JP4136658B2 - 液体金属溶液及び溶液中のナノサイズ粒子から生成されたレーザプラズマから生成されるｅｕｖ、ｘｕｖ、及びｘ線波長源 - Google Patents

液体金属溶液及び溶液中のナノサイズ粒子から生成されたレーザプラズマから生成されるｅｕｖ、ｘｕｖ、及びｘ線波長源 Download PDF

Info

Publication number
JP4136658B2
JP4136658B2 JP2002548511A JP2002548511A JP4136658B2 JP 4136658 B2 JP4136658 B2 JP 4136658B2 JP 2002548511 A JP2002548511 A JP 2002548511A JP 2002548511 A JP2002548511 A JP 2002548511A JP 4136658 B2 JP4136658 B2 JP 4136658B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solutions
euv
metallic
light radiation
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002548511A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004515884A (ja
Inventor
リチャードソン、マーティン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Central Florida
Original Assignee
University of Central Florida
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Central Florida filed Critical University of Central Florida
Publication of JP2004515884A publication Critical patent/JP2004515884A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4136658B2 publication Critical patent/JP4136658B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

【０００１】
本発明はレーザ点源に関し、特に、室温で液体金属溶液及び溶液中のナノ粒子から生成されるレーザプラズマからEUV、XUV、及びX線放射を発生させるための装置及び方法に関する。２００１年６月１４日に出願の出願番号０９／８８１,６２０及び２０００年１０月２０日に出願の米国仮出願第６０／２４２,１０２号の恩典を請求するものである。
【０００２】
背景及び従来技術
高水準コンピュータチップ製造用の次世代リソグラフィー（ＮＧＬ）には、潜在的な解決策としての極紫外線（EUV）などの技術の開発が必要である。このリソグラフィー法は、一般に、従来の透過性光学素子が機能しないスペクトル領域の狭い通過帯域幅を有する多層コートされた反射光学素子の使用に依存する。レーザプラズマ及び放電型プラズマは現在、EUVの開発におけるソースとして重要な候補である。出力性能においてこのソースに必要なものは安定性であり、動作寿命は極めて重要である。現在は、約１３ｎｍと約１１．７ｎｍの波長が用いられている。このタイプのソースには、コンパクトで高繰返し数レーザ及び長期に亘って動作可能で交換可能なターゲットシステムが必要である。例えば、生産ライン設備には、３ヶ月かそれ以上に亘って連続運転できるシステムが要求される。これには、約１０回から１１回の連続したショットが必要であり、標準サイズのステッパーが１時間当たり約４０枚から約８０枚のウエハレベルで動作できるようにするためには、−６に対して単位ショット材料のコストが１０ドル付近である必要がある。これらの動作パラメータが、従来のレーザプラズマ設備を制限するものである。
【０００３】
一般に、レーザプラズマは、固有の問題をもつ様々な固体或いは準固体ターゲット上にミクロの単位で集光された高出力のパルスレーザにより生成される。例えば、Ｈｉｒｏｓｅによる米国特許第５,１５１,９２８号では、ターゲットソースとしてフィルム型固体ターゲットテープが開示されている。しかしながら、これらのテープ駆動ターゲットは、製造が困難であり壊れやすく、高コストであり、使用しにくく、更にレーザシステムで一般的に使用されるミラーなどの光学素子を損傷し得る低速度のデブリを発生し得ることが知られている。
【０００４】
他の既知の固体ターゲットソースには、Ｓｎ即ちスズ、銅、または金などの固体材料からなる回転車がある。しかしながら、テープターゲットと同じ或いはそれよりも悪く、これらの固体材料は、プラズマから様々な方向に放射され得る様々な弾道粒子サイズのデブリを生成し、これによりシステムの光学部品に重大な損傷を与える恐れがあることが知られている。更に、これらのソースは、レーザ光からEUV光の帯域幅内への変換効率が僅か１〜３％と低い。
【０００５】
小型材料である固体ディスクなどの固体亜鉛粒子及び固体銅粒子は、短い波長の光を放射すると報告されている。例えば、T.P. Donaldson他著、「Soft X-ray Spectroscopy of Laser-produced Plasma」, J. Physics, B:Atom. Molec. Phys., 第9巻、第10号、1976年、p.1645−1655を参照。図１Ａ及び図１Ｂはそれぞれ、この参照文献で開示された固体銅（Ｃｕ）及び固体亜鉛（Ｚｎ）ターゲットのスペクトル放射を示す。しかしながら、この参照文献では、周りの光学素子や部品に損傷を与える微小な高速度の放射物の生成などの問題がある固体ターゲットを使用しなければならない。例えば、この参照文献の１６４９頁の３３−３４行目に、「放射されたターゲット材料から損傷を受けないようにするために、レンズとターゲットとの間に、------マイラーからなるシートを配置する」と記されている。従って、既に分かっている固体の問題と同様に、固体銅及び固体亜鉛ターゲットもまた、使用時に破壊性のデブリを生成する。剛性及びソースの効率が犠牲になるが、マイラーなどのシールド或いは他の薄い保護フィルムを用いて、X線範囲におけるソースに対してデブリから保護する。しかしながら、このようなシールドは、XUV及びEUVの範囲のより長い波長では全く使用することができない。
【０００６】
クリプトン、キセノン、及びアルゴンなどの凍結ガスもターゲットソースとしてテストしたが殆んど成功しなかった。汚染に対して必要な法外なコストに加えて、これらのガスはかなり高価であり、−６に対して１０ドルを遥かに超えるコストがかかる連続的な高い繰返し数を有する。加えて、凍結ガスは破壊性デブリも生成し、更に低い変換効率因子を有することも知られている。
【０００７】
