JPS5840757A - Ｘ線装置 - Google Patents
Ｘ線装置Info
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- JPS5840757A JPS5840757A JP13891281A JP13891281A JPS5840757A JP S5840757 A JPS5840757 A JP S5840757A JP 13891281 A JP13891281 A JP 13891281A JP 13891281 A JP13891281 A JP 13891281A JP S5840757 A JPS5840757 A JP S5840757A
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- ray
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Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、量子線照射によるＸ！発生装置に関する。
従来この種のＸｌｌ装置では一般にレーザー光線等の量
子線をムを等からなるターゲットに照射し、ターゲット
材料のプラズマ化により励起されたＡｔ等の原子が平衡
状態に戻る時に発生するｘｌｌを用い、Ｂｅ等の窓を通
して被照射物にＸ線照射するのが通例である。
子線をムを等からなるターゲットに照射し、ターゲット
材料のプラズマ化により励起されたＡｔ等の原子が平衡
状態に戻る時に発生するｘｌｌを用い、Ｂｅ等の窓を通
して被照射物にＸ線照射するのが通例である。
第１図に従来のレーザー光線によるプラズマ増巾ｘ１ｍ
発生装置の断面構造を模式的に示す。
発生装置の断面構造を模式的に示す。
このような従来のＸ線装置においては、真空雰囲気内の
Ａｔターゲット１に石英窓部２より照射されたパルス状
レーザー光線３によりＡｔターゲットが熔け、Ａｔプラ
ズマ４が発生すると共に、このプラズマ部分からＸ１１
５が発生すると同時にＡｔ蒸着粒子６が発生し、レーザ
ー入射窓２やＸ線窓部７や真空容器８の内壁にＡｔ蒸着
膜が形成される。このため、多重にＸ線を照射する場合
に照射回毎にＡｔ蒸着膜が厚くなり、Ｘ線量が減少する
という様な不都合が生じる。
Ａｔターゲット１に石英窓部２より照射されたパルス状
レーザー光線３によりＡｔターゲットが熔け、Ａｔプラ
ズマ４が発生すると共に、このプラズマ部分からＸ１１
５が発生すると同時にＡｔ蒸着粒子６が発生し、レーザ
ー入射窓２やＸ線窓部７や真空容器８の内壁にＡｔ蒸着
膜が形成される。このため、多重にＸ線を照射する場合
に照射回毎にＡｔ蒸着膜が厚くなり、Ｘ線量が減少する
という様な不都合が生じる。
この発明は、Ｘ線量が安定な量子線照射型１Ｍ源を提供
することを目的とする。
することを目的とする。
上記目的を達成する為の本発明の基本的な構成は、レー
ザー光線、イオン線、電子線等の量子線をターゲット等
に照射してＸ線を発生するＸ線源部と、このＩＩＩ源部
から付随的に放出するターゲット材等のＸ線放出窓等や
Ｘ線装置内壁への蒸着物質をガス、プラズマで除去する
機能を備えたことを特徴とする。
ザー光線、イオン線、電子線等の量子線をターゲット等
に照射してＸ線を発生するＸ線源部と、このＩＩＩ源部
から付随的に放出するターゲット材等のＸ線放出窓等や
Ｘ線装置内壁への蒸着物質をガス、プラズマで除去する
機能を備えたことを特徴とする。
第２図はこのＸ線発生装置の一実施例を示す。
第２図において、１１はｋｔターゲット、１２はレーザ
ー光線、１２はレーザー光線入射窓、１３はレーザー光
線、１４はムｔプラズマであり、１５はＸ！、１６はム
を蒸発粒子であり、１７はＢ・からなるＸ線放射窓、１
８は石英からなる真空容器があり、１９は真空パルプ、
２０はガス導入パルプ、２１はＲ１発振コイルである。
ー光線、１２はレーザー光線入射窓、１３はレーザー光
線、１４はムｔプラズマであり、１５はＸ！、１６はム
を蒸発粒子であり、１７はＢ・からなるＸ線放射窓、１
８は石英からなる真空容器があり、１９は真空パルプ、
２０はガス導入パルプ、２１はＲ１発振コイルである。
ターゲット部より放出されたムを蒸着粒子が真空容Ｗ１
８．窓部１２や１７の内面に付着したムを蒸着膜をパル
プ２０より導入したａｔ、ガスをパルプ１９で容器内で
１丁ｏｒｒに保ちながらＲ１コン７し２１によりＯＬ、
ガスを励起しプラズマ化することによりムｔ、ａｔ、ガ
スとして排出除夫することにより、多重照射時のＸ、線
減少を防ぐことができる。
８．窓部１２や１７の内面に付着したムを蒸着膜をパル
プ２０より導入したａｔ、ガスをパルプ１９で容器内で
１丁ｏｒｒに保ちながらＲ１コン７し２１によりＯＬ、
ガスを励起しプラズマ化することによりムｔ、ａｔ、ガ
スとして排出除夫することにより、多重照射時のＸ、線
減少を防ぐことができる。
なお、ターゲツト材等が輩Ｏ９や８１の場合はＯＦ４
（７レオン）ガｘ、ｏ（炭紫）ノ場合はＯ。
