JPH11274442A - 基板はり合わせ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はり合わせるべき２枚の基板１，２間の位置
ずれを防止し、はり合わせの歩留りの向上、基板面のパ
ターンの伸びのバラツキの低減、基板間の気泡の減少を
図り、自動化や効率の向上も可能とした、基板はり合わ
せ方法を提供する。 【解決手段】２枚の基板１，２を位置合わせしてはり
合わせてはり合わせ基板を形成する基板はり合わせ方法
において、２枚の基板を位置合わせする際に両基板の位
置合わせをずらす力に対抗する力Ｆが生じる方向に、基
板支持面を傾けて、２枚のはり合わせ基板の位置合わせ
を行う。はり合わせの状態を赤外吸収法により確認
し、全面が吸着されたことを確認して、真空吸着の開放
を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板はり合わせ方
法に関する。本発明は、２枚の基板を接合してはり合わ
せ基板を形成する場合に汎用することができる。例え
ば、２枚の半導体ウェーハをはり合わせて半導体の接合
体ウェーハを形成する場合に利用することができる。ま
た、半導体装置等電子部品の構造として用いられている
ＳＯＩ（Silicon on Insulator) 構造（これは絶縁部上
にシリコン部分を存在させて、このシリコン部分に各種
半導体素子を形成するような手法で、主に電子材料の分
野で利用されている）の形成手段の一つとして、絶縁部
が形成されたシリコン基板の該絶縁部がわの面に別の基
板をはり合わせ、シリコン基板を研磨することによって
絶縁部上にシリコン部分が存在する構造とする技術が知
られており、これは一般に、はり合わせＳＯＩなどと称
されているが、かかるはり合わせＳＯＩを形成する場合
にも利用できる（はり合わせ技術については、例えば日
経マグローヒル社「NIKKEI MICRODEVICES 」1988年３月
号84頁参照）。

【０００２】

【従来の技術】従来のこのようなはり合わせＳＯＩ基板
の形成方法について、以下に説明する。

【０００３】従来のはり合わせ方法において、一方の基
板を平坦な定盤に吸着したまま、もう一方の基板を接近
させて位置合わせを行う場合、一般に、水平方向に移動
しないように、位置合わせ部（ガイド部）を設ける。通
常、ガイドピンを設けて、基板の水平方向への動きを規
制する。理想的にはガイドピンのように基板に接触する
部材は、汚染防止等の意味からも設置しないほうがよい
のではあるが、はり合わせるべき基板同士をわずかな間
隙をもって空気を介在させて対向させて位置合わせる場
合など、移動防止のためにはどうしても位置合わせ部
（ガイド部）が必要になる。このとき、ガイド部を基板
に接触させたままではり合わせを行うと、ガイドの抵抗
により、気泡が発生したり、パターン伸びが生じたりす
ることがある。このため、特定のガイドを残して、他の
ガイドは基板から離してはり合わせが行われている。こ
の場合、基板支持面（通常吸着用真空チャックの面）を
水平にした状態ではり合わせを行うと、自由になった基
板が、離れたガイド側に移動してしまいやすい。ガイド
が解除された側は規制がなくなるので、その方向に移動
しやすくなるからである。このため、基板のオリエンテ
ーションフラットがずれる、ノッチが合わない、２枚の
基板がずれてはり合わされる、等のことが生じ、後工程
に多大な影響を及ぼしたり、不良品となったりする。

【０００４】また、半導体基板をはり合わせるときに、
多孔質セラミック等に吸着した基板の真空吸着を、はり
合わせが終了する前に解放すると、これはパターン伸縮
のバラツキや、気泡発生の原因となる。

