WO2006001459A1 - Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006001459A1
WO2006001459A1 PCT/JP2005/011865 JP2005011865W WO2006001459A1 WO 2006001459 A1 WO2006001459 A1 WO 2006001459A1 JP 2005011865 W JP2005011865 W JP 2005011865W WO 2006001459 A1 WO2006001459 A1 WO 2006001459A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light source
euv light
target
euv
plasma
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/011865
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Katsuhiko Murakami
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to KR1020067023544A priority Critical patent/KR101172924B1/ko
Priority to EP05755689A priority patent/EP1775756B1/en
Priority to US11/629,535 priority patent/US7741616B2/en
Priority to AT05755689T priority patent/ATE525678T1/de
Priority to JP2006528720A priority patent/JP4683231B2/ja
Publication of WO2006001459A1 publication Critical patent/WO2006001459A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/064—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements having a curved surface

Definitions

  • EUV light source EUV exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing method
  • the present invention relates to an EUV light source that generates EUV light (in this specification and claims, light having a wavelength of 100 nm or less), and uses this EUV light source.
  • the present invention relates to an EUV exposure apparatus and a semiconductor device manufacturing method using the EUV exposure apparatus. Background art
  • the resolution of an exposure apparatus is proportional to the numerical aperture (NA) of the transfer optical system and inversely proportional to the wavelength of light used for exposure. Therefore, one attempt to increase the resolution is to use EUV (sometimes called soft X-ray) light sources with a short wavelength for exposure transfer instead of visible light and ultraviolet light.
  • EUV sometimes called soft X-ray
  • LPP Laser Produced Plasma
  • LPP focuses pulse laser light on a target material in a vacuum vessel, turns the target material into plasma, and uses EUV light radiated from this plasma. It is small and has a brightness comparable to that of an undulator.
  • EUV light sources using discharge plasma such as Dense Plasma Focus (DPF) are small in size, have a large EUV light intensity, and are low in cost. These have recently attracted attention as light sources for EUV exposure systems using EUV with a wavelength of 13.5 nm.
  • DPF Dense Plasma Focus
  • FIG. 6 shows an overview of such an EUV exposure system.
  • I R 1 to I R 4 are reflectors of the illumination optical system
  • PR 1 to P R 4 are reflectors of the projection optical system.
  • W is a wafer and M is a mask.
  • the laser light emitted from the laser light source L is focused on the target S, and X-rays are generated from the target S by a plasma phenomenon.
  • This X-ray is reflected by the reflecting mirrors C and D, and enters the illumination optical system as a parallel X-ray.
  • the light is sequentially reflected by the reflecting mirrors I R:! To I R 4 of the illumination optical system, and illuminates the illumination area of the mask M.
  • the X-rays reflected by the pattern formed on the mask M are sequentially reflected by the reflecting mirrors PR 1 to PR 4 of the projection optical system, and form an image of the pattern on the wafer W surface.
  • Xe plasma using Xe gas or liquefied Xe as a target substance is used as EUV light source of wavelength 13.5 nm used in EUV exposure equipment. What is used is widely researched and developed. The reason is that a relatively high conversion efficiency (ratio of EUV light intensity obtained with respect to input energy) can be obtained, and Xe is a gas material at room temperature, so the problem of debris (scattered particles) is less likely to occur. is there.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to suppress high-density plasma due to the use of a solid target such as Sn and to have high EUV light conversion efficiency.
  • the first object is to provide an EUV light source, an EUV exposure apparatus using this EUV light source, and a method for manufacturing a semiconductor device using this EUV exposure apparatus.
  • EUV light source that can reduce debris, and EU V light source using this EUV light source A second object is to provide an exposure apparatus and, moreover, a semiconductor device manufacturing method using this EUV exposure apparatus.
  • a first means for achieving the above object is a plasma EUV light source that generates plasma from a target and emits EUV light generated from the plasma, and the target is a solid-state dispersed in a medium.
  • Target EUV light source characterized by fine particles.
  • the solid target such as Sn which is turned into plasma by being irradiated with an excitation laser or being discharged, is arranged in the form of fine particles dispersed in the medium. It can prevent the density from becoming too high. In addition, since it is distributed in the medium, it is possible to reduce the target material that becomes debris without plasma, and the amount of debris can be reduced.
  • EUV light having a peak in the vicinity of 13.4 nm can be generated.
  • Higher intensity EUV light can be used for the equipment used.
  • the medium is preferably a liquid.
  • the medium is preferably a liquid obtained by heating and melting a plastic resin, and the plastic resin is also preferably a thermoplastic resin. It is also preferable to have a nozzle that ejects these liquid media. When heated and melted liquid plastic resin is ejected from the nozzle, the plastic resin becomes particles due to surface tension, and in some cases, it is cooled to solid particles. In these liquid or solid plastic resin particles, solid fine particles are dispersed and contained. .
