JP2022530497A - 高輝度レーザ生成プラズマ光源 - Google Patents
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Abstract
レーザ生成プラズマ光源を提供する。レーザ生成プラズマ光源は，相互作用ゾーン（４）のターゲット（３）に上記ターゲット上に集束されるパルス・レーザ・ビーム（８）を提供する回転ターゲット・アセンブリ（２）を備える真空チャンバ（１）を含む。上記ターゲットは上記回転ターゲット・アセンブリに設けられた環状溝（６）の表面上の環状溶融金属層である。短波長放射の出力ビーム（９）が上記相互作用ゾーンから外に出る。デブリ軽減手段が設けられ，これは上記相互作用ゾーン（４）を取り囲むように堅固に取り付けられたデブリ・シールド（24）を含み，上記デブリ・シールド（24）は静止している。デブリ・シールドは上記レーザ・ビーム（８）の入口を形成する第１の開口部（25）および上記出力ビーム（９）の出口を形成する第２の開口部（26）を備えている。
Description
この発明は，約0.4～200ｎｍの波長における軟Ｘ線（soft X-ray），極紫外線（extreme ultraviolet）（ＥＵＶ）および真空紫外線（vacuum ultraviolet）（ＶＵＶ）放射を生成するように設計され，高効率デブリ軽減（highly effective debris mitigation）を提供して光源およびその統合機器の長期動作を保証する，高輝度レーザ生成プラズマ光源（high brightness laser-produced plasma (LPP) light sources）に関する。適用対象には，軟Ｘ線およびＶＵＶ計測，顕微鏡，生物医学および医療診断，ならびにリソグラフィＥＵＶマスクの検査を含むさまざまなタイプの制御が含まれる。
高強度の軟Ｘ線（0.4～10ｎｍ），ＥＵＶ（10～20ｎｍ）およびＶＵＶ（20～120ｎｍ）光源は，顕微鏡，材料科学，生物医学および医療診断，材料試験，結晶およびナノ構造分析，原子物理学，ならびにリソグラフィといった多くの分野において使用されている。これらの光源は現代のハイテク生産の分析基盤の基礎であって，それらに基づく新材料および製品の開発における主要ツールの一つである。
これらのスペクトル範囲における光生成は，レーザ生成プラズマの使用が最も効果的である。近年のそれらの開発は，10ｎｍノード以下の集積回路（ＩＣ）の大量生産のための投影極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィの開発によって大きく刺激されている。
ＥＵＶリソグラフィは13.5＋／－0.135ｎｍの範囲の放射の使用に基づくものであり，多層Ｍｏ／Ｓｉミラーの効果的な反射に対応する。近年のナノリソグラフィの最も重要な計測プロセスの一つは欠陥がないようにＩＣを制御することである。リソグラフィ製造における一般的なトレンドは，ＩＣ検査からリソグラフィ・マスクの分析に移行している。マスク検査のプロセスは，化学線（actinic radiation），すなわち波長がリソグラフの動作波長と一致する放射線を用いてスキャンすることの助けを借りることによって最も効果的に実行される（いわゆる化学線検査）。すなわち，リソグラフィ・マスクの欠陥のない製造および操作の制御はリソグラフィの重要な課題の一つであり，リソグラフィ・マスクおよびその重要な要素である高輝度化学線源（high-brightness actinic source）の診断用デバイスの作成は，ＥＵＶリソグラフィの開発の優先事項の一つである。
ＥＵＶリソグラフィの放射線源は，ＣＯ２レーザを含む強力なレーザ・システムによって生成されるＳｎプラズマを使用している。この放射線ソースは，ＥＵＶマスクの検査に必要なパワーのレベルを数桁超えるＥＵＶ放射のパワーを有している。したがって，過度の複雑さとコストに起因してマスク検査にこれを使用するのは不適当である。この点に関して，ＥＵＶマスクの化学線検査のための高輝度ＥＵＶ源を作成するための他のアプローチが必要である。
２０１２年３月１日発行の米国特許第８３４４３３９号から知られるアプローチの一つによれば，レーザ生成プラズマからＥＵＶ放射を生成する既知の装置は，プラズマ形成ターゲット材料で作られた回転ロッドを収容する真空チャンバ，レーザ・ビームおよびターゲットの相互作用ゾーンに集束されるレーザ・ビーム用の入力ウィンドウ，ならびに出力ウィンドウを出て光コレクタに向かうレーザ生成プラズマから生成される出力ビームを含む。ＥＵＶ放射を生成する上記装置および方法は，スズ（Ｓｎ）が最も効果的なプラズマ形成ターゲット材料として使用され，回転に加えてロッドが往復軸方向運動を実行もするという事実によって特徴づけられる。しかしながら，この装置および方法は，装置の長期連続動作中にパルスからパルスへのターゲットの固体表面のプロファイルの再現性がないことを含む多くの欠点があり，これはＬＰＰ光源の出力安定性に影響を与える。設計の複雑さには別の難点があり，それはターゲット・アセンブリの複雑な動きおよびその定期的な交換が必要とされるからである。ＥＵＶ放射の生成中にデブリ粒子が副産物として生成され、光学表面を劣化させる可能性がある。ＥＵＶ放射の生成中，デブリ粒子（debris particles）が副産物として生成され，これは光学面を劣化させることがある。この発生源において生成されるデブリのレベルが高すぎるので，その適用の可能性が大幅に制限される。
放射源動作に上記プラズマの副産物として生成されるデブリは，高エネルギーイオン，中性原子または蒸発、およびターゲット材料のクラスターの形をとることがある。
たとえば２０１３年８月２８日発行の米国特許第８５１９３６６号に開示されている磁気軽減技術は磁場を印加して帯電したデブリ粒子が軽減されるように構成されている。この特許では，短波長放射線源において使用するためのデブリ軽減システムが，回転可能なフォイル・トラップ（foil trap）および上記フォイル・トラップに緩衝ガスを供給するガス口を含み，中性原子およびターゲット物質のクラスターを効果的に軽減する。
２０１３年４月３日に発行された米国特許出願ＵＳ２０１３／０３１３４２３Ａ１は，ＬＰＰ光源用のデブリ軽減方法を開示しており，これはイオン化されたプラズマジェットを短波長のビーム経路に向けることを含む。プラズマがデブリ粒子を帯電し，その後，パルス電場が上記デブリ粒子の向きを変える。この方法は，たとえばキセノンをターゲット材料として使用するＬＰＰ光源において，デブリ粒子のイオン／蒸発の割合を軽減するのに効果的である。しかしながら，金属をターゲット材料として使用するＬＰＰ光源では，光学素子に対する主な脅威はデブリ粒子の微小飛沫部分であり，これに対してこの方法は効果的ではない。
プラズマ光源の構築，およびデブリ軽減技術についての上記のすべてのアプローチは，デブリ粒子の微小飛沫部分の非常に効率的抑制を提供することができない。これは，光学素子の早期の汚染に起因して，光源が組み込まれている機器の寿命を制限する。
２００７年１０月２７日発行の米国特許第７，３０２，０４３号に開示されている，デブリ粒子の微小飛沫部分を軽減する方法の一つは潜在的な解決方法の一つを提案する。この方法は，回転の第１期間中に少なくとも一つの開口を通る短波長放射の通過を許し，その後にシャッターを回転させてローテーションの第２期間中に少なくとも一つの開口を通るデブリの通過を遮るように構成されている。しかしながら，コンパクトな放射源においてこのようなデブリ軽減技術を使用することは，複雑であって技術的に実装が非常に困難である。
２０１８年２月２０発行の米国特許第９８９７９３０号から，２０ｎｍを超える厚さを持ち，ＥＵＶ放射に対して高い透明性を有するカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の膜を，
リソグラフィ装置内のマスク・ペリクルとして使用することが知られている。この文献は，ＥＵＶリソグラフィ源のためのデブリ・トラップ・システムとしてＣＮＴ膜を使用することも提案する。
リソグラフィ装置内のマスク・ペリクルとして使用することが知られている。この文献は，ＥＵＶリソグラフィ源のためのデブリ・トラップ・システムとしてＣＮＴ膜を使用することも提案する。
Ｍ．Ｙ．タィマーマンズ（M.Y. Timmermans）その外の出版物である「極紫外線ペリクル用途向けの自立型カーボンナノチューブフィルム」（Free-standing carbon nanotube films for extreme ultraviolet pellicle application），Journal of Micro / Nanolithography，MEMS and およびMOEMS 17（4），043504（2018年11月27日）から知られているように，ＣＮＴ膜は低コストや高強度といった多くの利点があり，大きな（センチメートル）サイズで自立して製造することができる。
しかしながら，ＣＮＴ膜は強力な放射線によって破壊されがちであり，ＥＵＶリソグラフィ源によって生成されたデブリ粒子をトラップするためにＣＮＴ膜を使用することはほとんどない。あまり強力でない放射線源についても制限がある。我々の研究が示しているように，３００ｎｍを超える微小飛沫サイズのデブリ粒子のごく一部がＣＮＴ膜を透過することがあり，ＣＮＴ膜を使用するだけではＬＰＰ光源の純度が保証されない。
