JPH05119199A - レーザプラズマｘ線源用ターゲツト - Google Patents
レーザプラズマｘ線源用ターゲツトInfo
- Publication number
- JPH05119199A JPH05119199A JP3284698A JP28469891A JPH05119199A JP H05119199 A JPH05119199 A JP H05119199A JP 3284698 A JP3284698 A JP 3284698A JP 28469891 A JP28469891 A JP 28469891A JP H05119199 A JPH05119199 A JP H05119199A
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- Japan
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- laser light
- plasma
- ray
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- Plasma Technology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザプラズマＸ線源において、レーザ光の
照射によって生成されたプラズマから放出されるイオン
およびデブリの量を抑える。また、ターゲットの交換作
業の簡易化をはかる。 【構成】 高融点材１に、集光されるレーザ光のスポッ
ト径よりも小さい穴を多数個設けた。そして、それぞれ
の穴に同一のあるいは何種類かの異なるターゲット材２
を埋め込んだ。
照射によって生成されたプラズマから放出されるイオン
およびデブリの量を抑える。また、ターゲットの交換作
業の簡易化をはかる。 【構成】 高融点材１に、集光されるレーザ光のスポッ
ト径よりも小さい穴を多数個設けた。そして、それぞれ
の穴に同一のあるいは何種類かの異なるターゲット材２
を埋め込んだ。
Description
【０００１】
【産業上の理に利用分野】本発明は、レーザプラズマＸ
線源に用いるターゲットに関する。
線源に用いるターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】机上型の高輝度Ｘ線源として、高エネル
ギーのパルスレーザ光（以下、レーザ光と略す）をター
ゲット上に集光してプラズマを生成し、Ｘ線を発生させ
るレーザプラズマＸ線源が注目されている。このレーザ
プラズマＸ線源は、真空容器内に設置されたターゲット
に対し、該容器に設けられたレーザ光導入用窓を通して
容器外からレーザ光を照射する構成となっている。
ギーのパルスレーザ光（以下、レーザ光と略す）をター
ゲット上に集光してプラズマを生成し、Ｘ線を発生させ
るレーザプラズマＸ線源が注目されている。このレーザ
プラズマＸ線源は、真空容器内に設置されたターゲット
に対し、該容器に設けられたレーザ光導入用窓を通して
容器外からレーザ光を照射する構成となっている。
【０００３】ところで、レーザプラズマＸ線源から発生
するＸ線の波長は、ターゲットの材料と該ターゲットに
照射されるレーザ光の強度とに依存する。一般には、レ
ーザ光の強度が大きい程、得られるＸ線の波長が短くな
ることが知られている。従って、ターゲットの材料を変
えずに波長の短いＸ線を得るためには、レーザ光源の出
力を大きくするか、または集光されたレーザ光のスポッ
ト径（以下、レーザ集光径という）を小さくして、レー
ザ光の強度を大きくする方法がとられていた。
するＸ線の波長は、ターゲットの材料と該ターゲットに
照射されるレーザ光の強度とに依存する。一般には、レ
ーザ光の強度が大きい程、得られるＸ線の波長が短くな
ることが知られている。従って、ターゲットの材料を変
えずに波長の短いＸ線を得るためには、レーザ光源の出
力を大きくするか、または集光されたレーザ光のスポッ
ト径（以下、レーザ集光径という）を小さくして、レー
ザ光の強度を大きくする方法がとられていた。
【０００４】前記集光径を小さくするには、短焦点の非
球面レンズ等を用いると効果があるが、この場合コスト
がかかるという問題があった。そのため、従来のレーザ
プラズマＸ線源は、コストを抑えるために、球面レンズ
を用いて比較的長焦点（〜30cm）でレーザ光を集光させ