【０００５】また、はり合わせの進行状況は、はり合わ
せ面の状態（ＯＨ基の状態等。はり合わせは、原理的に
は基板面の水素結合力を利用すると考えられる）、材質
（はり合わせるのがシリコン面とポリシリコン面である
か、シリコン面とＳｉＯ₂ 面であるか、ＳｉＯ₂ 面同士
であるか、等）、基板の直径等によって、違ってくる。
このため、はり合わせが終了する時間は、一定ではな
い。このように適正なはり合わせ終了時間は状況に応じ
て一定ではないので、従来技術では、適正なはり合わせ
に対して時間がオーバーしたり、または不足な時間とな
ることがある。これがまたパターン伸縮のバラツキや、
気泡発生の原因となる。

【０００６】以下、図面を参照して、従来技術の問題点
について、説明する。図４を参照する。図４は、従来技
術に係るはり合わせ法を、順に示すものである。

【０００７】この従来技術は、一方の基板１を真空吸着
し、もう一方の基板２はフリーな状態にしておき（図４
（ａ））、基板２の中心部分を加圧する（図４（ｂ））
ことにより、両基板１，２の接合面における結合力（水
素結合力によると考えられる）によって、（図４
（ｃ））、さらに（図４（ｄ））のごとくして、はり合
わせを行うものである。

【０００８】詳しくは、図示例の基板１，２は半導体基
板であり、ＳＯＩ構造を形成するためのはり合わせ基板
を得る手法であって、図４（ａ）は、真空チャック３，
４に基板１が吸着され、空気７（特にハッチングを付し
て示す）を介して基板２が浮いている状態を示す。基板
１，２は、５本のガイドピン５により、位置合わせされ
ている。すなわち、５本のガイドピン５により、基板
１，２のオリエンテーションフラット部の位置決め、及
び両基板１，２の位置合わせが行われている（５本のガ
イドピン５１〜５５の詳細は、平面を図示する図５
（ｂ）参照）。

【０００９】図４（ｂ）は、５本のガイドピン５のうち
の２本が真空チャック３，４から離れ、基板２の中心を
加圧する状態を示す。このとき、基板２からはガイドピ
ン５が離れており、このため、離れたガイドピン５に対
してはフリーとなっている。このため、オリエンテーシ
ョンフラット部の位置ずれ、及び両基板１，２の位置合
わせのずれの発生が生じ得る。

【００１０】このずれの発生につき、図５を参照して、
詳細に説明する。図５（ａ）は、図４（ｂ）に示した加
圧開始の状態と同じ工程を示し、この場合、図５（ａ）
の上面を示す図である図５（ｂ）に示すように、位置ず
れが生じている。

【００１１】すなわち図示例の場合、基板２が、図示
Ｆ′方向にずれている。つまり図５（ｂ）の右側、及び
下側に図示されるピン５４及びピン５５の側にずれてい
る。もちろん基板２のずれは一定ではなく、真空チャッ
ク３，４の傾きにより回転したり、ピン５３及びピン５
４の側に移動することもある。

【００１２】上記のように両基板１，２が位置ずれを起
こしたまま加圧されてはり合わせが進行する状態を示す
のが、図４（ｃ）である。

【００１３】図４（ｄ）は、加圧により中心が接着され
た後、５本のガイドピン５すべてが真空チャック３，４
から離れて、基板１，２の接合が進行しはり合わさった
状態を示す。図示のように、基板１に対して、基板２は
位置ずれしている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、はり
合わせるべき２枚の基板に位置ずれが生じると、適正な
はり合わせが達成できず不良品が生じたりして、歩留り
が低下することがある。また、基板面のパターンの伸び
にバラツキが生じることがある。基板間に気泡が生じや
すくなる。かつ、上記のような位置ずれが生じる場合
は、はり合わせの自動化が難しく、安定したはり合わせ
が達成できなくなる。はり合わせ効率の向上（はり合わ
せ時間の低減）も、実現しにくい。