したがって，改善された低デブリ高輝度ＬＰＰ光源の要望が存在する。
したがって，上述した問題点の少なくともいくつかを軽減する必要がある。特には，コンパクトであって，十分に，好ましくはほぼ完全に，レーザ・ビームおよび短波長放射の出力ビームの経路におけるデブリ粒子の流れを軽減する，改善されたレーザ生成プラズマ光源が求められている。
この必要性は独立請求項の特徴によって満たされる。従属請求項はこの発明の実施形態を説明する。
この発明の一実施態様では，レーザ生成プラズマ光源が提供され，上記光源は，相互作用ゾーンにターゲットを供給する回転ターゲット・アセンブリを備え，上記回転ターゲット・アセンブリに設けられた環状溝に面する溶融金属層であるターゲット上にパルス・レーザ・ビームを集束させる真空チャンバ，上記相互作用ゾーンから出る短波長の出力ビーム（これは有用短波長放射ビームと言うこともできる）およびデブリ軽減（緩和）手段を備えている。
上記レーザ生成プラズマ光源は，上記デブリ軽減手段が，上記レーザ・ビームの入口を形成する第１の開口部および上記出力ビームの出口を形成する第２の開口部を備え，上記相互作用ゾーンを取り囲むように堅固に取り付けられたデブリ・シールドを含むことを特徴とする。上記デブリ・シールドは特に静止している。換言すると，上記デブリ・シールドは上記ターゲット・アセンブリとともに回転せずに固定されており，上記レーザ・ビームおよび出力ビームは上記第１および第２の開口部を通過することができる。
上記回転ターゲット・アセンブリは，特に，デブリ・シールドおよびレーザ・ビームに対して回転することができる。上記デブリ・シールドはレーザ・ビームの経路に対して静止することができる。
この発明の好ましい実施態様では，上記溶融金属層が上記環状溝の表面上に遠心力によって形成され，上記表面が上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸に面している。したがって上記溶融金属層は特に環状溶融金属層である。
上記出力ビームは，パルス・レーザ・ビームと上記ターゲット材料との間の相互作用によって生成されるレーザ生成プラズマによって放出される。
一実施態様では，上記回転ターゲット・アセンブリの一部がディスクの形態に作られており，上記ディスクがその内面に環状バリアの形態の周辺部分を有しており，上記環状溝内に上記ターゲットが配置される。上記環状溝の表面は上記回転軸に面する。上記ディスクはさらに，環状のくぼんだ部分（depressed portions）および／またはそびえ立つ部分（towering portions）を有してもよい。
上記環状溝は，半径方向および上記回転軸に沿う両方向へのターゲット材料の放出を防止するように形成された表面プロファイルを有してもよい。
一実施態様では，上記レーザ生成プラズマ光源は，上記ターゲットの表面が上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸と平行になるまたは平行近くになるような十分に速い回転速度となるように上記回転ターゲット・アセンブリを動作するように構成される。
一実施態様では，上記環状溝の表面が，少なくとも上記相互作用ゾーンの近傍において，上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸に対して傾斜しており，好ましくは円錐面である。
一実施態様では，上記デブリ・シールドが上記相互作用ゾーンの近くの上記ターゲットの角度セクタ（angular sector）の反対側に配置されている。
一実施態様では，上記デブリ・シールドが円形である。
一実施態様では，スリット・ギャップ（slit gaps）が上記回転ターゲット・アセンブリから上記シールドを分離する。
この発明の一実施態様では，上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つが円錐形である。
一実施態様では，上記短波長放射ビームの軸が上記回転ターゲット・アセンブリの回転面に対して45°を超える角度で方向づけられている。
一実施態様では，上記レーザ生成プラズマ光源が，上記回転ターゲット・アセンブリが80ｍ／ｓを超える線速度（linear velocity）で回転動作するように構成されている。上記デブリ軽減手段は，保護ガス流，静電的または磁気的軽減，フォイル・トラップ（foil traps），およびカーボンナノチューブを含む膜の一つまたは組み合わせをさらに備えてもよい。
一実施態様では，上記集束レーザ・ビームおよび上記出力ビームの少なくとも一部が，保護ガス流が供給されるケーシングによって囲まれている。上記ケーシングはそれぞれの保護ガスが供給されるそれぞれのガス入口を含むことができる。
一実施態様では，上記出力ビームが0.4ｎｍから120ｎｍの範囲の波長を持つ光を含む。上記出力ビームは特に軟Ｘ線，ＥＵＶおよび／またはＶＵＶ放射を含む。
一実施態様では，上記溶融金属はＳｎ，Ｌｉ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，および／またはこれらの合金を含む。
一実施態様では，誘導加熱システムがターゲット材料の溶融を開始するために用いられる。
一実施態様では，上記レーザ生成プラズマ光源がノズルを備え，上記ノズルがガス流を，特に高速ガス流を，上記相互作用ゾーンに供給する。
一実施態様では，上記ノズルが上記第１の開口部に位置決めされており，上記レーザ・ビームが上記ノズルを通じて上記相互作用ゾーンに向けられる。
一実施態様では，上記ガスは希ガス（noble gas）を含む。
一実施態様では，上記相互作用ゾーンへの上記ガス流の流速が60ｍ／ｓ～300ｍ／ｓであり，上記相互作用ゾーンのガス圧が５ｍｂａｒ～200ｍｂａｒである。
一実施態様では，上記ノズルが上記相互作用ゾーンから２ｍｍを超えない距離に位置している。
一実施態様では，上記相互作用ゾーンに向かう上記ガス流が，上記ターゲットの線速度のベクトルに対して45度を超えない角度で向けられている。
一実施態様では，上記相互作用ゾーンから上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つに向かう方向が上記相互作用ゾーンからのデブリ粒子の飛沫部分および／またはイオン／蒸発部分の主要出力の方向から大幅に異なる。
一実施態様では，上記相互作用ゾーン内の上記ターゲットの線速度のベクトルと，上記デブリ・シールドの第１および第２の開口部の少なくとも１つが，上記相互作用ゾーンおよび上記回転軸を通過する平面の異なる側（sides）に配置される。換言すると，上記線速度のベクトルは，上記デブリ・シールドの第１および第２の開口部が配置されている平面側から離れる方向を向いている（point out）。
一実施態様では，上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つの軸が，上記相互作用ゾーンのターゲット面に対して45°未満の角度で方向づけられている。
さらなる実施態様では，上記ターゲットの線速度が十分に高く，20ｍ／ｓを超えており，上記相互作用ゾーンからのデブリ粒子の微小飛沫部分の主要出力の方向に影響が与えられる。
特に，上記相互作用ゾーンから出力される短波長出力ビームの方向をデブリ粒子の微小飛沫部分の主要出力の方向と異ならせてもよい。
一実施態様では，カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）製の交換可能な膜，または20ｎｍよりも短い波長範囲において50％を超える透過度の高い透過率を有するＣＮＴ膜が，相互作用ゾーンの視線内（in a line-of sight）に設置され，上記レーザ生成プラズマ光ビームの開口を完全に覆う。
一実施態様では，上記ターゲット材料がスズまたはその合金である。上記回転ターゲット・アセンブリは，80ｍ／ｓを超える十分な大きさの上記ターゲットの線速度を提供するように構成され，上記ＣＮＴ膜を通過可能な300ｎｍ以上のサイズの微小飛沫のＣＮＴ膜の方向への出力を抑制する。
一実施態様では，上記ＣＮＴ膜が上記相互作用ゾーンの視線の外側の側（a side outside a line-of-sight of the interaction zone）でコーティングされている。
一実施態様では，上記ＣＮＴ膜は高真空および中真空を有する上記真空チャンバの区画の間のウィンドウ（a window between compartments of the vacuum chamber with high and medium vacuum）として機能する。
一実施態様では，上記パルス・レーザ・ビームが，プレパルス・レーザ・ビームおよびメインパルス・レーザ・ビームの２つの部分から構成され，これらのパラメータが上記デブリ粒子の高速イオン部分（a fast ions fraction）を抑制するように選択される。
一実施態様では，上記メインパルス・レーザ・ビーム・エネルギーに対する上記プレパルス・レーザ・ビーム・エネルギーの比が20％未満である。上記プレパルスと上記メインパルスの間の時間遅延を10ｎｓ未満としてもよい。
一実施態様では，上記パルス・レーザ・ビームのレーザ・パルス繰り返し速度が十分に高く，レーザ生成プラズマ光（すなわち出射される短波長放射）およびレーザ生成プラズマのフラックスの両方によって，前回のレーザ・パルス（a previous laser pulse）によって発生したデブリ粒子の微小飛沫部分の高効率の蒸発（evaporation）がもたらされる。