  • the plastic resin particles are solidified into a substantially spherical shape after the formation, the shape will be stable compared to the liquid droplets, so the direction in which the particles fly will be stable, and the target will be stable where the plasma is generated. Therefore, the output of the light source can be made more stable.
  • any known means can be used as the method for converting the target into plasma, and for example, this means can also be applied to the aforementioned discharge plasma EUV light source.
  • the liquid is preferably solidified after being ejected from the nozzle.
  • the target is liquid until it is ejected from the nozzle, but then solidifies, so the shape is stable compared to the target flying in the liquid state, so the target is stably supplied to the place where plasma is generated. Therefore, it becomes possible to further stabilize the output of the light source.
  • the solid fine particles are solid, they have a higher density than the Xe gas, which makes it possible to achieve high conversion efficiency.
  • a thermoplastic resin When a thermoplastic resin is used, it is easily liquefied by heating, so that it is suitable as a substance containing dispersed solid fine particles.
  • the second means for achieving the above object is to irradiate the mask with EUV light from an EUV light source through an illumination optical system, and expose a pattern formed on the mask onto a sensitive substrate such as a wafer by a projection optical system.
  • this method uses a plasma EUV light source with high conversion efficiency, it can be used as an EUV light source with a large amount of light, and throughput can be increased.
  • the third means for achieving the object has a step of exposing and transferring the pattern formed on the mask onto a sensitive substrate such as a wafer using the EUV exposure apparatus as the second means.
  • Semiconductor device manufacturing Is the method. .
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of a laser plasma EUV light source as a first example of an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the nozzles for supplying a target, the laser light, and the arrangement of the condenser mirrors in the embodiment of the present invention shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing an outline of a discharge plasma EUV light source as a second example of the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing the positional relationship between the target recovery mechanism and the discharge plasma light source in the embodiment of the present invention shown in FIG.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an example of the semiconductor device manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 6 is a view showing an outline of the EUV exposure apparatus. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of a laser plasma EUV light source as a first example of an embodiment of the present invention.
  • the heated tank 4 contains a liquid in which Sn solid fine particles are dispersed in polystyrene resin. 'The concentration of solid Sn fine particles is, for example, 1 to 10 wt%. The diameter of the Sn solid fine particles is, for example, 50 nm to 200 nm.
  • a solution stirring mechanism 5 is provided to prevent precipitation of the Sn solid particles. In this example, the solution stirring mechanism 5 Rotate the roots.
  • the tank 4 is connected to the pressurizing pump 6 by piping, and the resin pressurized by the pressurizing pump is guided to the nozzle 1 and is liquid from the tip of the nozzle 1 provided in the vacuum chamber 7. Brew the resin.
  • the piping from the tank 4 through the pressure pump 6 to the nozzle 1 is all heated so that the resin does not solidify.
  • the liquid liquid spilled from the nozzle 1 becomes a spherical shape due to the surface tension, and is cooled and solidified in a vacuum to become a solid target 2.
  • the temperature, viscosity, pressurizing pressure, nozzle 1 diameter, etc. of the molten resin are set so that target 2 of a certain size is supplied at regular time intervals.
  • the diameter of the target 2 is set to about 50 to 200 ⁇ m.
  • Target 2 is preferably matched to the amount of target consumed by being converted into plasma, such as by one-pulse laser irradiation. If the target is too large, the remainder that has not been converted to plasma will cause debris, which is undesirable. Conversely, if the target is too small, the conversion efficiency is lowered, which is not preferable.
  • the vacuum chamber 7 is provided with a laser introduction window 10 for introducing laser light.
  • the laser light generated from the N d: YAG laser light source 8 arranged outside the vacuum chamber 7 is condensed by the lens 9. Then, it is guided into the vacuum chamber 7.
  • Each component is placed so that target 2 passes through the laser focusing point position, and the target is irradiated so that the laser pulse is emitted when target 2 is just at the focusing point position.
  • the laser supply and laser pulse are controlled synchronously. That is, the position of the target 2 is monitored by a monitor mechanism (not shown), and when the target 2 comes to the condensing point position of the laser, the Nd: YAG laser light source 8 is triggered to emit light. become Let's go.
  • the target 2 irradiated with the laser is turned into plasma and emits light including EUV light.
  • the condensing mirror 1 1 collects EUV light generated from the plasma and guides it to the illumination optical system (not shown).
  • the condensing mirror 11 has a spheroidal reflecting surface, and the reflecting surface is coated with a Mo / Si multilayer film.
