JP2014241411A - リソグラフィ装置用の光学素子マウント - Google Patents

リソグラフィ装置用の光学素子マウント Download PDF

Info

Publication number
JP2014241411A
JP2014241411A JP2014125644A JP2014125644A JP2014241411A JP 2014241411 A JP2014241411 A JP 2014241411A JP 2014125644 A JP2014125644 A JP 2014125644A JP 2014125644 A JP2014125644 A JP 2014125644A JP 2014241411 A JP2014241411 A JP 2014241411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical element
elastic
radiation
mount
elastic member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014125644A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5793222B2 (ja
Inventor
ヘンリクス ゲラルドゥス テゲンボシュ
Gerardus Tegenbosch Henricus
ヘンリクス ゲラルドゥス テゲンボシュ
アレクサンダー マテイス ストリュッケン
Matthijs Struycken Alexander
アレクサンダー マテイス ストリュッケン
クレイン ヤコブ
Jacob Kleijn
クレイン ヤコブ
リュート アントニウス カタリーナ マリア ベーレンス
Ruud Antonius Catharina Maria Beerens
リュート アントニウス カタリーナ マリア ベーレンス
イボ ファンデルハーレン
Vanderhallen Ivo
イボ ファンデルハーレン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2014241411A publication Critical patent/JP2014241411A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5793222B2 publication Critical patent/JP5793222B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/7015Details of optical elements
    • G03F7/70175Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature

Abstract

【課題】精度と再現性を改善するとともに、支持する光学素子の公称形状からの異常に対する感度を低下させるマウントを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置のモジュール内に光学素子を取り付けるように構成されたマウントであって、光学素子を円周方向で支持するように構築され配置された複数の弾性部材を備える。各弾性部材2は、光学素子の外周で光学素子と係合するように構成された複数の弾性区画4’、4”、4'''を備える。各弾性区画は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される。
【選択図】図5