上記パルス・レーザ・ビームの上記レーザ・パルス繰り返し速度が１ＭＨｚのオーダー（the order of 1 MHz）であり，最大0.1μｍのサイズの微小飛沫の蒸発がもたらされる。
上記レーザ生成プラズマ光源は上記パルス・レーザ・ビームを生成するように構成されるレーザ・システムをさらに備えてもよい。
上記レーザ生成プラズマ光源は上記出力ビームを収集するコレクタ・ミラーをさらに備えてもよい。たとえば，上記ＣＮＴ膜を上記相互作用ゾーンと上記コレクタ・ミラーとの間に配置することができる。
この発明による技術的成果は，耐用年数の延長，操作のしやすさ，および操作コストの低減を特徴とする，効率的かつ深い（大きな）デブリ軽減を伴う高輝度のＸ線，ＥＵＶおよびＶＵＶ放射線源の作成である。
上述した実施態様の特徴を互いに組み合わせることができることは明らかである。特に，上述した特徴および以下に説明する特徴は，この発明の範囲を逸脱することなく，開示するそれぞれの組み合わせだけでなく，他の組み合わせにおいても，または単独でも使用することができることを理解されたい。
この発明の特徴の利点は，添付図面を参照して例示される，例示的な実施形態の以下の非限定的な説明からより明らかになるであろう。
以下，図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図面において，装置の同一部材には同一符号が付されている。
これらの図面は，この技術的解決手段を実装するためのオプションの全範囲をカバーしておらず，さらに制限するものではなく，その実装の特定ケースを例示するにすぎないものである。
図１はこの発明の実施態様の一例を示すもので，高輝度レーザ生成プラズマ光源は，相互作用ゾーン（interaction zone）４に溶融金属の層であるターゲット３を提供する回転ターゲット・アセンブリ２を備える真空チャンバ１を含む。上記溶融金属の層は，回転ターゲット・アセンブリに設けられた（実装された）環状溝６の表面上の遠心力によって形成される。高パルス繰返し率レーザまたはレーザ・システムによって生成されるレーザ・ビーム８が相互作用ゾーン４のターゲット上に集束される。上記レーザは真空チャンバの外側に配置され，レーザ・ビーム８はその入力ウィンドウ７を通して導入される。集束されたレーザ・ビーム８と相互作用ゾーン４のターゲット３との相互作用の結果，ターゲット材料の高温プラズマが生成される。上記高温のレーザ生成プラズマ（high-temperature laser-produced plasma）（ＬＰＰ）は，ＶＵＶ，ＥＵＶ，軟Ｘ線，および0.4～120ｎｍの波長のＸ線を含む一または複数のスペクトル範囲において光を放出する。回転ターゲット・アセンブリの限界を超えて相互作用ゾーンを離れる短波長放射の出力ビーム９が，ＬＰＰ光源と統合された装置における使用が意図されるものである。短波長放射を使用する装置は真空チャンバ１のきれいな光学区画に配置されたコレクタ・ミラー（collector mirror）10を含むことができる。
副産物として，ターゲット材料の微小飛沫（micro droplets），蒸発（蒸気）（vapors），およびイオン（ions）を含むデブリ粒子（debris particles）が相互作用ゾーン４において生成される。上記高輝度ＬＰＰ光源がクリーンであることを保証するために，上記デブリ低減のための手段が設けられる。好ましくは，これにはレーザ・ビーム８および出力ビーム９を取り囲むケーシング11，12，方向性ガス流を提供するガス口（gas inlets）13，たとえば磁気コアを備えた永久磁石14の形態の磁場源，静磁場源（図示略），フォイル・トラップ（foil traps）15が含まれる。上記デブリ軽減手段は，特に静止デブリ・シールドを含むことができるが，これは図６～９に示されていず，以下でさらに説明する。
上記ターゲット材料は，上記ターゲットによって吸収されるレーザ放射のパワーによって溶融状態に保たれる。上記ターゲット材料の初期溶融のために誘導加熱を使用する特別な加熱システム16を利用してもよい。
回転ターゲット・アセンブリ２の一部は，回転ドライブ23によって駆動される回転シャフト18に固定されたディスク17の形態で作られている。上記ディスクは環状バリア19の形態の周辺部を有している。回転軸20に面する環状バリア19の内面に環状溝６があり，上記ターゲット３は回転軸20に面する環状溝の表面上に配置されている。上記環状溝の構成は，上記ターゲット材料の体積が上記溝の体積を超えない限り，ターゲット３の材料が半径方向および回転軸20に沿う両方向に放出されるのを防ぐ。
上記ターゲット表面の高い安定性を確保するために，十分に高い回転周波数ｆが採用され，それによる遠心力の効果によって，液体金属ターゲット３の表面が回転軸20に平行になり，すなわち本質的に円筒形の表面となり，その軸は図１の回転軸20と一致する。
環状溝６の表面から反射された後に液体金属ターゲット３の内部でレーザ・パルスによって引き起こされる衝撃波は，相互作用ゾーン内のターゲット表面の追加の摂動（additional perturbations）を生成することができる。これを理由にして，相互作用ゾーン内のターゲット表面の高い安定性を確保するために，上記環状溝の表面は，少なくとも相互作用ゾーンの近くでは，好ましくは回転軸に対して傾斜している。
図１に示すように，上記溝６の表面は，回転軸20に面する円錐面，および２つの半径方向面によって形成することができるが，このオプションには限定されない。
相互作用ゾーン４から出る微小飛沫の方向を制御するために，上記ターゲットの線速度（linear velocity）を20ｍ／ｓ以上とかなり速くする必要がある。このため，相互作用ゾーン４を出る微小飛沫の主要方向は接線（tangential）に近くなる。すなわち，出力ビーム９中および短波長放射ビーム中のデブリ粒子を抑制するために，その方向は微小飛沫の主要出力の方向と著しく異なるように選択され，これによってＬＰＰ光源の純度（purity）が保証される。
この発明の好ましい実施態様では，デブリ軽減手段は，20ｎｍ未満の波長範囲において50％を超える高い透過度（transparency）を備える交換可能なＣＮＴ膜21を含み，これが相互作用ゾーン４の視線中（視域線中）（in the line of sight of the interaction zone 4）に設置され，出力ビーム９の開口を完全にカバーする（図１）。
上記ＣＮＴ膜はフレームに固定された自立型ＣＮＴフィルムの形状の光学素子であり，高い強度を有しており，20ｎｍ未満の波長の放射の吸収が十分に低く，コーティングまたは充填して耐用年数を延ばし，または他の特性を与えることができる。
ＣＮＴ膜21を交換するために交換ユニット22が導入され，これはたとえばタレットまたはカセット・タイプのもので，磁気結合を介して真空チャンバ１の外側から駆動することができ，またはグランド（gland）を介して，または真空チャンバに取り付けられたミニチュア・ステッピング・モーターを介して駆動することができるが，これに限定されるものではない。
上記ＣＮＴ膜は好ましくは20から100ｎｍの範囲の厚さを有しており，これによって図２に示すように，20ｎｍよりも短い波長範囲の高い透過度が確保される。図２は放射光（synchrotron radiation）を使用して測定された厚さ約100ｎｍのＣＮＴ膜の透過スペクトルを示している。この範囲では透過度が75％を超え，13.5ｎｍの波長において約90％に達することがわかる。同時に，ＣＮＴ膜は，たとえば相互作用ゾーンにおいて散乱されたレーザ放射の一部としての不要放射を遮断するスペクトル・フィルタとして機能することができる。
これに加えて，ＣＮＴ膜は，コーティングが与えれる固体ベース（a solid base）として機能することができ，たとえばＣＮＴ膜と比較してより狭いスペクトル純度フィルターとして機能する金属箔（metal foil）として機能する（a metal foil that serves as a spectral purity filter, narrower in comparison with the CNT - membrane）。
高機械的強度，超低ガス透過性，高耐熱性および高耐久性が，疑いなくＣＮＴ膜の利点である。
ＣＮＴ膜の片面に最大98％の高い幾何学的透明度（geometric transparency）を備えるサポート・グリッド（support grid）を配置することができる。他の実施形態では，互いに対して変位することなく配置された最大98％の高い幾何学的透明度を備える２つの同一グリッドの間にＣＮＴ膜を配置することができる。これによって透明性を著しく低下させることなく耐久性が向上され，かつＣＮＴ膜の面積が増加され，その汚染率が低減されかつ耐用年数が延ばされる。
その高強度および低透過性に起因して，上記ＣＮＴ膜は，たとえば中真空および高真空の真空チャンバの区画（コンパートメント）の間において出力ウィンドウまたはガスロック（an open window or an gas lock）として用いることができる。すなわち，図１は変形例を示しており，ＣＮＴ膜21がＬＰＰ光源の出力窓，およびケーシング12とコレクタ・ミラー10が中に配置された高真空を有する真空チャンバのクリーンな光学コンパートメントとの間のガス・ゲートまたはロックとして機能する。
