JPH0373093B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0373093B2 JPH0373093B2 JP60257283A JP25728385A JPH0373093B2 JP H0373093 B2 JPH0373093 B2 JP H0373093B2 JP 60257283 A JP60257283 A JP 60257283A JP 25728385 A JP25728385 A JP 25728385A JP H0373093 B2 JPH0373093 B2 JP H0373093B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- diameter
- ray
- thin wire
- rays
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
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- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高輝度X線の発生源として高温高
密度プラズマを生成する高輝度X線発生用標的に
関するものである。
密度プラズマを生成する高輝度X線発生用標的に
関するものである。
高集積回路の微細パターンを形成するリソグラ
フイ技術において、1μm以下のパターン寸法を
得る手段として、回折等によつて決まる解像力を
向上させるために波長の短いX線を用いるX線リ
ソグラフイ技術が有望である。
フイ技術において、1μm以下のパターン寸法を
得る手段として、回折等によつて決まる解像力を
向上させるために波長の短いX線を用いるX線リ
ソグラフイ技術が有望である。
また新しい高度な機能を有する物質を創製する
際に欠かせない物質の構造解析の分野において
は、ある特定の原子のX線の吸収スペクトルの微
細構造を解析することによつて、その周囲の構造
に関する知見を得ることができるEXAFS
(ExtendedX−ray Absorption Fine
Structure:X線吸収端微細構造)という有力な
手段がある。
際に欠かせない物質の構造解析の分野において
は、ある特定の原子のX線の吸収スペクトルの微
細構造を解析することによつて、その周囲の構造
に関する知見を得ることができるEXAFS
(ExtendedX−ray Absorption Fine
Structure:X線吸収端微細構造)という有力な
手段がある。
この他、X線顕微鏡等、多くの分野で高輝度X
線が必要になつている。
線が必要になつている。
上述のX線利用分野で必要になつている高輝度
X線を供給するものとして、軌道放射光施設等各
種X線源の開発が行われている。それらの中で、
固体標的に高パワーレーザパルス等を照射して高
温高密度プラズマを生成し、それをX線源とする
技術がその高輝度性、コンパクト性、安価性の点
で、注目を浴びている。
X線を供給するものとして、軌道放射光施設等各
種X線源の開発が行われている。それらの中で、
固体標的に高パワーレーザパルス等を照射して高
温高密度プラズマを生成し、それをX線源とする
技術がその高輝度性、コンパクト性、安価性の点
で、注目を浴びている。
X線を発生する領域が大きい場合には、X線を
分光して用いる時のスペクトル分解能が低下した
り、X線リソグラフイ技術においては半影が生じ
て微細パターンの描画を妨げる等の不都合が生じ
る。このためX線源は十分小さい空間的広がりで
ある必要がある。
分光して用いる時のスペクトル分解能が低下した
り、X線リソグラフイ技術においては半影が生じ
て微細パターンの描画を妨げる等の不都合が生じ
る。このためX線源は十分小さい空間的広がりで
ある必要がある。
また広い固定標的上にレーザ等を小さく絞つて
照射して高温高密度プラズマを生成する時、固定
の照射された部分がプラズマ化して飛散し、その
跡の固体表面上にくぼみが形成される。深いくぼ
みの中でプラズマが生成されると、プラズマから
放射されるX線のうち、多くの割合がプラズマの
周囲の固体に吸収され、X線の利用効率が低減す
る。またX線の輻射角度分布に大きな異方性が生
じる。これらの不都合を避けるために、標的上に
くぼみが形成されることを避けることが必要であ
る。
照射して高温高密度プラズマを生成する時、固定
の照射された部分がプラズマ化して飛散し、その
跡の固体表面上にくぼみが形成される。深いくぼ
みの中でプラズマが生成されると、プラズマから
放射されるX線のうち、多くの割合がプラズマの
周囲の固体に吸収され、X線の利用効率が低減す
る。またX線の輻射角度分布に大きな異方性が生
じる。これらの不都合を避けるために、標的上に
くぼみが形成されることを避けることが必要であ
る。
高温高密度プラズマを高輝度X線源として用い
る際に問題になる上述のX線源の大きさの問題、
標的上のくぼみの問題に対して、従来、以下で述
べる対応がされてきた。
る際に問題になる上述のX線源の大きさの問題、
標的上のくぼみの問題に対して、従来、以下で述
べる対応がされてきた。
例えば、レーザ照射により小さな空間的広がり
のX線源を生成する場合には、レーザ装置の高度
な空間制御を行い、平行度の高いレーザビームを
実現し非球面レンズでそれを微小径に集光してい
る。この方法によつて100μm程度あるいはそれ
より小さい径のX線源が実現されている。
のX線源を生成する場合には、レーザ装置の高度
な空間制御を行い、平行度の高いレーザビームを
実現し非球面レンズでそれを微小径に集光してい
る。この方法によつて100μm程度あるいはそれ
より小さい径のX線源が実現されている。
また標的上に形成されるくぼみの問題に対して
は、円筒状固体標的を回転させることによつて、
あるいは平面状標的を平行移動すること等によつ
て、常に新しい表面を用いて照射する方法が行わ
れている。
は、円筒状固体標的を回転させることによつて、
あるいは平面状標的を平行移動すること等によつ
て、常に新しい表面を用いて照射する方法が行わ
れている。
高温高密度プラズマを、例えば、レーザビーム
照射によつて生成する時、その空間的広がりの限
界はレーザビームの平行度でほぼ決定される。し
かし、高度な平行度を実用に供せるレーザ装置で
実現するのは困難で、極めて小さな集光径を実現
するのは困難であるという問題点があつた。
照射によつて生成する時、その空間的広がりの限
界はレーザビームの平行度でほぼ決定される。し
かし、高度な平行度を実用に供せるレーザ装置で
実現するのは困難で、極めて小さな集光径を実現
するのは困難であるという問題点があつた。
また標的上のくぼみの問題については、直前の
照射により形成されたくぼみの影響は、従来技術
によつて避けることができる。しかし、高温高密
度プラズマ生成中にくぼみが形成され、時間とと
もにくぼみは深くなつていく。くぼみの深くなる
速度は極めて大きく、このプラズマ生成中のくぼ
みの影響は従来技術では解決困難であるという問
題点があつた。
照射により形成されたくぼみの影響は、従来技術
によつて避けることができる。しかし、高温高密
度プラズマ生成中にくぼみが形成され、時間とと
もにくぼみは深くなつていく。くぼみの深くなる
速度は極めて大きく、このプラズマ生成中のくぼ
みの影響は従来技術では解決困難であるという問
題点があつた。
この発明は、上記問題点を解決するためになさ
れたもので、従来技術では実現が困難な程度の小
さな径のX線源を実現すること、および高輝度X
線発生用標的上に形成されるくぼみの問題を解決
することを目的とする。
れたもので、従来技術では実現が困難な程度の小
さな径のX線源を実現すること、および高輝度X
線発生用標的上に形成されるくぼみの問題を解決
することを目的とする。
この発明にかかる高輝度X線発生用標的は高パ
ワービームの集光径以下の線径を有する細線を町
いたものである。
ワービームの集光径以下の線径を有する細線を町
いたものである。
小さな径の細線に、それと同程度あるいはそれ
より大きな集光径でレーザ光等の高パワービーム
を照射することにより高温高密度プラズマが生成
され、高輝度X線源が実現でき、X線源の径はほ
ぼ細線の径で決定されるため、集光性が良くない
ビームによつても、十分に小さな径のX線源が得
られる。また高パワービームの集光径と同程度以
下の径に細線の先端部分のすべてがプラズマ化す
るため、広い固体標的を用いる時のようなくぼみ
は生じない。そのためくぼみによるX線利用効率
の低減、X線輻射角度分布の大きな異方性等の問
題は生じない。
より大きな集光径でレーザ光等の高パワービーム
を照射することにより高温高密度プラズマが生成
され、高輝度X線源が実現でき、X線源の径はほ
ぼ細線の径で決定されるため、集光性が良くない
ビームによつても、十分に小さな径のX線源が得
られる。また高パワービームの集光径と同程度以
下の径に細線の先端部分のすべてがプラズマ化す
るため、広い固体標的を用いる時のようなくぼみ
は生じない。そのためくぼみによるX線利用効率
の低減、X線輻射角度分布の大きな異方性等の問
題は生じない。
図面はこの発明の一実施例を示す概略構成図
で、1はパルス状の高パワーレーザビームであ
り、それを集光レンズ2で細線標的3に細線径と
同程度あるいはそれより大きな集光径に集光す
る。それによつて、ほぼ細線標的3と同等の径の
大きさをもつ高温高密度プラズマ4が生成され、
高輝度X線5が放射される。なお、Lは前記高パ
ワーレーザビーム1の照射する照射軸方向を示
す。
で、1はパルス状の高パワーレーザビームであ
り、それを集光レンズ2で細線標的3に細線径と
同程度あるいはそれより大きな集光径に集光す
る。それによつて、ほぼ細線標的3と同等の径の
大きさをもつ高温高密度プラズマ4が生成され、
高輝度X線5が放射される。なお、Lは前記高パ
ワーレーザビーム1の照射する照射軸方向を示
す。
上記実施例では、高パワーレーザビーム1を細
線標的3の照射軸方向Lから照射を行つている
が、照射軸方向Lに対して任意の角度から照射す
ることも可能である。
線標的3の照射軸方向Lから照射を行つている
が、照射軸方向Lに対して任意の角度から照射す
ることも可能である。
また高パワーレーザビーム1と光学的な集光レ
ンズ2の組み合わせ以外に、電子ビーム、イオン
ビーム等種々の高パワービームを用いることも可
能である。
ンズ2の組み合わせ以外に、電子ビーム、イオン
ビーム等種々の高パワービームを用いることも可
能である。
なお、高パワーレーザビーム1を数回照射する
ことにより細線標的3が短くなり、そのままの状
態で次の照射を行うと、X線源の空間的位置が実
用上支障が出る程度に移動する場合も出てくる。
しかしこれは、細線標的3の先端位置を監視し、
細線標的3の先端が常に一定の位置にくるように
する装置を具備することによつて解決することが
可能である。また細線標的3としては、細線に加
工可能なあらゆる材料を使用することができる。
ことにより細線標的3が短くなり、そのままの状
態で次の照射を行うと、X線源の空間的位置が実
用上支障が出る程度に移動する場合も出てくる。
しかしこれは、細線標的3の先端位置を監視し、
細線標的3の先端が常に一定の位置にくるように
する装置を具備することによつて解決することが
可能である。また細線標的3としては、細線に加
工可能なあらゆる材料を使用することができる。
以上説明したように、この発明は、高輝度X線
発生用標的として高パワービームの集光径以下の
線径を有する細線標的を用いるため、集光性の良
くないビームを使用しても、空間的広がりの小さ
いX線源を実現することが可能となる。また広い
面積の標的の場合とは異なり、X線源のプラズマ
の周囲に不用な物質が存在しないため、広い標的
の場合のような問題が発生しない等の利点を有す
る。
発生用標的として高パワービームの集光径以下の
線径を有する細線標的を用いるため、集光性の良
くないビームを使用しても、空間的広がりの小さ
いX線源を実現することが可能となる。また広い
面積の標的の場合とは異なり、X線源のプラズマ
の周囲に不用な物質が存在しないため、広い標的
の場合のような問題が発生しない等の利点を有す
る。
図面はこの発明の一実施例を示す概略構成図で
ある。 図中、1は高パワーレーザビーム、2は集光レ
ンズ、3は細線標的、4は高温高密度プラズマ、
5は高輝度X線、Lは照射軸方向である。
ある。 図中、1は高パワーレーザビーム、2は集光レ
ンズ、3は細線標的、4は高温高密度プラズマ、
5は高輝度X線、Lは照射軸方向である。
Claims (1)
- 1 高パワービームを集光して固体標的に照射し
て高温高密度プラズマを生成し、そこから放射さ
れるX線を利用するものにおいて、前記固体標的
として前記高パワービームの集光径以下の線径を
有する細線を用いたことを特徴とする高輝度X線
発生用標的。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60257283A JPS62117246A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 高輝度x線発生用標的 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60257283A JPS62117246A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 高輝度x線発生用標的 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62117246A JPS62117246A (ja) | 1987-05-28 |
JPH0373093B2 true JPH0373093B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=17304222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60257283A Granted JPS62117246A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 高輝度x線発生用標的 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62117246A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04275894A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 産業ロボットの旋回装置 |
WO2000019496A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Hitachi, Ltd. | Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs |
JP4005551B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2007-11-07 | 日本電信電話株式会社 | X線及び高エネルギー粒子発生装置とその発生方法 |
WO2006075535A1 (ja) | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマeuv光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びeuv露光装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60257283A patent/JPS62117246A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62117246A (ja) | 1987-05-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |