 포함한다. 캐비티(3a) 및 광 투과 부재에 의해 둘러싸인 공간의 압력을 압력 조정 유닛에 의해 외부 압력보다 높게 함으로써, 몰드(3), 더 구체적으로는 캐비티(3a)의 반대측의 몰드(3)의 표면은 기판(5) 측을 향해 볼록 형상으로 변형될 수 있다.
기판 보유지지 유닛(6)은 기판(5)을 척킹(진공-척킹 또는 정전기 흡착)함으로써 기판(5)을 보유지지하고, X-Y 평면에서 기판(5)을 구동한다. 본 실시예에서, 기판 보유지지 유닛(6)은 X-Y 평면을 형성하는 스테이지 베이스(12)를 따라 구동한다. 따라서, 스테이지 베이스(12)는 Z 방향의 기준 및 X-Y 평면에서의 기판 보유지지 유닛(6)의 구동 시의 기울기의 기준으로서 기능한다. 스테이지 베이스(12)는 마운트(13)를 통해 바닥에 설치되기 때문에, 임프린트 장치(1)는 바닥으로부터의 진동에 덜 민감한 구조를 갖는다. 기판 보유지지 유닛(6)은 기판(5)을 Z 방향으로 구동하는 구동 기구 또는 기판(5)을 X축 및 Y축에 대해 회전시키는 회전 기구를 포함할 수 있다는 것에 유의한다.
기판 변형 기구(24)는 기판 보유지지 유닛(6)에 의해 보유지지된 기판(5)에 압력을 가하여, 기판(5)을 몰드(3) 측을 향해 볼록 형상으로 변형시킨다. 본 실시예에서, 기판(5)은 마스터를 복제하기 위한 레플리카 기판이다. 기판(5)이 기판 보유지지 유닛(6)에 의해 보유지지되는 동안 몰드(3)에 대면하는 표면의 반대측의 기판(5)의 표면에는 조각된 오목부에 의해 형성된 캐비티(5a)가 형성되어 있다. 예를 들어, 기판 변형 기구(24)는 캐비티(5a) 및 밀봉 부재(도시되지 않음)에 의해 둘러싸인 공간(밀봉 공간)의 압력을 조정하는 압력 조정 유닛을 포함한다. 캐비티(5a) 및 밀봉 부재에 의해 둘러싸인 공간의 압력을 압력 조정 유닛에 의해 외부 압력보다 높게 함으로써, 기판(5), 더 구체적으로는 캐비티(5a)의 반대측의 기판(5)의 표면은 몰드(3) 측을 향해 볼록 형상으로 변형될 수 있다.
몰드 측정 유닛(8)은 몰드 보유지지 유닛(MH)에 의해 보유지지되는 몰드(3)(그 표면)까지의 거리(몰드(3)의 표면의 변위)를 측정한다. 본 실시예에서, 몰드 측정 유닛(8)은 몰드(3)와 몰드 측정 유닛(8) 사이의 Z 방향 거리를 측정하는 기판 보유지지 유닛(6)에 제공된 거리 측정 디바이스에 의해 형성된다. 몰드 측정 유닛(8)이 제공된 기판 보유지지 유닛(6)을 X-Y 평면을 따라 구동함으로써, 몰드 측정 유닛(8)은 몰드(3)의 표면 상의 각각의 위치(전체 표면)에서 몰드(3)와 몰드 측정 유닛(8) 사이의 Z 방향 거리를 측정할 수 있다. 따라서, 몰드 측정 유닛(8)은 또한 몰드(3)(그 표면)의 형상 및 변형량을 측정할 수 있는 측정 유닛으로서 기능한다. 몰드 측정 유닛(8)은 반드시 기판 보유지지 유닛(6)에 제공될 필요는 없고, X-Y 평면을 따라 몰드 측정 유닛(8)을 구동할 수 있는 기판 보유지지 유닛(6)과는 상이한 기구에 제공될 수 있다는 것에 유의한다.
