JP3311319B2 - 光学ユニット、光学ユニットを用いた光学機器 - Google Patents
光学ユニット、光学ユニットを用いた光学機器Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回折光学素子など
の複数の方向に光線を偏向する光学素子を備えた光学ユ
ニットに関し、特に、ＩＣやＬＳＩ等を製作する装置に
好適な光学ユニットに関するものである。
の複数の方向に光線を偏向する光学素子を備えた光学ユ
ニットに関し、特に、ＩＣやＬＳＩ等を製作する装置に
好適な光学ユニットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特
に、近年はサブミクロンの解像力を有する縮小投影露光
装置、通称ステッパーを用いて微細加工を行うことが主
流であり、さらなる解像力向上にむけて光学系の開口数
（ＮＡ）の拡大や、露光波長の短波長化、また新しい光
学素子の導入も盛んに研究されている。
覚ましく、それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特
に、近年はサブミクロンの解像力を有する縮小投影露光
装置、通称ステッパーを用いて微細加工を行うことが主
流であり、さらなる解像力向上にむけて光学系の開口数
（ＮＡ）の拡大や、露光波長の短波長化、また新しい光
学素子の導入も盛んに研究されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の露光装置におい
ては、例えば色収差の補正に用いる回折光学素子のよう
な光学素子を用いた場合、光学素子により回折された光
線のうち、所望の方向以外に回折した光線（不要光）が
鏡筒内で反射してゴースト、フレア等の発生の要因とな
り、従って、被露光面における露光量分布が不均一とな
っていた。
ては、例えば色収差の補正に用いる回折光学素子のよう
な光学素子を用いた場合、光学素子により回折された光
線のうち、所望の方向以外に回折した光線（不要光）が
鏡筒内で反射してゴースト、フレア等の発生の要因とな
り、従って、被露光面における露光量分布が不均一とな
っていた。
【０００４】本発明は、このような問題に鑑みて成され
たものであり、本発明の目的は、前述のゴースト、フレ
ア等をなくしたり、減らすことができる光学ユニットを
提供することにある。
たものであり、本発明の目的は、前述のゴースト、フレ
ア等をなくしたり、減らすことができる光学ユニットを
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光学ユニット
は、入射光を複数の方向に偏向させる光学素子と、前記
複数の方向のうちのある方向へ偏向した光を多重反射に
より減衰させる減衰手段とを備え、前記減衰手段は、内
壁面が反射面として形成された２つの角笛型の断面形状
の凹部を有しており、前記２つの角笛型の断面形状の凹
部は互いに離れる方向に屈曲していることを特徴とす
る。
は、入射光を複数の方向に偏向させる光学素子と、前記
複数の方向のうちのある方向へ偏向した光を多重反射に
より減衰させる減衰手段とを備え、前記減衰手段は、内
壁面が反射面として形成された２つの角笛型の断面形状
の凹部を有しており、前記２つの角笛型の断面形状の凹
部は互いに離れる方向に屈曲していることを特徴とす
る。
【０００６】
【０００７】本発明の光学ユニットの一態様例において
は、前記減衰手段を冷却する冷却手段を更に有する。
は、前記減衰手段を冷却する冷却手段を更に有する。
【０００８】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記減衰手段は、前記ある方向へ偏光した光を多重
反射により特定領域に収束する機能を有する。
て、前記減衰手段は、前記ある方向へ偏光した光を多重
反射により特定領域に収束する機能を有する。
【０００９】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記光学素子は回折光学素子である。
て、前記光学素子は回折光学素子である。
【００１０】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記回折光学素子は、階段状に形成された回折パタ
ーンを有する。
て、前記回折光学素子は、階段状に形成された回折パタ
ーンを有する。
【００１１】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記ある方向へ偏向した光は、前記光学素子により
偏向した前記光のうちの＋１次または−１次の回折光で
ある。
て、前記ある方向へ偏向した光は、前記光学素子により
偏向した前記光のうちの＋１次または−１次の回折光で
ある。
【００１２】
【００１３】
【００１４】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記光学素子は鏡筒内に固定又は移動可能に支持さ
れており、前記減衰手段は前記鏡筒の内周面の全周に渡
って形成されている。
て、前記光学素子は鏡筒内に固定又は移動可能に支持さ
れており、前記減衰手段は前記鏡筒の内周面の全周に渡
って形成されている。
【００１５】本発明の光学ユニットの一態様例において
は、前記減衰手段を複数箇所設けている。
は、前記減衰手段を複数箇所設けている。
【００１６】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記冷却手段は空冷式である。
て、前記冷却手段は空冷式である。
【００１７】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記冷却手段は水冷式である。
て、前記冷却手段は水冷式である。
【００１８】本発明の光学ユニットの一態様例におい
て、前記冷却手段がペルチェ素子から成る。
て、前記冷却手段がペルチェ素子から成る。
【００１９】本発明の光学機器は、上記光学ユニットを
介して光束を感光材料に照射するものである。
介して光束を感光材料に照射するものである。
【００２０】本発明の光学機器は、上記光学ユニットを
介して光束を光電変換素子に照射するものである。
介して光束を光電変換素子に照射するものである。
【００２１】本発明の露光装置は、上記光学ユニットを
照明光学系及び／又は投影光学系の少なくとも一部とし
て備え、被露光面にマスクパターンを投影し露光を行
う。
照明光学系及び／又は投影光学系の少なくとも一部とし
て備え、被露光面にマスクパターンを投影し露光を行
う。
【００２２】本発明のデバイスの製造方法は、ウエハに
感光材料を塗布するステップと、上記露光装置を用い
て、前記感光材料が塗布された前記ウエハにデバイスパ
ターンの露光を行うステップと、前記露光が行われた前
記ウエハを現像するステップとを備えている。
感光材料を塗布するステップと、上記露光装置を用い
て、前記感光材料が塗布された前記ウエハにデバイスパ
ターンの露光を行うステップと、前記露光が行われた前
記ウエハを現像するステップとを備えている。
【００２３】
【作用】本発明においては、光学素子においてある方向
に回折した不要光線（例えば高次の回折光）を、減衰手
段に照射させ、多重反射させて特定領域に収束させるこ