  • One focal position of the spheroid is the laser condensing point position, that is, the EUV light generation position. Therefore, the light reflected by the condensing mirror 11 is condensed at another focal position and then guided to the illumination optical system.
  • target recovery mechanism 3 The residue of target 2 that has not been converted to plasma is recovered by target recovery mechanism 3.
  • the collected target residue is returned to tank 4, where it is heated and melted again for reuse.
  • a backflow prevention mechanism (not shown) is provided between the target recovery mechanism 3 and the tank 4 to prevent the steam in the tank from flowing back into the vacuum chamber 17.
  • FIG. 3 is a diagram showing an outline of a discharge plasma EUV light source as a second example of the embodiment of the present invention.
  • the same components as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • the target 2 matches the amount of the target that is converted into plasma and consumed in one discharge.
  • Target 2 ejected from nozzle 1 is a Z-pinch discharge plasma light source 2 Guided to the discharge space in 7.
  • the Z-pinch discharge plasma light source 2 7 is composed of a disc-shaped electrode (anode) 2 1 with a hole, an electrode (cathode) 2 3 of the same shape, and a cylindrical insulator 2 2 that connects the two.
  • a high voltage pulse is applied between the electrode (anode) 2 1 and the electrode (cathode) 2 3
  • the material in the space between them is turned into plasma by discharge, and light containing EUV light is emitted.
  • Each component is arranged so that target 2 passes through the discharge space, and the target supply and the target voltage are applied so that a high voltage pulse is applied when target 2 reaches the center of the discharge space. High voltage pulses are controlled synchronously.
  • the nozzle 1 is provided with a vibration mechanism (not shown), and the liquid ejection timing can be controlled by applying vibration in the liquid ejection direction of the nozzle 1.
  • the excitation to nozzle 1 and the trigger to the high voltage power source are controlled so that the above synchronization can be achieved.
  • the condensing optical system 26 condenses EUV light generated from the plasma and guides it to the illumination optical system (not shown).
  • the condensing optical system 26 is a Schwartsill optical system composed of two concentric spherical reflecting surfaces 24, 25, and the reflecting surface is coated with a Mo ZSi multilayer film. .
  • Residues remaining on the target 2 without being converted to plasma are recovered by the target recovery mechanism 3.
  • the collected target residue is returned to tank 4, where it is heated and melted again for reuse.
  • a backflow prevention mechanism (not shown) is provided between the target recovery mechanism 3 and the tank 4 to prevent the steam in the tank from flowing back into the vacuum chamber 7.
  • the positional relationship between the target recovery mechanism 3 and the discharge plasma light source 27 is as shown in Fig. 4, and the central axis of the hole of the electrode 23 and the central axis of the opening of the target recovery mechanism 3 are almost the same. Are arranged as follows.
  • Target recovery mechanism 3 uses EUV light generated from discharge plasma light source 27. Shield part of. Since the Schwarssill optical system used for the condensing optical system 26 is an optical system with a central shield, it cannot originally condense light rays near the optical axis. In the present embodiment, the target recovery mechanism 3 is disposed as much as possible in the center shield of the shuprusschild optical system to prevent EUV light loss due to kicking to a minimum.
  • polystyrene resin is used as the resin, but the plastic resin to be used is not limited to this.
  • other thermoplastic resins such as chlorinated resin, ABS resin, methacrylic resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, polyacetal resin, and polycarbonate resin are used. May be.
  • Sn is used as the solid particulate material
  • other solid materials may be used. If the temperature required to heat and liquefy the resin becomes higher than the melting point of Sn, tin oxide (such as Sn02) can be used instead of Sn. 1 If you want to generate EUV light or X-rays with wavelengths other than near 5 nm, solid materials suitable for that wavelength other than Sn can be used as appropriate.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an example of the semiconductor device manufacturing method of the present invention.
  • the manufacturing process of this example includes the following main processes.
  • Wafer manufacturing process for manufacturing wafers or wafer preparation process for preparing wafers
  • Chip assembly process that cuts out chips formed on the wafer one by one and makes them operable
  • Each process consists of several sub-processes.
  • the main process that has a decisive influence on the performance of semiconductor devices is the wafer processing process.
  • the designed circuit patterns are sequentially stacked on the wafer to form a large number of chips that operate as memory and MPU.
  • This woofer processing process includes the following steps.
  • a lithography process that forms a resist pattern using a mask (reticle) to selectively process thin film layers, wafer substrates, etc.
  • the wafer processing process is repeated for the required number of layers to produce semiconductor devices that operate as designed.
  • the EUV exposure apparatus according to the embodiment of the present invention is used in one lithography process. Therefore, a fine line width pattern can be exposed, and at the same time, exposure can be performed with high throughput, and a semiconductor device can be manufactured efficiently.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