【００１５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、はり合わせるべき２枚の基板間の位置ずれ
を防止して、この位置ずれに伴う問題点を解消し、はり
合わせの歩留りを向上でき、基板面のパターンの伸びの
バラツキを低減でき、基板間の気泡も減少させ、はり合
わせの自動化も容易で、安定したはり合わせが達成で
き、はり合わせ効率の向上（はり合わせ時間の低減）を
図ることも可能とした、基板はり合わせ方法を提供する
ことを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板はり合
わせ方法は、２枚の基板を位置合わせしてはり合わせて
はり合わせ基板を形成する基板はり合わせ方法におい
て、上記２枚の基板を位置合わせする際に両基板の位置
合わせをずらす力に対抗する力が生じる方向に、基板支
持面を傾けて、２枚のはり合わせ基板の位置合わせを行
うことを特徴とするものである。

【００１７】この発明によれば、たとえば位置合わせ用
のガイドピンを一部解除するなどしたときに、位置合わ
せをずらす方向に力がかかる（たとえば重力や、空気の
粘性等により、上側の基板が解除されたガイドピン側に
移動するような力がかかる）場合も、これが相殺される
ように基板支持面を傾けるので、基板の位置ずれは生じ
ず、適正な位置合わせで、基板はり合わせを実現でき
る。

【００１８】また、本発明に係る他の基板はり合わせ方
法は、２枚の基板を位置合わせしてはり合わせてはり合
わせ基板を形成する基板はり合わせ方法において、はり
合わせの状態を赤外吸収法により確認し、全面が吸着さ
れたことを確認して、真空吸着の開放を行うことを特徴
とするものである。

【００１９】この発明によれば、はり合わせの状態を赤
外吸収法により確認するので、たとえば位置合わせずれ
の有無についてもこれを確認できるとともに、全面が吸
着されたことを確認して、真空吸着の開放を行うので、
位置ずれを抑制でき、これにより適正なはり合わせを達
成できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て述べ、また、好ましい実施の形態例を説明する。

【００２１】本発明は、２枚の基板を位置合わせしては
り合わせてはり合わせ基板を形成する際に、上記２枚の
基板を位置合わせする際に両基板の位置合わせをずらす
力に対抗する力が生じる方向に、基板支持面を傾けて、
２枚のはり合わせ基板の位置合わせを行うが、この場合
に、２枚の基板を位置合わせする際、ガイド部を用いて
位置合わせを行うとともに、はり合わせの前に少なくと
もいずれかのガイド部のガイドを解除する際にこのガイ
ドの解除により両基板の位置合わせをずらす力が発生す
る場合に、当該位置合わせをずらす力に対抗するように
基板支持面を傾ける構成にすることができる。基板支持
面を傾けるのは、たとえば基板吸着面を０＜θ＜９０°
の範囲で傾けることにより、行うようにすることができ
る。

【００２２】また、この発明において、２枚の基板を位
置合わせする際、複数のガイドピンを用いて位置合わせ
を行うとともに、はり合わせの前に少なくともいずれか
のガイドピンのガイドを解除することにより、特に該解
除されたガイドピンの方向に位置合わせずれが発生する
場合に、当該位置合わせをずらす力に対抗するように基
板支持面を傾ける構成にすることができる。

【００２３】また、この発明において、基板支持面の基
準点とするガイドピンと、このガイドピンの少なくとも
両側に設けた２つのガイドピンとを有し、該両側に設け
た２つのガイドピンのいずれか一方のガイドピンと上記
基準点とするガイドピンとを結ぶ線上に向かってはり合
わせ基板が移動するように基板支持面を傾けて２枚のは
り合わせ基板の位置合わせを行うようにすることができ
る。

【００２４】本発明の実施において、上記傾けたままの
状態で、一方の基板が他方の基板に対してほぼ均一なわ
ずかな間隙をもつ状態に両基板を近接させ、次いで、基
板支持面から遠い方の基板の一点を、他方の基板に対し
て押し、これにより該一点から両基板同士の吸着力によ
る接合を進行させて、両基板のはり合わせを行う態様を
とることは、好ましい。

【００２５】また本発明の実施において、一方の基板が
他方の基板に対してほぼ均一なわずかな間隙をもつ状態
に両基板を近接させる手段が、一方の基板を他方の基板
に対して重力方向で近接させ、両基板間に空気が介在す
ることにより両基板間がわずかに離間して静止すること
によって行う態様をとることができる。

【００２６】また、一方の基板が他方の基板に対してほ
ぼ均一なわずかな間隙をもつ状態に両基板を近接させる
手段が、両基板間の空気の粘性抵抗または静電反発力に
よって行うものである態様をとることができる。

【００２７】また、上記傾けたままの状態で、一方の基
板を支持しておき、他方の基板を自由状態のまま近接さ
せ、次いで上記自由状態の基板の一点を、他方の基板に
対して押し、これにより該一点から両基板同士の吸着力
による接合を進行させて、両基板のはり合わせを行う態
様をとることは、好ましい。

【００２８】他の発明に係る基板はり合わせ方法は、２
枚の基板を位置合わせしてはり合わせてはり合わせ基板
を形成する基板はり合わせ方法において、はり合わせの
状態を赤外吸収法により確認し、全面が吸着されたこと
を確認して、真空吸着の開放を行うものであるが、この
発明においても、２枚の基板を位置合わせする際に両基
板の位置合わせをずらす力に対抗する力が生じる方向
に、基板支持面を傾けて、２枚のはり合わせ基板の位置
合わせを行うことは、好ましい態様である。この場合
に、位置合わせに関して、上述の各種の形態をとること
ができる。

【００２９】以下、本発明の好ましい具体的な実施の形
態例を、図面を参照して説明する。ただし当然のことで
はあるが、本発明は、以下説明する実施の形態例によ
り、限定を受けるものではない。

【００３０】実施の形態例１ 本実施例について、図１、及び必要に応じて図４を参照
して、説明する。この実施例は、本発明を、半導体ウェ
ーハをはり合わせて、パターン形成用ＳＯＩ構造を有す
るはり合わせ半導体ウェーハの形成に適用したものであ
る。本実施例によれば、基板の位置ずれを防止でき、基
板はり合わせにおいて、基板の伸び縮みと気泡の混入を
大幅に減少させることができる。

【００３１】先ず、はり合わせたい基板１，２は、基板
面同士の水素結合力を十分に利用するため、予め表面を
親水性処理をほどこし、ゴミ等の附着も無い状態で用い
る。親水性処理は、フッ酸処理で基板１，２の表面が
Ｓｉ清浄面となるようにし、次いで直ちにアンモニア
−過酸化水素水混合液で処理すること（のみでもよ
い）で行える。この処理で基板表面がＯＨリッチになる
ことにより、結合力が高まると考えられる。

【００３２】本例においても、従来技術と同様、図４
（ａ）の如く、平坦な真空チャック３，４を用い、基板
１をセットして、矢印４０で示すように真空引きを行
い、基板２を平坦に固定する。なお、本例で用いた真空
チャック３，４は、基板１の面を載置して支持する通気
性部材３、特にここでは多孔質の真空チャックと、これ
を囲って支持する支持部である多孔質部分保持及び真空
シール台から成る。符号６は、真空チャック保持台であ
る。

【００３３】次に、本例でも、図４（ｂ）に示すよう
に、基板２を基板１にわずかな間隙をもって、ここでは
数μｍの間隙で空気７が介在するように均一に接近させ
る。これにはたとえば、基板２も基板１と同様に、上部
から真空チャックにより保持しておき、基板１，２同士
が接触しない距離以上（例えば１ｍｍ）離れた位置で上
部真空を解除し、その結果、基板２が基板１へ向かって
落下させることで、達成できる。

【００３４】このとき、基板２は基板１へ向かって落下
するが、数μｍの間隙になると、空気の粘性抵抗、ある
いは場合によっては静電反発力の寄与によって、基板２
が基板１上にわずかな間隙の空気７を介在させて浮上し
ている状態にすることができる。

【００３５】このような状態で、加圧してはり合わせを
行うのであり、たとえば、接触面積１〜１０ｍｍφの押
し棒（本例では、例えば５ｍｍφの押し棒を用いて好結
果を得た）を押圧手段として用いて、基板２の中心付近
または周辺等、任意の一点を０．５〜５Ｎ（本例では、
例えば２Ｎとして好結果を得た）の荷重で加圧して、水
素結合力によると考えられるはり合わせを開始させる。

【００３６】このはり合わせにおける位置合わせの段階
で、上記図５を参照して説明したような位置ずれが生じ
得る。そこで、本例では、本発明を適用して、次のよう
に実施する。

【００３７】図１を参照する。図１（ａ）は側断面図、
図１（ｂ）は上面図である。本例では、オリエンテーシ
ョンフラット用ガイドピン５１，５２と、さらに３カ所
のガイドピン５３〜５５が設けられて、基板１，２の周
囲がガイドされる。この真空チャック３，４の、オリエ
ンテーションフラット用ガイドピン５１と、ガイドピン
５３を結ぶ線をＬとすると、この線上に対して、中心側
から直角に力Ｆが働くように、真空チャック３，４を角
度θ傾ける（図１（ａ）参照）。ここでは、５°傾け
た。

【００３８】なお、上記ガイドピン５１とガイドピン５
３を結ぶ線Ｌにより傾きを規定したのは、位置ずれ発生
防止の一例の方向であり、この方向に限定されるもので
はなく、位置ずれを生じさせる力が相殺されるようにす
ればよい。

【００３９】上記図１に示したようにしたので、本例で
は、次のような作用が呈される。図１（ａ）に示すよう
に、傾斜した真空チャック３，４に半導体基板１を真空
吸着して、空気層７を介して半導体基板２が浮いている
状態において、上記５°の傾斜により、オリエンテーシ
ョンフラット用ガイドピン５１とガイドピン５３を結ぶ
線Ｌ上に向かって、半導体基板２が移動する力Ｆが加わ
ることになる。

【００４０】前述したように、はり合わせに際して、一
部のガイドピンを解除するが、ここでは図１（ｂ）に示
したように、ガイドピン５４，５５が基板２から離れ
て、解除される。このようにガイドピン５４，５５が基
板２からは離れているのであるが、本例ではガイドピン
５１及びガイドピン５３側に傾斜しているので、半導体
基板２がガイドピン５１，５２，５３側に寄った状態に
なる。この状態で、加圧して、はり合わせを進行させ
る。よってここでは、ガイドピン５１，５２，５３に位
置規制された状態で、つまり位置合わせがずれない状態
で、はり合わせが達成される。

【００４１】この結果、ガイドピン５４，５５がフリー
になって、はり合わせをさまたげることなく円滑にはり
合わせがなされるとともに、ガイドピン５４，５５がフ
リーになることによる位置ずれも生じない。

【００４２】このようにして図４（ｂ）に示したごとき
加圧を行い、図４（ｃ）のようなはり合わせを行うので
あるが、図４（ｃ）のように中心が接着されると、爾後
は基板２の移動は生じなくなる。ここでガイドピン５
１，５２，５３も真空チャック３，４から離し、基板２
が全くフリーな状態で、はり合わせを進行させる。これ
により、気泡発生が生じず、パターン伸びの少ないはり
合わせが可能となる。

【００４３】上記のように本実施の形態例では、真空チ
ャックの基板吸着面の基準点であるここではオリエンテ
ーションフラット用のガイドピン、及び該基準点の両側
に設けたいずれか一方のガイドピンを結ぶ線上に向かっ
てはり合わせ基板が移動するように、該基板吸着面を０
＜θ＜９０°の範囲で傾けて、２枚のはり合わせ基板の
位置合わせを行うようにしたので、２枚の基板間の位置
ずれが防止できる。よってはり合わせの歩留りを向上で
き、基板面のパターンの伸びのバラツキを低減でき、基
板間の気泡も減少させる。はり合わせの自動化も容易
で、安定したはり合わせが達成できる。はり合わせ効率
の向上（はり合わせ時間の低減）を図ることも可能であ
る。