本発明の発明者は以前に、氷滴がターゲット点源になるウォーターレーザプラズマ点源を開発した。Richardsonらによる米国特許第５,４５９,７７１号、及び同第５,５７７,０９１号を参照されたい。また、これらの特許に言及することを以って本明細書の一部とする。これらの特許において、約１１．６ｎｍ及び約１３ｎｍのライン放射（line radiation）にとって酸素が好適なエミッタであることが実証されている。ここでは、ターゲットの横方向のサイズをレーザ集束サイズに小さくすることで、レーザ物質相互作用プロセスに関係する物質量を最小にしている。小滴は、真空室内における気化により凍結し得る小滴の流れを生成する液滴インジェクターによって生成される。利用されなかった凍結した小滴を極低温回収システムで収集して、ターゲット材料を再使用できるようにする。しかしながら、このソースは、転換効率が約１％未満の他のソースと同様に転換効率が低いため、１時間当たり約４０から約８０のウエハレベルで動作する３００ｍｍのフルサイズのステッパーに必要なレーザの大きさ及びコストが障害となる。
【０００８】
他の提案されたシステムには、微小な粒子を含むガススプレイ及びジェット流体を生成するジェットノズルが含まれている。例えば、Hertz他による米国特許第６,００２,７４４号、及びMatsui他による同第５,９９１,３６０号を参照。しかしながら、これらのジェットはより多くの粒子を利用し、かつ定義が十分でなく、ジェットの使用により制御及び点源干渉効率などの問題がある。Kulakによる米国特許第５,５７７,０９２号には、キセノンなどの稀少で高価なガスを用いるクラスターターゲットソース（cluster target sources）が必要であろうと記載されている。
【０００９】
一連の不連続な小滴として固体液体ターゲット材料を用いる試みが行われた。Nodaによる米国特許第４,７２３,２６２号を参照。しかしながら、この特許には、液体ターゲット材料が、例として「好ましくは水銀」などの単一の液体に制限されると抽象的に記載されている。更に、Nodaは、第６段落の１２〜１９行目で「-----、水銀が好ましい液体金属ターゲットであると記載したが、好適な加熱源を用いれば、融点が１００℃未満のあらゆる金属も液体金属ターゲットとして使用可能である。温度を高めたインジウム、ガリウム、セシウム、またはカリウムの任意の１つを用いて、-----」と述べている。従って、この特許は単一の金属材料に制限され、水銀以外の材料の場合は「用いる好適な加熱源-----」が必要である。
【００１０】
発明者は、対象となる他の特許も認識している。例えば、Mochizukiによる米国特許第４,８６６,５１７号、Schusterによる同第５,０５２,０３４号、Wangによる同第５,３１７,５７４号、Oshinoによる同第６,０６９,９３７号、Hassによる同第６,１８０,９５２号、及びHardingによる同第６,１８５,２７７号を参照されたい。Mochizukiによる米国特許第４,８６６,５１７号は、極低温ベルトに供給されるターゲットガス及びターゲット液体を用いなければならない。Schusterによる米国特許第５,０５２,０３４号には、レーザプラズマソースのためではなく、電気的にソースを放電するための液体アノードX線生成器が開示されている。液体電極を用いることにより、より高い熱負荷（より大きな熱放散）及び電極表面の再生が可能となる。
【００１１】
Wangによる米国特許第５,３１７,５７４号には、液体カソードからの原子がイオン化され、これにより液体カソードから長寸で柱状の放電プラズマが生成されるX線またはEUVレーザ計画が開示されている。Oshinoによる米国特許第６,０６９,９３７号には、EUV光源の照明として働く複数のレーザプラズマ及び光学素子を有するEUVLのためのレーザプラズマ照明システム、並びに液体若しくは気体を用いることができる融点の低いターゲットが開示されている。
【００１２】
Hassによる米国特許第６,１８０,９５２号には、ノズルが様々なタイプのガスに用いられるEUV光源のターゲットに対するノズルシステムが開示されている。Hardingによる米国特許第６,１８５,２７７号には、電極の１つが熱除去を高めるために液体を用い、これにより高いソース出力を実現し、金属がプラズマとして放射するスペクトル放射のために金属を用いない放電X線源が開示されている。Dingerによる米国特許第'７１７号には、EUV源と共に用いられる種々のEUV光学素子が開示されている。
【００１３】
如何なる従来技術においても、スペクトル放射を発生するターゲットプラズマとして金属液体の小滴及びナノ粒子を用いることは開示されていない。
【００１４】
本発明の要約
本発明の第１の目的は、EUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するためのレーザプラズマソースとして安価で効率的なターゲット小滴システムを提供することである。
【００１５】
本発明の第２の目的は、ターゲットソースからデブリを発生させず損傷を与えることなくEUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するための該ターゲットソースを提供することである。
【００１６】
本発明の第３の目的は、EUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するための、固体ターゲット、冷凍ガス、及び粒子ガス（particle gases）よりも高い帯域内変換効率を有するターゲットソースを提供することである。
【００１７】
本発明の第４の目的は、熱源を必要としない金属液体を用いる、EUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００１８】
本発明の第５の目的は、室温で液体状の金属を用いる、EUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００１９】
本発明の第６の目的は、１種類の金属液体ではない液体の金属溶液を用いる、EUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２０】
本発明の第７の目的は、約０．１ｎｍ〜約１００ｎｍのスペクトル範囲のプラズマ放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２１】
本発明の第８の目的は、約１１．７ｎｍのプラズマ放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２２】
本発明の第９の目的は、約１３ｎｍのプラズマ放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２３】
本発明の第１０の目的は、約０．５ｎｍ〜約１．５ｎｍの範囲のプラズマ放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２４】
本発明の第１１の目的は、約２．３ｎｍ〜約４．５ｎｍの範囲のプラズマ放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２５】
本発明の第１２の目的は、室温で液体状のナノ粒子金属を用いる、EUVスペクトル、XUVスペクトル、及びX線スペクトルの放射などの放射を生成するためのターゲットソースを提供することである。
【００２６】
本発明の第１３の目的は、X線放射、EUV放射、及びXUV放射を生成するべく、プラズマソースとしてナノサイズの小滴を用いるターゲットソースを提供することである。
【００２７】
本発明の第１の好適な実施例は、効果的な液滴源として金属溶液を用いる。金属溶液は金属成分を含み、約１０℃〜約３０℃の範囲の室温で液体状である。金属溶液には、分子性液体、または元素状態で存在する液体（elemental liquid）と分子性液体の混合物が含まれる。様々な金属の顕微鏡的液滴はそれぞれ、直径が約１０μｍ〜約１００μｍである。