とにより不要光線を吸収することができる。また、吸収
した際に減衰手段において発生する熱を、冷却手段によ
って冷却することができ、発熱に起因する光学ユニット
の変形等を抑止することができる。
に回折した不要光線（例えば高次の回折光）を、減衰手
段に照射させ、多重反射させて特定領域に収束させるこ
とにより不要光線を吸収することができる。また、吸収
した際に減衰手段において発生する熱を、冷却手段によ
って冷却することができ、発熱に起因する光学ユニット
の変形等を抑止することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は第
１の実施形態に係る光学ユニットを用いたステッパー
（縮小投影露光装置）の全体構成を示す側面図である。
図２は、図１に示すステッパーにおける投影光学系の一
部を示す概略断面図である。
の第１の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は第
１の実施形態に係る光学ユニットを用いたステッパー
（縮小投影露光装置）の全体構成を示す側面図である。
図２は、図１に示すステッパーにおける投影光学系の一
部を示す概略断面図である。
【００２５】図１は、第１の実施形態のステッパーの主
要構成を示す模式図である。このステッパーは、回路パ
ターンが描かれたレチクル１１に照明光を照射するため
の照明光学系１０と、レチクル１１を通過した照明光が
入射して当該レチクル１１のパターンをウェハ１３の表
面に縮小投影するための投影光学系１２と、ウェハ１３
が載置固定されるウェハチャック１４と、ウェハチャッ
ク１４が固定されるウェハステージ１５とを有してい
る。
要構成を示す模式図である。このステッパーは、回路パ
ターンが描かれたレチクル１１に照明光を照射するため
の照明光学系１０と、レチクル１１を通過した照明光が
入射して当該レチクル１１のパターンをウェハ１３の表
面に縮小投影するための投影光学系１２と、ウェハ１３
が載置固定されるウェハチャック１４と、ウェハチャッ
ク１４が固定されるウェハステージ１５とを有してい
る。
【００２６】前記光学系は、紫外線や遠紫外線等の短波
長光、ここでは照明光としての高輝度のＡｒＦエキシマ
レーザー光を発する光源１と、光源１からの照明光を所
望の光束形状に変換するビーム形状変換手段２と、複数
のシリンドリカルレンズや微小レンズを２次元的に配置
されてなるオプティカルインテグレータ３と、不図示の
切替手段により任意の絞りに切替可能とされ、オプティ
カルインテグレータ３により形成された２次光源の位置
近傍に配置された絞り部材４と、絞り部材４を通過した
照明光を集光するコンデンサーレンズ５と、例えば４枚
の可変ブレードにより構成され、レチクル１１の共役面
に配置されてレチクル１１の表面での照明範囲を任意に
決定するブラインド７と、ブラインド７で所定形状に決
定された照明光をレチクル１１の表面に投影するための
結像レンズ８と、結像レンズ８からの照明光をレチクル
１１の方向へ反射させる折り曲げミラー９とを有してい
る。
長光、ここでは照明光としての高輝度のＡｒＦエキシマ
レーザー光を発する光源１と、光源１からの照明光を所
望の光束形状に変換するビーム形状変換手段２と、複数
のシリンドリカルレンズや微小レンズを２次元的に配置
されてなるオプティカルインテグレータ３と、不図示の
切替手段により任意の絞りに切替可能とされ、オプティ
カルインテグレータ３により形成された２次光源の位置
近傍に配置された絞り部材４と、絞り部材４を通過した
照明光を集光するコンデンサーレンズ５と、例えば４枚
の可変ブレードにより構成され、レチクル１１の共役面
に配置されてレチクル１１の表面での照明範囲を任意に
決定するブラインド７と、ブラインド７で所定形状に決
定された照明光をレチクル１１の表面に投影するための
結像レンズ８と、結像レンズ８からの照明光をレチクル
１１の方向へ反射させる折り曲げミラー９とを有してい
る。
【００２７】以上のように構成されたステッパーを用
い、レチクル１１のパターンをウェハ１３の表面に縮小
投影する動作について説明する。
い、レチクル１１のパターンをウェハ１３の表面に縮小
投影する動作について説明する。
【００２８】先ず、光源１から発した照明光は、ビーム
形状変換手段２で所定形状に変換された後、オプティカ
ルインテグレータ３に指向される。このとき、その射出
面近傍に複数の２次光源が形成される。この２次光源か
らの照明光が、絞り部材４を介してコンデンサーレンズ
５で集光され、ブラインド７で所定形状に決定された後
に結像レンズ８を介して折り曲げミラー９で反射し、レ
チクル１１のパターンを通過して投影光学系１２に入射
する。そして、投影光学系１２を通過して前記パターン
が所定寸法に縮小されてウェハ１３の表面に投影され、
露光が施される。
形状変換手段２で所定形状に変換された後、オプティカ
ルインテグレータ３に指向される。このとき、その射出
面近傍に複数の２次光源が形成される。この２次光源か
らの照明光が、絞り部材４を介してコンデンサーレンズ
５で集光され、ブラインド７で所定形状に決定された後
に結像レンズ８を介して折り曲げミラー９で反射し、レ
チクル１１のパターンを通過して投影光学系１２に入射
する。そして、投影光学系１２を通過して前記パターン
が所定寸法に縮小されてウェハ１３の表面に投影され、
露光が施される。
【００２９】次に、第１の実施形態における回折光学素
子２２を備えた光学ユニットである投影光学系１２の構
成を説明する。図２は、図１における投影光学系１２の
一部を示す断面図である。鏡筒２１の内部に回折光学素
子２２が固定されており、回折光学素子２２の上側と下
側にレンズ２０，２４が固定されている。
子２２を備えた光学ユニットである投影光学系１２の構
成を説明する。図２は、図１における投影光学系１２の
一部を示す断面図である。鏡筒２１の内部に回折光学素
子２２が固定されており、回折光学素子２２の上側と下
側にレンズ２０，２４が固定されている。
【００３０】回折光学素子２２は、単体でレンズを複数
枚重ねたものと同等の効果を有するユニットであり、投
影光学系１２における収差、特に色収差を抑えることが
可能である。
枚重ねたものと同等の効果を有するユニットであり、投
影光学系１２における収差、特に色収差を抑えることが
可能である。
【００３１】すなわち、投影光学系１２に回折光学素子
２２を挿入することにより、投影光学系１２の光学レン
ズの枚数を少なくして、収差の発生を最小限に抑えてい
る。
２２を挿入することにより、投影光学系１２の光学レン
ズの枚数を少なくして、収差の発生を最小限に抑えてい
る。
【００３２】次に、回折光学素子２２の詳細について説
明する。図３（ａ）は、回折光学素子２２の平面図を示
している。そして、図３（ｂ）は、図３（ａ）における
Ｉ−Ｉ線に沿った断面を示している。
明する。図３（ａ）は、回折光学素子２２の平面図を示
している。そして、図３（ｂ）は、図３（ａ）における
Ｉ−Ｉ線に沿った断面を示している。
【００３３】図３（ａ）に示すように、回折光学素子２
２は、鏡筒２１の内径に嵌合するように円盤状に形成さ
れている。そして、図３（ｂ）に示すように、表面には
微小な階段状の断面からなる回折格子面２２ａが形成さ
れている。
２は、鏡筒２１の内径に嵌合するように円盤状に形成さ