　　加熱されたタンク４内には、樹脂中にＳｎ固体微粒子を分散させた液体が収納されている。加圧ポンプで加圧された樹脂はノズル１へ導かれて、真空チャンバー７内に設けられたノズル１の先端から液体状の樹脂を噴出する。ノズル１から噴出された液体状の液体は、表面張力により球形の形状となり、真空中で冷却されて固化し、固体状のターゲット２となる。真空チャンバー７にはレーザ光導入用のレーザ導入窓１０が設けられており、真空チャンバー７の外に配置されたレーザ光源８から発生したレーザ光は、レンズ９で集光されて真空チャンバー７内へ導かれ、ターゲットをプラズマ化し、ＥＵＶ光を発生させる。

Description

明 細 書
EUV光源、 EUV露光装置、 及び半導体デバイスの製造方法 技術分野
【技術分野】
本発明は、 EUV光 （（Extreme Ultraviolet： 極端紫外光）、 本明細 書及び特許請求の範囲では、 波長が 1 0 0 n m以下の光を言う） を発生 する EUV光源、 及びこの EUV光源を使用した EU V露光装置、 さら には、 この EUV露光装置を使用した半導体デバイスの製造方法に関す るものである。 背景技術
半導体集積回路の集積度が増すに従い、 回路パターンが微細化し、 従 来使用されていた可視光や紫外光を使用した露光装置では、 その解像度 が足らなくなってきている。 周知のように、 露光装置の解像度は、 転写 光学系の開口数 （NA) に比例し、 露光に使用する光の波長に逆比例す る。 そのため、 解像度を上げる一つの試みとして、 可視光や紫外光に代 わり、 波長の短い EUV (軟 X線と称されることもある） 光源を露光転 写に使用する試みがなされている。
このような露光転写装置に使用される E U V光発生装置として、 特に 有力視されているのがレーザプラズマ E UV光源 （以下では 「L P P (Laser Produced Plasma)」 と記載することがある） と放電プラズマ E
UV光源である。
L P Pは、 パルス レーザ光を真空容器内の標的材料上に集光し、 標的 材料をプラズマ化して、 このプラズマから輻射される E UV光を利用す るものであり、 小型でありながら、 アンジュレータに匹敵するほどの輝 度を持つ。
又、 Dense Plasma Focus (D P F) などの放電プラズマを用いた E U V光源は小型であり、 EUV光量が多く、 低コス トである。 これらは波 長 1 3. 5 nmの EUVを用いた EUV露光装置の光源として近年注目 を集めている。
このような EUV露光装置の概要を図 6に示す。 図中、 I R 1〜 I R 4は照明光学系の反射鏡であり、 P R 1〜P R 4は投影光学系の反射鏡 である。 Wはウェハ、 Mはマスクである。
レーザ光源 Lから照射されたレーザ光は、 ターゲッ ト Sに集光され、 プラズマ現象により、ターゲッ ト Sから X線を発生させる。この X線は、 反射鏡 C、Dにより反射され、平行な X線として照明光学系に入射する。 そして、 照明光学系の反射鏡 I R：!〜 I R 4により順次反射され、 マス ク Mの照明領域を照明する。 マスク Mに形成されたパターンによって反 射された X線は、 投影光学系の反射鏡 P R 1〜P R 4によって順次反射 され、 パターンの像をウェハ W面に結像する。
このように、 E U V露光装置で使用される波長 1 3. 5 nmの EUV 光源として、 （レーザプラズマ光源、放電プラズマ光源ともに） ターゲッ ト物質として X eガス又は液化 X eを使用した X eプラズマを利用する ものが広く研究開発されている。 その理由は、 比較的高い変換効率 （入 力エネルギーに対して得られる EUV光強度の比率） が得られること、 X eは常温で気体の材料なので debris (飛散粒子） の問題が生じにくい ことである。
しかしながら、 より高出力の EUV光源を得るためには、 ターゲッ ト として X eガスを使用したものでは限界があり、 他の物質を用いること が要望されている。 その中でも、 高い変換効率を得るためには S nが有 効であることが知られている。
しかしながら、 Snを固体ターゲッ トと してそのまま使う と発生する プラズマの密度も高くなりすぎてしまい、 発生したプラズマによって励 起レーザーが吸収されたり、 プラズマから発生する EUV光そのものも 吸収されるので、 思う ように EUV光の変換効率を高めることができな いという問題点がある。
また、 S nは低融点金属なので、 以下のよ うな問題点がある
(1) レーザプラズマ光源の場合には、 固体状の S nターゲッ トへレーザ を照射すると大量の debrisが発生する。 これを避けるために加熱して蒸 気にして供給すると、 密度が低くなるので十分高い変換効率を得ること ができない。 また、 周辺の低温部分で固化して、 その部分に大量に付着 してしまう。
(2) 放電プラズマ光源の場合には、 固体のままでは放電空間 （電極の間 のプラズマを生成する空間） へ材料を供給することが困難である。 加熱 して蒸気にして供給すると、 周辺の低温部分で固化して、 その部分に大 量に付着してしまう。
そのために、 高効率材料であることがわかっていながら、 そのままで は EUV光源のターゲッ ト物質として用いることが困難であった。 発明の開示
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、 S n等の固体ター ゲッ トを用いることに起因するプラズマの高密度化を抑えて、 高い EU V光変換効率を有することが可能な EUV光源、 及ぴこの EUV光源を 使用した EUV露光装置、 さらには、 この EUV露光装置を使用した半 導体デバイスの製造方法を提供することを第 1の目的とする。 また、 debrisを低減可能な EUV光源、 及びこの EUV光源を使用した EU V 露光装置、 さらには、 この E U V露光装置を使用した半導体デバイスの 製造方法を提供することを第 2の目的とする。
前記目的を達成するための第 1の手段は、 ターゲッ トからプラズマを 生成し、 当該プラズマから発生する E U V光を放出するプラズマ E U V 光源であって、 前記ターゲッ トは媒体中に分散させた固体のターゲッ ト 微粒子であることを特徴とする E U V光源である。