Description

(関連出願の相互参照)
この出願は、2008年7月21日に出願された米国仮特許出願第61/129,813号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に引用される。
(分野)
本発明は、リソグラフィ装置用の光学素子マウントに関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路(IC)の製造に用いられる。この例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々のレイヤ上に形成される回路パターンを作成することができる。このパターンは、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば一つまたは複数のダイの一部を含む)に転写することができる。パターンの転写は、典型的に基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)の層への結像によって行われる。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。
リソグラフィは、IC及び他のデバイス及び/または構造を製造する重要なステップの一つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを利用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、微小なICまたは他のデバイス及び/または構造の製造を可能にするために、リソグラフィがさらに決定的な因子となりつつある。
パターン印刷の限界の理論推定値は、次式(1)に示す解像度のレイリー基準によって与えられる。
Figure 2014241411
ここで、λは使用する放射の波長であり、NAPSはパターンの印刷に使用される投影系の開口数であり、kはレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存の調整因子であり、CDは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ(または限界寸法)である。フィーチャの最小印刷可能サイズの低減は、以下の三つの方法で実現できることが式(1)から分かる。すなわち、露光波長λの短縮、開口数NAPSの増加、またはk値の低下である。
露光波長を短くして最小印刷可能サイズを削減するために、極端紫外線(EUV)放射源の使用が提案されている。EUV放射源は、約13nmの放射波長を出力するように構成される。したがって、EUV放射源は、小さなフィーチャ印刷の実現に向けた重要なステップを構成することができる。このような放射は極端紫外線または軟X線とも呼ばれ、可能性のある放射源には、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングからのシンクロトロン放射が含まれる。EUV放射源は、有用であるEUV帯域内放射の他に、ほぼ等量の(ときにはより多くの)不要な帯域外の赤外線(IR)及び深紫外線(DUV)放射を生成することがある。
リソグラフィ装置で使用される光学素子は(誤ってまたは意図的に)、最大500°Cまでの温度に加熱されることがある。光学素子の許容される変形は制限されることがあり、これにより、光学素子に対して加えられる荷重及び/またはヘルツ応力などの応力が制限されることがある。通常、光学素子は吊架されており、光学素子の質量に対して比較的高い固有周波数を有していることが望ましい。光学素子が比較的高い加速度レベルに耐えられるような方法で、光学素子が取り付けられなければならない。
精度と再現性を改善するとともに、マウントが支持する光学素子の公称形状からの異常に対する感度が低下したマウントを提供することが望ましい。
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置のモジュール内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントが提供される。マウントは、光学素子を円周方向で支持するように構築され配置される複数の弾性部材を備える。各弾性部材は、光学素子の外周で光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備える。各弾性区画は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される。選択的に、光学素子はレンズまたはミラーであってもよい。
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置のモジュールが提供される。モジュールは、極端紫外線放射を発生するように構築され配置される放射源と、極端紫外線放射を調整するように構築され配置されるコレクタと、コレクタ内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントと、を備える。マウントは、光学素子を円周方向で支持するように構築され配置される複数の弾性部材を備える。各弾性部材は、光学素子の外周で光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備える。各弾性区画は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される。選択的に、光学素子はレンズまたはミラーであってもよい。
本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置のモジュールの光学素子に力を及ぼすように構築され配置される弾性部材が提供される。弾性部材は別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される複数の弾性区画を備える。選択的に、光学素子はレンズまたはミラーであってもよい。