れている。そして、図３（ｂ）に示すように、表面には
微小な階段状の断面からなる回折格子面２２ａが形成さ
れている。
【００３４】すなわち、回折光学素子２２は、微小な段
差を形成することにより回折格子面２２ａを形成したバ
イナリー型光学素子であって、この微小な段差により入
射する光線２３を回折して所望の偏向角で偏向させるこ
とができる。
差を形成することにより回折格子面２２ａを形成したバ
イナリー型光学素子であって、この微小な段差により入
射する光線２３を回折して所望の偏向角で偏向させるこ
とができる。
【００３５】回折光学素子２２は、石英を主とする円盤
状基板を、半導体製造プロセスにおいて使用されるフォ
トリソグラフィー及びドライエッチング技術によって微
細加工することにより形成され、その回折格子面２２ａ
は、図３（ｂ）に示すように理想の素子形状（ブレーズ
ド形状）を階段状に近似した形状に形成されている。こ
こで、階段状断面の１段の高さは４０ｎｍ〜６０ｎｍ程
度である。
状基板を、半導体製造プロセスにおいて使用されるフォ
トリソグラフィー及びドライエッチング技術によって微
細加工することにより形成され、その回折格子面２２ａ
は、図３（ｂ）に示すように理想の素子形状（ブレーズ
ド形状）を階段状に近似した形状に形成されている。こ
こで、階段状断面の１段の高さは４０ｎｍ〜６０ｎｍ程
度である。
【００３６】回折格子面２２ａの回折パターンを形成す
るには、円盤状の基板の表面にフォトリソグラフィー及
びドライエッチングを施すことによりパターニングして
形成するが、図３（ｂ）に示すように回折パターンを階
段状に形成するには、その段数に応じた回数のパターニ
ングが必要である。図３（ｂ）に示す如く、回折パター
ンを８段状に形成する場合には、３回のパターニングが
必要となる。ここで、回折光学素子２２の素材となる円
盤状基板が比較的大きい場合には、１回の露光で全範囲
を露光することができないため、素子面を同心円状に分
割してそれぞれの領域毎に３回のパターニングを行うこ
とになる。
るには、円盤状の基板の表面にフォトリソグラフィー及
びドライエッチングを施すことによりパターニングして
形成するが、図３（ｂ）に示すように回折パターンを階
段状に形成するには、その段数に応じた回数のパターニ
ングが必要である。図３（ｂ）に示す如く、回折パター
ンを８段状に形成する場合には、３回のパターニングが
必要となる。ここで、回折光学素子２２の素材となる円
盤状基板が比較的大きい場合には、１回の露光で全範囲
を露光することができないため、素子面を同心円状に分
割してそれぞれの領域毎に３回のパターニングを行うこ
とになる。
【００３７】図３（ｂ）に示すように、回折光学素子２
２に入射した光線２３は、回折光学素子２２により所望
の偏向角に回折されて撮像に用いる一次回折光である光
線２４となる。入射した光線２３のほとんどが所望の一
次回折光として回折される。しかし、光線２４の他、光
線２４の進む方向とは別の方向に不要な光線２５が回折
する。
２に入射した光線２３は、回折光学素子２２により所望
の偏向角に回折されて撮像に用いる一次回折光である光
線２４となる。入射した光線２３のほとんどが所望の一
次回折光として回折される。しかし、光線２４の他、光
線２４の進む方向とは別の方向に不要な光線２５が回折
する。
【００３８】光線２５は、バイナリー型光学素子の微小
な段差に起因して生じる光線であって、回折光学素子２
２の回折格子面２２ａが完全な理想形状に形成されてい
れば理論上は不要な光線２５は発生しない。しかし、回
折格子面２２ａを微小な階段構造で近似した場合は、不
要な光線２５が生じることになる。回折光学素子２２の
回折格子面２２ａの設計値、光源１から入射する光線の
波長等からシミュレーションすることにより、一次回折
光（光線２４）の進行方向（回折角）とともに不要な光
線２５の進行方向（回折角）を求めることができる。
な段差に起因して生じる光線であって、回折光学素子２
２の回折格子面２２ａが完全な理想形状に形成されてい
れば理論上は不要な光線２５は発生しない。しかし、回
折格子面２２ａを微小な階段構造で近似した場合は、不
要な光線２５が生じることになる。回折光学素子２２の
回折格子面２２ａの設計値、光源１から入射する光線の
波長等からシミュレーションすることにより、一次回折
光（光線２４）の進行方向（回折角）とともに不要な光
線２５の進行方向（回折角）を求めることができる。
【００３９】次に、鏡筒２１内に設けられた、不要な光
線２５を吸収するための構造部材について説明する。図
２に示すように、回折光学素子２２と光学レンズ２４の
間における鏡筒２１の内周面２１ａには、その全周に渡
って光束吸収構造体（減衰手段）２６が構成されてい
る。そして、光束吸収構造体２６に近接して、鏡筒２１
の外側の全周には冷却手段２７が設けられている。
線２５を吸収するための構造部材について説明する。図
２に示すように、回折光学素子２２と光学レンズ２４の
間における鏡筒２１の内周面２１ａには、その全周に渡
って光束吸収構造体（減衰手段）２６が構成されてい
る。そして、光束吸収構造体２６に近接して、鏡筒２１
の外側の全周には冷却手段２７が設けられている。
【００４０】図４は第１の実施形態における光束吸収構
造体２６の構造を示している。光束吸収構造体２６は隣
接して形成された２つの角笛型の断面形状を有する凹部
２８，２９により構成されている。角笛型の凹部２８，
２９は、鏡筒２１の内周の全周に渡って形成されてい
る。そして、凹部２８，２９の光軸方向の位置は、回折
光学素子２２の直下であって、不要な光線２５の進行方
向の延長線上に配置されている。
造体２６の構造を示している。光束吸収構造体２６は隣
接して形成された２つの角笛型の断面形状を有する凹部
２８，２９により構成されている。角笛型の凹部２８，
２９は、鏡筒２１の内周の全周に渡って形成されてい
る。そして、凹部２８，２９の光軸方向の位置は、回折
光学素子２２の直下であって、不要な光線２５の進行方
向の延長線上に配置されている。
【００４１】鏡筒２１は、例えば真鍮等の金属により形
成されているため、凹部２８，２９の内壁面２８ａは金
属反射面として形成されている。図５は、凹部２８の詳
細な形状を示した断面図である。凹部２８は角笛型の断
面に形成されているため、凹部２８の内壁面２８ａは図
４において上方向に屈曲しており、先端部２８ｂにおい
て特定領域に収束している。
成されているため、凹部２８，２９の内壁面２８ａは金
属反射面として形成されている。図５は、凹部２８の詳
細な形状を示した断面図である。凹部２８は角笛型の断
面に形成されているため、凹部２８の内壁面２８ａは図
４において上方向に屈曲しており、先端部２８ｂにおい
て特定領域に収束している。
【００４２】図５は、凹部２８に入射した不要な光線２
５が、凹部２８内で反射する様子を示している。このよ
うに、不要な光線２５は凹部２８の内壁面２８ａで反射
して凹部２８の底へと向かい、凹部２８の底の先端部２
８ｂへ収束する。
５が、凹部２８内で反射する様子を示している。このよ
うに、不要な光線２５は凹部２８の内壁面２８ａで反射
して凹部２８の底へと向かい、凹部２８の底の先端部２
８ｂへ収束する。
【００４３】このように、角笛型の凹部２８を不要な光