ていた。ここで焦点が長くなるのは、真空容器中に設置
されたターゲットに対し、レーザ光の集光レンズが、プ
ラズマから放出されるイオンやデブリ（飛散粒子）等で
汚れるのを防ぐため、真空容器の外に配置されるからで
ある。そしてこの場合、集光径は最小でも100 μｍ程度
となる。その結果、生成されるプラズマの大きさも同程
度になり、現在100 μｍ程度の高輝度Ｘ線源が実現され
ている。
球面レンズ等を用いると効果があるが、この場合コスト
がかかるという問題があった。そのため、従来のレーザ
プラズマＸ線源は、コストを抑えるために、球面レンズ
を用いて比較的長焦点（〜30cm）でレーザ光を集光させ
ていた。ここで焦点が長くなるのは、真空容器中に設置
されたターゲットに対し、レーザ光の集光レンズが、プ
ラズマから放出されるイオンやデブリ（飛散粒子）等で
汚れるのを防ぐため、真空容器の外に配置されるからで
ある。そしてこの場合、集光径は最小でも100 μｍ程度
となる。その結果、生成されるプラズマの大きさも同程
度になり、現在100 μｍ程度の高輝度Ｘ線源が実現され
ている。
【０００５】また、ターゲットの材料に関しても研究が
進められており、現在は波長１nm程度以上、例えば軟Ｘ
線領域（２〜５nm）のＸ線は容易に得ることができる。
ターゲットの形状は、平板、円柱およびテープ状等、各
種開発されている。例えば、平板状ターゲットの場合
は、前記真空容器中に設けたＸＹステージ上にターゲッ
トを設置し、真空容器外から電気モータ等を操作するこ
とでＸＹステージを移動させ、ターゲット面上でのレー
ザ光の照射位置を変えている。
進められており、現在は波長１nm程度以上、例えば軟Ｘ
線領域（２〜５nm）のＸ線は容易に得ることができる。
ターゲットの形状は、平板、円柱およびテープ状等、各
種開発されている。例えば、平板状ターゲットの場合
は、前記真空容器中に設けたＸＹステージ上にターゲッ
トを設置し、真空容器外から電気モータ等を操作するこ
とでＸＹステージを移動させ、ターゲット面上でのレー
ザ光の照射位置を変えている。
【０００６】円柱状ターゲットの場合は、このターゲッ
トを回転させながら軸方向に移動させてレーザ光を照射
して照射位置を変えている。カセットテープ型のターゲ
ットの場合は、テープを回し続けながらレーザ光を照射
している。
トを回転させながら軸方向に移動させてレーザ光を照射
して照射位置を変えている。カセットテープ型のターゲ
ットの場合は、テープを回し続けながらレーザ光を照射
している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のようにレーザプ
ラズマＸ線源は、真空容器内に設置されたターゲットに
対して該容器の外部からレーザ光を照射するため、前記
真空容器にはレーザ光導入用窓が設けられていた。とこ
ろが、ターゲットのプラズマからは、Ｘ線の他にイオン
やデブリが放出されるので、それらが前記レーザ光導入
用窓を汚すという問題が生じていた。汚れた導入用窓を
通過したレーザ光は、そのエネルギーが低下するため、
ターゲット上では所定のレーザ光の強度が得られなくな
っていた。その結果、レーザプラズマＸ線源からは所望
の出力（または波長）のＸ線が得られなくなり、Ｘ線源
としての性能が劣化していた。
ラズマＸ線源は、真空容器内に設置されたターゲットに
対して該容器の外部からレーザ光を照射するため、前記
真空容器にはレーザ光導入用窓が設けられていた。とこ
ろが、ターゲットのプラズマからは、Ｘ線の他にイオン
やデブリが放出されるので、それらが前記レーザ光導入
用窓を汚すという問題が生じていた。汚れた導入用窓を
通過したレーザ光は、そのエネルギーが低下するため、
ターゲット上では所定のレーザ光の強度が得られなくな
っていた。その結果、レーザプラズマＸ線源からは所望
の出力（または波長）のＸ線が得られなくなり、Ｘ線源
としての性能が劣化していた。
【０００８】また、レーザプラズマＸ線源をＸ線顕微鏡
やＸ線リソグラフィー等に用いた際、前記イオンやデブ
リはこれらＸ線顕微鏡やＸ線リソグラフィー等で使用さ
れる光学素子を汚すため、利用できるＸ線の量が低下す
るという問題も生じていた。さらに、レーザプラズマＸ
線源は、ターゲットの材料を取り替えることによって発
生するＸ線の波長を変えることができるが、この場合タ
ーゲットを設置している真空容器を開閉して容器内の排
