JPH0681135A - 電子ビーム異常照射検知装置 - Google Patents
電子ビーム異常照射検知装置Info
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- JPH0681135A JPH0681135A JP23471692A JP23471692A JPH0681135A JP H0681135 A JPH0681135 A JP H0681135A JP 23471692 A JP23471692 A JP 23471692A JP 23471692 A JP23471692 A JP 23471692A JP H0681135 A JPH0681135 A JP H0681135A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子銃から出射した電子ビームがるつぼ内の
材料のみを照射しているか否かを判別することができる
電子ビーム異常照射検知装置を提供することにある。 【構成】 真空容器１０内に電子銃１３と蒸発るつぼ１
２とを設け蒸発るつぼ１２内の材料１１に照射される電
子ビームの異常を検知する電子ビーム異常照射検知装置
において、真空容器１０内に設けられ電子ビームの照射
によって発生するＸ線を検出するＸ線検出器１６と、そ
のＸ線検出器１６から得られる検出出力より電子ビーム
の異常照射を検知する信号処理器１７とを備えたことを
特徴としている。
材料のみを照射しているか否かを判別することができる
電子ビーム異常照射検知装置を提供することにある。 【構成】 真空容器１０内に電子銃１３と蒸発るつぼ１
２とを設け蒸発るつぼ１２内の材料１１に照射される電
子ビームの異常を検知する電子ビーム異常照射検知装置
において、真空容器１０内に設けられ電子ビームの照射
によって発生するＸ線を検出するＸ線検出器１６と、そ
のＸ線検出器１６から得られる検出出力より電子ビーム
の異常照射を検知する信号処理器１７とを備えたことを
特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器内に電子銃と
蒸発るつぼとを設け、蒸発るつぼ内の材料に照射される
電子ビームの異常を検知する電子ビーム異常照射検知装
置に関する。
蒸発るつぼとを設け、蒸発るつぼ内の材料に照射される
電子ビームの異常を検知する電子ビーム異常照射検知装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームを利用した装置に被膜形成装
置や溶解炉がある。被膜形成装置は真空容器内に、材料
を収納した蒸発るつぼを設け、この材料に電子銃から出
射する電子ビームを照射して蒸発させて被蒸着材料に被
膜を形成する装置であり、溶解炉は真空容器内のるつぼ
内の材料に電子ビームを照射して溶解する装置である。
置や溶解炉がある。被膜形成装置は真空容器内に、材料
を収納した蒸発るつぼを設け、この材料に電子銃から出
射する電子ビームを照射して蒸発させて被蒸着材料に被
膜を形成する装置であり、溶解炉は真空容器内のるつぼ
内の材料に電子ビームを照射して溶解する装置である。
【０００３】ところで、この種の装置において、電子銃
が不調になったり、電子銃の取り付け不良のため出射方
向がずれていたりすると、電子ビームが材料を照射せ
ず、蒸発るつぼや真空容器の内壁を照射して破壊するお
それがある（異常照射）。
が不調になったり、電子銃の取り付け不良のため出射方
向がずれていたりすると、電子ビームが材料を照射せ
ず、蒸発るつぼや真空容器の内壁を照射して破壊するお
それがある（異常照射）。
【０００４】そこで本発明者らは、このような異常照射
を検出することができる装置として被膜形成装置を提案
した（特願平４−２１３１３号）。
を検出することができる装置として被膜形成装置を提案
した（特願平４−２１３１３号）。
【０００５】図４はこの被膜形成装置の概念図である。
【０００６】同図において被膜形成装置は、真空容器１
内に蒸発るつぼ２を設けると共に、その真空容器１に、
蒸発るつぼ２に電子ビームを照射する電子銃３を設け、
且つ、蒸発るつぼ２の近傍に磁界Ｂを発生する偏向装置
（図示せず）を設け、真空容器１内に電子ビームが偏向
されずにほぼ直進した電子ビームを受けるビームストッ
パ４を設け、ビームストッパ４に電子ビームの入射を検
知すると共に、電子ビームの照射を停止するための検知
装置８を接続したものである。
内に蒸発るつぼ２を設けると共に、その真空容器１に、