기판 측정 유닛(9)은 기판 보유지지 유닛(6)에 의해 보유지지된 기판(5) 아래에 제공되고, 기판 보유지지 유닛(6)에 의해 보유지지된 기판(5)(그 표면)까지의 거리(기판(5)의 표면의 변위)를 측정한다. 기판 측정 유닛(9)은 기판(5)과 기판 측정 유닛(9) 사이의 Z 방향 거리를 측정하는 거리 측정 디바이스에 의해 형성된다. 기판 측정 유닛(9)은 X-Y 평면을 따라 기판 측정 유닛(9)을 구동할 수 있는 기구에 제공된다. 기판 측정 유닛(9)이 제공된 기구를 X-Y 평면을 따라서 구동함으로써, 기판 측정 유닛(9)은 기판(5)의 표면 상의 각각의 위치(전체 표면)에서 기판(5)과 기판 측정 유닛(9) 사이의 Z 방향 거리를 측정할 수 있다. 따라서, 기판 측정 유닛(9)은 또한 기판(5)(그 표면)의 형상 및 변형량을 측정할 수 있는 측정 유닛(제1 측정 유닛)으로서 기능한다.
공급 유닛(7)은 기판(5) 상에 임프린트재(14)를 공급(배치)하는 기능을 갖는다. 공급 유닛(7)은 예를 들어 기판 상의 각각의 샷 영역에 임프린트재(14)를 토출하는 디스펜서를 포함한다. 기판 상의 복수의 샷 영역에 대해, 공급 유닛(7)은 각각의 샷 영역 상으로 임프린트재(14)를 개별적으로 공급할 수 있거나, 또는 일부 샷 영역 상으로 임프린트재(14)를 일괄적으로 공급할 수 있다. 대안적으로, 임프린트 장치(1)는 공급 유닛(7)을 포함하지 않을 수 있지만, 임프린트 장치(1)와는 상이한 장치(스핀 코터 등)에 의해 임프린트재(14)가 공급된 기판(5)이 임프린트 장치(1)에 반입될 수 있다.
몰드 반송 유닛(10)은, 외부로부터 몰드(3)를 임프린트 장치(1)에 반입하고, 몰드(3)를 임프린트 장치(1)로부터 외부로 반출하는 반송 기구이다. 기판 반송 유닛(11)은, 외부로부터 기판(5)을 임프린트 장치(1)에 반입하고, 기판(5)을 임프린트 장치(1)로부터 외부로 반출하는 반송 기구이다.
로드 셀(26)은 몰드 척(4)에 제공된다. 로드 셀(26)은 기판 상의 임프린트재(14)에 대한 몰드(3)의 가압력(임프린트력)을 측정하는 기능을 갖는다. 로드 셀(26)은 또한 몰드 보유지지 유닛(MH)의 위치를 측정하는 기능을 가지며, 몰드 보유지지 유닛(MH)의 변위를 측정하는 제2 측정 유닛으로서 기능한다.
제어 유닛(28)은 CPU, 메모리 등을 포함하는 정보 처리 장치(컴퓨터)로 형성되고, 저장 유닛에 저장된 프로그램에 따라 임프린트 장치(1)의 각각의 유닛을 포괄적으로 제어함으로써 임프린트 장치(1)를 동작시킨다. 제어 유닛(28)은 임프린트 장치(1)와 일체로(공통 하우징 내에) 형성될 수 있거나 또는 임프린트 장치(1)와는 별개로(다른 하우징 내에) 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 제어 유닛(28)은 임프린트 처리 및 임프린트 처리에 관한 처리를 제어한다. 전형적으로, 임프린트 처리는 공급 단계, 접촉 단계, 충전 단계, 경화 단계, 및 몰드 분리 단계를 포함한다. 공급 단계는 기판 상에 임프린트재(14)를 공급(배치)하는 단계이다. 접촉 단계는 기판 상의 임프린트재(14)와 몰드(3)를 서로 접촉시키는 단계이다. 충전 단계는 기판 상의 임프린트재(14)와 몰드(3)가 서로 접촉한 상태에서 몰드(3)의 패턴에 임프린트재(14)를 충전하는 단계이다. 경화 단계는 기판 상의 임프린트재(14)와 몰드(3)가 서로 접촉한 상태에서 임프린트재(14)를 경화시키는 단계이다. 몰드 분리 단계는 기판 상의 경화된 임프린트재(14)로부터 몰드(3)를 분리하는 단계이다. 상세하게 후술될 바와 같이, 예를 들어, 제어 유닛(28)은 임프린트 처리 동안, 특히 몰드 분리 단계 동안 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력 및 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력을 제어한다.