気を行なう必要が生じ、作業が煩雑であった。あらかじ
め、真空容器内に交換用のターゲットを用意しておくこ
とも考えられるが、真空容器内でターゲットを交換する
作業は容易ではなかった。
やＸ線リソグラフィー等に用いた際、前記イオンやデブ
リはこれらＸ線顕微鏡やＸ線リソグラフィー等で使用さ
れる光学素子を汚すため、利用できるＸ線の量が低下す
るという問題も生じていた。さらに、レーザプラズマＸ
線源は、ターゲットの材料を取り替えることによって発
生するＸ線の波長を変えることができるが、この場合タ
ーゲットを設置している真空容器を開閉して容器内の排
気を行なう必要が生じ、作業が煩雑であった。あらかじ
め、真空容器内に交換用のターゲットを用意しておくこ
とも考えられるが、真空容器内でターゲットを交換する
作業は容易ではなかった。
【０００９】本発明は、これらの課題を解決することを
目的とする。
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的のために本発明
は、高融点材に多数個あけたレーザ集光径より小さい穴
のそれぞれに、同一のあるいは異なる何種類かのターゲ
ット材を埋め込んでレーザプラズマＸ線源用ターゲット
とした。
は、高融点材に多数個あけたレーザ集光径より小さい穴
のそれぞれに、同一のあるいは異なる何種類かのターゲ
ット材を埋め込んでレーザプラズマＸ線源用ターゲット
とした。
【００１１】
【作用】レーザプラズマＸ線源をＸ線顕微鏡やＸ線リソ
グラフィー等に用いる場合、現状ではＸ線に対して用い
られる光学素子の開口が小さいために、プラズマの中心
近傍から発生するＸ線しか利用されていない。従って、
有害なイオンやデブリの発生を押さえるためには、プラ
ズマの中心近傍以外の場所からのイオンやデブリの放出
を防げばよい。つまり、発生するＸ線の強度を保ちつつ
プラズマの径を小さくすればよい。
グラフィー等に用いる場合、現状ではＸ線に対して用い
られる光学素子の開口が小さいために、プラズマの中心
近傍から発生するＸ線しか利用されていない。従って、
有害なイオンやデブリの発生を押さえるためには、プラ
ズマの中心近傍以外の場所からのイオンやデブリの放出
を防げばよい。つまり、発生するＸ線の強度を保ちつつ
プラズマの径を小さくすればよい。
【００１２】現状では、高エネルギーのパルスレーザ光
のスポット径を100μｍ程度以下に絞り込むのは難しい
ので、本発明ではタングステン等の高融点材に、レーザ
集光径よりも小さい穴を設け、そこに所望のＸ線を発生
させるターゲット材を埋め込んだ。そして、この穴の中
心にレーザ光を集光してターゲット材から小さなプラズ
マを生成し、このプラズマからＸ線を発生させる。これ
により、Ｘ線発生部の面積を小さくすることができる。
のスポット径を100μｍ程度以下に絞り込むのは難しい
ので、本発明ではタングステン等の高融点材に、レーザ
集光径よりも小さい穴を設け、そこに所望のＸ線を発生
させるターゲット材を埋め込んだ。そして、この穴の中
心にレーザ光を集光してターゲット材から小さなプラズ
マを生成し、このプラズマからＸ線を発生させる。これ
により、Ｘ線発生部の面積を小さくすることができる。
【００１３】また、レーザ光の強度の高い部分をターゲ
ットに照射するようにしたので、高融点材にはレーザ光
の周辺部（従って、強度が低い）しか照射されない。そ
して、高融点材自体はデブリを生じ難いという性質を有
しているので、レーザ光が照射されてプラズマが生成さ
れてもイオンやデブリの放出量は少ない。その結果、有
害なイオンやデブリの発生を抑えることができる。
ットに照射するようにしたので、高融点材にはレーザ光
の周辺部（従って、強度が低い）しか照射されない。そ
して、高融点材自体はデブリを生じ難いという性質を有
しているので、レーザ光が照射されてプラズマが生成さ
れてもイオンやデブリの放出量は少ない。その結果、有
害なイオンやデブリの発生を抑えることができる。
【００１４】このように、高融点材に設けるターゲット
埋め込み用の穴の径と深さを変えることで、ターゲット
から生成されるプラズマの大きさを任意に調節すること
ができる。また、高融点材に多数の穴を設けて、同一波
長のＸ線を繰り返し使用する場合は同一のターゲット材
を、何種類かの異なる波長のＸ線が必要な時にはそれら
の波長に対応する材料からなるターゲット材をそれぞれ
穴に埋め込めば、ターゲットの交換作業を省略すること