蒸発るつぼ２に電子ビームを照射する電子銃３を設け、
且つ、蒸発るつぼ２の近傍に磁界Ｂを発生する偏向装置
（図示せず）を設け、真空容器１内に電子ビームが偏向
されずにほぼ直進した電子ビームを受けるビームストッ
パ４を設け、ビームストッパ４に電子ビームの入射を検
知すると共に、電子ビームの照射を停止するための検知
装置８を接続したものである。
【０００７】この被膜形成装置は、電子銃３および偏向
装置が正常に動作しているときは電子ビームは実線のよ
うに進んで蒸発るつぼ２内の材料５を照射し、蒸発した
材料が被蒸着材料６上に被膜として形成される。
装置が正常に動作しているときは電子ビームは実線のよ
うに進んで蒸発るつぼ２内の材料５を照射し、蒸発した
材料が被蒸着材料６上に被膜として形成される。
【０００８】これに対して電子銃３および偏向装置に異
常が発生すると、電子ビームは破線のように直進してビ
ームストッパ４を照射する。このときビームストッパ４
と高圧電源７間に電流が流れ、検知装置８がこの電流を
検出して高圧電源７をオフにするようになっている。
常が発生すると、電子ビームは破線のように直進してビ
ームストッパ４を照射する。このときビームストッパ４
と高圧電源７間に電流が流れ、検知装置８がこの電流を
検出して高圧電源７をオフにするようになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た被膜形成装置では電子銃３に異常が生じた場合、電子
ビームがビームストッパ４を照射したときしか電子ビー
ムの異常を検出することができないため、真空容器１の
内壁を照射して破壊するおそれがある。
た被膜形成装置では電子銃３に異常が生じた場合、電子
ビームがビームストッパ４を照射したときしか電子ビー
ムの異常を検出することができないため、真空容器１の
内壁を照射して破壊するおそれがある。
【００１０】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、電子銃から出射した電子ビームがるつぼ内の材料の
みを照射しているか否かを判別することができる電子ビ
ーム異常照射検知装置を提供することにある。
し、電子銃から出射した電子ビームがるつぼ内の材料の
みを照射しているか否かを判別することができる電子ビ
ーム異常照射検知装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、真空容器内に電子銃と蒸発るつぼとを設け
蒸発るつぼ内の材料に照射される電子ビームの異常を検
知する電子ビーム異常照射検知装置において、真空容器
内に設けられ電子ビームの照射によって発生するＸ線を
検出するＸ線検出器と、そのＸ線検出器から得られる検
出出力より電子ビームの異常照射を検知する信号処理器
とを備えたものである。
に本発明は、真空容器内に電子銃と蒸発るつぼとを設け
蒸発るつぼ内の材料に照射される電子ビームの異常を検
知する電子ビーム異常照射検知装置において、真空容器
内に設けられ電子ビームの照射によって発生するＸ線を
検出するＸ線検出器と、そのＸ線検出器から得られる検
出出力より電子ビームの異常照射を検知する信号処理器
とを備えたものである。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、電子ビームが蒸発るつぼ内
の材料のみを照射する正常時に発生するＸ線と、電子ビ
ームが蒸発るつぼ内の材料以外の部材を照射する異常時
に発生するＸ線とをＸ線検出器で検出し、電子ビームが
蒸発るつぼ内の材料のみを照射しているか否かを信号処
理器で判別することができる。
の材料のみを照射する正常時に発生するＸ線と、電子ビ
ームが蒸発るつぼ内の材料以外の部材を照射する異常時
に発生するＸ線とをＸ線検出器で検出し、電子ビームが
蒸発るつぼ内の材料のみを照射しているか否かを信号処
理器で判別することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１４】図１〜図３は本発明の電子ビーム異常照射
検知装置に係わり、図１は電子ビーム異常照射検知装置
を適用した被膜形成装置の一実施例の概念図を示し、図
２は電子ビームの蒸発るつぼへの照射状態を示し、図３
は電子ビームの照射によるＸ線のスペクトルを示す。
検知装置に係わり、図１は電子ビーム異常照射検知装置
を適用した被膜形成装置の一実施例の概念図を示し、図
２は電子ビームの蒸発るつぼへの照射状態を示し、図３
は電子ビームの照射によるＸ線のスペクトルを示す。