【００２８】
分子性液体、または元素状態で存在する液体と分子性液体の混合物には、ZnCl（塩化亜鉛）、CuCl（塩化銅）、SnCl（塩化スズ）、AlCl（塩化アルミニウム）、BiCl（塩化ビスマス）を含む金属塩化物溶液、及び他の塩化物溶液を含み得る。更に金属溶液は、CuBr、ZnBr、AlBr、または室温で臭化物溶液中に存在し得る他のあらゆる遷移金属などの金属臭化物溶液でもよい。
【００２９】
他の金属溶液は、液体溶媒中において以下に示す物質から作製できる。例えば、CuSO4（硫酸銅）、ZnSO4（硫酸亜鉛）、SnSO4（硫酸スズ）、または硫酸塩として存在し得るその他の遷移金属。また、CuNO3（硝酸銅）、ZnNO3（硝酸亜鉛）、SnNO3（tin nitrate）、または硝酸塩として存在し得る他のあらゆる遷移金属。
【００３０】
更に金属溶液には、限定するものではないがCHBr3（ブロモホルム）、及びCH2I2（ジヨードメタン）などの有機金属溶液が含まれる。更に、限定するものではないが約３８ｇｍ／１００ｃｃのSeO2（二酸化セレン）、及び約４４７ｇｍ／１００ｃｃのZnBr2（臭化亜鉛）などの他の金属溶液も用いることができる。
【００３１】
第２の好適な実施例は、約１０℃〜約３０℃の範囲の室温で液体状の溶液中のナノ粒子を用い得る。
【００３２】
金属溶液には、スズ（Sb）、銅（Cu）、亜鉛（Zn）、金（Au）、アルミニウム（Al）、及び／またはビスマス（Bi）などの液体中の金属ナノ粒子と、H2O、オイル、オレアート剤、石鹸溶液、及びアルコールなどの液体との混合物を含み得る。
【００３３】
好適な実施例の金属溶液は、プラズマ中で生成される電離状態によりX線スペクトル、EUVスペクトル、及びXUVスペクトルの幅広い領域に亘るプラズマ放射を生成し得るレーザを放出するターゲットソースとして有用である。
【００３４】
本発明の更なる目的及び利点は、添付の図面に模式的な例が示されている、後述する現在において好適な実施例の詳細な説明から明らかになるであろう。
【００３５】
好適な実施例の説明
本発明の開示する実施例を詳細に説明する前に、本発明の他の実施例も可能であることから、図示した特定の構成の細部に本発明が限定されるものではないことを理解されたい。また、本明細書で用いる用語は説明することが目的であって本発明を限定するものではない。
【００３６】
第１の実施例
図１−図５Ｂは、２００１年６月１４日に出願の原特許出願第０９／８８１,６２０号で説明されており、参照することを以って本明細書の一部とする。
【００３７】
図２は、本発明の実施例１の構成を示す。真空室１０は、アルミニウム、ステンレス鋼、または鉄から、更には固体の非金属材料からも形成することができる。真空室１０の真空は、例えば、約１３３パスカル（約１トル）未満であって、それ未満では空気のレーザ破壊が生じないあらゆる真空にし得る。小滴の精密調整部２０は、小滴ディスペンサの位置を高精度（μｍ）で直交３次元に調整できる３軸位置制御装置とすることができる。小滴ディスペンサ３０は、本発明と同一の譲受人であるRichardsonによる米国特許第５，４５９，７７１号及び同第５，５７７，０９１号に開示されている、要求に応じて連続的な小滴の流れ或いは１つの小滴を生成する装置に類似のものとすることができる。また、これらの特許に言及することを以って本明細書の一部とする。レーザ源５０には、小滴を気化させてプラズマを生成するのに十分な集光強度を有するあらゆるパルスレーザを用いることができる。レンズ６０は、小滴上にレーザビームを集光させるあらゆる集光素子とすることができる。
【００３８】
集光ミラー７０は、プラズマから生成される点源プラズマからの放射を集光する任意のEUV、XUV、またはX線光学素子とすることができる。例えば、集光ミラー７０は、多層コーティングを有する或いは有しない直入射ミラーやかすめ入射ミラー、または或る種のフリースタンディング型X線集束装置（ゾーンプレートや透過型回折格子など）とすることができる。参照符号８０は、集光されたEUV光を示す。極低温トラップ９０は、使用されなかったターゲット材料を収集し、これをターゲットディスペンサで再使用するべく、戻すことが可能な装置とすることができる。このシステムに用いられる液体ターゲットの多くが真空システムを通る際に凍結するため、真空内でこのトラップがこのターゲット材料を収集し、この材料が除去されるまで冷却され続ける。この材料が凍結状態に維持されるため、真空室内での気化が妨げられ、従ってバックグランド圧力が上昇しない。バックグランド圧力の上昇は、レーザ‐ターゲット相互作用に悪影響を及ぼし、プラズマ源によって生成される放射の一部または全てが吸収され得る。例えば水をベースにしたターゲットの場合の極低温トラップの単純な構造は、極低温に冷却される「バケツ」即ち容器であってよく、この中に使用されなかった小滴がスプレイされる。このような小滴は真空室から除去されるまで容器の側面に及び互いに付着している。
【００３９】
レーザビームの焦点領域を小滴が通過する時にレーザビームが小滴と相互作用するようにレーザビームを同期させることが重要である。精密調整装置により小滴の軌跡がレーザ軸と一致するように調整することができる。レーザパルスのタイミングは、レーザの電気的トリガパルスと小滴ディスペンサを作動させる電気的パルスとを電気的に同期させて調整することができる。小滴のオンデマンド動作は、レーザの焦点領域に入る小滴を検出してレーザを発射するトリガ信号を送る別のフォトダイオード検出システムを配置することで効果的にすることができる。
【００４０】
図２を参照すると、レーザ５０の焦点領域に小滴がくるように小滴システム１を調整した後、レーザが発射される。約１〜約１００kHzの率でレーザが発射される高繰返し数モードでは、全て或いは一部の小滴が４０'でプラズマになる。小さなプラズマから放射されるEUV、XUV、及び／またはX線８０を、集光ミラー７０によって集光してシステムの外側に透過させることができる。集光素子を用いない場合は、光は装置の外側に直接透過する。
【００４１】
図３Ａは、図２に用いられる同軸型曲面集光ミラー１００を示す。ミラー１１０は、球面、放物面、楕円、または双曲面の反射ミラーなどの同軸型高Na EUV集光ミラーとすることができる。例えば、ハロゲンランプのリフレクタの様に、レーザ軸に対して対称或いは非対称の１つのミラーを用いることができる。EUV放射の場合、集光ミラーを、構造的に光即ち特定の波長（例えば、約１３ｎｍ、約１１ｎｍ、約１５ｎｍ、または約１７ｎｍなど）を反射するモリブデン層とシリコン層とが交互するような多層コーティングで被覆し得る。レーザ照射されたプラズマ源から放射される放射線をこのミラーで集光して、システムの外側に透過させることができる。
【００４２】
図３Ｂは、図２の実施例に用いられる複数のEUVミラーを示す。ミラー２１０は、曲面多層コーティングミラー、球面ミラー、放物面ミラー、楕円ミラー、または双曲面ミラーなどの別々の高NA EUV集光ミラーとすることができる。２つのミラーが図示されているが、適用例によっては１つにしたり、３つ以上にしてミラーアレイのようにしてもよい。
【００４３】