【００４４】実施の形態例２ 図２に、本実施の形態例を示す。この例は、半導体基板
の基準がノッチ式の場合である。すなわちここでは、基
準点とするノッチ用のガイドピン５６について、このガ
イドピン５６と、その両側に設けたガイドピン５３，５
５のうちの、この場合ガイドピン５５とを結んだ線Ｌを
もとにして、中心からこの線Ｌ上に向かって、半導体基
板２が移動する力Ｆが加わるように、真空チャック３，
４をガイドピン５６，５５側に傾斜させる。

【００４５】この状態で半導体基板２の中心が加圧す
る。このとき、半導体基板２の移動方向はＦ方向であ
る。つまり、ガイドピン５６，５５により位置規制され
ている。これによりはり合わせの進行が始まると、ガイ
ドピン５３〜５６すべてが半導体基板１，２から離れた
状態で、はり合わせが行われる。

【００４６】本例によっても、実施の形態例１と同様の
作用効果が示され、気泡発生がなく、位置ずれの生じな
いはり合わせが可能となる。

【００４７】実施の形態例３ 図３に、はり合わせに際しての、モニターシステムを示
す。これは、半導体基板１，２が接着される状態をモニ
ターするもので、各種のはり合わせ技術に利用でき、た
とえば上記実施の形態例１、または実施の形態例２の実
施の場合に、好ましく適用できる。

【００４８】たとえば実施の形態例１について、図１
（ａ）に示したように基板中心が接着されてはり合わせ
が進行していく状態を、赤外線カメラ８により、モニタ
ーテレビ９等のディスプレイによってモニターして、は
り合わせが全面完了した時点で真空用バルブ１０を閉め
て、半導体基板１の真空吸着を解除し、はり合わせの終
了とする。

【００４９】たとえば、はり合わせるべき半導体基板の
９０％が接着されれば真空吸着解除と設定した場合は、
赤外線カメラ８でモニターして接着面積が９０％に達し
たときに真空吸着解除するというように、実施できる。

【００５０】この場合の面積の計算とか、真空吸着解除
指示等のシーケンスは、コンピューターにより行うよう
にすることができる。

【００５１】本例によれば、はり合わせの状態を赤外吸
収法により確認するので、全面が吸着されたことを確認
して、真空吸着の開放を行うので、位置ずれを抑制で
き、これにより適正なはり合わせを達成できる。また、
位置合わせずれの有無についてもこれを確認してはり合
わせを進行させるようにすることもできる。

【００５２】

【発明の効果】本発明の基板はり合わせ方法によれば、
はり合わせるべき２枚の基板間の位置ずれを防止でき、
はり合わせの歩留りを向上でき、基板面のパターンの伸
びのバラツキを低減でき、基板間の気泡も減少させ、は
り合わせの自動化も容易で、安定したはり合わせが達成
でき、はり合わせ効率の向上（はり合わせ時間の低減）
を図ることも可能であるという効果がもたらされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態例１を示す図である。