（７レオン）ガｘ、ｏ（炭紫）ノ場合はＯ。
ガスを導入しプラズマ化することにより内壁への蒸着物
は除夫することができる。
は除夫することができる。
以上説明した様に、この発明は蒸発した材料をプラズマ
、ガスにより除夫されるため、安定なＸ線源を得ること
ができる利点がある。
、ガスにより除夫されるため、安定なＸ線源を得ること
ができる利点がある。
第１図は従来のＸ線発生装置の構造図、第２ＷＪは本発
明によるｘＩＩ発生装置の構造図である。 １．１１・・・・・・ターゲット ２．１２・・・・・・レーザー入射窓 ３．１３・・・・・・レーザー光線 ４．１４・・・・・・プラズマ ５．１５・・・・・・Ｘ線 ６．１６・・・・・・蒸発粒子 ７．１７・・拳・φ・Ｘ線窓 ８．１８・・・・・・真空容器 １９・・・・・・・・・・・・パルプ
明によるｘＩＩ発生装置の構造図である。 １．１１・・・・・・ターゲット ２．１２・・・・・・レーザー入射窓 ３．１３・・・・・・レーザー光線 ４．１４・・・・・・プラズマ ５．１５・・・・・・Ｘ線 ６．１６・・・・・・蒸発粒子 ７．１７・・拳・φ・Ｘ線窓 ８．１８・・・・・・真空容器 １９・・・・・・・・・・・・パルプ
Claims (1)
- レーザー光線、イオン線、電子線等の量子線をターゲッ
ト等に照射してＸ＠を発生するＸ線源部と、このｘＩｓ
源部から付随的に放出するターゲツト材等のｘｓ放出窓
等やＸ線装置内壁への蒸着物質をガス、プラズｉで除去
する機能を備えたことを特徴とする１Ｍ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891281A JPS5840757A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | Ｘ線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13891281A JPS5840757A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | Ｘ線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840757A true JPS5840757A (ja) | 1983-03-09 |
Family
ID=15233041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13891281A Pending JPS5840757A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | Ｘ線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840757A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179046A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-08-11 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線リソグラフ装置 |
| JPH03190043A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-08-20 | General Electric Co <Ge> | Ｘ線管アノードのスポットサイズの光学的感知方式およびｘ線管 |
| JPH06223996A (ja) * | 1991-03-25 | 1994-08-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線発生源 |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP13891281A patent/JPS5840757A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179046A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-08-11 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線リソグラフ装置 |
| JPH03190043A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-08-20 | General Electric Co <Ge> | Ｘ線管アノードのスポットサイズの光学的感知方式およびｘ線管 |
| JPH06223996A (ja) * | 1991-03-25 | 1994-08-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線発生源 |
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