JPH02500625A - 最小細片用ターゲツト配置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 最小細片用ターゲット配置 本発明はＸＳ放出プラズマを発生するに充分なパワーでそれへ向けられるパルス 化されたレーザビームによってＸＩＩを発生するために使用されるターゲットに 関し、且つ更に詳しくはレーザパルスによって融触され且つシステム中で整合さ れてプラズマ発生に起因する細片を最小にするターゲット物質と概ね等しい厚さ を有するＸＩＩ平版印刷機械で交換なく多数回使用するための前記したようなタ ーゲットに関する。

過去に、「チップ」と一般に称せられる半導体装置は平版印ｗ４法と呼ばれる方 法を用いて作られている。この方法では、レジスト被覆半導体ウェーハは対応す るパターンをレジスト上へ暴露させるためにそれへ適用されるエネルギのパター ンを有する。暴露されたレジストは除去されることができ、又は暴露されたレジ スト以外の全てが除去されることができ、且つパターン化されたウェーハは次に 更に処理される。！露及び別の処理を多数回繰返すことによって、非常に精巧な 半導体装置が製作され得る。つい最近まで、紫外線光がレジスト物質をＩｆｌす るエネルギとして商業的応用において殆ど専ら使用されている。しかしながら、 技術が進歩するにつれて、半導体ウェーハ上に配置される機構の大きさが益々小 さくなっできて今では機構の大きさは紫外線光エネルギによる正確なパターン化 の限界に達している。紫外線光を使用する際の１つの重要な制限ファクターは光 の波長である。暴露される機構の大きさは今では使用される紫外線の波長に達し ており、妥当な焦点深さ並びに単一レベルのレジストのような処理の単純性を同 時に維持しながら機構の大きさを更に減少することはもは−Ｐ素外線光を用いて は可能ではない。

ｘｌｌがＸ線のかなり小さい波長のために光よりも良い平版印刷ａ需用エネルギ 源を提供することは、少なくとも１９７３年はど早期に米国特許３，７４３．８ ４２でスミスほかによって！！ｉ案されている。多くの試みがレジスト被覆半導 体ウェーハの暴露で使用するための各種形式のＸ線平版印刷機械の提案について スミスほかの教示に続いている。当業界でのかなりの前進が米国特許４゜１８４ ．０７８に記載されているようにナゲルほかによってなされ、そこではＸＩＩが プラズマを発生させるに充分なエネルギをもってパルス化されたレーザビームを 金属ターゲットにおいて集束することによって発生され得ることが提案された。

ソフトな、即ち長い波長のｘｌｌはプラズマから提供され、且つそのように発生 されたＸ線の経路中に配置されたマクス及びレジスト被Ｗ１基体は次に！！露さ れることができた。

ナゲルほかの教示は先のスミスほかの教示より多くの利点を有するが、それはレ ーザ講起プラズマが、Ｘｌｌを発生することに加えて、プラズマを発生するに必 要とされる１５万℃以上の温度の結果として物質及びイオン細片を発生した１つ の重大な欠点を有する。物質細片問題はナゲルほかによって認められ、且つマイ ラー保護シールドが設けられ、細片が敏感なＸ線マスク膜を損傷するのを防止し 又はマスク上に堆積するのを防止し且つＸ線の吸収体として作用するのを防止し た。しかしながら、ナゲルほかによって提案されたマイラーシールドは、薄い′ マイラーシートでさえ入射Ｘ線、特により有効なソフトなＸｌｉの一部を吸収す るので、商業的なＸＩ１片版印版印刷機械込むに望ましいものではない。更に、 膜自体は、それが堆積された細片のために益々不透明になるので、又はそれが大 きな部分の細片が衝突するために破滅的な損傷を受けるので定期的に交換され又 は更新されねばならない。

回転するシールドが米国特許４，４０８．３３８でグロブマンによって提案され ており、そこでは交互に開き且つ閉じる溝穴を有する回転円板がＸＩＩを開いた 溝穴に通過させ且つ細片を閉じた溝穴によって阻止した。１９８７年９月８日に 許可され、本出願の譲受人へ譲渡されている米国特許４，６９２．’９３４でフ ォーサイスによって提案されたような細片を排除する他の試みは細片をそらせる ためにガスの空気力学的シートを使用することを含む。また、ナゲルほかの技術 での細片の問題を克服するために、５ＰＩＦ１３６巻半導体マイクロ平版印刷創 り１ｌｊｉｉ−，４８頁、５２　（１９７８）の「パルス化されたＸＩＩのため のレーザプラズマ源」と題するナゲルほかによる論文に記載されているような他 の技術が試みられている。現在、Ｘ線平版印刷機械を作る商業的試みは、例えば 米国特許４，５１４．８５８及び４，５１６．２５３に説明されているように、 細片を放出しないＸＩＩ管をＸ線源として利用している。

細片問題が特に厄介な問題となっているが、ナゲルほかによって最初に提案され た技術に利益がある。第１に、源の大きさはレーザビームを小さいスポットに簡 単に集束することによって非常に小さく作られ得る。第２に、提供されるｘＩｌ のバーストの期間はレーザビームが提供される時間を制限することによって非常 に短くされ得る。

最後に、ＸＩＩの平均パワーはＸＩＩ管によって発生されるよりも非常に高くす ることができ、在来式の紫外線光源の！露量に匹敵し又はそれを越えるａｔ量を 達成することができる。ナゲルほかの技術のこれら利益の全ては、らば、商業的 なＸ線平版印刷機械に含むためのｘｉ源を非常に望ましくする。

Ｘｌ１Ｉは最新式のＸＩ！平版印ｗ４機械で近接印刷モードで使用されているの で、！！露され得る機構の大きさは、源の有限の大きさのためにマスク機構の縁 の周りに向けられるシャドウの大きさによって制限されることがある。

シャドウのぼけは次の関係に基づいて決定され得る。

δ−３（ｄ／Ｌ） 式中、δは源によって投ぜられるシャドウの幅であり、ｄは源の直径であり、Ｌ は源からマスクまでの距離であり、且つＳはマスク及びウェーハの離問距暖であ る。例えば、もし５−２０ミクロン、ｄ−２００ミクロン及びＬ−７０ミリメー トルであるならば、マスクの緑でのシャドウのほけδは０．００５７ミクロンで あり、それは０．５ミクロンはど小さい又はそれより小さい機構の大きさを印刷 するために許容し得る値である。また、マスク及びウェーハの間の小さい間隔Ｓ は、ｘｍの短い波長（例えば１４オングストローム）と−緒に、回折によるぼけ を減少する。このように、ナゲルほかによって提案されたパルス化されたレーザ 誘起プラズマｘｍｍの小さい寸法の故に、プラズマＸ線源からレジスト被覆ウェ ーハまでの距離は、レジストへ到達し且つその上に所望のパターンを暴露するＸ ｓの強さを最大限にするために約７０ミリメ゛−トルまで減少され得る。

７０〜１００ミリメートルの閤隔内でそのような高エネルギレーザビームを直接 に集束することは、実用的でないほど速い（低ｆ／数）集束システムを必要とす る。

その代わりに、好ましい集束方法はビームをウェーハ平面より上に配置された集 束レンズに通過させ、且つＸＩＩ発生ターゲットの方へ収斂するビームをウェー ハ平面の直ぐ上に配置された鏡で反射することである。ＸＩＩターゲット領域は 望ましくは外部ビームＩｌ路に対して減少された圧力に雑持されているので、集 束するビームはターゲットを収める排気された室中の窓を通過する。レーザビー ムがプラズマによるレーザエネルギの最大吸収に対して、それ故ｘｍａ射の最大 可能発生に対して４５度又はそれより少ない角度でターゲットの方へ向けられる ので、追加の気化形状的制約が生じる。これらの設計上の制約はビーム運搬光学 機器での少なくとも若干のレーザ集束をＸ線ターゲットに近づけることは避けら れず、且つこれはプラズマ発生過程によって出される細片からの起こり得る汚染 の作用をビーム光学機器に与える。

本発明の１つの観点に従えば、Ｘ！！放出プラズマを発生するに充分なエネルギ をもってレーザビームを夕、−ゲットの方へ向けることによってＸＩ！が発生さ れ、プラズマが細片を更に放出し且つシステムが放射される細片感知物体を更に 含むＸ線システムに改良が提供される。該改良は、プラズマから放出される細片 がプラズマにおいてターゲットに対して直角な線に対して分離した角度方向変位 群で放出される溶融滴を含むことと、分離した角度方向変位群の間で放出される Ｘ線によって放射される物体を配置するための装置とからなる。

該ターゲットでは、プラズマからターゲット内層面中への熱伝導によって発生さ れる細片は、Ｘｍ発生に必要なターゲット物質の小量だけがプラズマ加熱サイク ル中に融触されるので最小限にされる。従来技術では、他のものが細片を排除す ることに間係しない目的のために簿いターゲットにレーザビームを向けている。

例えば、ジョンソンほかに対する米国特許４，２９０．８４７及びブルクナーに 対する４、６０８．２２２では、シュウチリウム及びトリチウムで充満されたマ イクロカプセルに熱核反応を起こす試みでレーザを衝突させている。他のものは Ｐｈｙｓ、　Ｆｌｕｉｄ　２３巻、５号、１０１２〜１０３０頁（１９８０）の りピンはかの１Ｏ−１０Ｗ／αにおける薄い箔のレーザープラズマ相互作用及び 融触加速度におけるように物質の加速度対レーザ加熱を研究するために薄い箔を 使用している。ＸＩ！防護のための薄い箔の使用の利益はこれまで実現されてい ない。これらの利益を実現するために、レーザプラズマ細片発生の多くのことれ まで知られない機構を考慮しなければならない。

本発明の１つの好適な実施例が次の図面を特に参考として以下に説明される。

第１図は従来技術によるｘｓｉ平版平版印刷用いるＸＩ！発生装置を示し、 第２図はターゲット上のレーザビームの焦点スポットの周りの細片の溶融滴及び 蒸発物質部分の角度方向変位の図を示し、 第３図は細片及びイオンの両方共にレーザパルス誘起プラズマから放出される細 片の質量対角度方向変位及び高エネルギイオン数対角度方向変位の２つの重合せ たグラフを示し、 第４図は第１図のものと同様なＸＩＩ発生装置であって、発生されるプラズマか ら放出される溶融滴及び蒸発物質細片の最小質層を利用するためにレーザビーム 及びマスクの特別の配置を有する装置を示し、 第５図は第４図に示すターゲット形状の利用する長野命ターゲットの横断面図を 示し、 第６図は第５図に示すターゲットの底面図を示し、第７Ａ図及び第７Ｂ図からな る第７図はプラズマの発生中の拡大図を第７Ａ図に示し且つターゲット質量中に 空所をあけるプラズマからの熱の作用を第７Ｂ図に示し、第８Ａ図及び第８Ｂ図 からなる第８図は第８Ａ図にプラズマが形成される瞬間の質量制限ターゲットを 示し、且つ第８Ｂ図にプラズマ終了後の該ターゲットを示し、第９Ａ図及び第９ Ｂ図からなる第９図は商業的な長寿命ターゲットに適合する改良された質！制限 ターゲットを第９Ａ図に示す上面図で示し且つ第９Ｂ図に示す１つのターゲット 領域の断面図で示し、 第１０図は、質量制限機構を組入れた、第４図に示す長寿命ターゲットと同様な 、長寿命ターゲットを示し、第１１Ａ図及び第１１８図は、溝間にレベル領域を 含む、第１０図の長寿命ターゲットのより詳細な図をそれぞれの横断面図及び底 面図で示し、 第１２図はここで説明される新規なターゲット構造によって許される利点を利用 するＸ線平版印刷機械の構成部品の配置を示し、且つ 第１３図は第１０図及び第１１図に示す新規なターゲット構造を製作する方法を 例示するブロック絵図を示す。

さて、第１図を参照すると、基本的な従来技術のパルス化されたレーザビーム誘 起プラズマＸ線平版印刷システム１ｏが図示される。この基本的なシステム１０ は前記した米国特許４，１８４，０７８でナゲルほかによって最初に説明され、 且つしつかりした金属ターゲット１８の焦点スポット１６にレンズ１４によって 集束されるレーザビーム１２を含む。ビーム１２に充分なパワーを備えることに よって、プラズマ２０がソフトなＸ［Ｉ２２を発生する形式でスポット１６に発 生される。Ｘ線２２の若干はレジスト１１２６で被覆されたヒ化ケイ素又はヒ化 ガリウムのウェーハ２８の方へｘｍマスク２４を通して適用されてマスクのパタ ーンによって規制されるパターンをレジスト層２６上にＩｉＨすることができる 。

Ｘ１１２２を発生することに加えて、システム１０は、プラズマ２０を発生する に必要とされる少なくとも１５万℃のＮ温度の結果として細片３０をも発生する 。細片３０はターゲット１８からはねかえされた金属の溶融滴、蒸発した金属及 び高エネルギイオンの形をとり得る。各種形式の細片３０のうち、高エネルギイ オン及び溶ｆｆ１）ｉｉｉは平版印刷方法に直接の反対の作用を及ぼすことがで あるが、蒸発した金属は単にマスク２４上に集まるだけであり、且つ蒸発金属の 量がＸ［Ｉを吸収し始めるに充分になるまでは重大な作用を及ぼさない。

細片の高エネルギイオン部分はマスク２４を加熱することがあり、それによりマ スクの反りを生じ且つマスク２４及びレジスト層２６の閤に必要とされる臨界間 隔を変える。かなりの質量を有する溶融滴はスポット１６から跳ね掛けの形で放 射され、即ちターゲット表面近くの液体プールの表面上の力は膨張するプラズマ への初期の反応から現れる。もし溶融滴がマスク２４に衝突するならば、相当な 損傷がマスク２４の１〜２ミクロン厚の膜基体に起こることがある。事実、溶融 滴はマスク２４の膜を通して完全に移動することができ、又はマスク２４の膜中 へ埋没することができ、それによりマスク２４を使用不能にさせる。過去に、シ ールドが、前記したナゲルはかおよびグロブマンの特許に説明されるように、蒸 発金属及び溶融滴がマスクへ達するのを阻止するために使用されている。そのよ うなシールドは不運にも細片を阻止すると共にＸ線の若干を吸収し、且つ単一の レーザ照射からさえ溶１１滴細片からの破滅的な＊＊を受ける。

更に、従来技術は、マリ−への米国特許４，１７５，８３０で１１案されるよう に、高エネルギイオンをマスク面からそらすために磁石を使用することを教えて いる。これは興空環境で有効であるが、どの環境においても中性物質細片に作用 しない。

次に、第２図及び第３図を参照すると、第１図のスポット１６でプラズマ２０か ら放出される細片３ｏを分析することによって次のことが発見されている。即ち 、（１）　細片質量は溶融した滴及び蒸発したターゲット物質の両方を含むこと 、 （２）　細片３０の溶融ｍ部分は細片３０の質量の大部分を構成し且つ２つの分 離したはっきり大きな細片群３２及び３４に集中されること、 （３）　細片３０の蒸発金属部分は概ね細片の全質量の小部分であり且つ概ね均 等に分配されること、及び＋４１　１８片３０の高エネルギイオン部分はターゲ ット１８に対して直角な［１３８に沿って最高であり且つターゲット１８への法 線から約４５°の点まで徐々に減少されることである。

（５）　大部分が第１図でレーザ軸Ｉ！Ａに沿って後ろへ向けられる若干の散乱 されたレーザ光線は軸ＦＩＬＬＳに沿ってターゲットからスペクトル的に反射さ れる。

２つの大きい細片群３２及び３４のうち、群３４はプラズマ２０の中心において ターゲット１８に対して直角なＩ！３８の因りに対称的に集中され、且つ円錐形 状にされた群３２はレーザエネルギ及びターゲット組成物に依存して法！１３８ から約４５°〜５５°の軸線の周りに集中される。最大物Ｉｊｉ＆細片質量の２ つの群３２及び３４の間で放出される細片質量の最小４０Ｍは蒸発物質だけを含 み且つ溶ＷＩＩＦＩｉを含まないと信じられる。加えて、大割レーザ放射はこの 領域で発散される光線を最小限にするように設定され得る。

溶融滴及び蒸発金属からなる物質細片３０ＩＰ−＠するこの発見は、スポット１ ６の周りでプラズマ２ｏから放出される細片の角度方向変位対ｉｔとして第２図 に示される。同じ情報は在来式のＸ−Ｙグラフとして第３図に示される。第３図 はプラズマ２０から放出される高エネルギイオン数の角度方向分散をその上に重 ね合せて更に有する。第３図から理解され得るように、プラズマ２ｏから放出さ れる物質細片３０の質１は法線３８に沿ってターゲット１８までのピーク３４と 、法線から約５５°の軸線における別のピーク３２とを有する。プラズマ２゜か ら放出される物質細片３０の最小質量は法Ｉ！３８から２０°及び３５°の間で 離れた点４ｏにおいて起こり、且つ大きく減少した細片は第３図の曲線のコ５° 及び４５°点の間で発生され、即ち、点プラズマ２０においてターゲット１８か らの法線３８から１５°及び４５゜の間で発生される。第２図及び第３図の曲線 の点４ｏの周りの細片質量は大部分がスポット１６の周りに概ね均等に分配され るターゲット物質細片３０の蒸発金属物質部分であると信じられる。法［１３８ から２０〜２５°の間の角度においてターゲット１８上へ入射するレーザビーム １２を選択することによって、分散される光線の大部分が約１５〜３０’の間の 角度において軸Ｉ！Ａ又はＢに沿って後追する。

更に第３図から、高エネルギイオンの数は法１ａ３８から３０’を越えると低く なることは理解され得る。この故に、たとえマスク２４及び基体２６を法１ｉ３ Ｂから３５°〜４５°の間の角度の軸線と一致するように整合させでも、実責的 に溶融滴細片又は分散光線ではなく高エネルギイオンの低い量が臨界マスク２４ 膜表面に衝突するであろう。この角度からマスク２４に衝突する高エネルギイオ ンの量はマスクがプラズマ２０から約７０ミリメートルであることを考慮すると 低く且つ許容し得る限界内であり、且つ第１２図に関して後述するようにかかる イオンは１つの雰囲気ヘリウムｍｉを通ってマスク２４へ移動する時に消散され る。後述するように、細片問題に関係しない他の利益はターゲット１８の配置角 度を４０°〜４５°の範囲まで移動することによって達成される。

次に第４図を参照すると、レーザビーム１２及びレンズ１４、ターゲット１８及 びマスク２４の好ましい整合の線図が、細片を分散させるために見つけられてい る様式を利用するために図示されている。第４図で、前に説明した同様な構成部 品は同じ参照数字を与えられている。

第４図に示すように、ターゲット１８はターゲット２４及び基体２８が存在する 平面に関して４５°の角度で配置される。加えて、レーザビーム１２はレンズ１ ４によって集束され且つ法線３８から２０°の角度からスポット１６へ適用され 、そのスポットにおいてプラズマが形成される。第４図に示すように、レンズ１ ４は細片３゜の経路中に示されるレーザ光学要素であるが、実際には排気された ！中にシールされた窓が細片３０の経路中の光学要素である。最後に、マスク２ ４がビーム１２がら法１１３８の他方の側で本１１３Ｂから４５°の角度で配置 される。このようにして、レーザビーム１２、及びその関連した光学要素、及び マスク２４の両方は最小細片輪１１４０との整合に近づいて配置され且つ特にス ポット１６からＯｏ及び５０〜５５°軸線の周りに放出される損傷を与える溶融 滴から離れて配置される。この配置は、レンズ１４によって第４図で代表される 光学要素及び繊細なマスク２４膜の両方に対する損傷を防止するように構成され る。