【００１５】図１において、真空容器１０内の底部には
蒸着材料１１を収納した導電性の蒸発るつぼ１２が配置
され、真空容器１０の上部には蒸発るつぼ１２内の蒸着
材料１１を照射して蒸発させるための高エネルギー（２
０ＫｅＶ以上）の電子ビームを出射する電子銃１３が設
けられている。
蒸着材料１１を収納した導電性の蒸発るつぼ１２が配置
され、真空容器１０の上部には蒸発るつぼ１２内の蒸着
材料１１を照射して蒸発させるための高エネルギー（２
０ＫｅＶ以上）の電子ビームを出射する電子銃１３が設
けられている。
【００１６】蒸発るつぼ１２及び電子銃１３間には電子
ビームを出射するための高圧電源１４が接続されてい
る。真空容器１０内の蒸発るつぼ１２の上方には蒸着材
料１１の被膜を形成するための被蒸着材料１５が配置さ
れ、被蒸着材料１５の近傍には高エネルギーの電子ビー
ムの照射によって発生するＸ線を検出するＸ線検出器１
６が設けられている。電子ビームの照射によって発生す
るＸ線の波長は、照射される部材によって異なる。Ｘ線
検出器１６は信号処理器１７に接続されており、信号処
理器１７は、電子ビームが蒸着材料のみを照射したとき
に発生するＸ線の波長とピーク値とをあらかじめ記憶し
ておき、得られたＸ線の波長とピーク値とを比較してこ
れらの差異より電子ビームの異常照射の有無を検出する
と共に、異常時には高圧電源１４をオフにして電子ビー
ムの出射を停止するようになっている。
ビームを出射するための高圧電源１４が接続されてい
る。真空容器１０内の蒸発るつぼ１２の上方には蒸着材
料１１の被膜を形成するための被蒸着材料１５が配置さ
れ、被蒸着材料１５の近傍には高エネルギーの電子ビー
ムの照射によって発生するＸ線を検出するＸ線検出器１
６が設けられている。電子ビームの照射によって発生す
るＸ線の波長は、照射される部材によって異なる。Ｘ線
検出器１６は信号処理器１７に接続されており、信号処
理器１７は、電子ビームが蒸着材料のみを照射したとき
に発生するＸ線の波長とピーク値とをあらかじめ記憶し
ておき、得られたＸ線の波長とピーク値とを比較してこ
れらの差異より電子ビームの異常照射の有無を検出する
と共に、異常時には高圧電源１４をオフにして電子ビー
ムの出射を停止するようになっている。
【００１７】電子ビーム異常照射検知装置は上述したＸ
線検出器１６と信号処理器１７とで構成されている。
線検出器１６と信号処理器１７とで構成されている。
【００１８】Ｘ線検出器１６の分解能はピーク１０Ｋｅ
Ｖに対して０．１ＫｅＶ程度あればよい。
Ｖに対して０．１ＫｅＶ程度あればよい。
【００１９】尚、蒸発るつぼ１２の材料としてはグラフ
ァイトを用い、蒸着材料１１としてはアルミニウムを用
い、真空容器１０の内壁にはステンレス（Ｃｒ１８−Ｎ
ｉ８）を用いた。
ァイトを用い、蒸着材料１１としてはアルミニウムを用
い、真空容器１０の内壁にはステンレス（Ｃｒ１８−Ｎ
ｉ８）を用いた。
【００２０】次に図２及び図３を参照して実施例の作用
を述べる。
を述べる。
【００２１】被膜形成装置を作動させると、高圧電源１
４から電子銃１３に高圧電圧が印加され、この電子銃１
３から電子ビームが出射する。
４から電子銃１３に高圧電圧が印加され、この電子銃１
３から電子ビームが出射する。
【００２２】電子ビームの照射が正常な時には図２
（ａ）に示すように電子銃１３から出射した電子ビーム
が全て蒸発るつぼ１２内の蒸着材料１１に照射される。
これにより蒸着材料１１が蒸発して被蒸着材料１５上に
被膜を形成すると共に、電子ビームの照射によって図３
（ａ）に示すような約１．４９ＫｅＶに相当する波長の
Ｘ線（蒸着材料のアルミニウムＡｌに対応する）と約
０．２８ＫｅＶに相当する波長のＸ線（蒸発るつぼのグ
ラファイトＣに対応する）を発生する。尚、図３（ａ）
において、Ａｌに対応するＸ線が強いピークを有し、Ｃ
に対応するＸ線が弱いピークを有するのは、電子ビーム
がほとんど蒸着材料１１に照射されており、わずかに蒸
着材料１１で反射した電子ビームが蒸発るつぼ１２に照
射されているためである。
（ａ）に示すように電子銃１３から出射した電子ビーム
が全て蒸発るつぼ１２内の蒸着材料１１に照射される。
これにより蒸着材料１１が蒸発して被蒸着材料１５上に
被膜を形成すると共に、電子ビームの照射によって図３
（ａ）に示すような約１．４９ＫｅＶに相当する波長の
Ｘ線（蒸着材料のアルミニウムＡｌに対応する）と約
０．２８ＫｅＶに相当する波長のＸ線（蒸発るつぼのグ