以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の模式図を参照して、本発明の実施形態を例示として説明する。
本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
本発明の一実施形態に係る放射源と垂直入射コレクタとを示す図である。
本発明の一実施形態に係る放射源とシュヴァルツシルト型垂直入射コレクタとを示す図である。
本発明の一実施形態に係る光学素子用のマウントを示す図である。
光学素子を備えた図5のマウントを示す図である。
図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、
放射ビームB(例えば、EUV放射)を調整する照明系(照明器)ILと、
パターニングデバイス(例えば、マスクまたはレチクル)MAを支持し、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第1位置決めデバイスPMに接続されるサポート構造またはパターニングデバイス支持部(例えば、マスクテーブル)MTと、
基板(例えば、レジストコートされたウェハ)Wを保持するよう構成され、基板を正確に位置決めするよう構成された第2位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェハテーブル)WTと、
基板Wの目標部分C(例えば、一つまたは複数のダイを含む)に、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するよう構成された投影系(例えば、屈折投影レンズ系)PSとをさらに備える。
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組み合わせを含み得るものであり、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
支持構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気または他の取り付け技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、必要に応じて固定または移動可能である、例えばフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造は、例えば投影システムに対してパターニングデバイスが所望の位置にあることを保証してもよい。
「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するためなどに放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用される何らかのデバイスを指すものと広義に解釈される。放射ビームに付与されたパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えばマスク、プログラム可能ミラーアレイ、及びプログラム可能LCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクなどのマスクタイプが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、微小ミラーのマトリックス配列で構成される。各微小ミラーは、入射する放射ビームを異なる複数の方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。ミラーマトリックスにより反射された放射ビームには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
本明細書において「投影系」なる用語は、屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、またはこれらの組み合わせを含む何らかの投影系であると広義に解釈される。投影系は、使用される露光光に応じて、あるいは液浸液または真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされるいかなる投影系であってもよい。EUVまたは電子ビーム放射のために真空を用いることが望ましい場合もあるが、これは他の気体が放射または電子を吸収しすぎることがあるからである。したがって、真空壁または真空ポンプを用いてビーム経路の全体に真空環境が与えられてもよい。
図示されるように、装置は(例えば反射型マスクを有する)反射型である。なお、装置は(例えば透過型マスクを有する)透過型であってもよい。
リソグラフィ装置は二つ以上(二つの場合にはデュアルステージと呼ばれる)の基板テーブル(及び/または二つ以上のマスクテーブル)を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては、複数のテーブルが並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルまたはサポートで露光が行われている間に1以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源SOは放射システム3(すなわち、放射生成ユニット3)の一部であってもよい。放射システム3及びリソグラフィ装置は別体であってもよい。この場合、放射システム3はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされず、放射ビームは放射システム3の放射源SOからビーム搬送系を介してイルミネータILへと到達する。ビーム搬送系は例えば適当な方向変更用ミラー及び/またはビームエキスパンダを含む。別の場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。
放射システム3の放射源SOは様々な方法で構成することができる。例えば、放射源SOは、スズLPP源(このような放射源はそれ自体周知である)などのレーザ生成プラズマ源(LPP源)または放電生成プラズマ源(DPP源)であってもよい。放射源SOは異なる種類の放射源であってもよい。
イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び/または内径の値(通常それぞれσ−outer、σ−innerと呼ばれる)が調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータ及びコンデンサなどの他の素子を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
放射ビームBは、支持構造(例えばマスクテーブル)MTに保持されているパターニングデバイス(例えばマスク)MAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス(例えばマスク)MAから反射された後、放射ビームBは投影系PSを通過する。投影系PSはビームを基板Wの目標部分Cに合焦させる。第2位置決めデバイスPWと位置センサIF2(例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど)により基板テーブルWTは正確に移動される。例えば放射ビームBの経路に異なる複数の目標部分Cをそれぞれ位置決めするように移動される。同様に、例えば走査中またはマスクライブラリからのマスク交換後に、第1位置決めデバイスPMと別の位置センサIF1により放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス(例えばマスク)MAは正確に位置決めされてもよい。パターニングデバイス(例えばマスク)MAと基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2と基板アライメントマークP1、P2を用いて位置合わせされてもよい。
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射で一つの目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MTと基板テーブルWTとが実質的に静止状態とされる(すなわち1回の静的な露光)。そして基板テーブルWTがX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MTと基板テーブルWTとが同期して走査される(すなわち1回の動的な露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められる。
3.別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルWTは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは走査中に基板テーブルWTが移動するたびに、または連続する放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラム可能ミラーアレイなどのプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用可能である。
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
図2は、EUVリソグラフィ装置のさらなる実施形態を模式的に示す。EUVリソグラフィ装置は、図1の実施形態で示した装置の動作と同様の動作原理を有する。図2の実施形態では、装置は、放射源−コレクタモジュールまたは放射ユニット3(本明細書では放射系とも呼ぶ)と、照明系ILと、投影系PSとを備える。一実施形態によると、放射ユニット3には、好ましくはレーザ生成プラズマ(LPP)源である放射源SOが設けられている。本実施形態では、放射源SOから発せられた放射は、放射源チャンバ7からガスバリアまたは「フォイルトラップ」9を経由してチャンバ8内へと通過してもよい。図2において、チャンバ8は放射コレクタ10を備える。
図2は、かすめ入射コレクタ10を適用したものを示す。しかしながら、特に放射源がLPP源である場合には、コレクタは垂直入射コレクタであってもよい。さらに別の実施形態では、コレクタがシュヴァルツシルト型コレクタ(図4を参照)であり、放射源がDPP源であってもよい。
チャンバ8内の開口から仮想放射源点12(すなわち、中間焦点IF)に放射が合焦されてもよい。チャンバ8から、放射ビーム16が垂直入射リフレクタ13、14によって照明系IL内で反射され、支持構造またはパターニングデバイス支持部(例えばレチクルまたはマスクテーブル)MT上に位置するパターニングデバイス(例えばレチクルまたはマスク)に入射する。反射素子18、19を経由して投影系PSによってウェーハステージまたは基板テーブルWT上に結像するパターン付与されたビーム17が形成される。図示したよりも多数の素子が照明系IL及び投影系PS内に存在していてもよい。
反射素子19の一つは、貫通する開口21を有する開口数(NA)ディスク20をその前方に有していてもよい。開口21の大きさは、パターン付与された放射ビーム17が基板テーブルWTに当たるときにビームによって作られる角度αを決定する。
別の実施形態では、放射コレクタは、集光された放射を放射ビーム発射開口内に合焦させるように構成されたコレクタ;放射源と一致する第1焦点と、放射ビーム発射開口と一致する第2焦点とを有するコレクタ;垂直入射コレクタ;単一の実質的に楕円形の放射集光面区画を有するコレクタ;二つの放射集光面を有するシュヴァルツシルト型コレクタのうちの一つまたは複数である。
同じく、別の実施形態では、放射源SOは、所定の波長のコヒーレント光ビームを燃料上に合焦させるように構成させた光源を備えるレーザ生成プラズマ(LPP)源であってもよい。
例えば、図3は、垂直入射コレクタ70を備える放射源ユニット3の一実施形態の断面図である。コレクタ70は、二つの自然楕円焦点F1、F2を持つ楕円構成を有する。特に、垂直入射コレクタは、楕円区画のジオメトリを有する単一の放射集光面70sを有するコレクタを備える。言い換えると、楕円の放射集光面区画は仮想的な楕円(その一部が図中に点線Eで描かれている)に沿って広がる。