従来技術で認識されているように、ターゲット１８が数秒毎に生ずるレーザパル スの率で４〜８時間の間の連続使用のような比較的長い寿命をもっことが必要で ある。

ターゲットがそのような長い寿命をもつために、円板又はテープの形状の部材を 設は且つ各照射後に小量回転させることが提案されている。このようにして、円 板に沿う全トラックが使用される。次に円板は横方向へ移動され且つ完全な段階 的回転が再び起こる。このようにして、複数のターゲット領域の複数のトラック が各ターゲット１８上に作られ得る。例えば、前記した米国特許３，７４３．８ ４２を参照されたい。

第４図に示す角度でレーザターゲット１８を配置する際に、ターゲット表面の位 置がターゲット１８及びマスク２４の間の空間中へ侵入することは明らかである 。Ｘ線平版印刷システムの好適な実施例では、該空間は、望ましくはウェーハ２ ８をマスク２４へ整合させるために例えば光学システムのような他の構成部品又 はサブシステムによって占められる。このため、第４図に示すターゲット形状は 商業的なＸ１１平版印刷機械で許容できない。

次に第５図及び第６図を参照すると、第４図に関して説明した望ましい配置を利 用し且つ更に従来技術の回転円板ターゲットと同様な長寿命を有する改良された ターゲット４４１１成が図示されている。第５図で、前述した同様な要素は同じ 数字表示を与えられる。最大細片質量のンつの群３２及び３４は群の軸輪に沿う 鎖線として図示されることは注目されるべきである。更に、ターゲット４４はそ の１１部を一層明瞭に示し得るために他の要素との関係で拡大して図示されてい る。

ターゲット４４は直径約３〜６インチ（７６，２−〜１５２．４履）の丸い円板 の一般的な形状を有し、４インチ＜１０１．６ａｍ）が公称デザインである。タ ーゲット４４の頂側は、基体２８が歩道操作中に移動される平面に対して及びマ スク２４が配置される平面に対して平行である。ターゲット４４の頂部は、ター ゲット４４をその頂部の平面で回転させ且つ横方向へ移動するために使用される ターゲットチャック及び歩道器モータ移動装置（第５図に図示せず）によって保 持される。ターゲットのｊ！部に、即ちレーザビーム１２が集束されるターゲッ ト４４の側に、一連のターゲット領域が複数個の同心円状トラックの周りに画成 され、且つ各ターゲット領域は歩３！器モータによって集束されるレーザビーム １２を横切るように配置し得る。

第６図に示すように、ターゲット４４の底部は一層の予成形された同心状［４６ を有し、且つ６溝は対向側４８及び後ろ側５０を有し、対向ｆｌ！！４８はレー ザビーム１２が入射するように横方向及び回転運動によって整合される時にそれ に集束されたレーザビーム１２を有する。

第５図に示すように、６溝の対向側４８はその頂側に関して３０”の角度で配置 され、且つターゲット４４のための移動装置はターゲット４４を横方向へ移動す るようになっており、それにより溝４６の対向側４８のそれぞれはレーザビーム １２を入射するように整合される。このようにして、レーザビーム１２が入射す るターゲット領域表面は第４図に示す角度と同じ角度にある。溝４６の後ろ側５ ０の角度は重要ではないが、該角度は溶融滴、蒸発物質又は高エネルギイオンの 細片３０がそれによって遮られないようにするに充分であるべきである。

溝４６の対向表面４８の４５°の角度の選択は溶融滴及び高エネルギイオンの両 方を最小限にする希望性に基づいており且つこの目的を達成するために適するよ うに第３図によって示されている。しかしながら、若干の場合には、高エネルギ イオンは第１２図に関して後述するようにマスク２４への移動中に１つの雰囲気 ヘリウム充満経路を通過させるような他のファクターによって減衰されることが でき、それにより角度を他のファクターによって設定し得る。考慮する必要のあ る考案はターグツト４４に配置されるトラックの数を含み、それはより急な角度 を要求し、従って溝４６の幅をより狭くし、又はレーザビーム１２が与えられる 角度を増す要求を含み、それもより急な角度を要求する。

第５図及び第６図に示すターゲット４４は細片３０問題、従って従来技術の厄介 なことの多くを回避する。しかしながら、細片の源の追加の研究はそれが殆ど全 部排除され得ることを示している。次に第７Ａ図及び第７Ｂ図からなる第７図を 参照すると、細片の源の説明が与えられる。第７図で、第１図に関して先に説明 したものと同様な構成部品は同じ数字の表示を与えられる。第７Ａ図で、レーザ ビーム１２はターゲット１８の焦点スポット１６に集束される。焦点スポット１ ６は第１図から拡大されて２００ミクロン直径円であり、且つレーザビーム１２ は約１０〜２０ナノ秒のパルスビームとして与えられる。

レーザビーム１２が与えられた直後に、プラズマ２０は形成され且つターゲット １８表面の頂部１〜２ミクロン５２はプラズマ２０が約１５０．０００℃〜５０ ０゜０００℃の温度まで高められるにつれて融触される。プラズマ２ｏの形成及 び持続中のターゲット物質１８の融触５２の実際の量はレーザご−ム１２のパワ ー及び持続時間に依存し且つターゲット物質の選択に依存する。これはプラズマ ２０がターゲット１８から離れる方向へ発生され、且つターゲット１８上又は中 に発生されないためである。このｘＩＩ放出プラズマ２０の状態はレーザ１２の パルスの持続時間の間及びその接散ナノ秒の間続く。

しかしながら、ターゲット物質の５２はレーザビーム１２パルスの提供中に実質 的に完了する。プラズマ２ｏが存在する時間中、ソフトなＸ線がそれから連続的 に放出される。レーザビームが止むと、プラズマ２ｏは冷却し始め、且つ数ナノ 秒後にＸ線放出は停止し且つプラズマ２０は消散する。この時、プラズマ２０か らの若干のエネルギが領域の運動量保存の故にターゲット１８中へ垂直に移動す る。