ラファイトＣに対応する）を発生する。尚、図３（ａ）
において、Ａｌに対応するＸ線が強いピークを有し、Ｃ
に対応するＸ線が弱いピークを有するのは、電子ビーム
がほとんど蒸着材料１１に照射されており、わずかに蒸
着材料１１で反射した電子ビームが蒸発るつぼ１２に照
射されているためである。
【００２３】これに対して電子ビーム照射が異常な時に
は、電子銃１３から出射した電子ビームは蒸着材料１１
以外の部材も照射する。例えば図２（ｂ）に示すよう
に、電子ビームが蒸着材料１１と、蒸発るつぼ１２と、
真空容器１０の内壁とを照射した場合には、図３（ｂ）
に示すようにＡｌ及びＣに対応するＸ線以外に真空容器
１０の成分であるＦｅ、Ｃｒ及びＮｉにそれぞれ対応す
るＸ線を発生する。しかもＡｌに対応するＸ線のピーク
が減少し、代わりにＦｅ、Ｃのピークが増加しているの
がわかる。そこでこれらのＸ線の強度のうち例えばＡｌ
のピークとＦｅのピークとを検出することにより電子ビ
ームが蒸着材料１１のみを正常に照射しているか否かを
判別することができる。
は、電子銃１３から出射した電子ビームは蒸着材料１１
以外の部材も照射する。例えば図２（ｂ）に示すよう
に、電子ビームが蒸着材料１１と、蒸発るつぼ１２と、
真空容器１０の内壁とを照射した場合には、図３（ｂ）
に示すようにＡｌ及びＣに対応するＸ線以外に真空容器
１０の成分であるＦｅ、Ｃｒ及びＮｉにそれぞれ対応す
るＸ線を発生する。しかもＡｌに対応するＸ線のピーク
が減少し、代わりにＦｅ、Ｃのピークが増加しているの
がわかる。そこでこれらのＸ線の強度のうち例えばＡｌ
のピークとＦｅのピークとを検出することにより電子ビ
ームが蒸着材料１１のみを正常に照射しているか否かを
判別することができる。
【００２４】以上において本実施例によれば、真空容器
１０内に電子銃１３と蒸発るつぼ１２とを設け蒸発るつ
ぼ１２内の材料１１に照射される電子ビームの異常を検
知する電子ビーム異常照射検知装置において、真空容器
１０内に設けられ電子ビームの照射によって発生するＸ
線を検出するＸ線検出器１６と、そのＸ線検出器１６か
ら得られる検出出力より電子ビームの異常照射を検知す
る信号処理器１７とを備えたので、電子銃１３から出射
した電子ビームが蒸発るつぼ１２内の材料１１のみを照
射しているか否かを判別することができる。
１０内に電子銃１３と蒸発るつぼ１２とを設け蒸発るつ
ぼ１２内の材料１１に照射される電子ビームの異常を検
知する電子ビーム異常照射検知装置において、真空容器
１０内に設けられ電子ビームの照射によって発生するＸ
線を検出するＸ線検出器１６と、そのＸ線検出器１６か
ら得られる検出出力より電子ビームの異常照射を検知す
る信号処理器１７とを備えたので、電子銃１３から出射
した電子ビームが蒸発るつぼ１２内の材料１１のみを照
射しているか否かを判別することができる。
【００２５】尚、本実施例においては、電子ビーム異常
照射検知装置を被膜形成装置に用いたが、これに限定さ
れるものではなく溶解炉に用いてもよい。また、電子ビ
ームから出射される電子ビームは直接蒸着材料に照射さ
れているが、電子ビームが偏向装置によって偏向された
後蒸着材料に照射されていてもよい。
照射検知装置を被膜形成装置に用いたが、これに限定さ
れるものではなく溶解炉に用いてもよい。また、電子ビ
ームから出射される電子ビームは直接蒸着材料に照射さ
れているが、電子ビームが偏向装置によって偏向された
後蒸着材料に照射されていてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２７】(1) 電子銃から出射した電子ビームがるつ
ぼ内の材料のみを照射しているか否かを正確に判別する
ことができる。
ぼ内の材料のみを照射しているか否かを正確に判別する
ことができる。
【００２８】(2) 電子ビームの照射に異常が発生したと
きに電子銃の動作を停止させることができる。
きに電子銃の動作を停止させることができる。
【図１】電子ビーム異常照射検知装置を適用した被膜形
成装置の一実施例の概念図を示す図である。
成装置の一実施例の概念図を示す図である。
【図２】（ａ）は電子ビームの蒸発るつぼへの照射状態
が正常な場合を示す図であり、（ｂ）は電子ビームの蒸
発るつぼへの照射状態が異常な場合を示す図である。
が正常な場合を示す図であり、（ｂ）は電子ビームの蒸
発るつぼへの照射状態が異常な場合を示す図である。
【図３】（ａ）は電子ビームの蒸発るつぼへの照射状態
が正常な場合に発生するＸ線のスペクトルを示し、