線２５の進行方向に設置しておくことにより、不要な光
線２５を凹部２８内で多重反射により特定収束領域に収
束させて吸収することが可能である。
線２５の進行方向に設置しておくことにより、不要な光
線２５を凹部２８内で多重反射により特定収束領域に収
束させて吸収することが可能である。
【００４４】図４に示すように、鏡筒２１の外側には、
凹部２８，２９の先端部２８ｂ，２９ｂに近接するよう
に、冷却手段２７としてのペルチェ素子３０ａ，３０ｂ
が設置されている。ペルチェ素子３０ａ，３０ｂは、ペ
ルチェ効果により熱を吸収することが可能である。
凹部２８，２９の先端部２８ｂ，２９ｂに近接するよう
に、冷却手段２７としてのペルチェ素子３０ａ，３０ｂ
が設置されている。ペルチェ素子３０ａ，３０ｂは、ペ
ルチェ効果により熱を吸収することが可能である。
【００４５】ペルチェ素子３０ａ，３０ｂを凹部２８，
２９の先端部２８ｂ，２９ｂに近接させることにより、
不要な光線２５を吸収した際に生ずる先端部２８ｂ，２
９ｂの発熱を鏡筒２１の外側から冷却することができ
る。これにより、凹部２８，２９が発熱した際における
鏡筒２１の変形を抑止することができ、鏡筒２１の変形
による投影光学系１２の光学性能の劣化を抑止すること
ができる。
２９の先端部２８ｂ，２９ｂに近接させることにより、
不要な光線２５を吸収した際に生ずる先端部２８ｂ，２
９ｂの発熱を鏡筒２１の外側から冷却することができ
る。これにより、凹部２８，２９が発熱した際における
鏡筒２１の変形を抑止することができ、鏡筒２１の変形
による投影光学系１２の光学性能の劣化を抑止すること
ができる。
【００４６】以上説明したように、本発明の第１の実施
形態によれば、回折光学素子２２に入射する光線２３を
所望の一次回折光である光線２４に回折させた際に、光
線２４とは別の方向に回折された不要な光線２５の進行
方向に角笛型の凹部２８，２９を設けておくことによ
り、光線２５を吸収して投影光学系１２から取り除くこ
とができる。
形態によれば、回折光学素子２２に入射する光線２３を
所望の一次回折光である光線２４に回折させた際に、光
線２４とは別の方向に回折された不要な光線２５の進行
方向に角笛型の凹部２８，２９を設けておくことによ
り、光線２５を吸収して投影光学系１２から取り除くこ
とができる。
【００４７】これにより、投影光学系１２内において乱
反射の原因となる光線２５を除去することができ、ゴー
スト、フレア等の発生を抑止することができ、ウェハ１
３上に照射される光束の均一性を高めることが可能とな
る。従って、投影光学系１２を透過した所望の光線２４
によりウェハ１３上に高い精度で所望の形状のパターン
を形成することができ、図１に示すステッパーにより製
造されるデバイスの信頼性を高めることが可能となる。
反射の原因となる光線２５を除去することができ、ゴー
スト、フレア等の発生を抑止することができ、ウェハ１
３上に照射される光束の均一性を高めることが可能とな
る。従って、投影光学系１２を透過した所望の光線２４
によりウェハ１３上に高い精度で所望の形状のパターン
を形成することができ、図１に示すステッパーにより製
造されるデバイスの信頼性を高めることが可能となる。
【００４８】また、凹部２８，２９に近接してペルチェ
素子３０ａ，３０ｂからなる冷却手段を設けたため、光
線２５を吸収して加熱された凹部２８，２９を冷却する
ことが可能となる。これにより、鏡筒２１の熱による変
形を低減して、投影光学系１２の光学性能の劣化を抑止
することができる。
素子３０ａ，３０ｂからなる冷却手段を設けたため、光
線２５を吸収して加熱された凹部２８，２９を冷却する
ことが可能となる。これにより、鏡筒２１の熱による変
形を低減して、投影光学系１２の光学性能の劣化を抑止
することができる。
【００４９】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を図面に基づいて説明する。第２の実施形態に
おいても本発明に係る光学ユニットを用いた装置として
ステッパーを例示する。第２の実施形態におけるステッ
パー及び光学ユニットとしての投影光学系１２の主要構
成は、第１の実施形態と同一であり、第２の実施形態に
おいては図２に示す光束吸収構造体２６及び冷却手段２
７が第１の実施形態と異なるため、以下この部位の構成
について説明する。なお、第２の実施形態を説明する図
において、第１の実施形態と実質的に同一の構成部材等
については第１の実施形態と同一の符号を記す。
実施形態を図面に基づいて説明する。第２の実施形態に
おいても本発明に係る光学ユニットを用いた装置として
ステッパーを例示する。第２の実施形態におけるステッ
パー及び光学ユニットとしての投影光学系１２の主要構
成は、第１の実施形態と同一であり、第２の実施形態に
おいては図２に示す光束吸収構造体２６及び冷却手段２
７が第１の実施形態と異なるため、以下この部位の構成
について説明する。なお、第２の実施形態を説明する図
において、第１の実施形態と実質的に同一の構成部材等
については第１の実施形態と同一の符号を記す。
【００５０】図６は第２の実施形態における光束吸収構
造体２６の構造を示している。光束吸収構造体２６は、
鏡筒２１の内周面２１ａの全周に渡って形成された、楔
型の断面形状からなる溝状部材３１から構成されてい
る。溝状部材３１は先端が鋭利に形成されており、根元
において固定されている。
造体２６の構造を示している。光束吸収構造体２６は、
鏡筒２１の内周面２１ａの全周に渡って形成された、楔
型の断面形状からなる溝状部材３１から構成されてい
る。溝状部材３１は先端が鋭利に形成されており、根元
において固定されている。
【００５１】図７は、溝状部材３１を拡大して示した断
面図である。本実施形態においては、溝状部材３１は金
属材料から形成されており、溝状部材３１の側面３１ａ
は金属反射面とされている。このように、側面３１ａを
反射面としておくことにより、図７に示すように、溝状
部材３１から構成される光束吸収構造体２６に不要な光
線２５が入射した際に、光線２５を多重反射させて隣接
する溝状部材３１間の根元部３２まで光線２５を導くこ
とができ、根元部３２において光線２５を吸収すること
ができる。
面図である。本実施形態においては、溝状部材３１は金
属材料から形成されており、溝状部材３１の側面３１ａ
は金属反射面とされている。このように、側面３１ａを
反射面としておくことにより、図７に示すように、溝状
部材３１から構成される光束吸収構造体２６に不要な光
線２５が入射した際に、光線２５を多重反射させて隣接
する溝状部材３１間の根元部３２まで光線２５を導くこ
とができ、根元部３２において光線２５を吸収すること
ができる。
【００５２】図６に示すように、鏡筒２１の外周には、
溝状部材３１からなる光束吸収構造体２６と近接するよ
うにフィン状の放熱プレート３３が形成されている。放
熱プレート３３は、鏡筒２１の外周の全周に渡って形成
されており、光線２５を吸収することによって加熱され
た溝状部材３１の各々を冷却する冷却部材２７としての
役割を有している。
溝状部材３１からなる光束吸収構造体２６と近接するよ
うにフィン状の放熱プレート３３が形成されている。放
熱プレート３３は、鏡筒２１の外周の全周に渡って形成
されており、光線２５を吸収することによって加熱され