図３Ｂのミラー２１０は、例えばハロゲンランプのリフレクタのように、レーザ軸に対して対称或いは非対称の１つのミラーを用いることができる。EUV放射の場合、構造的に光即ち特定の波長（例えば、約１３ｎｍ、１１ｎｍ、１５ｎｍ、または１７ｎｍなど）を反射するモリブデン層とシリコン層とが交互するような多層コーティングで被覆し得る。レーザ照射されたプラズマ源から放射される放射線をこのミラーで集光して、システムの外側に透過させることができる。
【００４４】
図４は、金属溶液の小滴を拡大した図である。様々な種類の金属溶液の液滴を、以下の表１Ａ−表１Ｆに示すように定義する。これらの表は、室温で液体である金属成分を含む様々な金属溶液のリストである。
【００４５】
【表１】
Figure 0004136658
【００４６】
【表２】
Figure 0004136658
【００４７】
【表３】
Figure 0004136658
【００４８】
【表４】
Figure 0004136658
【００４９】
【表５】
Figure 0004136658
【００５０】
【表６】
Figure 0004136658
【００５１】
表１Ａ−表１Ｆの全ての溶液において、金属溶液は約１０℃〜約３０℃の室温で液体状であり得る。各小滴の直径は約１０μｍ〜約１００μｍの範囲とすることができ、個々の金属成分の直径は、化合物中の１原子の直径にほぼ近い。ターゲットは、EUV、XUV、及びX線の波長を放出する。
【００５２】
図５Ａは、レーザで照射された純水の液滴ターゲットから放射されるEUVスペクトルである。この図は、約１１．６ｎｍ、約１３ｎｍ、約１５ｎｍ、及び約１７．４ｎｍの波長を有する特徴的なリチウム様酸素（lithium like oxygen）の輝線を示す。図示されているように、この範囲外の輝線も放射される。
【００５３】
図５Ｂは、類似の条件で照射された約２５％のSnCl溶液から生成された液滴から放射されたスペクトルを示す。酸素の輝線に加えて、約１３ｎｍ〜１５ｎｍの波長領域で示される励起されたスズイオンから放射された強い帯域がある。この領域の強い放射は、特にEUVリソグラフィーの光源としての利用に適している。図５Ａ及び図５Ｂのスペクトルから、表１Ａ−表１Ｆに示されている他のターゲット溶液の使用についても分かる。
【００５４】
上記したように、新規の発明では、液滴ターゲット固有の大きさの制限からデブリが発生しない。液滴は、レーザ源が各液滴ターゲットを完全にイオン化（気化）される大きさであるため、粒状のデブリが生成される可能性がなくなる。従って、新規の発明は、限定するものではないがマイラーやデブリキャッチャーなどのシールドのような保護用部品を用いなくとも、ターゲットからのデブリによる損傷を全く受けない。
【００５５】
各実施例は、金属溶液の個々の表について説明するが、本発明は必要に応じてこれらの金属溶液を組み合わせて実施することもできる。
【００５６】
第２の実施例−ナノ粒子
様々な液体中にナノ粒子が含まれている金属溶液を、効果的な液滴点源として用いることができる。図２、図３Ａ、及び図３Ｂを参照して説明した第１の実施例の構成を利用して、液体中のナノ粒子を点源として用いることができる。このタイプの点源を用いると、X線領域、EUV波長領域、及びXUV波長領域の光放射を生じさせることができる。
【００５７】
液体に混合する様々な種類のナノ粒子を表２Ａ、用いる液体を表２Ｂに列記する。
【００５８】
【表７】
Figure 0004136658
【００５９】
ナノ粒子は殆んど全ての固体材料から生成することができ、限定するものではないがスモークテクニック（smoke techniques）、爆発性ワイヤ（explosive wires）、または化学反応などの技術を用いて生成することができる。ナノ粒子は、直径が数十ナノメートルの小さな粒として形成することができ、個々の大きさは、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲とすることができる。
【００６０】
【表８】
Figure 0004136658
【００６１】
使用できるオイルとして、限定するものではないが脂肪油、脂肪酸油、アマニ油、キリ油、麻実油、オリーブ油、ラッカセイ油、綿実油、大豆油、及びトウモロコシ油が挙げられる。オイルの種類は通常、そのコンシステンシー、並びにナノ粒子の均一な混和を可能とする要領から選択される。或る種の粒子は、特定のオイルを使用するとより均等に混和する。
【００６２】
オレイン酸剤及び石鹸溶液は、限定するものではないが金属塩、石鹸、及びオレイン酸エステルを含み得、脂肪酸や、グリセリン及びその他の炭水化物を含み得るmono-or ply-ethelinoic unsaturated fatty acidsを含み得る。第１に、粒子は混和性であってオレイン酸剤及び石鹸溶液と均一に混ぜられ得るべきである。
【００６３】
限定するものではないがアルコール剤として、エチル、メタノール、プロピル、イソプロピル、及びトリメチルなどの一般的なアルコールが挙げられる。第１に、粒子は混和性であってアルコール剤と均一に混ぜられ得るべきである。
【００６４】
表２Ａ及び表２Ｂを参照すると、新規の点源には、例えばH2O（水）、詳細は既に上記したオイル、アルコール、オレイン酸剤、及び石鹸溶液などの内の少なくとも１つの種々の溶液中のスズ（Sn）、銅（Cu）、亜鉛（Zn）、金（Au）、アルミニウム（Al）、及び／またはビスマス（Bi）などの金属ナノ粒子の混合物が含まれる。
【００６５】
ナノ粒子液体のX線スペクトル、EUVスペクトル、及びXUVスペクトルは、ナノ粒子液体の構成金属からの複数種のイオンの合成スペクトルである。
【００６６】
好適な実施例の説明において様々な波長の放射が記載されているが、本発明は、広い帯域でEUV、XUV、及びX線の全てを放射し得る金属ターゲットを包含する。検査により本発明のターゲットが、例えば、約１ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲、具体的には例えば、約１１．７ｎｍ、約１３ｎｍの波長、約０．５ｎｍ〜約１．５ｎｍの範囲の波長、約２．３ｎｍ〜約４．５ｎｍの範囲の波長を包含することが分かった。
【００６７】
好適な液体の種類を上記のように記載したが、本発明は他の種類の液体も用いることが可能である。例えば、スズ及びスズ粒子、並びにアルミニウム及びアルミニウム粒子などの金属を他の液体と混合できる。
【００６８】
本発明を、実施可能と推定される特定の実施例または変更の様々な点について図を用いて例を示し、説明及び開示したが、これによって本発明の範囲が限定されることを意図したものでも限定されるものでもなく、本発明の開示により想到し得るその他の変更や実施例、特に本請求の範囲内の変更や実施例は留保されるものである。
【００６９】
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 固体銅ターゲットが照射されて得られる従来技術のスペクトルを示す図。
【図１Ｂ】 亜鉛ターゲットが照射されて得られる従来技術のスペクトルを示す図。
【図２】 本発明の一実施例の構成を示す図。
【図３Ａ】 図１の実施例に用いられる同軸型曲面集光ミラー（coaxial curved collecting mirror）を示す図。
【図３Ｂ】 図１の実施例に用いられる複数のEUVミラーを示す図。
【図４】 前記実施例の図に用いることができる分子性液体の小滴或いは元素状態で存在する液体及び分子性液体の混合物の小滴の拡大図。
【図５Ａ】 水滴ターゲットのEUVスペクトルを示す図。
【図５Ｂ】 SnCl:H2O小滴ターゲット（約２３％溶液）のEUVスペクトルを示す図。

