JPS6068539A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JPS6068539A JPS6068539A JP58175518A JP17551883A JPS6068539A JP S6068539 A JPS6068539 A JP S6068539A JP 58175518 A JP58175518 A JP 58175518A JP 17551883 A JP17551883 A JP 17551883A JP S6068539 A JPS6068539 A JP S6068539A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnets
- magnetic field
- deflection
- electron
- vertical
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/153—Spot position control
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、シンクロトロン放射光を用いたＸ程すング
ラフィのようなＸ線の工業的利用に用いられるＸ線発生
装置に関するものである。
ラフィのようなＸ線の工業的利用に用いられるＸ線発生
装置に関するものである。
以下、Ｘ線リングラフィ技術を例にとって説明する。
従来、微細構造を有するＬＳＩ素子の作成において、レ
ジスト膜へのパターン転写にはフォトリングラフィの技
術が用いられてきた。
ジスト膜へのパターン転写にはフォトリングラフィの技
術が用いられてきた。
しかし、光の回折現象のため、転写し得るパターン幅は
光の波長と同程度の約１μｍが限界である。
光の波長と同程度の約１μｍが限界である。
さらに微細化を進めるためにサブミクロンでのパターン
の大量転写に用いられ得るリングラフィ技術が必要とさ
れており、そのひとつに回折効果の少ないＸ線リングラ
フィ技術がある。
の大量転写に用いられ得るリングラフィ技術が必要とさ
れており、そのひとつに回折効果の少ないＸ線リングラ
フィ技術がある。
ここではＸ線源としては、従来固体ターゲットに電子線
を照射して得られる特性Ｘ線が用いられてきたが、その
波長はＩＯＡ以下であるので、次のような問題゛がある
。すなわちこの波長域のＸ線では全ての物質で透過率が
高いので、レジストへの吸収効率が低く露光時間が長く
なるとともに。
を照射して得られる特性Ｘ線が用いられてきたが、その
波長はＩＯＡ以下であるので、次のような問題゛がある
。すなわちこの波長域のＸ線では全ての物質で透過率が
高いので、レジストへの吸収効率が低く露光時間が長く
なるとともに。
十分なマスク・コントラストを得るためには吸収体膜が
厚くなり過ぎる。また、波長が短いため、レジスト膜や
基板中で発生する光電子のエネルギーが高く、二次光電
子が拡散して解像度が低くなる。さらに、半影ぼけや幾
何学的な歪みの効果を避けるためには、Ｘ線源とウニ／
％間の距離を十分離す必要があるが、この種のＸ線源は
発散源であるため、ウニへ間の距離を離すとビームの利
用効率が悪くなり、実用上十分なビーム強度を得るため
には非常に強力なＸ線源が必要となって、現状では技術
的に困難である。
厚くなり過ぎる。また、波長が短いため、レジスト膜や
基板中で発生する光電子のエネルギーが高く、二次光電
子が拡散して解像度が低くなる。さらに、半影ぼけや幾
何学的な歪みの効果を避けるためには、Ｘ線源とウニ／
％間の距離を十分離す必要があるが、この種のＸ線源は
発散源であるため、ウニへ間の距離を離すとビームの利
用効率が悪くなり、実用上十分なビーム強度を得るため
には非常に強力なＸ線源が必要となって、現状では技術
的に困難である。
上記の問題点を解決する技術として、ジンクロト１−ン
放射光の軟Ｘ線が注目されている。第１図（ａ）に示す