た溝状部材３１の各々を冷却する冷却部材２７としての
役割を有している。
【００５３】すなわち、光線２５を吸収して加熱された
溝状部材３１からの熱は、鏡筒２１を介して放熱プレー
ト３３に伝達される。そして、フィン状に形成されて表
面積が拡大された放熱プレート３３により効果的に放熱
することができる。
溝状部材３１からの熱は、鏡筒２１を介して放熱プレー
ト３３に伝達される。そして、フィン状に形成されて表
面積が拡大された放熱プレート３３により効果的に放熱
することができる。
【００５４】以上説明したように、本発明の第２の実施
形態によれば、回折光学素子２２に入射する光線２３を
所望の一次回折光である光線２４に回折させた際に、光
線２４とは別の方向に回折された不要な光線２５の進行
方向に溝状部材３１からなる光束吸収構造体２６を設け
ておくことにより、光線２５を吸収して投影光学系１２
から取り除くことができる。なお、溝状部材３１の集合
体は一体的に構成してもよいし、鏡筒２１と一体の同一
部材としてもよい。
形態によれば、回折光学素子２２に入射する光線２３を
所望の一次回折光である光線２４に回折させた際に、光
線２４とは別の方向に回折された不要な光線２５の進行
方向に溝状部材３１からなる光束吸収構造体２６を設け
ておくことにより、光線２５を吸収して投影光学系１２
から取り除くことができる。なお、溝状部材３１の集合
体は一体的に構成してもよいし、鏡筒２１と一体の同一
部材としてもよい。
【００５５】これにより、投影光学系１２内において乱
反射の原因となる光線２５を除去することができ、ゴー
スト、フレア等の発生を抑止することができ、ウェハ１
３上に照射される光線の均一性を高めることが可能とな
る。従って、投影光学系１２を透過した所望の光線２４
によりウェハ１３上に高い精度で所望の形状のパターン
を形成することができ、図１に示すステッパーにより製
造されるデバイスの信頼性を高めることが可能となる。
反射の原因となる光線２５を除去することができ、ゴー
スト、フレア等の発生を抑止することができ、ウェハ１
３上に照射される光線の均一性を高めることが可能とな
る。従って、投影光学系１２を透過した所望の光線２４
によりウェハ１３上に高い精度で所望の形状のパターン
を形成することができ、図１に示すステッパーにより製
造されるデバイスの信頼性を高めることが可能となる。
【００５６】また、溝状部材３１に近接するように、鏡
筒２１の外側にフィン状の放熱プレート３３を設けたた
め、光線２５を吸収して加熱された溝状部材３１を冷却
することが可能となる。これにより、鏡筒２１の熱によ
る変形を低減して、投影光学系１２の光学性能の劣化を
抑止することができる。
筒２１の外側にフィン状の放熱プレート３３を設けたた
め、光線２５を吸収して加熱された溝状部材３１を冷却
することが可能となる。これにより、鏡筒２１の熱によ
る変形を低減して、投影光学系１２の光学性能の劣化を
抑止することができる。
【００５７】なお、第１の実施形態においても冷却手段
２７として放熱プレート３３を用いてもよい。また、第
２の実施形態においても冷却手段２７としてペルチェ素
子３０ａ，３０ｂを用いてもよい。更に、第１及び第２
の実施形態において、例えば光学吸収構造体２６の近傍
に配管等を設置することにより冷却手段２７を水冷式と
してもよい。
２７として放熱プレート３３を用いてもよい。また、第
２の実施形態においても冷却手段２７としてペルチェ素
子３０ａ，３０ｂを用いてもよい。更に、第１及び第２
の実施形態において、例えば光学吸収構造体２６の近傍
に配管等を設置することにより冷却手段２７を水冷式と
してもよい。
【００５８】また、図８に示すように、レンズ２４の更
に下側に光学吸収構造体２６’を設けてもよい。この位
置に光学吸収構造体２６’を設けることによって、光線
２５以外の方向に回折した不要な光線３４が光学レンズ
２４を透過した場合でも、光学レンズ２４を透過した
後、光線３４が鏡筒２１の内周面２１ａに向かって偏向
（屈折）した場合にこれを除去することができる。この
場合も、光学吸収構造体２６’に近接するように鏡筒２
１の外側に冷却手段２７’を設けることによって、光線
３３の吸収により加熱された光束吸収構造体２６’を冷
却することができる。このように、光源１の波長、回折
光学素子２２、光学レンズ２３，２４等の設計値からシ
ミュレーションし、不要な光線が入射すると想定される
部位に光束吸収構造体２６を設けることにより、効果的
にこれらの不要な光線を吸収することできる。
に下側に光学吸収構造体２６’を設けてもよい。この位
置に光学吸収構造体２６’を設けることによって、光線
２５以外の方向に回折した不要な光線３４が光学レンズ
２４を透過した場合でも、光学レンズ２４を透過した
後、光線３４が鏡筒２１の内周面２１ａに向かって偏向
（屈折）した場合にこれを除去することができる。この
場合も、光学吸収構造体２６’に近接するように鏡筒２
１の外側に冷却手段２７’を設けることによって、光線
３３の吸収により加熱された光束吸収構造体２６’を冷
却することができる。このように、光源１の波長、回折
光学素子２２、光学レンズ２３，２４等の設計値からシ
ミュレーションし、不要な光線が入射すると想定される
部位に光束吸収構造体２６を設けることにより、効果的
にこれらの不要な光線を吸収することできる。
【００５９】次に、図１を用いて説明したステッパーを
利用した半導体装置（半導体デバイス）の製造方法の一
例を説明する。
利用した半導体装置（半導体デバイス）の製造方法の一
例を説明する。
【００６０】図１０は、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ
等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の
製造工程のフローを示す。先ず、ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスクを製作する。一方、ステップ３（ウェハ製造）で
はシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステッ
プ４（ウェハプロセス）は前工程と称され、上記の如く
用意したマスクとウェハを用いて、フォトリソグラフィ
ー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と称され、ステップ４
によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンプリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージンク工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の
製造工程のフローを示す。先ず、ステップ１（回路設
計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ
２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した
マスクを製作する。一方、ステップ３（ウェハ製造）で
はシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステッ
プ４（ウェハプロセス）は前工程と称され、上記の如く
用意したマスクとウェハを用いて、フォトリソグラフィ
ー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と称され、ステップ４
によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンプリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージンク工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６１】図１１は上記ウェハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したステッパーによっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステ
ップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ステ
ップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエ
ッチングが終了して不要となったレジストを除去する。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウェ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したステッパーによっ
てマスクの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステ
ップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ステ
ップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の
部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエ
ッチングが終了して不要となったレジストを除去する。
これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウェ
ハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６２】この製造方法を用いれば、ステップ１６に
おいて本実施形態のステッパーを用いてその使用形態を
限定されず自由度の高い状態で、ウェハ面に各種光学的
収差の補正された均一な照明光が照射されるので、従来
は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易且
つ確実に製造することができる。なお、この製造方法に
よって、半導体デバイスのみならず回折光学素子２５自
身を製造してもよい。
おいて本実施形態のステッパーを用いてその使用形態を
限定されず自由度の高い状態で、ウェハ面に各種光学的
収差の補正された均一な照明光が照射されるので、従来
は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易且
つ確実に製造することができる。なお、この製造方法に
よって、半導体デバイスのみならず回折光学素子２５自
身を製造してもよい。
【００６３】なお、上述した第１及び第２の実施形態に
おいては、回折光学素子２２を用いた光学装置としてス
テッパーを例示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではない。例えば、図９に示すように、テレビカメラ
（ＣＣＤカメラ）を構成するレンズの一部として光学ユ
ニットを用いてもよい。
おいては、回折光学素子２２を用いた光学装置としてス
テッパーを例示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではない。例えば、図９に示すように、テレビカメラ
（ＣＣＤカメラ）を構成するレンズの一部として光学ユ
ニットを用いてもよい。
【００６４】図９に示すテレビカメラにおいては、光電
変換素子（ＣＣＤ）１０１の前側、すなわち被写体側に
レンズ群１０２〜１０５が構成されている。ここで１０
２はフォーカシングレンズ群であり、１０３はバリエー
ターレンズ群である。また、１０４はコンペンセータレ
ンズ群、１０５はリレーレンズ群である。
変換素子（ＣＣＤ）１０１の前側、すなわち被写体側に
レンズ群１０２〜１０５が構成されている。ここで１０
２はフォーカシングレンズ群であり、１０３はバリエー
ターレンズ群である。また、１０４はコンペンセータレ
ンズ群、１０５はリレーレンズ群である。
【００６５】フォーカシングレンズ群１０２はフォーカ
シングレンズ鏡筒によって保持され、光軸方向に移動す
るように構成されており、フォーカシングレンズ群１０
２が移動することにより、合焦動作が行われる。バリエ
ーターレンズ群１０３とコンペンセータレンズ群１０４
が移動することにより、ズーミングが行われる。そし
て、被写体の像がリレーレンズ群１０５の後方の光電変
換素子１０１に結像されることにより、画像が形成され
る。
シングレンズ鏡筒によって保持され、光軸方向に移動す
るように構成されており、フォーカシングレンズ群１０
２が移動することにより、合焦動作が行われる。バリエ
ーターレンズ群１０３とコンペンセータレンズ群１０４
が移動することにより、ズーミングが行われる。そし
て、被写体の像がリレーレンズ群１０５の後方の光電変
換素子１０１に結像されることにより、画像が形成され
る。
【００６６】このような構成のテレビカメラにおいて、
本発明に係る回折光学素子２２は例えばコンペンセータ
レンズ群１０４の最前部に固定されている。これによ
り、収差の発生を抑えるために必要とされたレンズ群の
一部を回折光学素子２２によって置き換えることができ
る。そして、回折光学素子２２をテレビカメラの光学系
の中に構成することによって、光学系全体としてのレン
ズ枚数を削減することができ、近時の要請である小型化
を実現でき、簡易な構成でテレビカメラを構成するとと
もに、製造コストを大幅に削減することができる。
本発明に係る回折光学素子２２は例えばコンペンセータ
レンズ群１０４の最前部に固定されている。これによ
り、収差の発生を抑えるために必要とされたレンズ群の
一部を回折光学素子２２によって置き換えることができ
る。そして、回折光学素子２２をテレビカメラの光学系
の中に構成することによって、光学系全体としてのレン
ズ枚数を削減することができ、近時の要請である小型化
を実現でき、簡易な構成でテレビカメラを構成するとと
もに、製造コストを大幅に削減することができる。
【００６７】そして、本発明に係る光束吸収構造体２６
は回折光学素子２２に隣接して、コンペンセータレンズ
群１０４を保持する鏡筒の内面に設けられている。ま
た、鏡筒の外周には冷却手段２７が設けられている。回
折光学素子２２により回折され、光束吸収構造体２６に
向かう不要な光線は光束吸収構造体２６により吸収さ
れ、光線の吸収により加熱した光束吸収構造体２６は、
冷却手段２７により冷却される。
は回折光学素子２２に隣接して、コンペンセータレンズ
群１０４を保持する鏡筒の内面に設けられている。ま