次に第７Ｂ図を参照すると、熱がターゲット１８物質中へ伝導するにつれて、空 所５４がターゲット１８物質の溶融及びイオン化のために形成される。溶融した ターゲット１８物質は先に説明した溶＠滴を放出し、且つ溶融したターゲット１ ８の部分は先に説明した蒸発金属として放出される。約１マイクロ秒のオーダー の時間の後、熱は充分に分配され、それにより空所５４はもはヤ寸沫を増加せず 且つそれ以上の細片２０は放出されない。

上の説明から、パルス化されたレーザビーム１２で誘起されるプラズマ２０の有 用な結果、即ちソフトなｘＩＩ２２がプラズマ２０の存在中に発生され且つこの 時間中にターゲット１８物質の約１〜２ミクロンだけの融触５２が起こることは 明らかである。パルス化されたレーザビーム１２で誘起されるプラズマ２０の無 用な且つ望ましくない結果、即ち細片３０は、Ｘ１１２２が放出を停止した後の 空所５４の形成中に発生される。

次に第８Ａ図及び第８Ｂ図からなる第８図を参照すると、第７図に関してなされ た観察を利用する１１１１１！！！ターゲツト５６が図示される。質Ｉ制限ター ゲット５６は支持体５８と、１〜２ミクロンの間の厚さの薄い金属膜６０とを含 む。１１６０の正確な厚さはそれへ適用されるレーザビーム１２のパルスのパワ ー及び持続時間に基づいて選択される。膜６０の厚さはＸ線がプラズマ２０から 放出される時間中に膜の厚さ全体の融触を許すに充分であるべきである。実際に 、１１蝕はレーザ１２パルスの提供時間中に実質的に完了する。今日のレーザ技 術及び利用し得るターゲット密度に基づくターゲット６ｏの厚さの外限界は１！ １０ミクロンと１０ミクロン程度との間であるが、前述したように１〜２ミクロ ンの間が好ましい。

第８Ａ図に示すように、レーザビーム１２が１Ｉ６０に衝突すると、プラズマ２ ０が発生され、且つターゲット膜６０物質の融触はレーザ１２の焦点スポットの 周りの膜６０の厚さ全体が融触されるまで起こる。［ｌｌ６０の厚さ並びにレー ザビーム１２のエネルギ及び持続時間を適当に選択することによって、ＸＩＩ放 出プラズマがレーザビーム１２パルス後長くこれを持続するので、膜６０はレー ザビーム１２パルスの後縁が起こる時間だけ実質的に融触され且つレーザビーム １２パルスの後縁掻取ナノ秒全体的に融触される。プラズマ２０はそれが冷却す るとｘｉｓの放出を停止する。従来技術で第７Ｂ図に示す空所５４を形成した熱 は、焦点スポット１６から外方へ膜６０（第８Ｂ図参照）を通して半径方向へ伝 導し、それにより１！６０にむしろ大きい直径の穴６２を作る。大きい穴６２の ために、ターゲット５６は交換が必要とされる前に単一のターゲットに作られ得 る制限されたスポット数のために商業的利用をＩＪ限される。更に、熱が半径方 向へ消散されて穴６２を形成する時、細片が更に発生される。この種類の細片は 蒸発金属及び支持構造細片であり且つより直ちに破滅的な溶融滴細片ではない。

次に第９Ａ図及び第９Ｂ図からなる第９図を参照すると、商業的種類の質量制限 ターゲット６４が図示さる。

第９Ａ図はターゲット６４の頂面図を示し且つ第９Ｂ図は１つのターゲット領１ ａ６６の破断図を示す。第９Ａ図を参照すると、ターゲット６４はそれに作られ た複数個の同心円即ちトラックの隣接するターゲット領域６６を有する円板形状 のＳ林であり、各トラックは多数の該ターゲット領域６６を有する。別に、ター ゲット６４はテープの長さに泊って作られた複数個の列のターゲット領域６６を 有するカセットテープとして設計され得る。

第９Ｂ図に、１つのターゲット領域６６が図示される。

ターゲット領域６６はケイ素、金属又はプラスチックであり得る？Ｉ？１１１物 質６８に作られ、それらの全ては在来の技術によって：！ｌ製され得る。基部物 質６８は良好なヒートシンクとして作用するように選択される。例えばボリイミ ド又はマイラーのようなポリマー物質の薄い膜又はフィルム７ｏがターゲットの 底部、即ちレーザビーム１２が集束される側に固定され、且つ例えばステンレス 鋼のターゲット物質７２がフィルム７ｏ上にスパッタリングによって付着され又 は別の方法でフィルム７ｏへ固定される。別に、ＷＡ７０は、窒化物物質く窒化 ケイ素又は窒化硼素のような）、オキシニトライド物質（シリコンオキシニトラ イドのような）、セラミックまたは他の誘電体物質又はチタンのような金属の薄 いフィルムであり得る。フィルム７０の必要な特性は、それが良好な熱伝導体で あること及び金属ターゲット物質７２がフィルム７ｏの厚さにもかかわらず通常 の処理技術によってそれへ容易に付着されることである。

プラストマスク７１が膜支持体７０の上に加えられ且つ幾つかの作用を行うこと ができる。第１に、それは細片を隣接のターゲット領域６６から離れる方へ向け 、それにより寸法のより密接した詰込みを可能にする。更に、それは別のヒート シンクとして作用し、それにより発生される中性の細片の量を制限する。最後に 、それは溶解した穴の緑での粒子発生の可能性に対する特別のものを提供する。

プラストマスク７１は機械的剛度及びかなりのヒートシンク能力を僑えるために ２５ミクロン厚さより大きくあるべきである。

ターゲット物質７２の寸法は焦点スポット１６の直径よりも少なくとも僅かに大 きいように選択される。例えば、集束されるレーザビーム１２の焦点スポットが 直径２００ミクロンである場合、ターゲット物ｊｌｊ７２は３００ミクロン直径 の円であり得る。次に、約５００〜１５００ミクロン直径の穴７４が基部６８を 通してフィルム７０まで作られる。穴７４は通常の技術によって基部物質をエツ チングすることによって形成され得る。別に、穴７４は最初に形成されることが でき且つフィルムＷ７０が穴７４の上に適用されることができた。このように、 穴７４はレーザ穴あけ、又は通常の機械加工、又はエツチングによって形成され ることができた。更に、基部６８は穴７４を成形したプラスチック又は金属であ り得る。

ターゲット物質の寸法は穴７４と同じ位大きいことができ、又はフィルム７０を 全部覆うことができる。

作動中に、レーザビーム１２がターゲット物質７２上に集束されると、プラズマ ２０が形成され且つターゲット物質７２の厚さ全体がプラズマ２０の存在中に融 触される。プラズマ２０が終了した後、熱が残りのターゲット物質７２によって 及びフィルム７０によって基部６８の方へ且つその中へ半径方向に伝導される。