Claims (14)

  1. 金属点源からＥＵＶ、ＸＵＶ、又はＸ線の波長の光放射を生じさせる方法であって、
    室温で金属の粒子が均一に混和された液体の小滴を生成する過程であって、前記金属の粒子のそれぞれの直径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、前記小滴のそれぞれの直径が１０μｍ〜１００μｍの範囲である、該過程と、
    前記小滴をそれぞれのターゲットソースの中に通す過程と、
    前記各小滴に実質的に等しい直径のレーザビームで前記それぞれのターゲットソースを照射する過程と、
    照射された前記ターゲットソースからＥＵＶ、ＸＵＶ、又はＸ線の波長の光放射を生じさせる過程とを含むことを特徴とする方法。
  2. 前記液体が、Ｈ２Ｏ、オイル、オレイン酸剤、石鹸溶液、及びアルコールの少なくとも１つから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記金属がスズを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記金属が銅を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  5. 前記金属が亜鉛を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 前記金属が金を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  7. 前記金属がアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  8. 前記金属がビスマスを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  9. 前記室温が、約１０℃〜約３０℃の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  10. 前記光放射が約１１．７ｎｍの波長の光放射であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. 前記光放射が約１３ｎｍの波長の光放射であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  12. 前記光放射が約０．１ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の波長の光放射であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  13. 前記光放射が約０．５ｎｍ〜約１．５ｎｍの範囲の波長の光放射であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  14. 前記光放射が約２．３ｎｍ〜約４．５ｎｍの範囲の波長の光放射であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
JP2002548511A 2000-10-20 2001-10-19 液体金属溶液及び溶液中のナノサイズ粒子から生成されたレーザプラズマから生成されるｅｕｖ、ｘｕｖ、及びｘ線波長源 Expired - Fee Related JP4136658B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24210200P 2000-10-20 2000-10-20
US09/881,620 US6831963B2 (en) 2000-10-20 2001-06-14 EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
PCT/US2001/051414 WO2002046839A2 (en) 2000-10-20 2001-10-19 Laser plasma from metals and nano-size particles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004515884A JP2004515884A (ja) 2004-05-27
JP4136658B2 true JP4136658B2 (ja) 2008-08-20