【図２】 実施の形態例２を示す図である。

【図３】 実施の形態例３を示す図である。

【図４】 従来技術を示す図である。

【図５】 従来技術の問題点を示す図である。

【符号の説明】

１，２・・・基板、３・・・真空チャック（多孔質真空
チャック）、４・・・真空チャック（多孔質部分保持及
び真空シール台）、５１〜５６・・・（基板位置合わ
せ）ガイドピン、６・・・真空チャック保持台、７・・
・空気層、８・・・赤外線カメラ、９・・・モニター、
１０・・・真空バルブ。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２枚の基板を位置合わせしてはり合わせ
   てはり合わせ基板を形成する基板はり合わせ方法におい
   て、 上記２枚の基板を位置合わせする際に両基板の位置合わ
   せをずらす力に対抗する力が生じる方向に、基板支持面
   を傾けて、２枚のはり合わせ基板の位置合わせを行うこ
   とを特徴とする基板はり合わせ方法。
2. 【請求項２】 上記２枚の基板を位置合わせする際、ガ
   イド部を用いて位置合わせを行うとともに、はり合わせ
   に際し少なくともいずれかのガイド部のガイドを解除す
   る際にこのガイドの解除により両基板の位置合わせをず
   らす力が発生する場合に、当該位置合わせをずらす力に
   対抗するように基板支持面を傾けることを特徴とする請
   求項１に記載の基板はり合わせ方法。
3. 【請求項３】 上記２枚の基板を位置合わせする際、複
   数のガイドピンを用いて位置合わせを行うとともに、は
   り合わせの前に少なくともいずれかのガイドピンのガイ
   ドを解除することにより位置合わせずれが発生する場合
   に、当該位置合わせをずらす力に対抗するように基板支
   持面を傾けることを特徴とする請求項１に記載の基板は
   り合わせ方法。
4. 【請求項４】 基板支持面の基準点とするガイドピン
   と、このガイドピンの少なくとも両側に設けた２つのガ
   イドピンとを有し、該両側に設けた２つのガイドピンの
   いずれか一方のガイドピンと上記基準点とするガイドピ
   ンとを結ぶ線上に向かってはり合わせ基板が移動するよ
   うに基板支持面を傾けて２枚のはり合わせ基板の位置合
   わせを行うことを特徴とする請求項１に記載の基板はり
   合わせ方法。
5. 【請求項５】 上記傾けたままの状態で、一方の基板が
   他方の基板に対してほぼ均一なわずかな間隙をもつ状態
   に両基板を近接させ、 次いで、基板支持面から遠い方の基板の一点を、他方の
   基板に対して押し、これにより該一点から両基板同士の
   吸着力による接合を進行させて、両基板のはり合わせを
   行うことを特徴とする請求項１に記載の基板はり合わせ
   方法。
6. 【請求項６】 一方の基板が他方の基板に対してほぼ均
   一なわずかな間隙をもつ状態に両基板を近接させる手段
   が、一方の基板を他方の基板に対して重力方向で近接さ
   せ、両基板間に空気が介在することにより両基板間がわ
   ずかに離間して静止することによって行うものである請
   求項５に記載の基板はり合わせ方法。
7. 【請求項７】 一方の基板が他方の基板に対してほぼ均
   一なわずかな間隙をもつ状態に両基板を近接させる手段
   が、両基板間の空気の粘性抵抗または静電反発力によっ
   て行うものである請求項５に記載の基板はり合わせ方
   法。
8. 【請求項８】 上記傾けたままの状態で、一方の基板を
   支持しておき、他方の基板を自由状態のまま近接させ、 次いで上記自由状態の基板の一点を、他方の基板に対し
   て押し、これにより該一点から両基板同士の吸着力によ
   る接合を進行させて、両基板のはり合わせを行うことを
   特徴とする請求項１に記載の基板はり合わせ方法。
9. 【請求項９】 ２枚の基板を位置合わせしてはり合わせ
   てはり合わせ基板を形成する基板はり合わせ方法におい
   て、 はり合わせの状態を赤外吸収法により確認し、全面が吸
   着されたことを確認して、真空吸着の開放を行うことを
   特徴とする基板はり合わせ方法。
10. 【請求項１０】 上記２枚の基板を位置合わせする際に
    両基板の位置合わせをずらす力に対抗する力が生じる方
    向に、基板支持面を傾けて、２枚のはり合わせ基板の位
    置合わせを行うことを特徴とする請求項９に記載の基板
    はり合わせ方法。