ように、シンクロトロン放射光２は、磁場Ｈによって電
子軌道１を曲げられた時に電子ｅが放出する電磁波であ
る。その拡がりは電子ｅの進行方向に集中した円錐状に
なっている。電子Ｃは電子軌道１上を進行してゆくので
、第１図（ｂｌのような通常用いられる鉛直方向の静磁
場Ｈ８の場合には、電子軌道１上の発光点の重ね合わせ
により、横方向（軌道面内方向）に一様で縦方向（軌道
面垂直方向）Ｋ狭い拡がり角の分布になっている。その
ため、無駄に散逸するビームが無く、すべてのビームを
ウェハ面上に集中させて露光に利用することができる。
放射光の軟Ｘ線が注目されている。第１図（ａ）に示す
ように、シンクロトロン放射光２は、磁場Ｈによって電
子軌道１を曲げられた時に電子ｅが放出する電磁波であ
る。その拡がりは電子ｅの進行方向に集中した円錐状に
なっている。電子Ｃは電子軌道１上を進行してゆくので
、第１図（ｂｌのような通常用いられる鉛直方向の静磁
場Ｈ８の場合には、電子軌道１上の発光点の重ね合わせ
により、横方向（軌道面内方向）に一様で縦方向（軌道
面垂直方向）Ｋ狭い拡がり角の分布になっている。その
ため、無駄に散逸するビームが無く、すべてのビームを
ウェハ面上に集中させて露光に利用することができる。
また、シンクロトロン放射光２は、第２＠に示すような
Ｘ線からマイクロ波におよぶ連続スペクトルであるが、
電子ｅの運動エネルギーを選ぶことにより、短波長のＸ
線成分の少ない、リングラフィにふされしいＩＯＡから
１００Ａの軟Ｘ線を主成分としたビームを得ることがで
きる。
Ｘ線からマイクロ波におよぶ連続スペクトルであるが、
電子ｅの運動エネルギーを選ぶことにより、短波長のＸ
線成分の少ない、リングラフィにふされしいＩＯＡから
１００Ａの軟Ｘ線を主成分としたビームを得ることがで
きる。
なお、軌道半径几＝２ｍ、電流Ｉ ＝−１００ｍＡ。
発光点とウニ／１間の距離Ｌ＝１０ｍ、軌道面からの仰
角θ＝Ｏｒａｄの場合を第２図に示した。
角θ＝Ｏｒａｄの場合を第２図に示した。
以上のごとく、ウエノ）面上で露光に利用できるシンク
ロトロン放射光２０強度は非常に強く、短い露光時間で
パターン転写が可能である。
ロトロン放射光２０強度は非常に強く、短い露光時間で
パターン転写が可能である。
その強度を生かすためＫは、半影ぼけや幾何学的歪みの
影響が出ない範囲で、発光点とウニ／１間の距離を短く
することが望ましく、５〜１０Ｆ’１程度の距離にとど
める必要がある。
影響が出ない範囲で、発光点とウニ／１間の距離を短く
することが望ましく、５〜１０Ｆ’１程度の距離にとど
める必要がある。
第３図に示すように放射光の縦方向の拡がりには波長依
存性があり、軟Ｘ線は可視光より狭くなっている。例え
ば発光点からウニ／・までの距離を１０７７Ｌとした場
合、リングラフィに有効な軟Ｘ線成分の強度がほぼ一様
になるのは５■程度の幅である。
存性があり、軟Ｘ線は可視光より狭くなっている。例え
ば発光点からウニ／・までの距離を１０７７Ｌとした場
合、リングラフィに有効な軟Ｘ線成分の強度がほぼ一様
になるのは５■程度の幅である。
このことは、ビームが集中していて無駄なく利用できる
放射光の特徴であるが、ＬＳＩパターンを露光すること
を考えた場合、縦方向のビームの拡がりが１チツプの寸
法にも満たないという欠点にもなっている。この拡がり
角は電子ｅのエネルギーを変えてもはとんど変化せず、
軌道半径几を小さくすることでわずかに増大させること
ができるが、十分な幅には程遠い。
放射光の特徴であるが、ＬＳＩパターンを露光すること
を考えた場合、縦方向のビームの拡がりが１チツプの寸
法にも満たないという欠点にもなっている。この拡がり
角は電子ｅのエネルギーを変えてもはとんど変化せず、
軌道半径几を小さくすることでわずかに増大させること
ができるが、十分な幅には程遠い。
従って１乃至数チップを包含するエフイールドを露光す
るのに必要な１〜５ｃｍ四方程度の一様な露光領域を縦
方向においても実現するためには、何らかの方法で軟Ｘ
＆Ｌの光路を変えてやる必要がある。この光路変更のた
めに以下の第４図（ａＪ〜（ｄ）に示すいくつかの装置
が提案されている。
るのに必要な１〜５ｃｍ四方程度の一様な露光領域を縦
方向においても実現するためには、何らかの方法で軟Ｘ
＆Ｌの光路を変えてやる必要がある。この光路変更のた
めに以下の第４図（ａＪ〜（ｄ）に示すいくつかの装置
が提案されている。
を順次説明する。
（１） ウェハ４それ自体を縦方向に移動する装置（第
４図＜８１参照ン。
４図＜８１参照ン。
（２）平面鏡５を用いてシンクロトロン放射光２を反射
させ、その平面鏡５を適西な速さで振動させることで上
下方向に放射光を振る装置（第４図（ｂ）参照）。
させ、その平面鏡５を適西な速さで振動させることで上
下方向に放射光を振る装置（第４図（ｂ）参照）。
（３）凸面鏡または凹面鏡６を用いてシンクロトロン放
射光２を反射させ、広い面積に一様な強度を得る装置（
第４図（ｃ）参照）。
射光２を反射させ、広い面積に一様な強度を得る装置（
第４図（ｃ）参照）。
（４）何枚かの平面鏡または凹面鏡７を組み合わせて、
ウェハ４の左右の不快な放射光を反射させ、縦方向への
一様な拡がりを増大させ−る装置（舘４図（ｄ〕参照）
。
ウェハ４の左右の不快な放射光を反射させ、縦方向への
一様な拡がりを増大させ−る装置（舘４図（ｄ〕参照）
。
これらのうち（１）は何枚ものマスク３を次々九つ週
想される。
（２１，（３１，（４１はいずれも鏡５〜６を用いてい
るが、この場合には、第１にその鏡面の材質の反射率に
よって、有効な軟Ｘ線のスペクトル強度が異なり、露光
時間の予測が面倒になる。第２に光照射によって引き起
こされた不純物の吸着などにより、反射率が徐々に低下
するため、鏡の交換という保守作業を要し、また、露光
時にたえず軟Ｘ線強度を確認しなげればならない。さら
に、その劣化は必ずしも鏡面上一様に進むとは限らず、
露光むらが発生するおそれがある。
るが、この場合には、第１にその鏡面の材質の反射率に
よって、有効な軟Ｘ線のスペクトル強度が異なり、露光
時間の予測が面倒になる。第２に光照射によって引き起
こされた不純物の吸着などにより、反射率が徐々に低下
するため、鏡の交換という保守作業を要し、また、露光
時にたえず軟Ｘ線強度を確認しなげればならない。さら
に、その劣化は必ずしも鏡面上一様に進むとは限らず、
露光むらが発生するおそれがある。
この発明は、上記のような従来の光路変更装置の欠点を
有さす、しかも前述のような一様な照射が可能なＸ線発
生装置を提案するものである。以下この発明の一実施例
を図面を用いて説明する。
有さす、しかも前述のような一様な照射が可能なＸ線発
生装置を提案するものである。以下この発明の一実施例
を図面を用いて説明する。
ある瞬間の電子ｅの位置から出るシンクロ）＋＝ン放射
光２を一定距離離れた地点で観測すると第１図（ａ）の
ように、円形スポット状の拡がりを有している（第５図
（ａ）のスポツ）Ｓ参照）。
光２を一定距離離れた地点で観測すると第１図（ａ）の
ように、円形スポット状の拡がりを有している（第５図
（ａ）のスポツ）Ｓ参照）。
このため一様な静磁場中で曲線軌道に沿って有限距離を
走る電子ｅからのシンクロトロン放射光２は、第１図（
ｂ）のように上記円形を横方向１ｃＩｉｉｉ次重ね合わ
せて得られる長方形形状となる（第５図（ｂｌ参照）。
走る電子ｅからのシンクロトロン放射光２は、第１図（
ｂ）のように上記円形を横方向１ｃＩｉｉｉ次重ね合わ
せて得られる長方形形状となる（第５図（ｂｌ参照）。
これらのことかられかる通り、たとえば広い正方形形状
に一様な照射を行うためには、円形のスポットがさらに
縦方向にも並んだ、たとえば第５図（ｃ）のようなスポ
ラ）Ｓの配列を実現する電子軌道をつくってやる必要が
ある。
に一様な照射を行うためには、円形のスポットがさらに
縦方向にも並んだ、たとえば第５図（ｃ）のようなスポ
ラ）Ｓの配列を実現する電子軌道をつくってやる必要が
ある。
そこで、第６図（ａ）のように磁場を配置すると、電子
ｅは左右方向に蛇行しつつ、しかもゆるやかに上方へ曲
がり℃ゆく。
ｅは左右方向に蛇行しつつ、しかもゆるやかに上方へ曲
がり℃ゆく。
第６図（ａ）において、６，６′は上下に対向して配置
された水平偏向用磁石列で全長はｌであり、隣接する磁
極の極性が交互になっており、個々の磁石の長さはｌ８
．磁石間の距離は１２２両磁右列６．６′の距離はｄと
なっており、かつ１右列石列６．６′の空間を介して対
向する磁極の極性は互に異極になるように配置されてい
る。また、７，７′は対向して配置され、対向する極性
が互に異極になるように配置された垂直偏向用磁石であ
る。電子ｅは上記各磁石列６，６′および各磁石７，７
′で上下、左右が囲まれた空間内を通る。第６図（ｂ）
はこのような電子ｅの電子軌道１を水平面、垂直面に投
影して表わしたものであり、第６図（Ｃ）は第６図（ｂ
）の試料面の拡大図である。座標のとり方は第６図（ａ
ン中に示されている。シンクロトロン放射光２は常に電
子軌道１の接続方向に放射されるから、第６図（ａ）、
（ｂ）のような電子軌道１”Ｃ−ハ、左右方向の蛇行に
伴って放出されるシンクロトロン放射光２の方向は、発
光黒人からは第６図（Ｃ）の１点へ、発光点ＢからはＢ
′点へ、発光点Ｃからは０１点へとい５ように変化して
おり、したがって、試料面上の露光領域は第６図（Ｃ）
に示すように、スポラ）Ｓの二次元的な配列で決定され
るのでほぼ一様な正方形状の露光が可能になる。
された水平偏向用磁石列で全長はｌであり、隣接する磁
極の極性が交互になっており、個々の磁石の長さはｌ８
．磁石間の距離は１２２両磁右列６．６′の距離はｄと
なっており、かつ１右列石列６．６′の空間を介して対
向する磁極の極性は互に異極になるように配置されてい
る。また、７，７′は対向して配置され、対向する極性
が互に異極になるように配置された垂直偏向用磁石であ
る。電子ｅは上記各磁石列６，６′および各磁石７，７
′で上下、左右が囲まれた空間内を通る。第６図（ｂ）
はこのような電子ｅの電子軌道１を水平面、垂直面に投
影して表わしたものであり、第６図（Ｃ）は第６図（ｂ
）の試料面の拡大図である。座標のとり方は第６図（ａ
ン中に示されている。シンクロトロン放射光２は常に電
子軌道１の接続方向に放射されるから、第６図（ａ）、
（ｂ）のような電子軌道１”Ｃ−ハ、左右方向の蛇行に
伴って放出されるシンクロトロン放射光２の方向は、発
光黒人からは第６図（Ｃ）の１点へ、発光点ＢからはＢ
′点へ、発光点Ｃからは０１点へとい５ように変化して
おり、したがって、試料面上の露光領域は第６図（Ｃ）
に示すように、スポラ）Ｓの二次元的な配列で決定され
るのでほぼ一様な正方形状の露光が可能になる。
厳密には電子Ｃはいくつかの塊に分かれて通過するが、
通常の蓄積リングからの放射光と同じく、その時間間隔
は５ｎｓｅｃ程度であって、リングラフィのような目的
には放射光は時間的に連続とみなしてよ＜、したがって
、上記の正方形領域は全面が定常的に一様強度のＸ線で
照射されるとみなしてよい。
通常の蓄積リングからの放射光と同じく、その時間間隔
は５ｎｓｅｃ程度であって、リングラフィのような目的
には放射光は時間的に連続とみなしてよ＜、したがって
、上記の正方形領域は全面が定常的に一様強度のＸ線で
照射されるとみなしてよい。
電子エネルギーなＥ（ＧｅＶ）、水平偏向用磁石列６，
６′の作る磁場なり１（ＫＧ）、その個々の磁石の長さ
をｌ、〔儂〕、磁石間距離をｌ、〔ｃｍ〕、その対の数
を０〔組〕、磁石列６，６′の全長をｌ（ｍ）、小型磁
石による各々の曲率半径をＲ１（７ｎ）、この小型磁石
に必要なギャップ長をｇ（Ｃｍ）、垂直偏向用磁石７．
１′の作る磁場をＢｔｃｏ）、それによる曲率半径なＲ
２（−）、Ｘ線発生装置と露光装置との距離なＬ （７
７１）、得られる一様露光領域の横幅をＷ（”） 、縦
幅をＨ〔儂〕、ピーク強度が得しれる波長をλ、〔Ａ〕
とすると、 λｐｃＸ：］−１．９２Ｒ１（−）／Ｅ３（ＧｅＶ）
−（］）Ｒ＋ （ｔｌ ＝３３．３６ Ｅ（ＧｅＶ’ｌ
ｌ／Ｂ１ （ＫＧ） ”’ｔ２）ＷＣｍ〕 ＝ＬＣ−）
ｌｒＣａｎ”Ｊ／ｎ１ｃｍ〕 ＝−−−−（３）ｌ（儂
〕−〇（１１〔ぼ）十ｔｚ（ｃｚＡ）ン ・・・・・・
（４）Ｈ（ｃ＋りＬ） ＝ＬＣｍ） ｌ （鑞）／Ｒ，
（アＫ） ・・・・・・（５）ｇ、（ｚ）＝３．３３６
ｘｔｏ４Ｅ（ＧｅＶｌ、伺３２（ＧＪ・・・・・・・・
・・・・（６１ ｇ （ｃＩｎ：］ ＝ ｌ （ｍ）ＨＣ函）／ｌｏｏ
Ｌ（＋ｘ’ｌ ・−を力となる。
６′の作る磁場なり１（ＫＧ）、その個々の磁石の長さ
をｌ、〔儂〕、磁石間距離をｌ、〔ｃｍ〕、その対の数
を０〔組〕、磁石列６，６′の全長をｌ（ｍ）、小型磁
石による各々の曲率半径をＲ１（７ｎ）、この小型磁石
に必要なギャップ長をｇ（Ｃｍ）、垂直偏向用磁石７．
１′の作る磁場をＢｔｃｏ）、それによる曲率半径なＲ
２（−）、Ｘ線発生装置と露光装置との距離なＬ （７
７１）、得られる一様露光領域の横幅をＷ（”） 、縦
幅をＨ〔儂〕、ピーク強度が得しれる波長をλ、〔Ａ〕
とすると、 λｐｃＸ：］−１．９２Ｒ１（−）／Ｅ３（ＧｅＶ）
−（］）Ｒ＋ （ｔｌ ＝３３．３６ Ｅ（ＧｅＶ’ｌ
ｌ／Ｂ１ （ＫＧ） ”’ｔ２）ＷＣｍ〕 ＝ＬＣ−）
ｌｒＣａｎ”Ｊ／ｎ１ｃｍ〕 ＝−−−−（３）ｌ（儂
〕−〇（１１〔ぼ）十ｔｚ（ｃｚＡ）ン ・・・・・・
（４）Ｈ（ｃ＋りＬ） ＝ＬＣｍ） ｌ （鑞）／Ｒ，
（アＫ） ・・・・・・（５）ｇ、（ｚ）＝３．３３６
ｘｔｏ４Ｅ（ＧｅＶｌ、伺３２（ＧＪ・・・・・・・・
・・・・（６１ ｇ （ｃＩｎ：］ ＝ ｌ （ｍ）ＨＣ函）／ｌｏｏ
Ｌ（＋ｘ’ｌ ・−を力となる。
たとえば、Ｅ＝０．６３ＧｅＶ、 Ｂ、 ＝６ＫＧ、
ｌ、＝−’Ａｅｌ儂、１２＝０．５（１７Ａ、ｎ＝３０
組、３３．＝１８０Ｇの時、λ。
ｌ、＝−’Ａｅｌ儂、１２＝０．５（１７Ａ、ｎ＝３０
組、３３．＝１８０Ｇの時、λ。
＝２７Ｎ、几Ｈ＝ ３．５ｉ、 Ｗ＝１（）ｃｍ、 １
＝１２０ｃｎｔ、ｎ＝ １．ＯＣＲ，Ｒ４＝１２０１ｙ
ｌ、 ｇ＝１．５ｃＩｎとなり、ｌＱｎ四方の一様露光
領域が得られる（第７図参照）。
＝１２０ｃｎｔ、ｎ＝ １．ＯＣＲ，Ｒ４＝１２０１ｙ
ｌ、 ｇ＝１．５ｃＩｎとなり、ｌＱｎ四方の一様露光
領域が得られる（第７図参照）。
放射光強度としては、１つだけの偏向磁石から得られる
放射光を縦方向に１ＯＣＩｎの範囲に広げた場合と比べ
て、約０倍（上の例でｎ＝３０）になる。
放射光を縦方向に１ＯＣＩｎの範囲に広げた場合と比べ
て、約０倍（上の例でｎ＝３０）になる。
また、垂直偏向用磁石７，７′の磁場の強さを下げてや
れば、必要な露光面積に応じて、−緑露光領域の縦幅を
せはめることができ、これに反比例してシンクロトロン
放射光２の輝度が高まるので、露光時間を短縮すること
かできる。
れば、必要な露光面積に応じて、−緑露光領域の縦幅を
せはめることができ、これに反比例してシンクロトロン
放射光２の輝度が高まるので、露光時間を短縮すること
かできる。
なお、この方式は干渉性放射光源のいわゆる７ンデユレ
ータに水平偏向用磁石の配列の点で一見類似しているが
、その配列の長さ定数（’！、’２など）や、垂直偏向
用磁石を有する点およびその設計定数などの点で全（異
なるものであり、これはその意図する目的が全く纂りる
ことからくる当然の帰結である。さらに、より強力で小
型の磁石が使用可能であるならば７ンデユレータの干渉
条件をも満たし、上記の広面積一様露光の条件をも満た
すような、水平偏向用磁石の配列設計が可能となり、こ
の場合には、準干渉性放射光源として、前述のｎ倍より
も強く、０２倍までの放射光強度を得ることができる。
ータに水平偏向用磁石の配列の点で一見類似しているが
、その配列の長さ定数（’！、’２など）や、垂直偏向
用磁石を有する点およびその設計定数などの点で全（異
なるものであり、これはその意図する目的が全く纂りる
ことからくる当然の帰結である。さらに、より強力で小
型の磁石が使用可能であるならば７ンデユレータの干渉
条件をも満たし、上記の広面積一様露光の条件をも満た
すような、水平偏向用磁石の配列設計が可能となり、こ
の場合には、準干渉性放射光源として、前述のｎ倍より
も強く、０２倍までの放射光強度を得ることができる。
このＸ線発生装置は、電子ビームの有効利用の点から現
在の電子蓄積リングのような周１目加速・蓄積装置の途
中に数個所設置するのが良い。その場合、第７図の条件
では磁石系を通過したあと約１０ ｍ ｒａｄ電子軌道
１が上向いているが、この復元にはい（つかの方法があ
る。すなわち、■、垂直偏向用の磁石をさらに磁石系の
前後に設ける方法。
在の電子蓄積リングのような周１目加速・蓄積装置の途
中に数個所設置するのが良い。その場合、第７図の条件
では磁石系を通過したあと約１０ ｍ ｒａｄ電子軌道
１が上向いているが、この復元にはい（つかの方法があ
る。すなわち、■、垂直偏向用の磁石をさらに磁石系の
前後に設ける方法。
■８周回軌道上に複数のＸ線発生装置を設は垂直偏向の
方向を交互に上向き、下向きとし、電子軌道１が一方向
へ累積的に外れて行かないようにする方法。■６通常の
発散・収束用電磁石を用いて電子軌道１を修正する方法
などである。
方向を交互に上向き、下向きとし、電子軌道１が一方向
へ累積的に外れて行かないようにする方法。■６通常の
発散・収束用電磁石を用いて電子軌道１を修正する方法
などである。
いずれによっても容易に電子軌道１を水平方向に戻すこ
とができ、他の目的に使用されるビームダクトを持つ電
子蓄積リングにおいても、他のタクトに何ら影響をおよ
ぼすことなく設置が可能である。
とができ、他の目的に使用されるビームダクトを持つ電
子蓄積リングにおいても、他のタクトに何ら影響をおよ
ぼすことなく設置が可能である。
さらに、このような磁石系の配列は、縦横を入れかえて
設置しても何らさしつかえない。この場合には約１０
ｍｒａｄの緩やかな水平偏向があるこトニなるから、こ
れを周回軌道の一部に取り入れればよく、電子軌道の復
元用に新たな磁石を用意しなくてもさしつかえない。
設置しても何らさしつかえない。この場合には約１０
ｍｒａｄの緩やかな水平偏向があるこトニなるから、こ
れを周回軌道の一部に取り入れればよく、電子軌道の復
元用に新たな磁石を用意しなくてもさしつかえない。
上記した方法によれは、すべてのシンクロトロン放射光
が露光に利用され発光点とウェハの間に光学素子が全く
ないことから、第１に強度と一様性の非常に高いシンク
ロトロン放射光を広い面積に得ることができく第２にシ
ンクロトロン放射光固有の連続スペクトルを用いるため
、必要露光時間の予測設定が容易であり、第３に一定の
電子電流で常に同−光量の軟Ｘ線を得ることができるの
で、露光時間の制御が容易である。また、電子は一定の
軌道を進行し、シンクロトロン放射光は定常的に同一方
向−・放射されているから、露光時間の設定が容易であ
ると同時に、蓄積電流の安定性がよい。
が露光に利用され発光点とウェハの間に光学素子が全く
ないことから、第１に強度と一様性の非常に高いシンク
ロトロン放射光を広い面積に得ることができく第２にシ
ンクロトロン放射光固有の連続スペクトルを用いるため
、必要露光時間の予測設定が容易であり、第３に一定の
電子電流で常に同−光量の軟Ｘ線を得ることができるの
で、露光時間の制御が容易である。また、電子は一定の
軌道を進行し、シンクロトロン放射光は定常的に同一方
向−・放射されているから、露光時間の設定が容易であ
ると同時に、蓄積電流の安定性がよい。
なお、上記の実施例では水平偏向用磁石６，６′と垂直
偏向用磁石７，７′を用いたが、上記における水平、垂
直は相対的なものであり、両者を入れかえてもよく、ま
た、必ずしも水平、垂直でなく斜めであっても原理的に
は全く支障はない。
偏向用磁石７，７′を用いたが、上記における水平、垂
直は相対的なものであり、両者を入れかえてもよく、ま
た、必ずしも水平、垂直でなく斜めであっても原理的に
は全く支障はない。
以上詳細に述べたように、この発明は、極性の交互に異
なる磁石を一列に配列して周期状の磁場領域を作る偏向
用磁石と、前記周期状の磁場領域を包含しそれらに垂直
な方向に前記磁場よりも弱い一様磁場を作る少なくとも
１個の偏向用磁石とを電子軌道中に設けたので、シンク
ロ）ｐン放射光のもつ優れた特徴を損なうことな（その
欠点を解消し、広い面積に一様かつ安定なＸ線照射を実
現させるもので、これによって例えば、高いスループン
トを持つ軟Ｘ線リングラフィを可能とするものであって
工業上重要な価値を有するものである。
なる磁石を一列に配列して周期状の磁場領域を作る偏向
用磁石と、前記周期状の磁場領域を包含しそれらに垂直
な方向に前記磁場よりも弱い一様磁場を作る少なくとも
１個の偏向用磁石とを電子軌道中に設けたので、シンク
ロ）ｐン放射光のもつ優れた特徴を損なうことな（その
欠点を解消し、広い面積に一様かつ安定なＸ線照射を実
現させるもので、これによって例えば、高いスループン
トを持つ軟Ｘ線リングラフィを可能とするものであって
工業上重要な価値を有するものである。
第１図（ａ）は磁場中の電子がある瞬間に出すシンクｐ
トロン放射光の分布を示す模式図、第１図（ｂ）は鉛直
方向の一様な静磁場中を運動してゆく電子が出すシンク
ロトロン放射光の分布を示す模式図、第２図は電子蓄積
リングから出る放射光強度の波長に対する分布を示す特
性図、第３図は縦方向、（軌道面垂直方向）への放射光
の強度分布をいくつかの波長について示した特性図、第
４図（ａ）〜（ｄ）は縦方向に一様な露光を行うために
提案されている種々の装置の模式図、第５図（ａ）〜（
Ｃ）は発光点から一定の距１’ｌ［［れた所でウェハ上
に得られる放射光分布の模式図、第６図（ａ）〜＜ｃ＞
はこの発明の一実施例を示すＸ線発生装置を示す模式図
、電子の軌道とシンクロトロン放射光を示す説明図およ
びこの装置から得られる一様露光面積の放射光分布の模
式図、第７図はこの発明の一具体例を示す模式図である
。 図中、１は電子軌道、２はシンクロトロン放射光、３は
マスク、４は露光されるウェハ、５は平面鏡、６，６′
は水平偏向用磁石列、１，７′は垂直偏向用磁石である
。 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 ５皮 長 （入） 第３図 第５図 （ａ） （ｂ） ○〜Ｓ Ｓ−ＪごＴ彩Ｄ （Ｃ）
トロン放射光の分布を示す模式図、第１図（ｂ）は鉛直
方向の一様な静磁場中を運動してゆく電子が出すシンク
ロトロン放射光の分布を示す模式図、第２図は電子蓄積
リングから出る放射光強度の波長に対する分布を示す特
性図、第３図は縦方向、（軌道面垂直方向）への放射光
の強度分布をいくつかの波長について示した特性図、第
４図（ａ）〜（ｄ）は縦方向に一様な露光を行うために
提案されている種々の装置の模式図、第５図（ａ）〜（
Ｃ）は発光点から一定の距１’ｌ［［れた所でウェハ上
に得られる放射光分布の模式図、第６図（ａ）〜＜ｃ＞
はこの発明の一実施例を示すＸ線発生装置を示す模式図
、電子の軌道とシンクロトロン放射光を示す説明図およ
びこの装置から得られる一様露光面積の放射光分布の模
式図、第７図はこの発明の一具体例を示す模式図である
。 図中、１は電子軌道、２はシンクロトロン放射光、３は
マスク、４は露光されるウェハ、５は平面鏡、６，６′
は水平偏向用磁石列、１，７′は垂直偏向用磁石である
。 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 ５皮 長 （入） 第３図 第５図 （ａ） （ｂ） ○〜Ｓ Ｓ−ＪごＴ彩Ｄ （Ｃ）
Claims (1)
- シンクロトロン放射光の軟Ｘ線をレジ７、ト膜のパター
ン転写に男いるＸ線発生装置において、極性の交互に異
なる磁石を一列に配列して周期状の磁場領域を作る偏向
用磁石と、前記周期状の磁場領域を包含しそれらに垂直
な方向に前記磁場よりも弱い一様磁場を作る少なくとも
１個の偏向用磁石とを電子軌道中に設けたことを特徴と
するＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175518A JPS6068539A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175518A JPS6068539A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Ｘ線発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068539A true JPS6068539A (ja) | 1985-04-19 |
| JPH0372173B2 JPH0372173B2 (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=15997452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175518A Granted JPS6068539A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220316A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Susumu Nanba | 半導体ウエハの露光装置 |
| EP0725558A1 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-07 | Rikagaku Kenkyusho | Insertion device for use with synchrotron radiation |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011110975A1 (en) | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Temperature control apparatus and method for thermoregulation of a human body |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58175518A patent/JPS6068539A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220316A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Susumu Nanba | 半導体ウエハの露光装置 |
| EP0725558A1 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-07 | Rikagaku Kenkyusho | Insertion device for use with synchrotron radiation |
| US5714850A (en) * | 1995-02-02 | 1998-02-03 | Rikagaku Kenkyusho | Insertion device for use with synchrotron radiation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372173B2 (ja) | 1991-11-15 |
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