同時に，ＣＮＴ膜21および入力ウィンドウ７の両方から相互作用ゾーン４に向けられた不活性緩衝ガスの保護流がガス口13によって供給される。
図３は，この発明の一実施態様によるＬＰＰ光源の概略図を示している。図１に示す別設計とは対照的に，レーザ・ビーム８および出力ビーム９が回転軸20および相互作用ゾーン４を通過する平面の両側に配置されている。図３にしたがう上記ＬＰＰ光源を用いてデブリ軽減対策をテストした。上記出力ビーム９の経路上のテストのとき，鏡面研磨されたシリコン（Ｓｉ）によって作られた交換可能なウィットネス・サンプル（図示略）を取り付けた。
特徴テスト・パラメータは以下のとおりである。
ターゲットの回転半径：0.1ｍ
線ターゲット速度：20～120ｍ／ｓ
相互作用ゾーンからＳｉウィットネス・サンプルまでの距離：0.44ｍ
ターゲット材料：120℃を超える温度での共晶合金Ｓｎ／Ｉｎ
露出（露光）時間：５時間または1.08・10９パルス
レーザの波長，エネルギー，持続時間およびパルス繰り返し速度：それぞれ1.06μｍ，0.44ｍＪ，1.85ｎｓ，60ｋＨｚ
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して，ウィットネス・サンプルの表面上に堆積したデブリ粒子の量およびサイズを計算しかつ決定した。
ターゲットの急速回転によるデブリ軽減に加えて，磁気軽減および保護バッファ・ガス・フローといったデブリ軽減技術を使用することもできた。
以下のテストを実行した。
第１回テスト：ＶＲ＝24ｍ／ｓ，他のデブリ軽減技術の使用なし。
第２回テスト：ＶＲ＝24ｍ／ｓ，他のデブリ軽減技術を使用。
第３回テスト：ＶＲ＝120ｍ／ｓ，ＣＮＴ膜以外の他のデブリ軽減技術を使用。
第４回テスト：ＶＲ＝120ｍ／ｓ，ＣＮＴ膜を含むすべてのデブリ軽減技術を使用。
最初の３つのテストでは，ＣＮＴ膜21の代わりにウィットネス・サンプルを設置し，４番目のテストではウィットネス・サンプルをＣＮＴ膜21のすぐ後ろに設置した。
図４は，第１回，第２回および第３回テストで得られた，微小飛沫の量およびサイズの分布の測定結果を示している。
第１回テストの結果は，他のデブリ軽減技術を使用しない遅い線速度では，直径300ｎｍを超える微小飛沫がウィットネス・サンプル上のＳｎ／Ｉｎターゲット材料の堆積に大きな役割を果たすことを示している。１週間の長い連続動作の間に（during a week-long cycle of continuous operation），すべてのサイズの微小飛沫が試験片の表面の100％以上を覆う。
第２回テストの結果は，磁場および緩衝ガス流の使用がイオンおよびターゲット材料の蒸発といったデブリ抑制に非常に効果的であり，他方において直径が300ｎｍを超える微小飛沫の数が第１回テストの約50分の１であることを示している。結果の再計算は、１週間の長い連続動作サイクルで，すべてのサイズの微小飛沫がウィットネス・サンプルの表面の約４％を覆うことを示している。
第３回テストの結果は，速い（ＶＲ＝120ｍ／ｓ）ターゲット速度が300＋ｎｍの微小飛沫を実質的に完全に排除することを示している。この事実は，最終出力ビーム洗浄（ultimate output beam cleaning）のためのＣＮＴ膜を非常に効率的に使用するために重要である。結果の再計算は，１週間の長い連続動作のサイクルでは，すべてのサイズの微小飛沫はウィットネス・サンプルの表面の約0.7％しかカバーしないことを示している。
図５Ａ，図５Ｂ，図５Ｃは，第２回，第３回および第４回テストにおいて得られたウィットネス・サンプルのＳＥＭ画像を示している。第４回テストは，条件は第３回テストと同じであるが，ＣＮＴ膜21をウィットネス・サンプルの前に配置したものである。回転速度が遅いとサンプルの顕著な汚染（コンタミネーション）が生じることが分かる（図５Ａ）。線ターゲット速度が24から120ｍ／ｓに速くなるとデブリ軽減のシャープな増加がもたらされる（図５Ｂ）。ＣＮＴ膜を使用したテスト結果は，ターゲット材料のイオンおよび蒸発がそれを透過しないことを示すものであった。サイズが約400および500ｎｍの単一の微小飛沫のみが膜を透過し，これはほぼ最終出力ビーム洗浄を示している（図５Ｃ）。
第４回テストの別の結果は，Ｓｉウィットネス・サンプル上の微小飛沫の堆積はＣＮＴ膜上よりも45倍大きいという事実であった。これはほとんどの微小飛沫がＣＮＴ膜から反射されていることを示しており，これはＣＮＴ膜の表面層の非湿潤性（non-wetting properties）および高い弾性（high elasticity）によって引き起こされる。したがって，ＣＮＴ膜21上に金属または他のそのようなコーティングが存在する場合，それは，好ましくは相互作用ゾーン４の視線の外側である側（the side that is outside the line of sight of the interaction zone 4）に配置される。
実行されたテストに基づけば，300ｎｍを超える微小飛沫はＰ＞３００の確率で，0.005を超えないで膜を貫通すると推定される（Ｐ＞３００≦0.005）。ＣＮＴ膜上のこのタイプの微小飛沫の測定されたＳ堆積率（沈着率）は，１週間の連続動作のサイクルあたり４・10－５の表面被覆率に対応する。したがって，ＣＮＴ膜の後ろにあるミラー10の場合（図１），このサイズの微小飛沫の堆積に起因する反射率の損失率は，１週間の連続動作あたり，Ｓ・Ｐ＞３００≦２・10－７％と推定される。換言すると，膜の後ろのミラー表面の５パーセントの劣化（degradation）は，ＬＰＰ光源の５・10６時間の連続動作を必要とすると推定される。
300ｎｍ未満の直径を有する微小飛沫がＣＮＴ膜を通過する確率Ｐ＜３００は無視できるほど小さいと推定される（Ｐ＜３００≦２・10－５）。
この発明の好ましい実施態様では，上記ターゲット材料はスズまたはその合金であり，上記結果に基づいて，最終出力ビームのクリーニングを確実にするために，80ｍ／ｓを超える線ターゲット速度が選択され，ＣＮＴ膜を通過することができる300ｎｍよりも大きな微小飛沫のＣＮＴ膜への降伏（the yield）が抑制される。
24Ｗの比較的小さい平均レーザ・パワーでは，スペクトル帯13.5＋／－0.135ｎｍのＥＵＶ源の明るさはＢ１３．５＝60Ｗ／ｍｍ２・ｓｒであり，レーザ出力を上げることによって簡単にスケールアップすることができる。
図６に示すように，この発明によると，デブリ軽減手段の一つとしてデブリ・シールド24を追加的に使用することができる。上記デブリ・シールド24は，相互作用ゾーン４を取り囲むように堅固に（しっかりと）取り付けられ，上記シールドはレーザ・ビーム８の入口を形成する第１の開口部25および出力ビーム９の出口を形成する第２の開口部26を備える。換言すると，上記デブリ・シールド24は静的であり（静止しており），上記回転ターゲット・アセンブリと一緒に回転しない。したがって，デブリ・シールド24を通じたレーザ・ビーム８の供給，およびデブリ・シールド24を通じた出力ビーム９の取り出し（coupling out）が容易になる。
図６に示すこの発明の一実施態様では，上記デブリ・シールド24は上記相互作用ゾーン４の近くのターゲット３の角度セクタ（the angular sector）の反対側に位置し，両端部のスリット・ギャップ27，28によってそこから分離されている。他の実施態様では，上記シールド24を円形とすることもできる。
シールド24の利用可能性は，回転ターゲット・アセンブリから出るデブリ粒子の大きな（deep）軽減，および相互作用ゾーンからの出た後の溝６へのそれらの戻りをもたらす。より大きくデブリを軽減するために，シールド24は，スリット・ギャップ27，28によって回転ターゲット・アセンブリ２から分離されている（図６）。この場合，ターゲットは，上記溝６と上記シールド24の表面によって形成される基本的には閉じた空洞（キャビティ）29内に配置される。相互作用ゾーン４における放射にともなって生成されるデブリ粒子は，２つの小さい開口部25，26のみを通過して空洞29から外に出ることができる。
この発明の実施例では，上記シールド24の上記第１および第２の開口部25，26は円錐形に設計され，円錐形の開口の頂点が相互作用ゾーン４に配置されている。これによって開口部25，26の開口を最小化して，デブリ粒子をより効率的に空洞29内に捕捉することができる。
この発明によると，0.4～200ｎｍの範囲の様々な波長の出力放射へのレーザ・エネルギーの高変換効率を確保するために，ターゲット材料はＳｎ，Ｌｉ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎおよびこれらの合金を含む，無毒可溶金属のグループから選択されることが好ましい。
20ｎｍを超える波長範囲における放射を得るためにはＣＮＴ膜は使用されず，これは上述した範囲のその透過度が放射波長の増加に伴って大幅に低下するからである。
好ましくはターゲット線速度は80ｍ／ｓを超えている。これにより，より低い線速度と比較して，シールド24の開口部25，26に向かう回転ターゲット・アセンブリからのデブリ粒子の飛沫部分の放出を大幅に（桁違いに）減らすことができる。
図７に概略的に示すこの発明の実施態様では，デブリ粒子のイオン／蒸発部分のより深い軽減を確実にするために，相互作用ゾーン４に向けられた高速ガス流を形成するように設計されたノズル30が導入される。
図７に概略的に示すように，上記シールド開口部25を通じて空洞29に入る円錐形ケーシング11の一部はノズル30として機能することができる。この発明の実施態様では，集束されたレーザ・ビーム８はノズル30を通じて相互作用ゾーン４に向けられる。その結果，デブリ粒子のイオン／蒸発部分の大きな軽減がレーザ・ビーム８の経路において保証される。
この発明の他の実施態様では，図８に示すように，上記相互作用ゾーン４に向けられた高速ガス流を，別個に配置されたノズル30によって形成することができる。
アルゴンまたは他の不活性ガスおよびそれらの混合物が，好ましくはノズル30を通じた吹き込みガスとして用いられる。相互作用ゾーン４に向けられた保護バッファーガス流の速度が60～300ｍ／ｓ，その圧力が５～200ｍｂａｒのときに，デブリ粒子のイオン／蒸発部分を効率的に軽減することができる。上述したガス流パラメータを確保するために，ノズルは，好ましくは上記相互作用ゾーン４から近い（２ｍｍを超えない）距離に配置される。図８に示すこの発明の実施形態ではデブリ・シールド24は円形である。
この発明の一実施例によると，レーザおよび出力ビーム８，９の経路におけるデブリ軽減のためのさらなる手段は，相互作用ゾーンからのデブリ粒子の主要出力の方向が，上記デブリ・シールド24中の上記開口部25，26に向かう方向と著しく異なる，そのようなレーザ生成プラズマ光源の構成を含む。
図９Ａおよび図９Ｂにおいて，相互作用ゾーンを通る回転面におけるＬＬＰ光源断面が概略的に示されており，図９Ａはノズルなしの例，図９Ｂはノズルあり例である。また，デブリ粒子の飛沫部分31およびデブリ粒子のイオン／蒸発部分32の拡散速度図が概略的に示されている。これらの２つの部分の速度はほぼ１桁異なる（differ by as much as nearly an order of magnitude）ことがあり，最大値を基準とする速度が図示されている。
図９Ａから分かるように，デブリ粒子31の比較的遅い飛沫部分の優勢な広がり方向は，相互作用ゾーンにおけるターゲット線速度ＶＲのベクトル33に向かって逸脱している。したがって，デブリを軽減するための手段の一つとして，相互作用ゾーンにおけるターゲット線速度のベクトル33およびシールド24内の第１および第２の開口部25，26の少なくとも一つが，好ましくは相互作用ゾーン４および回転軸20を通る平面34の異なる側に配置される，そのような光源の構成が用いられる。
図９Ａに示すように，ターゲット線速度ＶＲはデブリ粒子のイオン／蒸発部分32の広がり方向にほとんど影響を与えない。上記相互作用ゾーン４から広がるイオンおよび蒸発の方向は，上記相互作用ゾーン４のターゲット表面に対する法線ベクトルに沿う軸を持ち， 90°を超えない頂角の円錐形領域32にある。したがって，この発明の実施態様では，デブリ軽減手段の一つとして，放射ビーム軸７，８または開口部25，26のうちの少なくとも一つが相互作用ゾーン内のターゲット表面に対して45度未満の角度で方向づけられている，そのような光源構成が用いられる。図６，図７，図８に示すこの発明の実施例では，出力ビーム軸，および対応する第２の開口部26の軸が，回転ターゲット・アセンブリ２の回転面に対して45°を超え，かつ相互作用ゾーン中のターゲット表面に対して45度未満の角度で方向づけられている。
図９Ｂに示す実施態様では，上記ノズル30からのガス流が，ターゲット線速度ＶＲのベクトル33に対して（すなわち接ベクトルに対して）45°を超えない角度で上記相互作用ゾーン４に方向づけられている。これに起因して，上記相互作用ゾーンからのイオン／蒸発部分32の主要出力の方向も，ターゲット線速度ＶＲのベクトル33に向かって逸脱し，飛沫部分31もデブリ・シールド24の第１および第２の開口部25，26に向かわない。
この発明の以下の実施態様では，デブリ軽減手段の複雑性のさらなる改善に焦点を当てることにする。
この発明の一実施態様では，図１０に示すように，レーザ・ビーム８が，比較的低エネルギーのプレパルス・レーザ・ビーム（pre-pulse laser beam）と，上記プレパルスと比較していくらかの時間遅延するメインパルス・レーザ・ビームの２つの部分を含む。この発明によると，レーザ・パルス・パラメータがデブリ粒子の高速イオンの部分を低減するように選択される。
ＲＺＬＩＮＥコード（RZLINE code）を計算モデルに用いた。ある特定のケースでは，上記プレパルスのレーザ・エネルギーを0.4ｍＪ，メインパルスのエネルギーを４ｍＪ，これらの間の遅延を５ｎｓ，レーザスポットのサイズを70μｍ，レーザ放射の波長を１μｍ，ターゲット材料をスズとした。このケースについて，図１１は，６ｎｍの時点におけるレーザ・プレパルスによって作られた，レーザ・ビームの光軸に沿うターゲット材料の蒸発密度の分布（distribution of vapor density）を示している。約１μｍの波長を持つレーザ・ビームは，～３・10１９ｃｍ３の原子密度で，すなわちプレパルスによってターゲット表面に作成される原子雲（atomic cloud）の内部に吸収される。これは，この点から膨張するプラズマがターゲットからより離れた原子に遭遇することを意味しており，その結果としてその速度が低下しかつ運動エネルギーが失われる。
図１２は，レーザ・パルスの開始から６ｎｓ後における，ターゲット表面に垂直な方向におけるイオン・エネルギー分布を示している。プレパルスなしの場合と，５ｎｓの遅延を有する様々なエネルギーのプリパルスがある場合について，様々なケースのシミュレーション結果が示されている。図１２はプレパルスの存在によってイオンの最大エネルギーが数分の１に減少することを示している。検討ケースでは，５ｎｓの遅延で0.2ｍJのプレパルス・エネルギーが最適である。一般に，メインパルスのレーザ・ビーム・エネルギーに対するプレパルス・レーザ・ビーム・エネルギーの比は20％未満，プレパルスとメインパルスとの間の時間遅延は10ｎｓ未満であることが好ましい。
この発明の他の実施態様では，レーザ・パルスの繰り返し速度（repetition rate）が，短波長放射およびレーザ生成プラズマのフラックスの両方によって前回パルス（previous pulse）のデブリ粒子の微小飛沫部分を高効率に蒸発させるために十分な高さ（速さ）で選択される（図１３）。この発明の一実施態様では，十分に高いパルス繰り返し速度では，前回パルスからのデブリ粒子の微小飛沫部分は相互作用点から十分な距離を飛ぶ時間がなく，したがって次のインパルスからの短波長放射およびプラズマ・ストリームがそれを効果的に蒸発させる。
レーザ・パルス繰り返し速度をｆ，平均レーザ・パワーをＰ，短波長放射およびプラズマ・フラックスを生成するために用いられるレーザ・エネルギーの部分をχ，落下速度（drop velocity）をＶｄ，ターゲット原子昇華エネルギー（target atom sublimation energy）をＥｓ ，ターゲット原子密度をＮｔとすると，直径ｄの微小飛沫の蒸発条件（evaporation condition）は以下のように記述することができる。
ここでＱ－Ｐ／ｆ・χは短波長放射およびプラズマ・フラックスの形の一つのレーザ・パルスの結果として放出されるエネルギーであり，Ｌ＝Ｖｄ／ｆは２つのパルス間の落下（drop）によって移動する距離である。式（１）からレーザ周波数の制限は以下のとおりである。
液体Ｓｎターゲットについて，Ｎｔ＝3.5・10２２ｃｍ３，Ｅｓ＝３・1.6・10－１９Ｊ／ａｔｏｍ，Ｐ＝10３Ｗ，χ～0.5，Ｖｄ＝３・10４ｃｍ／ｓであるときのパラメータを合理的に推定すると，次のようになる。
これは特に，ｆ＞10６sec-1 = １ＭＨｚのレーザ・パルス繰り返し速度において，直径ｄが最大0.1μｍ＝10－５ｃｍの微小飛沫を蒸発させることができることを意味する。図４からわかるように，飛沫の大部分は0.1ミクロン未満のサイズによって特徴づけられる。したがって１ＭＨｚを超えるレーザ・パルスの高繰り返し速度がデブリ粒子の飛沫部分の大きな抑制を提供する。
高輝度レーザ生成プラズマ光源は，以下に記載しかつ図１，図６，図７および図８に示すように動作する。
真空チャンバ１がオイルフリー真空ポンプシステム（図示略）を用いて105～108ｍｂａｒ未満の圧力まで排気される。同時に，ターゲット材料と相互作用することが可能な窒素，酸素，炭素などのガス成分が除去される。光源の電源投入後，誘導加熱を実行可能な固定加熱システム16を用いてターゲット材料が溶融状態に移行される。
上記回転ターゲット・アセンブリ２が，回転駆動ユニット23，たとえば磁気カップリングを備えた電気モーターを使用して作動され，これによって真空チャンバ１の清浄度が確保される。遠心力の作用の下，回転軸20に面する環状溝６の表面上の溶融層として上記ターゲット３が形成される。
上記ターゲット３は１ｋＨｚから１ＭＨｚを超える範囲とすることが可能な高パルス繰り返し速度を有する集束レーザ・ビーム８に曝される（露光される）（exposed）。短波長放射が，ターゲット材料をプラズマ形成温度に加熱するレーザ・ビーム８によって生成される。レーザ生成プラズマが0.4～120ｎｍの波長を含む短波長範囲の光を放出する。焦点におけるレーザ放射パワー密度およびターゲット材料に依存して，主に軟Ｘ線（0.4～10ｎｍ）および／またはＥＵＶ（10～20ｎｍ）および／またはＶＵＶ（20～120ｎｍ）の範囲において短波長放射が生成される。
ターゲットからの熱伝達は，回転ターゲット・アセンブリ２と～１ｍｂａｒの圧力でガスが吹き込まれる固定水冷式熱交換器（図示略）との間の狭い（～0.2－0.4ｍｍ）のギャップを介して保証される。ガス伝導率および接触面積は，このタイプの冷却において最大1.5ｋＷの火力を除去するのに十分である。同時に他の冷却方法を上記回転ターゲット・アセンブリ２に使用してもよい。
相互作用ゾーン４において生成された高温レーザ生成プラズマから，好ましくは相互作用ゾーン４の視線領域に設置されて出力ビーム９の開口部と完全に重なるＣＮＴ膜21を介して，出力ビーム９が出る。ＣＮＴ膜21は，20ｎｍ未満の波長範囲における高い（＞50％，好ましくは80～90％）透過性に起因して，短波長放射の出力を保証する。同時にＣＮＴ膜21はデブリ粒子が通過するのを妨げ，これによってコレクタ・ミラー10への経路における大幅なデブリ軽減が保証される。
デブリ粒子の飛沫部分を抑制する技術の重要な要素は，飛沫に対して有意な接線速度成分を与えるターゲットの高い線速度を使用することである。これによって飛沫の大部分をレーザの光軸および出力ビーム７，８の横方向（sideways）に向け直すことができる。一実施形態ではターゲット材料はスズ（Ｓｎ）またはその合金である。ＳｎまたはＳｎ合金の使用は，13.5ｎｍにおいて高輝度を達成しつつ，ＥＵＶリソグラフィの製造および計測プロセスにおいて使用される13.5ｎｍ＋／－0.135ｎｍのスペクトル帯域内の帯域内ＥＵＶエネルギーへのレーザ・エネルギーの高い変換効率（ＣＥ１３．５）を達成するために好ましい。Ｓｎターゲットの場合，飛沫の最大拡散速度は100ｍ／ｓ未満である。すなわち，80ｍ／ｓを超えるターゲット線速度がこの発明の実施形態において使用され，これは計算および測定によって示されるように，デブリ粒子の飛沫部分の高効率の軽減を達成する。
この発明によると，相互作用ゾーン４は，最小限のスリット・ギャップ27，28によって上記回転ターゲット・アセンブリから分離され，かつ上記ターゲット３の周りを基本的に閉じて，上記レーザおよび出力ビーム７，９のための２つの開口部25，26のみを有する空洞29を形成する，固定された（回転しない）デブリ・シールド24によって覆われる。飛沫速度ベクトルが，主に開口部25，26から離れるターゲット線速度のベクトルに沿って方向づけられるという事実に起因して，空洞29の壁で複数回跳ね返った後のデブリ粒子の飛沫部分の大部分がその中に残る。同時に，相互作用ゾーンの近くのデブリ・シールド24の温度が上記相互作用ゾーン４において生成されるプラズマおよび放射によってターゲット材料の溶融温度よりも高く維持されるので，デブリ粒子の大部分が環状溝６内に戻されることが保証される。
一実施形態では，回転面に対して45°を超える角度における相互作用ゾーンからの短波長放射の出力が，デブリ粒子の飛沫部分の流れを数倍減少させ，かつイオン／蒸発部分の流れを桁違いに減少させるのに役立つ。これは，相互作用ゾーンから広がるデブリ粒子の指標（indicatrix）が不均一なため（heterogeneous）に発生する。同時に,このような角度の下の短波長放射の強度は，０°から45°の範囲の放射角度に対してわずかに変化する。
この発明の一実施態様では，上記ノズル30からの高速ガス流が用いられる。それは，本質的にレーザ・ビームを取り囲むケーシング18の一部とすることができ（図７），または図８，図９Ｂに示すように別個の装置とすることができる。
この発明の実施形態では，ガス流は，ターゲット３の線速度ベクトル33に対して，45°を超えない小さな角度において，ノズル30を介して相互作用ゾーン４に方向づけられる（図８，図９Ｂ）。
上記ノズル30は，相互作用ゾーンの近くにおいて１～２ｍｍの小さな距離で配置され，したがってガスジェットは，相互作用ゾーンから広がるプラズマおよび蒸発の運動量値（momentum values）との比較において同等の運動量値を持つ。ガスジェットとの相互作用の結果として，イオンおよび蒸発の拡散の優勢な方向が元々の方向から偏向され，汚染物質の流れはレーザおよび出力ビーム７，８の経路に向けられない。他方，ガス流の圧力は拡散するプラズマおよび蒸発を効率的に偏向させるのに十分な大きさである必要があり，さらに他方，相互作用ゾーン４の近くで過度に高い（20％を超える）短波長放射吸収が観察される圧力を超えてはならない。評価によって示されるように，そのような妥協は真空チャンバ１の排気の適切な速度が確保された場合に達成される。
この発明の好ましい実施形態では，レーザ・ビーム８の一部および出力ビーム９の一部を取り囲む固定ケーシング11，12内において，ガス入口13を用いて，保護緩衝ガスがＣＮＴ膜21と入力ウィンドウ７の間において，上記相互作用ゾーン４に向かって連続的に吹き付けられる（図１，図６）。ガス流は入力ウィンドウ７およびＣＮＴ膜21をデブリ粒子のイオン／蒸発部分から保護し，図１，図６に示すように，デブリ粒子を，ケーシング11，12またはフォイル・トラップ15の壁にデブリ粒子を堆積する。
ケーシング11，12の外面に配置された永久磁石14によって生成される磁場を用いて，ケーシング11，12およびフォイル・トラップ15の表面には荷電（帯電）粒子も堆積される。磁場は，好ましくは出力ビーム９およびレーザ・ビーム８の軸に対して横方向に配向され，これによって荷電粒子を直線運動からＣＮＴ膜21および入力ウィンドウ７に偏向させることができる。これは，交換前のＣＮＴ膜21および入力ウィンドウ７の寿命を延ばすのに役立つ。
全体として，この発明の実施形態によると，一または複数のデブリ軽減技術，たとえば磁気軽減，保護ガス流，フォイル・トラップ15，カーボンナノチューブを含む交換可能な膜21，デブリ・シールド24，高速ガス流を上記相互作用ゾーン４に供給するノズル30，100ｋＨｚまたは１ＭＨｚのオーダーのレーザ・プリパルスおよび高レーザ・パルス繰り返し速度を用いることによって，ＬＰＰ光源の高い清浄度（cleanliness）が確保される。これらの軽減手法のそれぞれを単独で使用することも，これらの軽減手法の２つ以上を組み合わせて使用することもできるのは明らかであろう。
したがって，この発明の実施形態は，最高輝度，長寿命，および高い使いやすさを備えた，低デブリの軟Ｘ線，ＥＵＶおよびＶＵＶ放射線源の作成を可能にする。
この明細書に開示する主題の特定の態様は，以下の番号が付けられた条項に記載される。本願の開示または任意の分割出願の請求項はこれらの態様の一または複数に向けられ得るものである。
１．ターゲットを相互作用ゾーンに供給する回転ターゲット・アセンブリを備える真空チャンバ，上記相互作用ゾーンのターゲット上に集束されるエネルギー・ビーム，上記相互作用ゾーンから出る（coming out）有用な短波長放射ビームを含み，上記回転ターゲット・アセンブリが環状溝を有するように作られており，上記ターゲットが，回転軸に面する上記環状溝の表面上に遠心力によって形成される溶融金属であるターゲット材料の層であり，上記エネルギー・ビームがパルス・レーザ・ビームまたは電子ビームのいずれかである，高輝度短波長放射ソース（源）。
２．上記回転ターゲット・アセンブリが，リング（環状）バリアの形態の周辺部分を備えるディスクであり，回転軸に面するその内面に，ターゲット材料の半径方向および回転軸に沿う両方向における放出を防止する表面プロファイルを備えた上記環状溝がある，請求項１に記載のソース。
３．上記短波長放射が上記ターゲット材料をプラズマ形成温度に加熱するエネルギー・ビームによって生成される，請求項１に記載のソース。
４．上記エネルギー・ビームが電子ビームであり，上記回転ターゲット・アセンブリが電子銃の回転アノード（a rotating anode）であり，上記短波長放射が上記ターゲットへの電子衝撃によって生成されるＸ線放射である，請求項１に記載のソース。
５．上記ターゲット材料が，Ｓｎ，Ｌｉ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎおよびそれらの合金を含む可溶金属から選択される，請求項１に記載のソース。
カーボンナノチューブまたはＣＮＴ膜によって作られた交換可能な膜をさらに含み，これが上記相互作用ゾーンの視線内に設置され，短波長放射ビームの開口部を完全に覆っている，請求項１に記載のソース。
７．ターゲットを相互作用ゾーンに供給する回転ターゲット・アセンブリを備え，上記ターゲット上に集束されるパルス・レーザ・ビームを伴う真空チャンバを備え，上記ターゲットがターゲット材料としての溶融金属層であり，上記層が上記回転ターゲット・アセンブリに設けられる環状溝の表面上の遠心力によって形成されるものであり，上記短波長放射ビーム出力の経路上のデブリ軽減手段を備え，上記ターゲットの線速度が十分に速く，20ｍ／ｓを超えており，上記相互作用ゾーンからのデブリ粒子の微小飛沫部分の主要出力の方向に影響が与えられ，上記相互作用ゾーンからの短波長ビーム出力の方向が上記デブリ粒子の上記微小飛沫部分の主要出力の方向と異なっており，20ｎｍよりも短い波長範囲における50％を超える透過度を持つ，高い透過率のカーボンボンナノチューブまたはＣＮＴ膜製の交換可能な膜が上記相互作用ゾーンの視線内に設けられており，上記短波長放射ビームの開口を完全に覆っている，高輝度短波長放射ソース。
８．上記ターゲット材料がスズまたはその合金であり，上記ターゲットの線速度が十分に速く，80ｍ／ｓを超えており，上記ＣＮＴ膜を通過可能な300ｎｍを超えるサイズの微小飛沫の上記ＣＮＴ膜の方向における出力を抑制する，請求項７に記載のソース。
９．上記静電的および磁気的軽減，保護ガス流，およびフォイル・トラップといったデブリ軽減技術の一または複数がさらに使用される，請求項６に記載のソース。
１０．上記ＣＮＴ膜が上記相互作用ゾーンの視線の外側の側でコーティングされている，請求項７に記載のソース。
１１．上記ＣＮＴ膜が高真空および中真空を有する上記真空チャンバの区画の間のウィンドウとして機能する，請求項７に記載のソース。
１２．上記パルス・レーザ・ビームがプレパルス・レーザ・ビームおよびメインパルス・レーザ・ビームの２つの部分から構成され，これらのパラメータが上記デブリ粒子の高速イオン部分を抑制するように選択される，請求項７に記載のソース。
１３．上記メインパルス・レーザ・ビーム・エネルギーに対する上記プレパルス・レーザ・ビーム・エネルギーの比が20％未満であり，プレパルスとメインパルスの間の時間遅延が10ｎｓ未満である，請求項１２に記載のソース。
１４．レーザ・パルス繰り返し速度が，短波長放射およびレーザ生成プラズマのフラックスの両方によって前回のレーザ・パルスのデブリ粒子の微小飛沫部分の高効率蒸発をもたらすために十分に高い，請求項７に記載のソース。
１５．電子銃によって生成される電子ビームを有する真空チャンバを含み，ターゲットを備える相互作用ゾーンに方向づけられる回転アノードを備え，上記ターゲットが回転アノードの環状溝の表面上に遠心力によって形成される溶融金属の層である，高輝度Ｘ線ソース。
１６．デブリ軽減手段を含む，請求項１５に記載のソース。
１７．ＣＮＴ膜がＸ線ビーム出力の経路上に設けられている，請求項１６に記載のソース。
１８．上記回転アノードが液体冷却システムを備えている，請求項１５に記載のノード。
１９．上記ターゲット上の上記電子ビームの焦点のサイズが50ミクロン未満である，請求項１５に記載のソース。
２０．上記ターゲットの線速度が80ｍ／ｓを超えている，請求項１５に記載のソース。
２１．相互作用ゾーンのターゲットに上記ターゲット上に集束されるレーザ・ビームを提供する回転ターゲット・アセンブリを備える真空チャンバを備え，上記ターゲットが溶融金属であり，上記相互作用ゾーンから出る有用な短波長放射ビームおよびデブリ軽減手段を備え，デブリ・シールドが上記相互作用ゾーンを取り囲むように堅固に取り付けられており，上記シールドが上記レーザ・ビームの入口を形成する第１の開口部および短波長放射ビームの出口を形成する第２の開口部を備えている，レーザ生成プラズマ光源。
２２．上記ターゲットが，上記回転ターゲット・アセンブリに設けられた環状溝の回転面の軸に面する遠心力によって形成される溶融金属層である，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２３．上記デブリ・シールドが円形である，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２４．スリット・ギャップが上記回転ターゲット・アセンブリから上記シールドを分離する，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２５．上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つが円錐形である，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２６．短波長放射ビームの軸が上記回転ターゲット・アセンブリの回転面に対して45°を超える角度に向けられている，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２７．上記回転ターゲット・アセンブリが80ｍ／ｓを超える線速度で上記ターゲットを回転し，保護ガス流，静電および磁気軽減，フォイル・トラップおよびカーボンナノチューブを含む膜といった一または複数のデブリ軽減技術がさらに用いられている，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２８．上記集束レーザ・ビームおよび上記短波長放射ビームが少なくとも部分的にケーシングによって包囲されており，そこに保護ガス流が供給される，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
２９．上記短波長放射ビームが0.4ｎｍから120ｎｍの範囲の波長を有する光を含む，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３０．上記溶融金属がＳｎ，Ｌｉ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，および／またはこれらの合金を含む，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３１．ノズルをさらに備え，上記ノズルが高速ガス流を上記相互作用ゾーンに供給する，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３２．上記ノズルが上記第１の開口部に配置されており，上記レーザ・ビームが上記ノズルを通して上記相互作用ゾーンに向けられている，請求項３１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３３．上記ガスが希ガスを含む，請求項３１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３４．上記相互作用ゾーンへの上記ガス流の流速が60ｍ／ｓ～300ｍ／ｓであり，上記相互作用ゾーン内のガス圧が５ｍｂａｒ～200ｍｂａｒである，請求項３１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３５．上記ノズルが上記相互作用ゾーンから２ｍｍを超えない距離に位置している，請求項３１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３６．上記相互作用ゾーンに向かう上記ガス流が，上記ターゲットの線速度のベクトルに対して45度を超えない角度で方向づけられている，請求項３１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３７．上記相互作用ゾーンから上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つに向かう方向が上記相互作用ゾーンからのデブリ粒子の飛沫部分および／またはイオン／蒸発部分の主要出力の方向から大幅に異なっている，請求項２１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３８．上記相互作用ゾーンのターゲットの線速度のベクトルおよび上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つが，上記相互作用ゾーンおよび上記回転軸を通る平面の異なる側に配置されている，請求項３６に記載のレーザ生成プラズマ光源。
３９．上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つの軸が，上記相互作用ゾーンのターゲット面に対して45°未満の角度で方向づけられている，請求項３６に記載のレーザ生成プラズマ光源。
特定の実施形態がこの明細書に開示されているが，この発明の範囲から逸脱することなく，様々な変更および修正を行うことができる。実施形態はすべての観点において例示的かつ非制限的であるとみなされるべきであり，添付の特許請求の範囲の意味および均等範囲に入るすべての変更はそこに含まれることが意図されている。
提案される装置は，顕微鏡，材料科学，材料の診断，生物医学および医療診断，リソグラフィＥＵＶマスクの化学線検査を含むナノおよびマイクロ構造の検査を含む，多くの適用のために設計される。
Claims (33)
- 回転ターゲット・アセンブリ（２）を備え，相互作用ゾーン（４）中のターゲット（３）であって上記回転ターゲット・アセンブリに設けられた環状溝（６）の表面上の環状溶融金属層であるターゲット上に集束されるパルス・レーザ・ビーム（８）を供給する真空チャンバ（１）と，上記相互作用ゾーンを出る短波長放射の出力ビーム（９）と，デブリ軽減手段を備え，
上記デブリ軽減手段が，上記相互作用ゾーン（４）を取り囲むように堅固に取り付けられたデブリ・シールド（24）を含み，上記デブリ・シールドが上記レーザ・ビーム（８）の入口を形成する第１の開口部（25）および上記出力ビーム（９）の出口を形成する第２の開口部（26）を備え，上記デブリ・シールド（24）が静止していることを特徴とする，
レーザ生成プラズマ光源。 - 上記溶融金属層が上記環状溝の表面上に遠心力によって形成され，上記表面が上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸に面している，請求項１に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記回転ターゲット・アセンブリの一部が環状バリア（19）の形態の周辺部分を有するディスク（17）の形態に作られており，上記環状溝が，上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸に面する上記環状バリアの表面上に設けられており，上記ターゲットが上記環状溝（６）内に配置される，請求項１または２に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記回転ターゲット・アセンブリが，動作中に，遠心力によって上記ターゲットの表面が上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸に実質的に平行になるように構成されている，請求項１から３のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記環状溝が，半径方向および上記回転軸に沿う両方向へのターゲット材料の放出を防ぐ表面プロファイルを有している，請求項１から４のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記環状溝の表面が，少なくとも上記相互作用ゾーンの近傍において，上記回転ターゲット・アセンブリの回転軸に対して傾斜しており，好ましくは円錐面である，請求項１から５のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ターゲットの線速度が十分に高く，20ｍ／ｓを超えており，上記相互作用ゾーンからのデブリ粒子の微小飛沫部分の主要出力の方向に影響が与えられる，請求項１から６のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記デブリ・シールド（24）が上記相互作用ゾーン（４）の近くの上記ターゲット（３）の角度セクタの反対側に配置されている，請求項１から７のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記デブリ・シールド（24）が円形である，請求項１から７のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- スリット・ギャップ（27，28）が上記回転ターゲット・アセンブリから上記シールドを分離する，請求項１から９のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つが円錐形である，請求項１から１０のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記出力ビームの軸が上記回転ターゲット・アセンブリの回転面に対して45°を超える角度で方向づけられている，請求項１から１１のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記集束レーザ・ビーム（８）および上記出力ビーム（９）の少なくとも一部がケーシング（11，12）によって囲まれており，それぞれが保護ガス流が供給されるように構成されている，請求項１から１２のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記出力ビームが0.4ｎｍから120ｎｍの範囲の波長を持つ光を含む，請求項１から１３のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記溶融金属がＳｎ，Ｌｉ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，および／またはこれらの合金を含む，請求項１から１４のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ターゲット材料の溶融を開始するように構成される誘導加熱システム（16）をさらに備えている，請求項１から１５のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- ノズル（30）をさらに備え，上記ノズルが上記相互作用ゾーンにガス流を供給するように構成されている，請求項１から１６のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ノズルが上記第１の開口部に位置決めされており，上記レーザ・ビームが上記ノズル（30）を通じて上記相互作用ゾーンに向けられる，請求項１７に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ガスが希ガスを含む，請求項１７または１８に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記相互作用ゾーンへの上記ガス流の流速が60ｍ／ｓ～300ｍ／ｓであり，上記相互作用ゾーンのガス圧が５ｍｂａｒ～200ｍｂａｒである，請求項１７から１９のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ノズルが上記相互作用ゾーンから２ｍｍを超えない距離に位置している，請求項１７から２０のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記相互作用ゾーン（４）に向かう上記ガス流（31）が，上記ターゲットの線速度のベクトル（33）に対して45度を超えない角度で向けられている，請求項１７から２１のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記相互作用ゾーンから上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部（25，26）の少なくとも一つに向かう方向が上記相互作用ゾーンからのデブリ粒子の飛沫部分（31）および／またはイオン／蒸発部分（32）の主要出力の方向から大幅に異なるように，上記デブリ・シールドにおいて上記第１および第２の開口部が配置されている，請求項１から２２のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記相互作用ゾーン（４）および上記回転軸（20）を通る平面（34）に関して，上記デブリ・シールドの第１および第２の開口部（25，26）の少なくとも一つが上記平面の片側に配置され，上記相互作用ゾーン内の上記ターゲットの線速度のベクトル（33）が上記平面の上記片側から離れる向きとなるように，上記デブリ・シールドにおいて上記第１および第２の開口部が配置されている，請求項１から２３のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記デブリ・シールドの上記第１および第２の開口部の少なくとも一つの軸が，上記相互作用ゾーンのターゲット面に対して45°未満の角度で方向づけられている，請求項１から２４のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 20ｎｍよりも短い波長範囲において50％を超える透過度の高い透過率を有し，上記相互作用ゾーンの視線内に設置され，上記出力ビーム（９）の開口を完全に覆うカーボンナノチューブ，ＣＮＴによって作られた交換可能な膜（21）をさらに備えている，請求項１から２５のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ターゲット材料がスズまたはその合金であり，上記回転ターゲット・アセンブリが80ｍ／ｓを超える十分な大きさの上記ターゲットの線速度を提供するように構成され，上記ＣＮＴ膜を通過可能な300ｎｍ以上のサイズのターゲット材料の微小飛沫のＣＮＴ膜の方向への出力を抑制する，請求項２６に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ＣＮＴ膜が上記相互作用ゾーンの視線の外側の側でコーティングされている，請求項２６または２７に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記ＣＮＴ膜が高真空および中真空を有する上記真空チャンバの区画の間のウィンドウとして機能する，請求項２６から２８のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記パルス・レーザ・ビームが，プレパルス・レーザ・ビームおよびメインパルス・レーザ・ビームの２つの部分から構成され，これらのパラメータが上記デブリ粒子の高速イオン部分を抑制するように選択される，請求項１から２９のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記メインパルス・レーザ・ビーム・エネルギーに対する上記プレパルス・レーザ・ビーム・エネルギーの比が20％未満である，および／または上記プレパルスと上記メインパルスの間の時間遅延が10ｎｓ未満である，請求項３０に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記パルス・レーザ・ビームのレーザ・パルス繰り返し速度が，短波長放射およびレーザ生成プラズマのフラックスの両方によって前回のレーザ・パルスによって発生したデブリ粒子の微小飛沫部分の蒸発をもたらすために十分に高くなるように構成されている，請求項１から３１のいずれか一項に記載のレーザ生成プラズマ光源。
- 上記パルス・レーザ・ビームの上記レーザ・パルス繰り返し速度が１ＭＨｚのオーダーであり，最大0.1μｍのサイズの微小飛沫の蒸発を提供するものである，請求項３２に記載のレーザ生成プラズマ光源。
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