熱はもはや第７図に示すように従来技術での状態であるような１つのスポットに 集中しないので、空所が基部６８に形成されず、それ故かなりの量の蒸発した細 片だけが残りのターゲット物質７２及びフィルム７ｏを蒸発することから放出さ れる。従って、基部６８及びプラストマスク７１はプラズマ２０からの熱のヒー トシンクとして作用し、加えて形成される横方向穴の寸法を制限し、それにより 第８Ｂ図に示す問題を解決する。

次に第１０図を参照すると、商業的なターゲット７６が図示され、それには第７ 図〜第９図に関して上で説明した質量制限ターゲット概念が第５図及び第６図に 示すターゲット４４１！念に組入れられている。ターゲット７６は、レーザ１２ が衝突する底側が複数個の同心溝７８を有し且つ６溝がレーザ１２によって衝突 される対向側８０と、反対側８２とを有することでターゲット４４と同様である 。更に、対向側８０及び反対側８２の角度方向配置は、前述したようにマスク２ ４及びレーザビーム光学要素の両方を最小細片点４０及び４２と整合させること ができる。ターゲット７６の基部物質８４は、ターゲット４４に必要とされる物 質よりはむしろケイ素つ工−ハ、プラスチック、又は金属のような便利な物質で 作られ得る。加えて、フィルム８６はターゲット７６に対する溝付底部側に配置 され且つターゲット物質８８は６溝７８の対向側８０に沿って予め画成された隣 接位置においてフィルム８６の上に付着される。ターゲット領域８８のそれぞれ はプラズマの存在中に実質的に全部の融触を許す厚さを有するように選択される 。最後に、穴９０が金属ターゲット領域８８のそれぞれの上に配置される。この 構造では、質１制限ターゲット概念は細片制限及び長寿命ターゲット概念を組入 れており、長寿命ターゲットを提供し、以前放出され得る細片から重要な要素を 防護するシステムで使用するために適当に配＠することによって放射される細片 を最小限にする。

次に第１１Ａ図及び第１１Ｂ図を参照すると、ターゲット７６の別の実施例の拡 大詳細因が図示される。特に、第１１Ａ図にターゲット７６の溝付側部の部分の 平面図が図示され且つ第１１Ｂ図に第１１Ａ図の線１１Ｂ−１１Ｂを横切る横断 面図が図示される。第１１Ａ図及び第１１Ｂ図で、穴９０は側部８ｏに対して垂 直に配置され且つ直径約０．６〜１．０ミリメートルに作られる。

穴９ｏは表面８ｏに対して垂直であり且つ例えばレーザビームによって作成され 得る。フィルム８６はターゲット７６の溝付表面全体の上に配置され且つ直径約 ０．２０ミリメートル〜０．３０ミリメートルの円形金属ターゲット８８は穴９ ｏのほぼ中心における位置においてフィルム８６上に配置される。対向側部８ｏ は長さ約０．８３０ミリメートルであり且つターゲット７６の底部の平面から約 ２５°の角度で配置され、且つ反対側部８２は長さ約１．１２５ミリメートルで あり且つターゲット７６の平面から約２５°の角度で配置される。長さ約０．３ ０ミリメートルを有し且つターゲット７６の平面と平行に配置された平坦部が６ 溝を分離する。

上の寸法によって、各溝間の中心から中心までの間隔は約２．００ミリメートル である。これらの寸法によって、その中心線の方へ収斂するレーザビーム１２は ターゲット８８からの垂線から離れる方へ２０°の角度（中心線）で且つターゲ ット７６の水平面から２５°の角度で提供され得る。この配置は放出される細片 をｍ細なマスク２４の膜から離れる方向へ移動させる。

多溝を分離する平坦な領域９２は、ターゲット７６の平行に関する垂直方向位置 及び整合を感知するためのシステム１０の感知１ｌｌ（図示せず）によって使用 され得る。これらのパラメータの両方はレーザビームをターゲット領域８８に集 束することによってＸ１１を発生するためにターゲット７６を使用する時に１１ 要になる。もしターゲットが高過ぎ又は低過ぎ又はレベルがでないことを感知さ れるならば、ターゲット７６の位置を調節する装Ｗ（図示せず）がシステム１ｏ と共に設けられることができ、それにより金属ターゲット領域８８はレーザビー ム１２の所望の焦点位置に配置され得る。

次に第１２図を参照すると、第１０図の改良されたターゲット構造を組入れるＸ １１平版印刷システム１００が図示される。よく知られているように、ターゲッ ト表面上の集束されたレーザビーム１０４の入射角度は、焦点スポットが大き過 ぎるほど広がるのを防止するために約４５°よりも小さい。従来技術の平坦な長 寿命ターゲットでは、レーザビームの狭い入射角度の必要並びにプラズマを形成 するターゲット領域とレジスト被覆ウェーハとの間の間隔が７０ミリメートルを 大きく越えないことの必要が、非常に速いレーザ集束レンズを必要とし且つ収斂 する集束ビームの単位領域当りの高パワーを処理し得る特別に被覆された光学要 素を要する結果を生じる。

ターゲット１０２に加えて、Ｘｌａ平版印刷システム１００の他の主要な構成部 品は、レーザビーム発生装置（図示せず）、レーザビーム１０４の方向付は及び 集束装［１０６、ターゲットを中に配置する排気ｖ１ｏ８、マスク１１０及びチ ップ製作平版印刷技術で使用される通常の歩道器システムであり得るウェーハ歩 進器組立体１１２を含む。排気Ｗｌ　０８内にターゲット取扱装置１１４があり 、該ターゲット取扱装置はターゲット１０２を移動させるための横方向モータ及 び回転モータを含み、それによりその各ターゲット領域は集束レーザビーム１０ ４を入射するように移動される。レーザ集束システムは、集束された２０ジユー ルのレーザビームを２００ミクロン直径の焦点スポットでターゲット上へ向ける ための通常のＩ造の反［１１１３及び１１５及び集束レンズ１２０を含む。

ターゲット１０２を収容し且つプラズマが中で発生される排気＝１０８はプラズ マを形成させるために２０トルより低い圧力（ヘリウム雰囲気中）に維持されね ばならない。排気！１０８の外側に、１つの雰囲気ヘリウム環境が存在する。排 気空１０８へレーザピームロ１１６及び差コラム１１８が連結される。排気され る口１１６はレーザビーム１０４の入射角度で配置され、且つレーザビーム１０ ４を０１１６へ入れると量的に至１０８の内側及び外側の間に圧力差を維持する シールされた窓１２２を含む。差コラム１１８はマロツジほかへの米国特許４， ４８４，３３９に記載されているものと同様であることができ且つ１つ以上の中 間至２４を含むことができる。差コラム１１８の出力部分１２６の１つの雰囲気 ヘリウム環境は菖エネルギイオンがマスク１１０に衝突するのを阻止する。更に 、中間至１２４と関連した排気口１２８と排気ｖ１０８と関連した排気口１３０ とは、かなりの空気流を差ロラム１１８の２つの開口１３２及び１３４を通して 生じさせる。この空気流は、質量制限ターゲット１０２によって依然形成され得 る小さい細片がマスク１１ｏの方へ伝達されるのを阻止する傾向を更に有する。

ターゲット１０２の多溝の対向側部はターゲット１０２が移動装置１１４によっ て移動される平面に関して４５°の角度で配置される。これは、プラズマが形成 される点から、従ってプラズマが終了した後に形成され得る溶融滴の経路から直 ぐ下方にマスク１１０を配置することを許す。更に、レーザ口１１６は垂直線か ら６０’の角度で配置されて溶融滴細片の最小領域にある。溶融滴細片の最小領 域は鎖線１３６．１３８及び１４０によって示され且つ第２図の２つの群３２及 び３４に対応する。第１２図に示すようにレーザ口１１６を約６０°に配置し得 ること及びターゲット１０２の入射面に対して４５°限界内にレーザ入射角度を 依然維持し得ることによって、集束レンズ１２０及びターゲット１０２の間の距 離は大きく増加される。これはレンズコーティングを鏡１１５及び窓１２２に適 用することを許し且つ更により小口径の、即ち大きいｆ数のレンズ１２０を使用 することを許す。

次に第１３図を参照すると、ターゲット７６の製作の仕方を例示するブロック線 図が図示される。基本的なプロセスは２つの基本的なステップ、即ち素材を準備 するステップ１４２と素材を加工するステップ１４４とを含む。ステップ１４２ の準備される素材はプラスチック素材又は金属素材のいずれかであり得る。プラ スチックであるならば、それはブロック１４６で示すように割出成形技術によっ て作られ得る。成形は素材に穴９０を有し又は有していないことができ且つこれ は穴が第９図及び第１０図に示すように垂直であるか、又は第１１Ｂ図に示すよ うにターゲット物質８８に対して垂直であるかに依存することができる。もし成 形される素材がブロック１４６において穴９０を形成されないならば、ブロック １４８に従って、穴９０は例えばレーザビームを使用して穴あけ加工される。も し金属の素材が使用されるならば、ブロック１５０は素材が溝７８の適当な寸法 及び配置を有するように機械加工される。次に、ブロック１５０に従って、穴は 例えばレーザビームによって加工された素材に配置される。

次に、素材を加工する主要なステップ１４４はフィルム８２及び金属ターゲット 領ｉ！８８が付加されることを必要とする。！初に、ブロック１５４に従って、 薄いマイラー又は他の適当な物質のシートが準備される。次に、ブロック１５６ に従って、ステップ１４２から準備された素材は紫外線硬化反応接着剤又はエポ キシを素材の溝付表面へ付加させる。これは接着剤の均等な厚さを生じるために 素材を旋回することによって塗布され得る。次に、ブロック１５８に従って、準 備されたマイラーフィルムシートは接着剤を被覆した素材に接合され且つそれに 対して向けられる紫外線光によって所定の位置に硬化される。マイラーシートは ブレス嵌合装置、穴９０へ取付けられる真空、又はその両方の技術によって素材 へ接合され得る。良好な嵌合が溝７８の底部よりはむしろ穴９０を取囲む領域で 起こることが最も重要であり、この故に真空技術が望ましい。最後に、ブロック １６０に従って、金属ターゲットと領域８８がスパッタリングのために穴９０の 中心と整合されたマスクを利用する既知のスパッタリング技術によって付加され る。

手続補正書 １、事件の表示 ＰＣＴ　／　ＵＳ　８８　／　０２８８１−き 」 同時に出願審査請求書を提出してあります。

「２、特許請求の範囲 １、Ｘ線平版印刷システム（１０又は１００）であって、Ｘ線（２２）がＸ線を 放出するプラズマ（２０）を発生するに充分なエネルギをもってレーザビーム（ １２又は１０４）をターゲット（１８，５６，６６、７６又は１０２）の方へ向 けることによって発生され、前記プラズマ（２０）力ぐ照射される細片感知物体 （２４又は１１０）を更に含み、前記システム（１０又は１００）が、前記プラ ズマ（２０）から放出される前記細片（３０）が前記プラズマ（２０）において 前記ターゲラ）　（ｉ８．５６．６６、７６又は１０２）に対して垂直な線（３ ８）に対して分離した角度方向変位群（３２及び３４）で放出される溶融滴（３ ０）を含むこと、及び前記物体（２４又は１１０）がそれが細片（３０）の前記 分離した角度方向変位群（３２及び３４）の間から放出される前記Ｘ線（２２） によって照射されるように配置されることを特徴とするシステム。

２、前記レーザビーム（１２又は１０４）が前記分離した角度方向変位群（３２ 及び３４）の間（４ｏ）の入射経路に沿って前記ターゲット（１８，５６，６６ 、７６又は１０２）へ入射することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の システム。

３、前記ターゲット（４４，６６、７６又は１０２）が円形であり且つ複数個の 同心状溝（４６または７８）を含み、６溝（４６又は７８）が前記物体（２４又 は１１０）の平面に関して１５°及び３５°の間の角度で側部（４８又は８０） を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項のいずれか１つに記 載のシステム。