（ｂ）は電子ビームの蒸発るつぼへの照射状態が異常な
場合に発生するＸ線のスペクトルを示す図である。
が正常な場合に発生するＸ線のスペクトルを示し、
（ｂ）は電子ビームの蒸発るつぼへの照射状態が異常な
場合に発生するＸ線のスペクトルを示す図である。
【図４】本発明者らが提案した被膜形成装置の概念図で
ある。
ある。
１０ 真空容器 １１ 蒸着材料 １２ 蒸発るつぼ １３ 電子銃 １４ 高圧電源 １５ 被蒸着材料 １６ Ｘ線検出器 １７ 信号処理器
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に電子銃と蒸発るつぼとを設
け蒸発るつぼ内の材料に照射される電子ビームの異常を
検知する電子ビーム異常照射検知装置において、前記真
空容器内に設けられ前記電子ビームの照射によって発生
するＸ線を検出するＸ線検出器と、そのＸ線検出器から
得られる検出出力より電子ビームの異常照射を検知する
信号処理器とを備えたことを特徴とする電子ビーム異常
照射検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23471692A JPH0681135A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子ビーム異常照射検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23471692A JPH0681135A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子ビーム異常照射検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681135A true JPH0681135A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16975261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23471692A Pending JPH0681135A (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子ビーム異常照射検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009545721A (ja) * | 2006-08-03 | 2009-12-24 | チタニウム メタルズ コーポレイション | オーバーヒート検知システム |
| WO2011102320A1 (ja) * | 2010-02-17 | 2011-08-25 | 株式会社アルバック | 電子線照射装置及び電子線照射方法 |
| WO2012118129A1 (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23471692A patent/JPH0681135A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009545721A (ja) * | 2006-08-03 | 2009-12-24 | チタニウム メタルズ コーポレイション | オーバーヒート検知システム |
| WO2011102320A1 (ja) * | 2010-02-17 | 2011-08-25 | 株式会社アルバック | 電子線照射装置及び電子線照射方法 |
| JPWO2011102320A1 (ja) * | 2010-02-17 | 2013-06-17 | 株式会社アルバック | 電子線照射装置及び電子線照射方法 |
| WO2012118129A1 (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| CN103392027A (zh) * | 2011-03-01 | 2013-11-13 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置及真空处理方法 |
| JPWO2012118129A1 (ja) * | 2011-03-01 | 2014-07-07 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及び真空処理方法 |
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