여기서, 종래 기술에서, 몰드(3)의 패턴 영역 및 그 주연부를 포함하는 부분의 재료 및 두께는 기판(5)의 것과 동일하고, 캐비티(3a)의 크기(직경 등) 등은 캐비티(5a)의 것과 동일하다. 이에 의해, 도 2에 도시되는 바와 같이, 임프린트 처리의 몰드 분리 단계에서, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이가 감소되고, 이상적으로는 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량이 서로 동일해진다. 이 경우, 몰드(3)와 기판(5) 사이의 접촉 영역에서 불균일한 응력 및 왜곡이 발생하지 않으므로, 기판 상에 형성된 임프린트재(14)의 패턴 결함이 감소될 수 있다. 도 2는 몰드 분리 단계에서 몰드(3) 및 기판(5)의 이상적인 변형의 예를 도시하는 도면이다.
그러나, 설계 값의 변화 또는 몰드(3) 또는 기판(5)의 제조 오차로 인해, 몰드(3)의 재료 또는 두께가 기판(5)의 재료 또는 두께와 일치하지 않거나, 캐비티(3a)의 크기 등이 캐비티(5a)의 크기와 일치하지 않는 경우가 있다. 이 경우, 몰드(3)의 변형량은 몰드 분리 단계에서의 기판(5)의 변형량과 상이해지고, 따라서 불균일한 응력 및 변형이 몰드(3)와 기판(5) 사이의 접촉 영역에서 발생된다. 이는 기판 상에 형성된 임프린트재(14)의 패턴 결함의 증가를 초래한다.
이를 방지하기 위해, 본 실시예는, 몰드(3) 또는 기판(5)의 설계 값의 변화 또는 제조 오차가 있는 경우에도, 몰드 분리 단계에서 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이를 감소시켜 기판 상에 형성된 임프린트재(14)의 패턴 결함을 억제하는 기술을 제공한다. 더 구체적으로, 몰드 분리 단계 동안, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)(그 캐비티(3a))에 가해지는 압력 및 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)(그 캐비티(5a))에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있도록 제어된다.
도 3을 참조하여, 본 실시예의 임프린트 처리(임프린트 방법)가 설명될 것이다. 이 임프린트 처리는 상술된 바와 같이 임프린트 장치(1)의 각각의 유닛을 포괄적으로 제어하는 제어 유닛(28)에 의해 수행된다.
단계 S302에서, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력과 몰드(3)의 변형량 사이의 관계를 나타내는 몰드 변형 정보가 취득된다. 더 구체적으로, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)의 캐비티(3a)에 가해지는 압력을 변화시키면서(즉, 캐비티(3a)에 복수의 압력값을 적용하면서), 몰드 측정 유닛(8)은 몰드(3)의 표면 상의 각각의 위치에서 몰드(3)와 몰드 측정 유닛(8) 사이의 Z 방향 거리를 측정한다. 이에 의해, 도 4에 도시되는 바와 같이, 몰드(3)에 가해진 압력(캐비티 압력)과 몰드(3)의 변형량 사이의 관계를 나타내는 몰드 변형 정보가 취득된다. 이러한 방식으로 취득된 몰드 변형 정보는 임프린트 장치(1)에 포함된 저장 유닛 또는 제어 유닛(28)의 메모리에 데이터베이스로서 저장된다.
단계 S304에서, 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력과 기판(5)의 변형량 사이의 관계를 나타내는 기판 변형 정보가 취득된다. 더 구체적으로, 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)의 캐비티(5a)에 가해지는 압력을 변화시키면서(즉, 캐비티(5a)에 복수의 압력 값을 가하면서), 기판 측정 유닛(9)은 기판(5)의 표면 상의 각각의 위치에서 기판(5)과 기판 측정 유닛(9) 사이의 Z 방향 거리를 측정한다. 이로 인해, 도 4에 도시되는 바와 같이, 기판(5)에 가해지는 압력(캐비티 압력)과 기판(5)의 변형량 사이의 관계를 나타내는 기판 변형 정보가 취득된다. 이러한 방식으로 취득된 기판 변형 정보는 임프린트 장치(1)에 포함된 저장 유닛 또는 제어 유닛(28)의 메모리에 데이터베이스로서 저장된다.
본 실시예에서는, 임프린트 처리가 개시된 후, 기판 상에 임프린트재(14)를 공급하는 공급 단계와 기판 상의 임프린트재(14)와 몰드(3)를 서로 접촉시키는 접촉 단계 전에, 단계 S302 및 S304가 수행되는 것으로 상정한다. 그러나, 몰드 변형 정보 및 기판 변형 정보는 미리 취득될 수 있고 임프린트 처리가 개시되기 전에 임프린트 장치(1)에 포함된 저장 유닛 또는 제어 유닛(28)의 메모리에 저장될 수 있다. 본 실시예에서, 제어 유닛(28)은 몰드 변형 정보 및 기판 변형 정보를 취득하는 취득 유닛으로서 기능한다는 것에 유의한다.
단계 S306에서는, 기판 상에 임프린트재(14)를 공급하는 공급 단계가 수행된다. 더 구체적으로, 임프린트재(14)가 공급 유닛(7)으로부터 기판 상의 샷 영역(임프린트 처리가 수행될 대상 샷 영역)에 공급된다. 그러나, 기판 상의 대상 샷 영역을 포함하는 다수의 샷 영역 상에 임프린트재(14)가 일괄적으로 공급되는 경우, 이 단계(S306)는 불필요하다. 또한, 임프린트 장치(1)와는 상이한 장치에 의해 기판 상의 대상 샷 영역 상에 임프린트재(14)가 공급되는 경우, 이 단계(S306)는 불필요하다.
단계 S308에서는, 몰드(3)와 기판 상의 임프린트재(14)를 서로 접촉시키는 접촉 단계가 수행된다. 더 구체적으로, 몰드 변형 기구(22) 및 기판 변형 기구(24)가 각각 몰드(3) 및 기판(5)에 캐비티 압력을 가하여, 몰드(3) 및 기판(5) 각각이 서로의 측을 향해 볼록 형상으로 변형된 상태에서, 몰드(3) 및 기판 상의 임프린트재(14)가 서로 접촉하게 된다. 그리고, 각각 몰드 변형 기구(22) 및 기판 변형 기구(24)에 의해 몰드(3) 및 기판(5)에 가해지는 캐비티 압력은, 몰드(3)의 전체 표면을 기판 상의 임프린트재(14)에 접촉시키도록 서서히 감소된다.
단계 S310에서는, 기판 상의 임프린트재(14)와 몰드(3)가 서로 접촉한 상태에서, 몰드(3)의 패턴에 임프린트재(14)를 충전하는 충전 단계가 수행된다. 더 구체적으로, 몰드(3)의 전체 표면이 기판 상의 임프린트재(14)와 접촉하는 상태는 임프린트재(14)가 몰드(3)의 패턴 내에 충전될 때까지 유지된다.
단계 S312에서, 기판 상의 임프린트재(14)를 경화시키는 경화 단계가 수행된다. 더 구체적으로, 기판 상의 임프린트재(14) 및 몰드(3)가 서로 접촉한 상태에서, 조사 유닛(IU)은 기판 상의 임프린트재(14)를 경화시키기 위해 광(16)을 임프린트재(14)에 조사한다.
단계 S314에서, 몰드(3)를 기판 상의 경화된 임프린트재(14)로부터 분리하는 몰드 분리 단계가 수행된다. 이에 의해, 경화된 임프린트재(14)의 패턴이 기판 상에 형성된다.
도 5를 참조하여, 본 실시예의 몰드 분리 단계를 이하에서 구체적으로 설명할 것이다. 도 5는 본 실시예의 몰드 분리 단계(S314)를 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.
단계 S502에서, 몰드(3)를 보유지지하는 몰드 보유지지 유닛(MH)은 기판 상의 경화된 임프린트재(14)로부터 몰드(3)를 분리하도록 상승된다. 몰드 보유지지 유닛(MH)을 상승시킴으로써, 몰드(3) 및 기판(5) 각각이 각각의 측을 향해 볼록 형상으로 변형되는 상태에서 몰드 분리 단계가 진행된다.
단계 S504에서, 몰드(3) 및 기판(5) 각각의 변형량이 측정된다. 본 실시예에서, 기판(5)의 변형량은 몰드 분리 단계 동안 기판(5)과 기판 측정 유닛(9) 사이의 Z 방향 거리(기판(5)의 표면의 변위)를 측정하는 기판 측정 유닛(9)에 의해 취득된다. 여기서, Z1을 기판(5)의 변형량으로 한다. 또한, 로드 셀(26)은 몰드 분리 단계 동안 몰드 보유지지 유닛(MH)의 위치의 변동(변위), 즉 몰드 보유지지 유닛(MH)의 상승량(몰드(3)의 전체 표면이 접촉 단계에서 임프린트재(14)와 접촉하는 시점과 몰드 분리 단계 동안의 주어진 시점 사이의 몰드 보유지지 유닛(MH)의 상승량)을 측정한다. 그 다음, 로드 셀(26)에 의해 측정되는 몰드 보유지지 유닛(MH)의 상승량(변위)과 기판 측정 유닛(9)에 의해 측정되는 기판(5)과 기판 측정 유닛(9) 사이의 Z 방향 거리(기판(5)의 변형량) 사이의 차이로부터 몰드(3)의 변형량이 취득된다. 여기서, 몰드 보유지지 유닛(MH)의 상승량(변위량)을 Z로 하면, 몰드(3)의 변형량(Z2)은 Z-Z1에 의해 취득된다.
단계 S506에서, 단계 S504에서 측정된 몰드(3) 및 기판(5)의 변형량들에 기초하여, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력 및 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력이 제어된다. 본 실시예에서, 몰드 분리 단계 동안, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력 및 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있도록 제어된다. 이상적으로는, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력 및 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량 및 기판(5)의 변형량이 서로 동일해지도록 제어된다는 것에 유의한다.
예를 들어, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력은 단계 S504에서 측정된 몰드(3) 및 기판(5)의 변형량 및 단계 S302에서 취득된 몰드 변형 정보에 기초하여 결정된다. 더 구체적으로, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 몰드(3)에 발생하도록 결정되고, 몰드 변형 기구(22)는 결정된 압력을 몰드(3)에 가하도록 제어된다. 여기서, 몰드(3)의 변형량(Z2)과 기판(5)의 변형량(Z1) 사이의 차이(ΔZ)는 Z1-Z2에 의해 취득된다. 따라서, 도 4에 도시되는 몰드 변형 정보의 기울기를 A로 하면, 몰드 변형 기구(22)는 ΔZ/A로 표현되는 압력을 몰드(3)에 가하도록 제어된다.
대안적으로, 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력은 단계 S504에서 측정된 몰드(3) 및 기판(5)의 변형량 및 단계 S304에서 취득된 기판 변형 정보에 기초하여 결정될 수 있다. 더 구체적으로, 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 기판(5)에 발생되도록 결정되고, 기판 변형 기구(24)는 결정된 압력을 기판(5)에 가하도록 제어될 수 있다. 여기서, 몰드(3)의 변형량(Z2)과 기판(5)의 변형량(Z1) 사이의 차이(ΔZ)는 Z1-Z2에 의해 취득된다. 따라서, 도 4에 도시되는 기판 변형 정보의 기울기를 B로 하면, 기판 변형 기구(24)는 ΔZ/B로 표현되는 압력을 기판(5)에 가하도록 제어된다.
이러한 방식으로, 몰드 분리 단계 동안, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 몰드(3) 및 기판(5) 중 어느 하나에서 발생되도록 몰드 변형 기구(22) 또는 기판 변형 기구(24)를 제어하는 단계(단계(S502 내지 S506))가 반복된다. 예를 들어, 몰드 분리 단계에서, 도 6의 6A에 도시되는 바와 같이, 기판(5)의 변형량이 몰드(3)의 변형량보다 큰 경우를 상정한다. 이 경우, 도 6의 6B에 도시되는 바와 같이, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 몰드(3)에서 발생되도록 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)의 캐비티(3a)에 압력(정압)이 가해진다. 대안적으로, 도 6의 6C에 도시되는 바와 같이, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 기판(5)에 발생되도록 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)의 캐비티(5a)에 압력(부압)이 가해질 수 있다. 이에 의해, 몰드 분리 단계에서 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이를 감소시킬 수 있어, 그 차이가 허용 범위 내에 있게 한다. 따라서, 본 실시예에서, 몰드 분리 단계에서, 몰드(3)와 기판(5) 사이의 접촉 영역에서 불균일한 응력 및 왜곡이 발생하지 않아서, 기판 상에 형성된 임프린트재(14)의 패턴 결함이 억제된다. 이는 임프린트재(14)의 패턴을 고정밀도로 형성하는데 유리하다.
여기서, 기판(5)의 두께가 몰드(3)의 두께에 대해 상당히 작은 경우를 상정한다. 이 경우, 예를 들어, 몰드 분리 단계에서 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 압력을 가함으로써 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이를 허용 범위 내에 있게 하려고 하는 경우, 몰드(3)(그 캐비티(3a))에 큰 압력을 가할 필요가 있고, 몰드(3)가 손상될 수 있다. 이 경우, 몰드(3) 및 기판(5) 중 어느 하나에 압력을 가하지 않고 몰드(3) 및 기판(5) 양자에 압력을 가함으로써, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이를 허용 범위 내에 있게 하는 것이 바람직하다.
이를 달성하기 위해, 몰드 분리 단계(단계 S506) 동안, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있도록 몰드(3) 및 기판(5) 양자 모두가 변형되도록 몰드 변형 기구(22) 및 기판 변형 기구(24)가 제어된다.
예를 들어, 각각 몰드 변형 기구(22) 및 기판 변형 기구(24)에 의해 몰드(3) 및 기판(5)에 가해지는 압력은, 각각 단계 S504에서 측정된 몰드(3) 및 기판(5)의 변형량 및 단계 S302 및 S304에서 취득된 몰드 변형 정보 및 기판 변형 정보에 기초하여 결정된다. 더 구체적으로, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량의 평균 변형량과 몰드(3)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 몰드(3)에 발생되도록 결정되고, 몰드 변형 기구(22)는 결정된 압력을 몰드(3)에 가하도록 제어된다. 또한, 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)에 가해지는 압력은 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량의 평균 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 기판(5)에 발생되도록 결정되고, 기판 변형 기구(24)는 결정된 압력을 기판(5)에 가하도록 제어된다. 즉, 몰드 변형 기구(22) 및 기판 변형 기구(24) 양자 모두는 몰드(3) 및 기판(5)의 변형량이 몰드(3)의 변형량 및 기판(5)의 변형량의 평균 변형량과 동일해지도록 제어된다. 여기서, 기판(5)의 변형량(Z1) 및 몰드(3)의 변형량(Z2)의 평균 변형량을 Z3(=(Z1+Z2)/2)로 하고, 도 4에 도시되는 몰드 변형 정보의 기울기를 A로 하면, 몰드 변형 기구(22)는 (Z3-Z2)/A로 표현되는 압력을 몰드(3)에 가하도록 제어된다. 또한, 도 4에 도시되는 기판 변형 정보의 기울기를 B로 하면, 기판 변형 기구(24)는 (Z3-Z1)/B로 표현되는 압력을 기판(5)에 가하도록 제어된다.
이러한 방식으로, 몰드 변형 기구(22) 및 기판 변형 기구(24)는 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량의 평균 변형량과 몰드(3) 및 기판(5) 중 대응하는 것의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 몰드(3) 및 기판(5) 각각에서 발생되도록 제어된다. 이러한 제어는 몰드 분리 단계 동안 반복된다. 예를 들어, 몰드 분리 단계에서, 기판(5)의 변형량이 도 7의 7A에 도시되는 바와 같이 몰드(3)의 변형량보다 큰 경우를 상정한다. 이 경우, 도 7의 7B에 도시되는 바와 같이, 몰드(3)의 변형량의 평균 변형량과 기판(5)의 변형량의 평균 변형량과 몰드(3)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 몰드(3)에서 발생되도록, 몰드 변형 기구(22)에 의해 몰드(3)의 캐비티(3a)에 압력(정압)이 가해진다. 또한, 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량의 평균 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 기판(5)에 발생되도록, 기판 변형 기구(24)에 의해 기판(5)의 캐비티(5a)에 압력(부압)이 가해진다. 이에 의해, 몰드 분리 단계에서 몰드(3)의 변형량과 기판(5)의 변형량 사이의 차이를 감소시킬 수 있어, 그 차이가 허용 범위 내에 있게 한다. 따라서, 몰드 분리 단계에서, 몰드(3)와 기판(5) 사이의 접촉 영역에서 불균일한 응력 및 왜곡이 발생하지 않고, 따라서 기판 상에 형성된 임프린트재(14)의 패턴 결함이 억제된다. 이는 임프린트재(14)의 패턴을 고정밀도로 형성하는데 유리하다.
임프린트 장치(1)를 사용하여 형성된 경화물의 패턴은 다양한 종류의 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 다양한 종류의 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리 및 MRAM과 같은 휘발성 및 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은 상술된 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 직접 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 에칭 또는 이온 주입이 기판 가공 단계에서 수행된 후에, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품의 상세한 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 8a에 도시되는 바와 같이, 절연체와 같은 피가공재가 표면 상에 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판이 준비된다. 이어서, 잉크젯 방법 등에 의해 피가공재의 표면에 임프린트재를 도포한다. 여기서는 임프린트재가 복수의 액적으로서 기판 상에 도포된 상태가 도시되어 있다.
도 8b에 도시되는 바와 같이, 임프린트용 몰드의, 돌출부 및 홈 패턴을 갖는 측이 기판 상의 임프린트재에 대면하게 한다. 도 8c에 도시되는 바와 같이, 임프린트재가 도포된 기판이 몰드와 접촉되고, 압력이 가해진다. 몰드와 피가공재 사이의 간극은 임프린트재로 충전된다. 이 상태에서, 경화 에너지로서의 광을 몰드를 통해 임프린트재에 조사하면, 임프린트재가 경화된다.
도 8d에 도시되는 바와 같이, 임프린트재가 경화된 후, 몰드는 기판으로부터 이형된다. 따라서, 임프린트재의 경화물의 패턴이 기판 상에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 홈은 경화물의 돌출부에 대응하고, 몰드의 돌출부는 경화물의 홈에 대응한다. 즉, 몰드의 돌출부 및 홈 패턴이 임프린트재에 전사된다.