剣　平らなマスク（２４又は１１０）を通して向けられる発生されたＸ線（２２ ）でレジスト被覆半導体要素（２６，２８又は１１２）を暴露してマスクパター ンをレジスト（２６）上に暴露する方法であって、前記マスク（２４又は１１０ ）の平面に関して１５°及び３５’の間で角度でターゲット物質（１８，４８， ８８又は１０２）を備えることと、レーザビーム（１２又は１０４）を、前記Ｘ 線（２２）が前記ターゲット物質（１８，４８，８８又は１０２）上の前記レー ザビーム（１２又は１０４）の焦点（１６）からの法線（３８）から１５°及び ３５°の間の中心線経路に沿って発生される点（１りにおいて前記ターゲット物 質（１８，４８，８８又は１０２）上に集束することとのステップを特徴とする 方法。ｊ国際調歪報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．Ｘ線平版印刷システム（１０又は１００）であって、Ｘ線（２２）がＸ線を 放出するプラズマ（２０）を発生するに充分なエネルギをもつてレーザビーム（ １２又は１０４）をターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）の方へ向 けることによつて発生され、前記プラズマ（２０）が照射される細片感知物体（ ２４又は１１０）を更に含み、前記システム（１０又は１００）が、前記プラズ マ（２０）から放出される前記細片（３０）が前記プラズマ（２０）において前 記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）に対して垂直な線（３８） に対して分離した角度方向変位群（３２及び３４）で放出される溶融滴（３０） を含むこと、及び前記物体（２４又は１１０）がそれが細片（３０）の前記分離 した角度方向変位群（３２及び３４）の間から放出される前記Ｘ線（２２）によ つて照射されるように配置されることを特徴とするシステム。 ２．前記レーザビーム（１２又は１０４）が前記分離した角度方向変位群（３２ 及び３４）の間（４０）の入射経路に沿つて前記ターゲット（１８、５６、６６ 、７６又は１０２）へ入射することを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシス テム。 ３．前記物体（２４又は１１０）が前記異なる分離した角度方向変位群（３２及 び３４）の間（４０）の異なる経路に配置され、且つ前記レーザビーム（１２又 は１０４）が該異なる経路に対して入射することを特徴とする請求の範囲第１項 又は第２項の１つに記載のシステム。 ４．前記細片（３０）が溶融した滴及び蒸発したターゲット物質の両方の形であ り、該溶融滴が前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）からの法 線（３８）に関して規制された角度の対内で放出され、前記規制された対の角度 がそれぞれ前記変位群（３２又は３４）を画成することを特徴とする請求の範囲 第１項又は第２項の１つに記載のシステム。 ５．前記細片（３０）が溶融した滴及び蒸発したターゲット物質の両方であり、 前記溶融滴が前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）からの法線 の周りに第１の規制された角度で境界される第１の量（３４）内と、前記法線に 関して第２及ひ第３の規制された角度で境界された第２の量（３２）内とに放出 され、且つ前記第１の規制された角度が第１の変位群（３４）を画成し且つ前昆 記２及び第３の規制された角度が第２の変位群（３２）を画成することを特徴と する請求の範囲第１項又は第２項に記載のシステム。 ６．前記物体（２４又は１１０）が前記第１及び第２の変位群（３４及ひ３２） の間から放出されるＸ線（２２）によつて照射されるように配置され、且つ前記 レーザビーム（１２又は１０４）が前記第１及び第２の変位群（３４及び３２） の間の経路に沿って入射することを特徴とする請求の範囲第５項に記載のシステ ム。 ７．前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）が前記物体（２４又 は１１０）の平らな整合に関して１５°及ひ３５°の間の角度で配置されること を特徴とする請求の範囲第６項に記載のシステム。 ８．前記集束されたレーザビーム（１２又は１０４）の中心が前記ターゲット（ １８、５６、６６、７６又は１０２）からの法線に関して１５°及び３５°の間 の角度で前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）へ入射すること を特徴とする請求の範囲第７項に記載のシステム。 ９．前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）が前記物体（２４又 は１１０）の平らな整合に関して２０°及び３０°の間の角度で配置されること を特徴とする請求の範囲第６項に記載のシステム。 １０．前記集束されたレーザビーム（１２又は１０４）の中心が前記ターゲット （１８、５６、６６、７６又は１０２）からの法線に関して２０°及ひ３０°の 間の角度で前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）へ入射するこ とを特徴とする請求の範囲第９項に記載のシステム。 １１．前記物体（２４又は１１０）が平らであり且つ前記ターゲット（１８、５ ６、６６、７６又は１０２）が前記物体（２４又は１１０）の平面に関して１５ °及び３５°の間の角度で配置される請求の範囲第１項又は第２項の１つに記載 のシステム。 １２．前記集束されたレーザビーム（１２又は１０４）の中心が前記ターゲット （１８、５６、６６、７６又は１０２）からの法線に関して１５°及ひ３５°の 間の角度で前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）へ入射するこ とを特徴とする請求の範囲第１１項に記載のシステム。 １３．前記物体（２４又は１１０）が平らであり且つ前記ターゲット（１８、５ ６、６６、７６又は１０２）が前記物体（２４又は１１０）の平面に関して２０ °及び３０°の間の角度で配置される請求の範囲第１項又は第２項の１つに記載 のシステム。 １４．前記集束されたレーザビーム（１２又は１０４）の中心が前記ターゲット （１８、５６、６６、７６又は１０２）からの法線に関して２０°及ひ３０°の 間の角度で前記ターゲット（１８、５６、６６、７６又は１０２）へ入射するこ とを特徴とする請求の範囲第１３項に記載のシステム。 １５．前記ターゲット（４４、６６、７６又は１０２）が円形であり且つ複数個 の同心状溝（４６または７８）を含み、各溝（４６又は７８）が前記物体（２４ 又は１１０）の平面に関して１５°及ひ３５°の間の角度で側部（４８又は８０ ）を有することを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項のいずれか１つに記載 のシステム。 １６．前記ターゲット（４４、６６、７６又は１０２）は各溝（７８）の連続す る領域（９０）がそれに向けられたレーザパルス（１２又は１０４）ともち得る ように回転し得ることを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のシステム。 １７．平らなマスク（２４又は１１０）を通して向けられる発生されたＸ線（２ ２）でレジスト被覆半導体要素（２６、２８又は１１２）を暴露してマスクパタ ーンをレジスト（２６）上に暴露する方法であって、前記マスク（２４又は１１ ０）の平面に関して１５°及び３５°の間で角度でターゲット物質（１８、４８ 、８８又は１０２）を備えることと、レーザビーム（１２又は１０４｝を、前記 Ｘ線（２２）が前記ターゲット物質（１８、４８、８８又は１０２）上の前記レ ーザビーム（１２又は１０４）の焦点（１６）からの法線（３８）から１５°及 び３５°の間の中心線経路に沿って発生される点（１６）にむいて前記ターゲッ ト物質（１８、４８、８８又は１０２）上に集束することとのステツプを特徴と する方法。 １８．前記ターゲット物質（１８、４８、８８又は１０２）の角度が前記マスク （２４又は１１０）の平面に関して２０°及び３０°の間であることを特徴とす る請求の範囲第１７項に記載の方法。 １９．前記レーザビーム（１２又は１０４）の集束角度が前記ターゲット物質（ １８、４８、８８又は１０２）上の前記レーザビーム（１２又は１０４）の焦点 （１６）からの法線（３８）から２０°及び３０°の間であることを特徴とする 請求の範囲第１７項又は第１６項に記載の方法。