た、鏡筒の外周には冷却手段２７が設けられている。回
折光学素子２２により回折され、光束吸収構造体２６に
向かう不要な光線は光束吸収構造体２６により吸収さ
れ、光線の吸収により加熱した光束吸収構造体２６は、
冷却手段２７により冷却される。
【００６８】また、フォーカシングレンズ群１０２を構
成する２枚のレンズの間にも光束吸収構造体２６が設け
られている。このように、光束吸収構造体２６は、回折
光学素子２２により生ずる不要光線を直接吸収するのみ
ならず、レンズからの不要光線を吸収して除去すること
も可能である。この場合も、光束吸収構造体２６に近接
して冷却手段２７を設けておくのが望ましい。なお、上
述したテレビカメラの構成を通常の感光材料を使用する
銀塩カメラに適用してもよい。
成する２枚のレンズの間にも光束吸収構造体２６が設け
られている。このように、光束吸収構造体２６は、回折
光学素子２２により生ずる不要光線を直接吸収するのみ
ならず、レンズからの不要光線を吸収して除去すること
も可能である。この場合も、光束吸収構造体２６に近接
して冷却手段２７を設けておくのが望ましい。なお、上
述したテレビカメラの構成を通常の感光材料を使用する
銀塩カメラに適用してもよい。
【００６９】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態を図面に基づいて説明する。第３の実施形態に
おいても、本発明に係る光学ユニットを用いた装置とし
てステッパーを例示する。第３の実施形態におけるステ
ッパー及び光学ユニットとしての投影光学系１２の主要
構成は第２の実施形態と同一であり、第３の実施形態に
おいては図６に示す光束吸収構造体２６が第２の実施形
態と異なるため、以下この部位の構成について説明す
る。
実施形態を図面に基づいて説明する。第３の実施形態に
おいても、本発明に係る光学ユニットを用いた装置とし
てステッパーを例示する。第３の実施形態におけるステ
ッパー及び光学ユニットとしての投影光学系１２の主要
構成は第２の実施形態と同一であり、第３の実施形態に
おいては図６に示す光束吸収構造体２６が第２の実施形
態と異なるため、以下この部位の構成について説明す
る。
【００７０】図１２は、第３の実施形態における光束吸
収構造体２６の構造を示している。光束吸収構造体２６
は、鏡筒２１の内周面２１ａの全周に渡って形成され
た、ほぼ矩形の断面形状からなる溝状部材２０１から構
成されている。この溝状部材２０１は根元部２０２が鋭
利ではなく、ある面積をもった面で形成される。
収構造体２６の構造を示している。光束吸収構造体２６
は、鏡筒２１の内周面２１ａの全周に渡って形成され
た、ほぼ矩形の断面形状からなる溝状部材２０１から構
成されている。この溝状部材２０１は根元部２０２が鋭
利ではなく、ある面積をもった面で形成される。
【００７１】図１３は、溝状部材２０１を拡大して示し
た断面図である。本実施形態においては、溝状部材２０
１は金属材料から形成されており、溝状部材２０１の側
面２０１ａは金属反射面とされている。
た断面図である。本実施形態においては、溝状部材２０
１は金属材料から形成されており、溝状部材２０１の側
面２０１ａは金属反射面とされている。
【００７２】この反射面２０１ａの反射率は、所望の光
学薄膜を付着させたり、切削加工時に粗面に加工したり
することで、入射光２３の波長に対して低反射率になる
ように構成されている。これにより、光線２５が入射し
た際に溝状部材２０１内面の多重反射により光線２５が
減衰し、根元部２０２に到達した光線がさらに多重反射
して光線２０３として再び光束吸収構造体から射出され
たとしても、ゴーストやフレア等に影響しない程度にま
で減衰させることが可能である。
学薄膜を付着させたり、切削加工時に粗面に加工したり
することで、入射光２３の波長に対して低反射率になる
ように構成されている。これにより、光線２５が入射し
た際に溝状部材２０１内面の多重反射により光線２５が
減衰し、根元部２０２に到達した光線がさらに多重反射
して光線２０３として再び光束吸収構造体から射出され
たとしても、ゴーストやフレア等に影響しない程度にま
で減衰させることが可能である。
【００７３】本実施形態においては、溝状部材２０１は
根元部２０２に向かって幅が狭くなる形態を示している
が、この幅が根元部２０１に向かってほぼ同じであって
も良く、また、根元部２０２は平面ではなく曲面であっ
ても良い。
根元部２０２に向かって幅が狭くなる形態を示している
が、この幅が根元部２０１に向かってほぼ同じであって
も良く、また、根元部２０２は平面ではなく曲面であっ
ても良い。
【００７４】また、第１及び第２の実施形態において
も、収束した光線の一部が光学吸収構造体から漏れでて
きた場合でも、ゴーストやフレア等の要因にならない程
度まで十分減衰させられていれば課題を解決することが
可能であることは言うまでもない。
も、収束した光線の一部が光学吸収構造体から漏れでて
きた場合でも、ゴーストやフレア等の要因にならない程
度まで十分減衰させられていれば課題を解決することが
可能であることは言うまでもない。
【００７５】
【発明の効果】本発明によれば、光学ユニット内の不要
な露光光線を除去することができる。従って、所望の光
線を照射することを可能とした光学ユニットと、この光
学ユニットを用いた露光装置を提供することができる。
な露光光線を除去することができる。従って、所望の光
線を照射することを可能とした光学ユニットと、この光
学ユニットを用いた露光装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るステッパーの全
体構成を示す模式図である。
体構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る縮小光学系の一部を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る光学ユニットを示す模
式図である。
式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る縮小光学系の一
部を拡大して示す概略断面図である。
部を拡大して示す概略断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る光学吸収構造体
を詳細に示す概略断面図である。
を詳細に示す概略断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る縮小光学系の一
部を拡大して示す概略断面図である。
部を拡大して示す概略断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る光学吸収構造体
を詳細に示す概略断面図である。
を詳細に示す概略断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る縮小光学系の一部
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図９】本発明に係るテレビカメラを示す概略断面図で
ある。
ある。
【図１０】本発明に係るステッパーを用いた半導体デバ
イスの製造工程を示すフローチャートである。
イスの製造工程を示すフローチャートである。