도 8e에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 에칭 저항 마스크로서 사용하여 에칭을 수행하면, 피가공재의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈이 형성된다. 도 8f에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴이 제거될 때, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 취득할 수 있다. 여기서 경화물의 패턴이 제거되지만, 예를 들어 패턴은 가공 후에 제거되지 않고 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막으로서, 즉 물품의 구성 부재로서 사용될 수 있다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 알아야 한다. 이하의 청구항의 범위는 모든 이러한 수정 및 등가의 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (10)

  1. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드에 압력을 가함으로써 상기 몰드를 상기 기판의 측을 향해 볼록 형상으로 변형시키도록 구성되는 몰드 변형 기구;
    상기 기판에 압력을 가함으로써 상기 기판을 상기 몰드의 측을 향해 볼록 형상으로 변형시키도록 구성되는 기판 변형 기구;
    상기 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리하는 동안 상기 몰드의 변형량 및 상기 기판의 변형량을 측정하도록 구성되는 측정 유닛; 및
    상기 분리 동안, 상기 측정 유닛에 의해 측정된 변형량들에 기초하여, 상기 몰드의 변형량과 상기 기판의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있도록, 상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력 및 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 분리 동안, 상기 몰드의 변형량과 상기 기판의 변형량이 서로 동일해지도록, 상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력과 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력과 상기 몰드의 변형량 사이의 관계를 나타내는 몰드 변형 정보, 및 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력과 상기 기판의 변형량 사이의 관계를 나타내는 기판 변형 정보를 취득하도록 구성되는 취득 유닛을 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드의 변형량 및 상기 기판의 변형량과 상기 취득 유닛에 의해 취득된 상기 몰드 변형 정보에 기초하여, 상기 분리 동안 상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력을 결정하며,
    상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드의 변형량 및 상기 기판의 변형량과 상기 취득 유닛에 의해 취득된 상기 기판 변형 정보에 기초하여, 상기 분리 동안 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 결정하는, 임프린트 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 취득 유닛은,
    상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력을 변화시키면서 상기 몰드의 변형량을 측정함으로써 상기 몰드 변형 정보를 취득하며,
    상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 변화시키면서 상기 기판의 변형량을 측정함으로써 상기 기판 변형 정보를 취득하는, 임프린트 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드의 변형량과 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 기판의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 상기 몰드에 발생되도록 상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드의 변형량과 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 기판의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 상기 기판에 발생되도록 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 제어하는, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은,
    상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드의 변형량과 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 기판의 변형량의 평균 변형량과 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 상기 몰드에 발생되도록 상기 몰드 변형 기구에 의해 상기 몰드에 가해지는 압력을 결정하며,
    상기 평균 변형량과 상기 측정 유닛에 의해 측정된 상기 기판의 변형량 사이의 차이에 대응하는 변형량을 갖는 변형이 상기 기판에 발생되도록 상기 기판 변형 기구에 의해 상기 기판에 가해지는 압력을 결정하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 몰드를 보유지지 및 구동하도록 구성되는 몰드 보유지지 유닛을 더 포함하고,
    상기 측정 유닛은,
    상기 기판 아래에 제공되고, 상기 기판의 표면의 변위를 측정하도록 구성되는 제1 측정 유닛, 및
    상기 몰드 보유지지 유닛의 변위를 측정하도록 구성되는 제2 측정 유닛을 포함하고,
    상기 분리 동안 상기 제1 측정 유닛에 의해 측정된 상기 기판의 상기 표면의 변위로부터 상기 기판의 변형량을 취득하며,
    상기 분리 동안 상기 제2 측정 유닛에 의해 측정된 상기 몰드 보유지지 유닛의 상기 변위와 상기 분리 동안 상기 제1 측정 유닛에 의해 측정된 상기 기판의 상기 표면의 변위 사이의 차이로부터 상기 몰드의 변형량을 취득하는, 임프린트 장치.
  9. 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리하는 동안 상기 몰드의 변형량 및 상기 기판의 변형량을 측정하는 측정 단계; 및
    상기 분리 동안, 상기 측정 단계에서 측정된 변형량들에 기초하여, 상기 몰드의 변형량과 상기 기판의 변형량 사이의 차이가 허용 범위 내에 있게 하도록, 상기 몰드를 상기 기판의 측을 향해 볼록 형상으로 변형시키기 위해 상기 몰드에 가해지는 압력과, 상기 기판을 상기 몰드의 측을 향해 볼록 형상으로 변형시키기 위해 상기 기판에 가해지는 압력을 제어하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  10. 물품 제조 방법이며,
    제9항에 규정된 임프린트 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계;
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계; 및
    가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
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