本手段によれば、 励起レーザーが照射されたり、 放電化されることに よってプラズマ化される Sn等の固体ターゲッ トが微粒子状で媒体中に 分散されて配置されるため、 生成されるプラズマの密度が高くなりすぎ ることを防止できる。 また、 媒体中に分散して配置されるため、 プラズ マ化しないで debris となるターゲッ ト材料を減らすことが可能であり、 debrisの量を低減させることが可能である。
この場合に、 ターゲッ ト微粒子と して、 S nを含むターゲッ ト材料を 用いると、 1 3 . 4 n m近傍にピークを持つ E U V光を発生させること が可能であり、 この近傍の波長の光を用いる装置にとって、 より高い強 度の E U V光を用いることが可能である。
また、 媒体は液体であることが好ましい。 また、 媒体はプラスチック 樹脂を加熱 ·溶融してなる液体であることが好ましく、 プラスチック樹 脂が熱可塑性樹脂であることも好ましい。 また、 これらの液体の媒体を 噴出させるノズルを有することは好ましい。 加熱 · 溶融された液体状 のプラスチック樹脂をノズルから噴出させると、 プラスチック樹脂は表 面張力によって粒子状になり、 場合によっては冷却されて固体状の粒子 になる。 これら液体又は固体状のプラスチック樹脂の粒子の中には、 固 体微粒子が分散されて含まれている。 .
よって、 レーザ光がこれら固体微粒子に照射されることにより、 これ ら固体微粒子がプラズマ化し、 E U V光を放出する。 ノズルから噴出さ れた後にプラスチック樹脂の粒子を実質的に球状に固化させれば、 液体 のドロップレッ トに比べて形状が安定するため、 粒子が飛ぶ方向が安定 し、 プラズマを発生させる場所に安定してターゲッ トを供給することが できるため、 光源の出力等をより安定させることが可能となる。 なお、 ターゲッ トをプラズマ化するための方法は公知の各手段を用いることが 可能であり、 例えば、 本手段は前述した放電プラズマ E U V光源にも適 用できる。前記液体はノズルから噴出した後に固化することが好ましい。
ターゲッ トがノズルから噴出されるまで液体であるが、 その後、 固化 するため、液体の状態で飛ぶターゲッ トに比べて、形状が安定するため、 プラズマを発生させる場所に安定してターゲッ トを供給することができ るため、 光源の出力等をより安定させることが可能となる。 また、 固体 微粒子は固体であるため X eガスに比して密度が高く、 これにより高い 変換効率を達成することが可能である。 熱可塑性樹脂を用いると、 加熱 により容易に液化するので、 固体微粒子を分散させて含有させる物質と して好適である。
前記目的を達成するための第 2の手段は、 E U V光源からの E U V光 を照明光学系を介してマスクに照射し、マスクに形成されたパターンを、 投影光学系により ウェハ等の感応基板に露光転写する E U V露光装置で あって、 前記 E U V光源が、 前記第 1の手段の E U V光源であることを 特徴とする E U V露光装置である。
本手段においては、 高い変換効率を有するプラズマ E U V光源を使用 しているので、 大きな光量の E U V光源とすることができ、 スループッ トを上げることができる。
前記目的を達成するための第 3の手段は、 前記第 2の手段である E U V露光装置を用いて、 マスクに形成されたパターンをウェハ等の感応基 板に露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造 方法である。 .
本手段においては、スループッ トの良い露光装置を使用しているので、 半導体デバイスの生産効率を上げることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施の形態の第 1の例であるレーザプラズマ E U V 光源の概要を示す図である。
図 2は、 図 1に示した本発明の実施の形態におけるターゲッ トを供給 するノズルのと、レーザ光と、集光ミラーの配置の関係を示す図である。 図 3は、 本発明の実施の形態の第 2の例である放電プラズマ E U V光 源の概要を示す図である。
図 4は、 図 3に示した本発明の実施の形態におけるターゲッ ト回収機 構と放電プラズマ光源の位置関係を示す図である。
図 5は、 本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチヤ一 トである。
図 6は、 E U V露光装置の概要を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態の例を、 図を用いて説明する。 図 1は、 本 発明の実施の形態の第 1の例であるレーザプラズマ E U V光源の概要を 示す図である。
加熱されたタンク 4内には、 ポリスチレン樹脂中に S n固体微粒子を 分散させた液体が収納されている。' S n固体微粒子の濃度は、 例えば 1 〜1 0 w t %である。 S n固体微粒子の直径は、 例えば 5 0〜 2 0 0 n mである。 S n固体微粒子が沈殿するのを防ぐために、 溶液攪拌機構 5 が設けられている。 溶液攪拌機構 5は、 この例においては、 液体中で羽 根を回転させるものである。
タンク 4は、 加圧ポンプ 6と配管で繋がれており、 加圧ポンプで加圧 された樹脂はノズル 1へ導かれて、 真空チャンバ一 7内に設けられたノ ズル 1の先端から液体状の樹脂を嘖出する。 タンク 4から加圧ポンプ 6 を経てノズル 1に至るまでの間の配管類は、 途中で樹脂が固化しないよ うに全て加熱されている。
ノズル 1から嘖出された液体状の液体は、 表面張力により球形の形状 となり、 真空中で冷却されて固化し、 固体状のターゲッ ト 2となる。 ノ ズル 1からは、 一定の時間間隔で一定の寸法のターゲッ ト 2が供給され るように、 溶融した樹脂の温度、 粘度、 加圧する圧力、 ノズル 1の直径 などが設定されている。 これらの調整により、 ターゲッ ト 2の直径は 5 0〜 2 0 0 μ m程度とされる。 ターゲッ ト 2は、 1パルスのレーザ照射 でちよ う どプラズマ化されて消費されるターゲッ トの量に一致するよう にすることが好ましい。 ターゲッ トが大き過ぎると、 プラズマ化されな かった残りが debrisの原因となるので好ましくない。逆にターゲッ トが 小さすぎると変換効率が低下するので好ましくない。
真空チヤンバー 7にはレーザ光導入用のレーザ導入窓 1 0が設けられ ており、 真空チャンバ一 7の外に配置された N d ： Y A Gレーザ光源 8 から発生したレーザ光は、 レンズ 9で集光されて真空チャンバ一 7内へ 導かれる。