当業者には理解されるように、コレクタミラー70が楕円(すなわち、楕円に沿って広がる反射面70sを備える)である場合、コレクタミラーは、一方の焦点F1からの放射をもう一方の焦点F2に合焦させる。二つの焦点は、楕円の中心からf=(a2−b2)l/2の距離に楕円の長軸に沿って配置される。ここで、2a及び2bは、それぞれ長軸及び短軸の長さである。図1に示した実施形態がLPP放射源SOを備える場合、コレクタは図3に示すような単一の楕円形ミラーであってもよい。このとき、光源SOが一方の焦点(F1)に配置され、中間焦点IFがミラーの他方の焦点(F2)に確立される。第1焦点(F1)に配置された放射源から反射面70sに向けて広がる放射、及び表面によって反射され第2焦点F2に向かう反射放射が、図中に線rで描かれている。例えば、一実施形態によると、上述の中間焦点IFは、リソグラフィ装置のコレクタと照明系IL(図1、2を参照)との間に配置されてもよいし、必要であれば照明系ILの中に配置されてもよい。
図4は、本発明の一実施形態に係る、コレクタ170を備える放射源ユニット3’の断面の模式図である。この場合、コレクタは二つの垂直入射コレクタ部分170a、170bを備える。各部分170a、170bは好ましくは(しかし必須ではない)実質的に楕円形の放射集光面区画を有している。特に、図4の実施形態は、好ましくは二つのミラー170a、170bからなるシュヴァルツシルトコレクタ設計を備える。放射源SOは、第1焦点F1に配置されてもよい。例えば、第1コレクタミラー部分170aは、第1焦点F1から発せられた放射を、第2コレクタミラー部分170b、特に第2焦点F2に向けて合焦させるように構成された凹面の反射面(例えば楕円系またはパラボラ形)を有してもよい。第2ミラー部分170bは、第1ミラー部分170aによって向きを変えられた放射を、第2焦点F2に向けて、さらには焦点IF(例えば中間焦点)に向けて合焦するように構成されてもよい。第1ミラー部分170aは開口172を備えており、この開口172を経由して(第2ミラー170bによって反射された)放射がさらに焦点IFに向けて伝達されてもよい。例えば、図4の実施形態をDPP放射源と組み合わせて使用すると有利な場合もある。
放射源SOは、所定の波長を有するコヒーレント光のレーザビームを生成するように構成されたレーザ源と関連するLPP源であってもよい。レーザ光は、燃料(例えば、燃料供給器によって供給される燃料、及び例えば燃料の液滴を含む)上に合焦されて、レーザ生成プラズマ過程でそこから放射を発生する。その結果得られる放射は、この実施形態ではEUV放射であってもよい。限定されない実施形態では、レーザ光の所定の波長は10.6ミクロン(すなわちμm)である。例えば、燃料はスズ(Sn)であってもよいし、当業者には理解されるように他の種類の燃料であってもよい。
放射コレクタ70は、放射源によって生成された放射を集光し、集光した放射をチャンバ8の下流放射ビーム発射開口60へと合焦させるように構成されてもよい。
例えば、放射源SOは、発散放射を発するように構成されてもよい。コレクタ70は、(図3及び図4に示すように)その発散放射を反射して発射開口60に向けて収束する収束放射ビームを与えるように配置されてもよい。特に、コレクタ70は、システム(図2を参照)の光軸O上の、発射開口60内に配置された焦点IF上に放射を合焦させるようにしてもよい。
発射開口60は円形の開口であってもよいし、別の形状(例えば、楕円形、正方形または別の形状)を有していてもよい。発射開口60は、好ましくは小さな直径、例えば約10cm未満、好ましくは1cm未満の直径を有する(直径は、放射伝達方向Tを横切る方向で測定される。例えば、開口60が円形断面を有する場合は、半径方向で測定される)。好ましくは、光軸OXは開口60の中心を通って延びるが、これは必須ではない。
上述のコレクタ70やコレクタ170などのコレクタにおける光学素子1の半径方向の固定は、図5及び図6に示すような複数の弾性部材2を備えるマウントの一実施形態を用いて行うようにしてもよい。マウントはいわゆるデュアルステージスプリングネスト(dual stage spring nest)であってもよい。マウントは、一端がより小さな弾性区画4’、4”、4'''にさらに分割される複数の弾性部材2を備える。図5は、一実施形態に係る三つの弾性部材2を表しており、弾性部材2のそれぞれが一端に三つの弾性区画4’、4”、4'''を備えている。
光学素子1は、レンズまたはミラーであってもよい。一実施形態では、上述したように、光学素子1は、極端紫外線放射源によって生成された放射を調整するように構成されたコレクタミラーであってもよい。
図示するように、各弾性部材2は、自らの幅よりも大きい長さと、自らの幅よりも小さい厚さとを持つ細長い本体を有する板ばねであってもよい。細長い本体は、構成が板状であり実質的に平坦であってもよいし、または、支持する光学素子1の半径に対応して全幅にわたり曲率を有するように形成されてもよい。弾性部材2の少なくとも一端は、機械加工、エッチング等の任意の適切な方法によって、少なくとも二つの区画にさらに分割されてもよい。三つの区画が描かれているが、より多数のまたはより少数の区画を使用してもよい。図示の実施形態は、いかなる方法によっても限定するように意図されていない。弾性部材2は、高熱環境に置かれ極端紫外線放射にさらされるのに必要な特性を有する任意の適切な材料で作成することができる。
弾性部材2は、光学素子1に所望の力/剛性を伝えて、放射源モジュール3、より具体的にはコレクタ70、170に光学素子1を取り付けられるように構築され配置される。弾性部材2の剛性は、光学素子1を一定の位置に保持する一方で、半径方向の公差及び一様な熱膨張効果などの通常からの全体的なずれの影響並びに固有周波数の影響に対処できるように、光学素子1に対して所望の力を与えるよう選択されてもよい。
弾性区画4’、4”、4'''は、局所的な半径方向の不揃い、一様でない熱膨張、ヘルツ接触応力分布に対処するように構築され配置される。弾性区画4’、4”、4'''の望ましい寸法は、ヒステリシス効果を最小にすることによって定められる。例えば、半径方向の剛性と摩擦係数との積が接線方向の剛性よりも大きくなることが望ましい。