【図１１】図１０の工程中のウェハプロセスを更に詳細
に示すフローチャートである。
に示すフローチャートである。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る縮小光学系の
一部を拡大して示す概略断面図である。
一部を拡大して示す概略断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る光学吸収構造
体を詳細に示す概略断面図である。
体を詳細に示す概略断面図である。
１ 光源 ２ ビーム形状変換手段 ３ オプティカルインテグレータ ４ 絞り部材 ５ コンデンサーレンズ ７ ブラインド ８ 結像レンズ ９ 折り曲げミラー １０ 照明光学系 １１ レチクル １２ 投影光学系 １３ ウェハ １４ ウェハチャック １５ ウェハステージ ２０，２４ 光学レンズ ２１ 鏡筒 ２２ 回折光学素子 ２２ａ 回折格子面 ２３ 入射光線 ２４ 光線（一次光） ２５，３４ 光線（不要光） ２６，２６’ 光束吸収構造体 ２７，２７’ 冷却手段 ２８，２９ 角笛型の凹部 ２８ａ，２９ａ 内壁面 ２８ｂ，２９ｂ 先端部 ３０ａ，３０ｂ ペルチェ素子 ３１，２０１ 溝状部材 ３１ａ，２０１ａ 側面 ３２，２０２ 根元部 ３３ 放熱プレート １０１ 光電変換素子 １０２ フォーカシングレンズ群 １０３ バリエーターレンズ群 １０４ コンペンセータレンズ群 １０５ リレーレンズ群 ２０３ （多重反射した）光線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ
Claims (15)
- 【請求項１】 入射光を複数の方向に偏向させる光学素
子と、 前記複数の方向のうちのある方向へ偏向した光を多重反
射により減衰させる減衰手段とを備え、 前記減衰手段は、内壁面が反射面として形成された２つ
の角笛型の断面形状の凹部を有しており、前記２つの角
笛型の断面形状の凹部は互いに離れる方向に屈曲してい
ることを特徴とする光学ユニット。 - 【請求項２】 前記減衰手段を冷却する冷却手段を更に
有することを特徴とする請求項１に記載の光学ユニッ
ト。 - 【請求項３】 前記減衰手段は、前記ある方向へ偏光し
た光を多重反射により特定領域に収束する機能を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学ユニッ
ト。 - 【請求項４】 前記光学素子は、回折光学素子であるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
学ユニット。 - 【請求項５】 前記回折光学素子は、階段状に形成され
た回折パターンを有することを特徴とする請求項４に記
載の光学ユニット。 - 【請求項６】 前記ある方向へ偏向した光は、前記光学
素子により偏向した前記光のうちの＋１次または−１次
の回折光であることを特徴とする請求項４又は５に記載
の光学ユニット。 - 【請求項７】 前記光学素子は鏡筒内に固定又は移動可
能に支持されており、 前記減衰手段は前記鏡筒の内周面の全周に渡って形成さ
れていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項
に記載の光学ユニット。 - 【請求項８】 前記減衰手段を複数箇所設けたことを特
徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学ユニ
ット。 - 【請求項９】 前記冷却手段は空冷式であることを特徴
とする請求項２に記載の光学ユニット。 - 【請求項１０】 前記冷却手段は水冷式であることを特
徴とする請求項２に記載の光学ユニット。 - 【請求項１１】 前記冷却手段がペルチェ素子であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の光学ユニット。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載
の光学ユニットを介して光束を感光材料に照射すること
を特徴とする光学機器。 - 【請求項１３】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載
の光学ユニットを介して光束を光電変換素子に照射する
ことを特徴とする光学機器。 - 【請求項１４】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載
の光学ユニットを照明光学系及び／又は投影光学系の少
なくとも一部として備え、被照射面に所定パターンを投
影し露光を行うことを特徴とする露光装置。 - 【請求項１５】 ウエハに感光材料を塗布するステップ
と、請求項１４に記載の露光装置を用いて、前記感光材
料が塗布された前記ウエハをデバイスパターンで露光す
るステップと、露光が行われた前記ウエハを現像するス
テップとを備えることを特徴とするデバイスの製造方
法。
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| JP26444699A JP3311319B2 (ja) | 1998-10-02 | 1999-09-17 | 光学ユニット、光学ユニットを用いた光学機器 |
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| JP28129698 | 1998-10-02 | ||
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| US5486919A (en) | 1992-04-27 | 1996-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern |
| US5748222A (en) * | 1992-06-11 | 1998-05-05 | Zed Instruments Ltd. | Laser angroxing head employing acousto-optic modulator |
| US5861952A (en) | 1992-11-16 | 1999-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical inspection method and apparatus including intensity modulation of a light beam and detection of light scattered at an inspection position |
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-
1999
- 1999-09-17 JP JP26444699A patent/JP3311319B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1999-10-01 US US09/411,633 patent/US6606195B2/en not_active Expired - Fee Related
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