Family

ID=26934823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002548511A Expired - Fee Related JP4136658B2 (ja) 2000-10-20 2001-10-19 液体金属溶液及び溶液中のナノサイズ粒子から生成されたレーザプラズマから生成されるｅｕｖ、ｘｕｖ、及びｘ線波長源

Country Status (7)

Country Link
US (5) US6831963B2 (ja)
EP (1) EP1390955B1 (ja)
JP (1) JP4136658B2 (ja)
AT (1) ATE373407T1 (ja)
AU (1) AU2002241804A1 (ja)
DE (1) DE60130496D1 (ja)
WO (1) WO2002046839A2 (ja)

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7492867B1 (en) 1999-10-11 2009-02-17 University Of Central Flordia Research Foundation, Inc. Nanoparticle seeded short-wavelength discharge lamps
US6831963B2 (en) * 2000-10-20 2004-12-14 University Of Central Florida EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US20060255298A1 (en) * 2005-02-25 2006-11-16 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse
US7378673B2 (en) * 2005-02-25 2008-05-27 Cymer, Inc. Source material dispenser for EUV light source
US7476886B2 (en) * 2006-08-25 2009-01-13 Cymer, Inc. Source material collection unit for a laser produced plasma EUV light source
US7372056B2 (en) * 2005-06-29 2008-05-13 Cymer, Inc. LPP EUV plasma source material target delivery system
US7405416B2 (en) 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US7465946B2 (en) * 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
US7439530B2 (en) 2005-06-29 2008-10-21 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7928416B2 (en) * 2006-12-22 2011-04-19 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7598509B2 (en) * 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP3866063B2 (ja) * 2001-07-31 2007-01-10 独立行政法人科学技術振興機構 Ｘ線発生方法及びその装置
US20040038264A1 (en) * 2002-05-14 2004-02-26 Souza Glauco R. Fractal dimension analysis of nanoparticle aggregates using angle dependent light scattering for the detection and characterization of nucleic acids and proteins
US6864490B1 (en) * 2002-06-27 2005-03-08 James H. Underwood Reflectometer device
AU2003303542A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-29 Jmar Research Inc. Method and apparatus for generating a membrane target for laser produced plasma
JP4264505B2 (ja) * 2003-03-24 2009-05-20 独立行政法人産業技術総合研究所 レーザープラズマ発生方法及び装置
EP1612848B1 (en) * 2003-03-26 2013-09-25 Osaka University Extreme ultraviolet light source, extreme ultraviolet light source targets and methods of manufacturing an extreme ultraviolet light source target
US7217940B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Collector for EUV light source
US6973164B2 (en) * 2003-06-26 2005-12-06 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement
US7361204B1 (en) 2003-11-05 2008-04-22 Research Foundation Of The University Of Central Florida Generator for flux specific bursts of nano-particles
US6822251B1 (en) * 2003-11-10 2004-11-23 University Of Central Florida Research Foundation Monolithic silicon EUV collector
DE102004003854A1 (de) * 2004-01-26 2005-08-18 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren und Vorrichtungen zur Erzeugung fester Filamente in einer Vakuumkammer
DE102004005242B4 (de) * 2004-01-30 2006-04-20 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung
US20060146906A1 (en) * 2004-02-18 2006-07-06 Cymer, Inc. LLP EUV drive laser
US7193228B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
GB0403865D0 (en) * 2004-02-20 2004-03-24 Powerlase Ltd Laser multiplexing
US7196342B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-27 Cymer, Inc. Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source
US8075732B2 (en) * 2004-11-01 2011-12-13 Cymer, Inc. EUV collector debris management
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7078717B2 (en) * 2004-03-22 2006-07-18 Gigaphoton Inc. Light source device and exposure equipment using the same
WO2005094318A2 (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Jmar Research, Inc. Morphology and spectroscopy of nanoscale regions using x-rays generated by laser produced plasma
FR2871622B1 (fr) * 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
JP4337648B2 (ja) * 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
US7741616B2 (en) * 2004-06-24 2010-06-22 Nikon Corporation EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method
US7302043B2 (en) 2004-07-27 2007-11-27 Gatan, Inc. Rotating shutter for laser-produced plasma debris mitigation
WO2006015125A2 (en) * 2004-07-28 2006-02-09 BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY & COMMUNITY COLLEGE SYSTEM OF NEVADA on Behalf OF THE UNIVERSITY OF NEVADA Electrode-less discharge extreme ultraviolet light source
US7319733B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-15 General Electric Company System and method for imaging using monoenergetic X-ray sources
JP2006128313A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Univ Of Miyazaki 光源装置
US7355191B2 (en) * 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
US7109503B1 (en) * 2005-02-25 2006-09-19 Cymer, Inc. Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris
US7885387B2 (en) * 2004-12-17 2011-02-08 Osaka University Extreme ultraviolet light and X-ray source target and manufacturing method thereof
WO2006075535A1 (ja) * 2005-01-12 2006-07-20 Nikon Corporation レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置
DE102005007884A1 (de) * 2005-02-15 2006-08-24 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung
US7449703B2 (en) * 2005-02-25 2008-11-11 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery target material handling
US7482609B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US20060233309A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Joerg Kutzner Laser x-ray source apparatus and target used therefore