各部品は、 ターゲッ ト 2がレーザの集光点位置を通過するよう配置さ れており、 ターゲッ ト 2がちょ う ど集光点位置に来たときにレーザパル スが照射されるように、 ターゲッ ト供給とレーザパルスは同期制御され ている。 すなわち、 ターゲッ ト 2の位置は不図示のモニター機構により 監視されており、 ターゲッ ト 2が、 レーザの集光点位置にきたときに、 N d ： Y A Gレーザ光源 8に発光のトリガーがかけられるようになって レヽる。
レーザを照射されたターゲッ ト 2は、 プラズマ化して E U V光を含む 光を輻射する。 集光ミラー 1 1は、 プラズマから発生した E U V光を集 光して （不図示の） 照明光学系へ導く。 集光ミラー 1 1は、 回転楕円面 形状の反射面を有し、 反射面には M o / S i多層膜がコーティングされ ている。そして、回転楕円面の一つの焦点位置が、 レーザの集光点位置、 すなわち E U V光の発生位置となっている。 従って、 集光ミラー 1 1で 反射された光は、 他の焦点位置に集光され、 その後、 照明光学系へ導か れる。
ターゲッ ト 2の、 プラズマ化されずに残った残留物は、 ターゲッ ト回 収機構 3で回収される。 回収されたターゲッ ト残留物はタンク 4に戻さ れ、 再び加熱溶融されて再利用される。 ターゲッ ト回収機構 3とタンク 4の間には （不図示の） 逆流防止機構が設けられており、 タンク内の蒸 気が真空チャンバ一 7内へ逆流するのを防いでいる。
図 1では集光ミラー 1 1で反射した E U V光がレーザ導入窓 1 0等と 干渉してしまうように見えるが、 実際には図 2に示すように、 ターゲッ ト 2を供給するノズル 1の中心軸と、 レーザ光 1 2の中心軸と、 集光ミ ラー 1 1で反射された E U V光の主光線の軸とは互いに直交するように 配置されており、 E U V光がレーザ導入窓 1 0等と干渉することはない。 図 3は、 本発明の実施の形態の第 2の例である放電プラズマ E U V光 源の概要を示す図である。 なお、 第 1の例である図 1の実施形態と同じ 構成については同じ符号を付し説明を省略する。 この実施の形態におい ても、 前述した理由と同じ理由からターゲッ ト 2は、 1 回の放電でちょ う どプラズマ化されて消費されるターゲッ トの量に一致するようにする ことが好ましい。
ノズル 1から噴出されたターゲッ ト 2は Zピンチ型放電プラズマ光源 2 7の中の放電空間へ導かれる。 Zピンチ型放電プラズマ光源 2 7は、 穴の開いた円盤状の電極 （陽極） 2 1 と、 同様の形状の電極 （陰極） 2 3と、 両者をつなぐ筒状の絶縁体 2 2から構成されており、 電極 （陽極） 2 1 と電極 （陰極） 2 3の間に高電圧パルスを印加すると、 放電により その間の空間にある物質をプラズマ化し、 E U V光を含む光を輻射する。 各部品は、 ターゲッ ト 2が放電空間を通過するよう配置されており、 ターゲッ ト 2がちよ う ど放電空間の中心位置に来たときに高電圧パルス が印加されるように、 ターゲッ ト供給と高電圧パルスは同期制御されて いる。
ノズル 1には不図示の加振機構が設けられており、 ノズル 1の液体噴 出方向に振動を与えることにより液体の噴射のタイミングを制御するこ とができる。 上記の同期が取れるように、 ノズル 1への加振と高電圧電 源へのトリガーが制御されている。
集光光学系 2 6は、 プラズマから発生した E U V光を集光して （不図 示の） 照明光学系へ導く。 集光光学系 2 6は、 2枚の同心球面形状の反 射面 2 4、 2 5から構成されるシュバルッシルド光学系であり、 その反 射面には M o Z S i多層膜がコーティングされている。
ターゲッ ト 2のプラズマ化されずに残った残留物は、 ターゲッ ト回収 機構 3で回収される。回収されたターゲッ ト残留物はタンク 4に戻され、 再び加熱溶融されて再利用される。 ターゲッ ト回収機構 3とタンク 4の 間には （不図示の） 逆流防止機構が設けられており、 タンク内の蒸気が 真空チャンパ一 7内へ逆流するのを防いでいる。
ターゲッ ト回収機構 3と放電プラズマ光源 2 7の位置関係は図 4のよ うになつており、 電極 2 3の穴の中心軸と、 ターゲッ ト回収機構 3の開 口部の中心軸がほぼ一致するように配置されている。
ターゲッ ト回収機構 3は放電プラズマ光源 2 7から発生した E U V光 の一部を遮蔽する。 集光光学系 2 6に使用したシュバルッシルド光学系 は中心遮蔽のある光学系なので、 元々光軸付近の光線を集光することが できない。 本実施の形態では、 ターゲッ ト回収機構 3を、 できるだけシ ュパルッシルド光学系の中心遮蔽内に配置して、 蹴られによる EU V光 の損失を最小限に防いでいる。
集光光学系 2 6 としてシュバルッシルド光学系以外にヴオルター型光 学系を使用することもできるが、 この場合も中心遮蔽のある光学系なの で、 同様の配置にして蹴られによる EUV光の損失を最小限に抑えるこ とができる。
上記の第 1、 第 2の実施の形態では、 樹脂としてポリスチレン樹脂を 用いたが、 使用するプラスチック樹脂はこれに限定されることはない。 ポリ スチレン以外にも、 例えば、 塩化ビュル樹脂、 AB S樹脂、 メタク リル樹脂、 ポリエチレン樹脂、 ポリ プロ ピレン樹脂、 ポリアミ ド樹脂、 ポリアセタール樹脂、 ポリカーボネィ ト榭脂など他の熱可塑性樹脂を使 用してもよい。
また、 固体微粒子材料には S nを使用したが、 他の固体材料を使用し てもよい。 樹脂を加熱して液化するのに必要な温度が S nの融点よりも 高くなつてしまう場合には、 S nの代わりに酸化錫 （S n〇 2など） を 使用すればよい。 1 3. 5 n m付近以外の他の波長の E U V光または X 線を発生したい場合には、 S n以外のその波長に適した固体材料を、 適 宜使用することができる。
本発明の実施の形態である EUV露光装置の構成は、 基本的には図 6 に示したものと変わらない。 ただ、 EUV光源として、 第 1の実施の形 態に示したレーザプラズマ EUV光源や、 第 2の実施の形態に示した放 電プラズマ EUV光源を使用することのみが異なってだけであるので、 その説明を省略する。 以下、 本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施の形態の例を説 明する。 図 5は、 本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフロー チヤ一トである。 この例の製造工程は以下の各主工程を含む。
(1)ウェハを製造するウェハ製造工程（又はウェハを準備するウェハ準備 工程）
(2)露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（又はマスクを準備 するマスク準備工程）
(3)ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
(4)ゥヱハ上に形成されたチップを 1個ずつ切り出し、動作可能にならし めるチップ組立工程
(5)できたチップを検査するチップ検査工程
なお、 それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。 これらの主工程の中で、 半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼ す主工程がウェハプロセッシング工程である。 この工程では、 設計され た回路パターンをウェハ上に順次積層し、 メモリや M P Uとして動作す るチップを多数形成する。 このゥヱハプロセッシング工程は以下の各ェ 程を含む。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、 あるいは電極部を形成する金属薄 膜等を形成する薄膜形成工程 （C V Dやスパッタ リ ング等を用いる） (2)この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマスク （レチクル） を用いてレジス トのパターンを形成するリ ソグラフィ一工程
(4)レジス トパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程 (例えばドライエツチング技術を用いる）
(5)イオン ·不純物注入拡散工程
(6)レジス ト剥離工程 (7)さらに加工されたウェハを検査する検查工程
なお、 ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、 設計 通り動作する半導体デバイスを製造する。
本実施の形態である半導体デバイスの製造方法においては、 リ ソグラ フィ一工程に本発明の実施の形態である E U V露光装置を使用している。 よって、 微細な線幅のパターンの露光を行う ことができると同時に、 高 スループッ トで露光を行う ことができ、 効率良く半導体デバイスを製造 することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. ターゲッ トからプラズマを生成し、 当該プラズマから発生する E U V光を放出するプラズマ EUV光源であって、 前記ターゲッ ドは媒体中 に分散させた固体のターゲッ ト微粒子であることを特徴とする EUV光 源。
2. 前記ターゲッ ト微粒子が、 S nを含むことを特徴とする請求の範囲 第 1項に記載の E U V光源。
3. 前記媒体は液体であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の EUV光源。
4. 前記媒体はプラスチック樹脂を加熱，溶融してなる液体であること を特徴とする請求の範囲第 1項に記載の EU V光源。
5. 前記プラスチック樹脂が熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求 の範囲第 4項に記載の E UV光源。
6. 前記ターゲッ ト微粒子が分散された液体の媒体を嘖出させるノズル を有することを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の E U V光源。
7. 前記液体はノズルから噴出した後に固化することを特徴とする請求 の範囲第 6項に記載の E U V光源。
8. EUV光源からの EUV光を照明光学系を介してマスクに照射し、 マスクに形成されたパターンを、 投影光学系により ウェハ等の感応基板 に露光転写する EUV露光装置であって、 前記 EUV光源が、 請求の範 囲第 1項に記載の EUV光源であることを特徴とする EUV露光装置。
9. 請求の範囲第 8項に記載の E UV露光装置を用いて、 マスクに形成 されたパターンをウェハ等の感応基板に露光転写する工程を有すること を特徴とする半導体デバイスの製造方法。
PCT/JP2005/011865 2004-06-24 2005-06-22 Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 WO2006001459A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020067023544A KR101172924B1 (ko) 2004-06-24 2005-06-22 Ｅｕｖ 광원, ｅｕｖ 노광 장치 및 반도체 장치의 제조방법
EP05755689A EP1775756B1 (en) 2004-06-24 2005-06-22 Euv light source, euv exposure equipment and semiconductor device manufacturing method
US11/629,535 US7741616B2 (en) 2004-06-24 2005-06-22 EUV light source, EUV exposure equipment, and semiconductor device manufacturing method
AT05755689T ATE525678T1 (de) 2004-06-24 2005-06-22 Euv-lichtquelle, euv-belichtungsanlage und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
JP2006528720A JP4683231B2 (ja) 2004-06-24 2005-06-22 Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004186133 2004-06-24
JP2004-186133 2004-06-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006001459A1 true WO2006001459A1 (ja) 2006-01-05