大量の弾性部材2を使用すると、作動中のリソグラフィプロセスの再現性を改善することができ、また、マウントに設けられた弾性部材2によって保持される光学素子1に沿った不揃いに対する感度を低下させることができる。
IC製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターン(guidance and detection pattern)、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。
光学リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について特定した言及をしたかもしれないが、本発明を例えばインプリントリソグラフィといった他の応用形態で使用しうること、及び文脈が許す限り光学リソグラフィに限定されないことは認められよう。
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線(UV)放射(例えば、365、355、248、193、157または126nmの波長を有する)、極端紫外線(EUV)放射(例えば、5−20nmの範囲の波長を有する)、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包含している。
本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明は説明したのとは別の方法で実行されてもよいことを理解されたい。例えば、本発明は、上述の方法を記載した機械読取可能な指示の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形をとってもよい。
上述の記載は、説明を意図しており、限定するものではない。したがって、下記の請求項の範囲から逸脱することなしに、上述の本発明に対して修正が施されてもよいことは当業者には明らかである。
本出願において、「含む」という用語は他の要素またはステップを除外しないことを理解すべきである。また、「a」「an」という語は複数を除外しない。請求項におけるあらゆる参照符号は、請求項の範囲の限定として解釈されるべきではない。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置のモジュール内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントであって、
    前記光学素子の外周を円周方向で支持するとともに外周に力を及ぼすように構築され配置される複数の弾性部材を備え、
    各弾性部材は、前記光学素子の外周で該光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備え、各弾性区画が別の弾性区画と独立して屈曲するように構成されることを特徴とするマウント。
  2. 前記弾性区画が互いに対する変位を許容するように配置されることを特徴とする請求項1に記載のマウント。
  3. 前記弾性区画が前記それぞれの弾性部材の一端に配置されることを特徴とする請求項1に記載のマウント。
  4. 前記光学素子がミラーであり、該ミラーが、極端紫外線放射源によって生成される放射を調整するように構成され配置されるコレクタミラーであることを特徴とする請求項1に記載のマウント。
  5. 各弾性部材が板ばねであることを特徴とする請求項1に記載のマウント。
  6. リソグラフィ装置のモジュールであって、
    極端紫外線放射を発生するように構築され配置される放射源と、
    前記極端紫外線放射を調整するように構築され配置されるコレクタと、
    前記コレクタ内に光学素子を取り付けるように構成されるマウントであって、前記光学素子の外周を円周方向で支持するとともに外周に力を及ぼすように構築され配置される複数の弾性部材を備えるマウントと、を備え、
    各弾性部材は、前記光学素子の外周で該光学素子と係合するように構成される複数の弾性区画を備え、各弾性区画が別の弾性区画と独立して屈曲するように構成されることを特徴とするモジュール。
  7. 前記弾性区画が互いに対する変位を許容するように配置されることを特徴とする請求項6に記載のモジュール。
  8. 前記弾性区画が前記それぞれの弾性部材の一端に配置されることを特徴とする請求項6に記載のモジュール。
  9. 前記光学素子がミラーであり、該ミラーが、極端紫外線放射源によって生成される放射を調整するように構成され配置されるコレクタミラーであることを特徴とする請求項6に記載のモジュール。
  10. 各弾性部材が板ばねであることを特徴とする請求項6に記載のモジュール。
  11. リソグラフィ装置のモジュールの光学素子の外周に力を及ぼすように構築され配置される弾性部材であって、
    前記弾性部材は、前記光学素子の外周で該光学素子と係合するとともに別の弾性区画と独立して屈曲するように構成される複数の弾性区画を備えることを特徴とする弾性部材。
  12. 前記弾性区画が互いに対する変位を許容するように配置されることを特徴とする請求項11に記載の弾性部材。
  13. 前記弾性区画が前記それぞれの弾性部材の一端に配置されることを特徴とする請求項11に記載の弾性部材。
  14. 前記光学素子がミラーであり、該ミラーが、極端紫外線放射源によって生成される放射を調整するように構成され配置されるコレクタミラーであることを特徴とする請求項11に記載の弾性部材。
  15. 各弾性部材が板ばねであることを特徴とする請求項11に記載の弾性部材。
JP2014125644A 2008-07-21 2014-06-18 リソグラフィ装置用の光学素子マウント Active JP5793222B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12981308P 2008-07-21 2008-07-21
US61/129,813 2008-07-21