ができる。
埋め込み用の穴の径と深さを変えることで、ターゲット
から生成されるプラズマの大きさを任意に調節すること
ができる。また、高融点材に多数の穴を設けて、同一波
長のＸ線を繰り返し使用する場合は同一のターゲット材
を、何種類かの異なる波長のＸ線が必要な時にはそれら
の波長に対応する材料からなるターゲット材をそれぞれ
穴に埋め込めば、ターゲットの交換作業を省略すること
ができる。
【００１５】なお、高融点材としては、前記タングステ
ンの他に、例えばオスミウム、タンタル、モリブデン等
を用いることができる。
ンの他に、例えばオスミウム、タンタル、モリブデン等
を用いることができる。
【００１６】
【実施例】図１に、本発明の一実施例のレーザプラズマ
Ｘ線源用ターゲットを示す。図１（ａ）は該ターゲット
の概略図、図１（ｂ）は概略断面図である。ここでは、
平板状の高融点材１に複数個の穴を設け、該穴にターゲ
ット材２を埋め込んでいる。
Ｘ線源用ターゲットを示す。図１（ａ）は該ターゲット
の概略図、図１（ｂ）は概略断面図である。ここでは、
平板状の高融点材１に複数個の穴を設け、該穴にターゲ
ット材２を埋め込んでいる。
【００１７】図３は、このターゲットにレーザ光を照射
してＸ線を発生させる過程を示す図である。図３（ａ）
に示すような強度分布３を有するレーザ光４を、ターゲ
ット材２が埋め込まれた穴の一つに照射すると、図３
（ｂ）に示すようなターゲット材２のプラズマ５が生成
される。この時、レーザ光４の周辺部は高融点材１に照
射される。しかし、周辺部のレーザ光の強度は弱く、ま
た高融点であるためこの高融点材１から生成されるプラ
ズマ６は少量である。
してＸ線を発生させる過程を示す図である。図３（ａ）
に示すような強度分布３を有するレーザ光４を、ターゲ
ット材２が埋め込まれた穴の一つに照射すると、図３
（ｂ）に示すようなターゲット材２のプラズマ５が生成
される。この時、レーザ光４の周辺部は高融点材１に照
射される。しかし、周辺部のレーザ光の強度は弱く、ま
た高融点であるためこの高融点材１から生成されるプラ
ズマ６は少量である。
【００１８】本発明のターゲットにおいて、発生するＸ
線のＸ線強度７ａとイオンおよびデブリの放出量８ａの
角度依存性を、図３（ｃ）に矢印とその先端の包絡線で
示す。図において、実線はプラズマの中心近傍から発生
した実際に利用されるＸ線の強度分布であり、破線はＸ
線源全体から放出されるイオンおよびデブリの分布を示
している。
線のＸ線強度７ａとイオンおよびデブリの放出量８ａの
角度依存性を、図３（ｃ）に矢印とその先端の包絡線で
示す。図において、実線はプラズマの中心近傍から発生
した実際に利用されるＸ線の強度分布であり、破線はＸ
線源全体から放出されるイオンおよびデブリの分布を示
している。
【００１９】比較のために、図４に従来のターゲット９
におけるＸ線の発生過程を示す。図４（ａ）ないし図４
（ｃ）は、それぞれ図３（ａ）ないし図３（ｃ）に対応
するものである。図４（ｂ）に示すように、ターゲット
９はターゲット材自体で構成されているため、レーザ光
の周辺部からもプラズマ５が生成されている。そのた
め、本発明に比べてプラズマが大きくなり、その分イオ
ンやデブリの放出量が多くなる。図４（ｃ）に示すよう
に、Ｘ線強度７ｂは本発明と変わらないが、イオンおよ
びデブリの放出量８ｂは図３（ｃ）で示した本発明の時
よりも多くなっている。例えば、図３（ｃ）と図４
（ｃ）においてターゲット面から45°の方向で本発明と
従来例とを比較してみると、Ｘ線強度１０は等しいが、
イオンやデブリの放出量１１は本発明（１１ａで示す）
の方が圧倒的に少ない。
におけるＸ線の発生過程を示す。図４（ａ）ないし図４
（ｃ）は、それぞれ図３（ａ）ないし図３（ｃ）に対応
するものである。図４（ｂ）に示すように、ターゲット
９はターゲット材自体で構成されているため、レーザ光
の周辺部からもプラズマ５が生成されている。そのた
め、本発明に比べてプラズマが大きくなり、その分イオ
ンやデブリの放出量が多くなる。図４（ｃ）に示すよう
に、Ｘ線強度７ｂは本発明と変わらないが、イオンおよ
びデブリの放出量８ｂは図３（ｃ）で示した本発明の時
よりも多くなっている。例えば、図３（ｃ）と図４
（ｃ）においてターゲット面から45°の方向で本発明と
従来例とを比較してみると、Ｘ線強度１０は等しいが、
イオンやデブリの放出量１１は本発明（１１ａで示す）
の方が圧倒的に少ない。
【００２０】図２に、本発明の他の実施例のレーザプラ
ズマＸ線源用ターゲットを示す。図２（ａ）は該ターゲ
ットの概略図、図２（ｂ）は概略断面図である。ここで
は、円柱状の高融点材２１に複数個の穴を設け、該穴に
ターゲット材２２を埋め込んだ構成とした。図５は、本
発明のターゲットを用いたレーザプラズマＸ線源の一例
を示す概略構成図である。
ズマＸ線源用ターゲットを示す。図２（ａ）は該ターゲ
ットの概略図、図２（ｂ）は概略断面図である。ここで
は、円柱状の高融点材２１に複数個の穴を設け、該穴に
ターゲット材２２を埋め込んだ構成とした。図５は、本
発明のターゲットを用いたレーザプラズマＸ線源の一例
を示す概略構成図である。
【００２１】レーザ管１２から出射したレーザ光（パル
スレーザ光）１３を、集光レンズ１４で集光してレーザ
光導入用窓１５から真空容器１６内に導入し、ターゲッ
ト材２上にスポットを結ばせる。このターゲット材２
は、ＸＹＺステージ１７上に設置された光融点材１に埋
め込まれている。ＸＹＺステージ１７は、容器１６の外
部から図示していない手段により操作することでＸＹＺ
方向に移動可能になっている。そして、ＸＹＺステージ
１７を移動させて、高融点材１に埋め込まれた多数のタ
ーゲット材の中の所定のターゲット材にレーザ光１３が
照射されるようにする。
スレーザ光）１３を、集光レンズ１４で集光してレーザ
光導入用窓１５から真空容器１６内に導入し、ターゲッ
ト材２上にスポットを結ばせる。このターゲット材２
は、ＸＹＺステージ１７上に設置された光融点材１に埋
め込まれている。ＸＹＺステージ１７は、容器１６の外
部から図示していない手段により操作することでＸＹＺ
方向に移動可能になっている。そして、ＸＹＺステージ
１７を移動させて、高融点材１に埋め込まれた多数のタ
ーゲット材の中の所定のターゲット材にレーザ光１３が
照射されるようにする。
【００２２】レーザ光１３が照射されたターゲット材２
からはプラズマ５が生成し、このプラズマ５からＸ線１
８が発生する。このＸ線１８は、鏡筒１９によって取り
出されてＸ線顕微鏡やＸ線リソグラフィー（ともに図示
せず）に使用される。ところで、図においてはレーザ光
１３の集光用として１枚の集光レンズ１４を用いている
が、諸収差の補正のためには組合せレンズを用いた方が
好ましい。また、集光用のレンズは真空容器内に設置し
ても構わない。
からはプラズマ５が生成し、このプラズマ５からＸ線１
８が発生する。このＸ線１８は、鏡筒１９によって取り
出されてＸ線顕微鏡やＸ線リソグラフィー（ともに図示
せず）に使用される。ところで、図においてはレーザ光
１３の集光用として１枚の集光レンズ１４を用いている
が、諸収差の補正のためには組合せレンズを用いた方が
好ましい。また、集光用のレンズは真空容器内に設置し
ても構わない。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、高融点材にターゲット
埋め込み用の穴を設けてターゲット材を埋め込むため、
この穴の径と深さを変えることで、ターゲットから生成
されるプラズマの大きさを任意に調節することができ
る。そのため、Ｘ線源自身や発生したＸ線を利用する光
学素子にとって有害となるイオンやデブリの発生を押さ
えることができる。
埋め込み用の穴を設けてターゲット材を埋め込むため、
この穴の径と深さを変えることで、ターゲットから生成
されるプラズマの大きさを任意に調節することができ
る。そのため、Ｘ線源自身や発生したＸ線を利用する光
学素子にとって有害となるイオンやデブリの発生を押さ
えることができる。
【図１】は、本発明の一実施例を示す図である。
【図２】は、本発明の他の実施例を示す図である。
【図３】は、本発明のターゲットにレーザ光を照射して
Ｘ線を発生させる過程を示す図である。
Ｘ線を発生させる過程を示す図である。
【図４】は、従来のターゲットにレーザ光を照射してＸ
線を発生させる過程を示す図である。
線を発生させる過程を示す図である。
【図５】は、本発明のターゲットを用いたレーザプラズ
マＸ線源の一例を示す概略構成図である。
マＸ線源の一例を示す概略構成図である。
１ 高融点材 ２ ターゲット材 ３ レーザ光の強度分布 ４ レーザ光 ５ ターゲット材から生成したプラズマ ６ 高融点材から生成したプラズマ ７ Ｘ線の強度分布 ８ イオンおよびデブリの放出量分布 ９ 従来のターゲット １０ ターゲット面から45°方向でのＸ線強度 １１ ターゲット面から45°方向でのイオンおよびデブ
リの放出量 １２ レーザ管 １３ レーザ光 １４ 集光用レンズ １５ レーザ光導入用窓 １６ 真空容器 １７ ＸＹＺステージ １８ Ｘ線 １９ 鏡筒 ２１ 高融点材 ２２ ターゲット材
リの放出量 １２ レーザ管 １３ レーザ光 １４ 集光用レンズ １５ レーザ光導入用窓 １６ 真空容器 １７ ＸＹＺステージ １８ Ｘ線 １９ 鏡筒 ２１ 高融点材 ２２ ターゲット材
Claims (1)
- 【請求項１】 高融点材に多数個あけたレーザ集光径よ
り小さい穴のそれぞれに、同一のあるいは異なる何種類
かのターゲット材が埋め込まれていることを特徴とする
レーザプラズマＸ線源用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284698A JPH05119199A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | レーザプラズマｘ線源用ターゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3284698A JPH05119199A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | レーザプラズマｘ線源用ターゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119199A true JPH05119199A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17681821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3284698A Pending JPH05119199A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | レーザプラズマｘ線源用ターゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119199A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08213193A (ja) * | 1995-02-01 | 1996-08-20 | Nikon Corp | レーザープラズマｘ線源 |
| JPH08321396A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-03 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
| WO2000060909A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-12 | Japan As Represented By Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Source de lumiere laser plasma et procede de production de rayonnement l'utilisant |
| WO2001049085A1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
| JP2016531316A (ja) * | 2013-07-22 | 2016-10-06 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 極紫外光の発生のためのシステムおよび方法 |
| CN108844567A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-11-20 | 大连民族大学 | 一种全钨面向等离子体样品台 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3284698A patent/JPH05119199A/ja active Pending
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