Family

ID=35781885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/011865 WO2006001459A1 (ja) 2004-06-24 2005-06-22 Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7741616B2 (ja)
EP (1) EP1775756B1 (ja)
JP (1) JP4683231B2 (ja)
KR (1) KR101172924B1 (ja)
CN (1) CN100485864C (ja)
AT (1) ATE525678T1 (ja)
WO (1) WO2006001459A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006017904A1 (de) * 2006-04-13 2007-10-18 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838853B2 (en) * 2006-12-14 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Plasma radiation source, method of forming plasma radiation, apparatus for projecting a pattern from a patterning device onto a substrate and device manufacturing method
JP5155017B2 (ja) 2008-05-29 2013-02-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
US8993976B2 (en) * 2011-08-19 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Energy sensors for light beam alignment
CN103042221B (zh) * 2012-12-14 2015-04-15 华中科技大学 一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置
CN103079327B (zh) * 2013-01-05 2015-09-09 中国科学院微电子研究所 一种靶源预整形增强的极紫外光发生装置
CN103105740B (zh) * 2013-01-16 2015-03-18 华中科技大学 基于固体液体组合靶材的极紫外光源产生装置及光源系统
US10499485B2 (en) * 2017-06-20 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Supply system for an extreme ultraviolet light source
TWI647977B (zh) * 2017-08-24 2019-01-11 台灣積體電路製造股份有限公司 極紫外光微影設備、標靶材料供應系統與方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019496A1 (fr) * 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs
JP2001023795A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Toyota Macs Inc Ｘ線発生装置
WO2001031678A1 (en) * 1999-10-27 2001-05-03 Jmar Research, Inc. Method and radiation generating system using microtargets
WO2002046839A2 (en) * 2000-10-20 2002-06-13 University Of Central Florida Laser plasma from metals and nano-size particles
JP2003008124A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Gigaphoton Inc 光源装置及びそれを用いた露光装置
JP2003303696A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Takayasu Mochizuki レーザプラズマ発生方法およびその構造
JP2004288517A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 National Institute Of Advanced Industrial & Technology レーザープラズマ発生方法及び装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6324255B1 (en) * 1998-08-13 2001-11-27 Nikon Technologies, Inc. X-ray irradiation apparatus and x-ray exposure apparatus
US6727980B2 (en) * 1998-09-17 2004-04-27 Nikon Corporation Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus
JP2001108799A (ja) * 1999-10-08 2001-04-20 Nikon Corp Ｘ線発生装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法
DE19955392A1 (de) 1999-11-18 2001-05-23 Philips Corp Intellectual Pty Monochromatische Röntgenstrahlenquelle
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
JP2002214400A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Toyota Macs Inc レーザープラズマｅｕｖ光源装置及びそれに用いられるターゲット
JP3790814B2 (ja) 2001-10-25 2006-06-28 独立行政法人産業技術総合研究所 Ｘ線照射装置における飛散物除去方法及び装置
DE10219173A1 (de) 2002-04-30 2003-11-20 Philips Intellectual Property Verfahren zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett-Strahlung
AU2003303542A1 (en) 2003-01-02 2004-07-29 Jmar Research Inc. Method and apparatus for generating a membrane target for laser produced plasma
JP2005251601A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Takayasu Mochizuki Ｘ線発生用ターゲット物質供給方法およびその装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019496A1 (fr) * 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs
JP2001023795A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Toyota Macs Inc Ｘ線発生装置
WO2001031678A1 (en) * 1999-10-27 2001-05-03 Jmar Research, Inc. Method and radiation generating system using microtargets
WO2002046839A2 (en) * 2000-10-20 2002-06-13 University Of Central Florida Laser plasma from metals and nano-size particles
JP2003008124A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Gigaphoton Inc 光源装置及びそれを用いた露光装置
JP2003303696A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Takayasu Mochizuki レーザプラズマ発生方法およびその構造
JP2004288517A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 National Institute Of Advanced Industrial & Technology レーザープラズマ発生方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006017904A1 (de) * 2006-04-13 2007-10-18 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination
DE102006017904B4 (de) * 2006-04-13 2008-07-03 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination

Also Published As

Publication number Publication date
US20080068575A1 (en) 2008-03-20
JPWO2006001459A1 (ja) 2008-04-17
US7741616B2 (en) 2010-06-22
KR20070023694A (ko) 2007-02-28
JP4683231B2 (ja) 2011-05-18
ATE525678T1 (de) 2011-10-15
EP1775756B1 (en) 2011-09-21
EP1775756A1 (en) 2007-04-18
CN1969372A (zh) 2007-05-23
CN100485864C (zh) 2009-05-06
KR101172924B1 (ko) 2012-08-14
EP1775756A4 (en) 2008-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006001459A1 (ja) Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
KR101174926B1 (ko) Ｅｕｖ 광원, ｅｕｖ 노광 장치 및 반도체 장치의 제조방법
JP4188208B2 (ja) 放射線源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4195071B2 (ja) 平版投影装置用の照射源
EP1848004B1 (en) Extreme UV radiation focusing mirror and extreme UV radiation source device
JPWO2006075535A1 (ja) レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置
JP2003518731A (ja) Ｅｕｖ放射線を発生させる方法、この放射線を用いてデバイスを製造する方法、ｅｕｖ放射線発生源ユニット、およびこの放射線発生源ユニットを備える露光投影装置
US11419203B2 (en) EUV radiation modification methods and systems
US8809818B2 (en) EUV light source, EUV exposure apparatus, and electronic device manufacturing method
WO2002069677A1 (fr) Dispositif de production de rayonnement ultraviolet extreme, dispositif d'exposition mettant en oeuvre ledit dispositif de production et procede de production de semi-conducteurs
US10871647B2 (en) Apparatus and method for prevention of contamination on collector of extreme ultraviolet light source
CN108803247A (zh) 极紫外光源产生方法
US20210124275A1 (en) Extreme ultraviolet light condensation mirror, extreme ultraviolet light generation apparatus, and electronic device manufacturing method
US11355257B2 (en) Extreme ultraviolet light condensation mirror, extreme ultraviolet light condensation mirror manufacturing method, and electronic device manufacturing method
TWI345931B (en) Laser produced plasma euv light source with pre-pulse
JP2000098100A (ja) 軟ｘ線平行光束形成装置
KR20120128880A (ko) 리소그래피 광원에 응용을 위한 극 자외선 발생 장치 및 방법
Gaeta et al. High-power laser-plasma x-ray source for lithography
JP2008181760A (ja) Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置および半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006528720

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067023544

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11629535

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580020010.0

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005755689

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 3/KOLNP/2007

Country of ref document: IN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067023544

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005755689

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11629535

Country of ref document: US