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011519128A Division JP2011528859A (ja) 2008-07-21 2009-07-16 リソグラフィ装置用の光学素子マウント

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014241411A true JP2014241411A (ja) 2014-12-25
JP5793222B2 JP5793222B2 (ja) 2015-10-14

Family

ID=41272452

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011519128A Pending JP2011528859A (ja) 2008-07-21 2009-07-16 リソグラフィ装置用の光学素子マウント
JP2014125644A Active JP5793222B2 (ja) 2008-07-21 2014-06-18 リソグラフィ装置用の光学素子マウント

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011519128A Pending JP2011528859A (ja) 2008-07-21 2009-07-16 リソグラフィ装置用の光学素子マウント

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9335641B2 (ja)
JP (2) JP2011528859A (ja)
KR (1) KR101639229B1 (ja)
CN (1) CN102099745B (ja)
NL (1) NL2003207A1 (ja)
TW (1) TWI453526B (ja)
WO (1) WO2010010034A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9392679B2 (en) * 2014-12-05 2016-07-12 Globalfoundries Inc. Method, apparatus and system for using free-electron laser compatible EUV beam for semiconductor wafer processing
KR20180025928A (ko) * 2015-07-06 2018-03-09 비브 헬스케어 유케이 (넘버5) 리미티드 인간 면역결핍 바이러스 복제의 억제제로서 피리딘-3-일 아세트산 유도체

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000227533A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss 光学素子とマウントを有する組立体
JP2004258273A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Canon Inc 保持装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6239924B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Nikon Corporation Kinematic lens mounting with distributed support and radial flexure
US7410265B2 (en) * 2000-09-13 2008-08-12 Carl Zeiss Smt Ag Focusing-device for the radiation from a light source
DE10123725A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
WO2003014833A2 (de) * 2001-08-10 2003-02-20 Carl Zeiss Smt Ag Kollektor mit befestigungseinrichtungen zum befestigen von spiegelschalen
CN1461974A (zh) * 2002-05-31 2003-12-17 Asml荷兰有限公司 组装光学元件套件和方法,光学元件,平版印刷机和器件制造法
US20030234918A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 Nikon Corporation Adjustable soft mounts in kinematic lens mounting system
US7604359B2 (en) * 2004-05-04 2009-10-20 Carl Zeiss Smt Ag High positioning reproducible low torque mirror-actuator interface
US7372549B2 (en) 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000227533A (ja) * 1999-02-03 2000-08-15 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss 光学素子とマウントを有する組立体
JP2004258273A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Canon Inc 保持装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010010034A1 (en) 2010-01-28
CN102099745A (zh) 2011-06-15
US9335641B2 (en) 2016-05-10
KR20110031292A (ko) 2011-03-25
JP5793222B2 (ja) 2015-10-14
TW201009486A (en) 2010-03-01
KR101639229B1 (ko) 2016-07-13
US20110205517A1 (en) 2011-08-25
CN102099745B (zh) 2014-08-20
JP2011528859A (ja) 2011-11-24
TWI453526B (zh) 2014-09-21
NL2003207A1 (nl) 2010-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5475756B2 (ja) スペクトル純度フィルタを形成する方法
US8115900B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4455491B2 (ja) 放射ビームから粒子をフィルタ除去するように動作可能なフィルタ・システムを提供する方法、フィルタ・システム、装置、及びフィルタ・システムを含むリソグラフィ装置
JP4966342B2 (ja) 放射源、放射を生成する方法およびリソグラフィ装置
US8431916B2 (en) Radiation source and lithographic apparatus
TWI684069B (zh) 微影投射曝光裝置之光學配置
JP5249296B2 (ja) 汚染物トラップシステム及び汚染物トラップシステムを有するリソグラフィ装置
KR20110084950A (ko) 컬렉터 조립체, 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US20150331338A1 (en) Substrate Support for a Lithographic Apparatus and Lithographic Apparatus
JP4202996B2 (ja) リトグラフ装置、および、デバイスの製造方法
US20110044425A1 (en) Spectral purity filters for use in a lithographic apparatus
JP5497016B2 (ja) 多層ミラーおよびリソグラフィ装置
JP5793222B2 (ja) リソグラフィ装置用の光学素子マウント
JP2013505593A (ja) スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150324

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150804

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150807

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5793222

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250