US7365349B2 (en) * 2005-06-27 2008-04-29 Cymer, Inc. EUV light source collector lifetime improvements
US7180083B2 (en) * 2005-06-27 2007-02-20 Cymer, Inc. EUV light source collector erosion mitigation
US7402825B2 (en) * 2005-06-28 2008-07-22 Cymer, Inc. LPP EUV drive laser input system
US7718985B1 (en) 2005-11-01 2010-05-18 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Advanced droplet and plasma targeting system
US7453077B2 (en) * 2005-11-05 2008-11-18 Cymer, Inc. EUV light source
US7307237B2 (en) * 2005-12-29 2007-12-11 Honeywell International, Inc. Hand-held laser welding wand nozzle assembly including laser and feeder extension tips
JP5156192B2 (ja) * 2006-01-24 2013-03-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8829477B2 (en) 2010-03-10 2014-09-09 Asml Netherlands B.V. Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
US8513629B2 (en) * 2011-05-13 2013-08-20 Cymer, Llc Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning
US8525138B2 (en) 2006-03-31 2013-09-03 Energetiq Technology, Inc. Laser-driven light source
DE102006017904B4 (de) * 2006-04-13 2008-07-03 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination
US7609816B2 (en) * 2006-05-19 2009-10-27 Colorado State University Research Foundation Renewable laser target
DE102006027856B3 (de) * 2006-06-13 2007-11-22 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung mittels elektrischer Entladung an regenerierbaren Elektroden
JP5075389B2 (ja) 2006-10-16 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5076087B2 (ja) * 2006-10-19 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及びノズル保護装置
US20080237498A1 (en) * 2007-01-29 2008-10-02 Macfarlane Joseph J High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources
US7615767B2 (en) * 2007-05-09 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7629593B2 (en) * 2007-06-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, device manufacturing method, and radiation generating method
US8901521B2 (en) * 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
WO2009025557A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
KR100841478B1 (ko) * 2007-08-28 2008-06-25 주식회사 브이엠티 다중 모세관의 장착이 가능한 액체 타겟 공급 장치 및 이를구비한 ｘ선 및 극자외선 광원 발생 장치
EP2083328B1 (en) * 2008-01-28 2013-06-19 Media Lario s.r.l. Grazing incidence collector for laser produced plasma sources
NL1036614A1 (nl) * 2008-03-21 2009-09-22 Asml Netherlands Bv A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same.
JP5246916B2 (ja) 2008-04-16 2013-07-24 ギガフォトン株式会社 Ｅｕｖ光発生装置におけるイオン回収装置および方法
JP5368221B2 (ja) 2008-09-16 2013-12-18 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US7929667B1 (en) * 2008-10-02 2011-04-19 Kla-Tencor Corporation High brightness X-ray metrology
US20120280148A1 (en) * 2010-01-07 2012-11-08 Asml Netherlands B.V. Euv radiation source and lithographic apparatus
US8587768B2 (en) 2010-04-05 2013-11-19 Media Lario S.R.L. EUV collector system with enhanced EUV radiation collection
US8263953B2 (en) * 2010-04-09 2012-09-11 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery protection in a laser produced plasma EUV light source
US8575576B2 (en) * 2011-02-14 2013-11-05 Kla-Tencor Corporation Optical imaging system with laser droplet plasma illuminator
JP5921876B2 (ja) * 2011-02-24 2016-05-24 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
KR101231529B1 (ko) * 2011-03-30 2013-02-07 경북대학교 산학협력단 액체 나노결정 레이저
EP2519082A1 (en) 2011-04-28 2012-10-31 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and system for generating electromagnetic radiation
RU2469516C1 (ru) * 2011-09-08 2012-12-10 Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" (ОАО ЦНИТИ "Техномаш") Способ генерации импульсного рентгеновского излучения
DE102013002064A1 (de) 2012-02-11 2013-08-14 Media Lario S.R.L. Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle
JP5563012B2 (ja) * 2012-04-18 2014-07-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5567640B2 (ja) * 2012-11-05 2014-08-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
EP2956954B1 (en) * 2013-02-13 2017-03-15 Koninklijke Philips N.V. Multiple x-ray beam tube
US9301381B1 (en) 2014-09-12 2016-03-29 International Business Machines Corporation Dual pulse driven extreme ultraviolet (EUV) radiation source utilizing a droplet comprising a metal core with dual concentric shells of buffer gas
US10217625B2 (en) * 2015-03-11 2019-02-26 Kla-Tencor Corporation Continuous-wave laser-sustained plasma illumination source
DE102016204407A1 (de) * 2016-03-17 2017-09-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erzeugung von extremer Ultraviolett- und/oder weicher Röntgenstrahlung
US10123786B2 (en) 2016-09-16 2018-11-13 Krishna Rocha-Singh, M.D. Bone marrow harvesting device
US11333621B2 (en) 2017-07-11 2022-05-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft X-Ray diffraction
US11317500B2 (en) 2017-08-30 2022-04-26 Kla-Tencor Corporation Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology
US10959318B2 (en) 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
US11259394B2 (en) 2019-11-01 2022-02-22 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target
US11272607B2 (en) 2019-11-01 2022-03-08 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target
US11143604B1 (en) 2020-04-06 2021-10-12 Kla Corporation Soft x-ray optics with improved filtering
US11587781B2 (en) 2021-05-24 2023-02-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser-driven light source with electrodeless ignition

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4024400A (en) 1976-05-13 1977-05-17 Shell Oil Company Monitoring metals concentration in fluid streams
US4182574A (en) 1976-05-27 1980-01-08 Jenoptik Jena G.M.B.H. Arrangement for carrying out laser spectral analysis
US4206364A (en) * 1979-01-16 1980-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Device for producing extended elongated plasmas for x-ray lasers
US4328464A (en) 1980-02-07 1982-05-04 Nasa High power metallic halide laser
JPS5741167A (en) 1980-08-26 1982-03-08 Hitachi Seiki Co Ltd Grindstone mount controller in numerically controlled grinder
US4700371A (en) 1984-11-08 1987-10-13 Hampshire Instruments, Inc. Long life x-ray source target
EP0186491B1 (en) 1984-12-26 1992-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing soft x-rays using a high energy beam
US4866517A (en) 1986-09-11 1989-09-12 Hoya Corp. Laser plasma X-ray generator capable of continuously generating X-rays
JPH0267895A (ja) 1988-09-02 1990-03-07 Hitachi Ltd 立体映像再生方法および装置
NL8900760A (nl) 1989-03-28 1990-10-16 Stork X Cel Bv Mondstukconfiguratie voor een inktstraaldrukinrichting.
JPH02267895A (ja) 1989-04-08 1990-11-01 Seiko Epson Corp Ｘ線発生装置
US4953191A (en) 1989-07-24 1990-08-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High intensity x-ray source using liquid gallium target
US5052034A (en) 1989-10-30 1991-09-24 Siemens Aktiengesellschaft X-ray generator
US5052031A (en) * 1990-08-14 1991-09-24 At&T Bell Laboratories Phase locked loop including non-integer multiple frequency reference signal
JP2576278B2 (ja) 1990-08-31 1997-01-29 株式会社島津製作所 Ｘ線発生装置
US5126755A (en) 1991-03-26 1992-06-30 Videojet Systems International, Inc. Print head assembly for ink jet printer
US5148462A (en) 1991-04-08 1992-09-15 Moltech Corporation High efficiency X-ray anode sources
US5243638A (en) 1992-03-10 1993-09-07 Hui Wang Apparatus and method for generating a plasma x-ray source
US5257303A (en) 1992-08-03 1993-10-26 Kamalaksha Das Gupta Surface channeled X-ray tube
US5317574A (en) * 1992-12-31 1994-05-31 Hui Wang Method and apparatus for generating x-ray and/or extreme ultraviolet laser
US5404364A (en) * 1993-12-29 1995-04-04 Kepros; John G. Optically pumped X-ray laser and applications thereof
US5459771A (en) 1994-04-01 1995-10-17 University Of Central Florida Water laser plasma x-ray point source and apparatus
US5577091A (en) 1994-04-01 1996-11-19 University Of Central Florida Water laser plasma x-ray point sources
US5577092A (en) 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
SE510133C2 (sv) 1996-04-25 1999-04-19 Jettec Ab Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål
JPH10221499A (ja) 1997-02-07 1998-08-21 Hitachi Ltd レーザプラズマｘ線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
JP3817848B2 (ja) * 1997-07-18 2006-09-06 株式会社ニコン 照明装置
US6180952B1 (en) * 1998-04-03 2001-01-30 Advanced Energy Systems, Inc. Holder assembly system and method in an emitted energy system for photolithography
DE19821939A1 (de) * 1998-05-15 1999-11-18 Philips Patentverwaltung Röntgenstrahler mit einem Flüssigmetall-Target
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
US6285743B1 (en) 1998-09-14 2001-09-04 Nikon Corporation Method and apparatus for soft X-ray generation
US6307913B1 (en) * 1998-10-27 2001-10-23 Jmar Research, Inc. Shaped source of soft x-ray, extreme ultraviolet and ultraviolet radiation
US6831963B2 (en) * 2000-10-20 2004-12-14 University Of Central Florida EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
FR2799667B1 (fr) 1999-10-18 2002-03-08 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie
US6493423B1 (en) 1999-12-24 2002-12-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit
US6304630B1 (en) 1999-12-24 2001-10-16 U.S. Philips Corporation Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit
AUPQ831200A0 (en) 2000-06-22 2000-07-13 X-Ray Technologies Pty Ltd X-ray micro-target source
US6711233B2 (en) 2000-07-28 2004-03-23 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
US6760406B2 (en) 2000-10-13 2004-07-06 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
US20020090054A1 (en) 2001-01-10 2002-07-11 Michael Sogard Apparatus and method for containing debris from laser plasma radiation sources

Also Published As

Publication number Publication date
ATE373407T1 (de) 2007-09-15
US7391851B2 (en) 2008-06-24
US20020141536A1 (en) 2002-10-03
US6862339B2 (en) 2005-03-01
US7092488B2 (en) 2006-08-15
US20040170252A1 (en) 2004-09-02
US20020070353A1 (en) 2002-06-13
DE60130496D1 (de) 2007-10-25
US20060291627A1 (en) 2006-12-28
EP1390955B1 (en) 2007-09-12
US20040208286A1 (en) 2004-10-21
AU2002241804A1 (en) 2002-06-18
WO2002046839A3 (en) 2003-10-30
EP1390955A2 (en) 2004-02-25
EP1390955A4 (en) 2006-05-10
US6831963B2 (en) 2004-12-14
WO2002046839A2 (en) 2002-06-13
US6865255B2 (en) 2005-03-08
JP2004515884A (ja) 2004-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4136658B2 (ja) 液体金属溶液及び溶液中のナノサイズ粒子から生成されたレーザプラズマから生成されるｅｕｖ、ｘｕｖ、及びｘ線波長源
JP6860185B2 (ja) 高輝度ｌｐｐ線源および放射線の発生方法並びにデブリの軽減方法
US6377651B1 (en) Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target
KR100614438B1 (ko) 플라즈마 초점 고에너지 광자소스
US5459771A (en) Water laser plasma x-ray point source and apparatus
KR100319001B1 (ko) 플라즈마 초점 고에너지 포톤 소스
US6452199B1 (en) Plasma focus high energy photon source with blast shield
KR102649379B1 (ko) 고휘도 레이저로 생성된 플라즈마 광원
JP2003297737A (ja) 極端紫外光源装置
JP2013179073A (ja) 極紫外線光源
CN100391316C (zh) 借助于等离子体产生远紫外线和/或软x射线辐射的装置和方法
JP3317957B2 (ja) ブラストシールドを備えるプラズマフォーカス高エネルギフォトン源
Tomie et al. EUV generation using a droplet of a suspension including tin as a target of a high-efficiency LPP source for high volume production

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080415

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080527

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140613

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees