JP2002514007A - 特にｅｕｖ（極紫外線）リソグラフィーに用いる照射機構 - Google Patents

特にｅｕｖ（極紫外線）リソグラフィーに用いる照射機構

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 特にＥＵＶ領域のための露光機構に対する要件を満たすことができるような照射機構の最も簡単な構造とそれを設計する方法を提供することである。 【解決手段】 表面に照射を行う光源を少なくとも１つと、二次光源を生成するための装置を少なくとも１つと、反射鏡装置またはレンズ装置を少なくとも１つとを備え、この装置は、複数のグリッドエレメントからなる反射鏡またはレンズを少なくとも１つと、反射鏡装置またはレンズ装置とレチクル面の間に配置される１つまたは複数の光学的エレメントとを持ち、この光学的エレメントはこの照射システムの出口瞳面に二次光源を結像するこの照射装置において、光源は波長≦１９３ｎｍの光線を生じるための光源であって、この光源は１つの波長スペクトルを特異面に放射し、リソグラフィーのために使用される波長領域は、マーク面への垂直方向に５ｍｒａｄ未満のビーム発散を示すことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、請求項１の上位概念に記載する照射機構、その種の照射機構を持つ
投射露光装置、そして投射露光装置を持つマイクロエレクトロニクス部材を製造
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
エレクトロニクス部品のサイズをさらに小さくすることができるよう、そして
特にサブミクロン領域においては、マイクロリソグラフィーに使用される光の波
長を小さくすることが必要である。例えば１９３ｎｍ以下の波長の場合、軟エッ
クス線によるリソグラフィー、いわゆるＥＵＶリソグラフィーが考えられる。
【０００３】 ＥＵＶリソグラフィーに適当する照明機構は、できるだけ少ない反射回数で、
ＥＵＶリソグラフィーのため設定されたフィールド、特に対物レンズのリング状
フィールドを均一に、すなわち一様に照射すべきである。さらに対物レンズの瞳
面はフィールドに依存することなくある一定の占積率σまで照射され、照射機構
の出口瞳面は対物レンズの入口瞳面にあるべきである。
【０００４】 ＵＳ５，３３９，２４６から、ＥＵＶ光線を使用するリソグラフィー装置用照
射機構が知られている。レチクル面を均一に照射し、そして瞳面を満たすため、
ＵＳ５，３３９，２４６はある１つの集光装置を提案している。その集光装置は
集光レンズとして構成され、対称形に配置されて対になっている反射鏡チャムフ
ァを少なくとも四つ備えている。光源としてはプラズマ光源が使用されている。
【０００５】 ＵＳ５，７３７，１３７では、プラズマ光源と集光反射鏡を持つ照射機構が示
されている。この照射機構の場合、球面反射鏡を用いて、照射されるべきマスク
またはレチクルの照射を得ている。
【０００６】 ＵＳ５，３６１，２９２が示す照射機構の場合、プラズマ光源が備えられ、点
状のプラズマ光源は、偏心的に配置された非球面反射鏡を少なくとも三つ備える
集光装置によって、リング状に照射された面に結像される。特殊な後続順序の複
数の限界見通し入射反射鏡によって、リング状に照射された面は入口瞳面に結像
される。
【０００７】 ＵＳ５，５８１，６０５から知られる照射機構の場合、１つの光子放射装置が
ハニカム集光装置によって多数の二次光源に分岐する。これによりレチクル面へ
の均一ないし一様な照射が得られる。露光されるウェハへのレチクルの結像は、
在来型の縮小光学装置によって行われる。照射光路においては、ただ１つのグリ
ッド化された反射鏡が同じ湾曲を持つ複数のエレメントを備える。
【０００８】 ＵＳ５，６７７，９３９が示すＥＵＶ照射装置のための照射機構の場合、１つ
のリング状フィールドが均一に照射される。ＵＳ５，６７７，９３９に記載する
ＥＵＶ照射機構の場合、ＥＵＶ源が放射する光線は、例えば１つの反射鏡によっ
て、１つの平行する線束を形成する。多数の二次光源を形成するため、この平行
する線束は、多数の円筒形ハニカムによって１つの反射鏡に導かれる。ＵＳ−Ａ
−５６７７９３９はシンクロトロン放射源の使用をも記述している。とはいえ発
生するシンクロトロン放射線は平行性があるため、光学的エレメントを中間に接
続することなく、シリンダハニカムによってこの放射線を反射鏡に直接導く。Ｕ
Ｓ５，６６７，９３９の実施形態はすべて平行な光路で動作する。さらにＵＳ５
，６６７，９３９から知られるチャムファ反射鏡は光学的作用を持つチャムファ
を備え、平面型基盤の上に配置されている。
【０００９】 ＵＳ５，５１２，７５９からはリング状フィールド投射機構のための照射機構
でシンクロトロン放射源を持つものが知られている。この照射機構は多数の集光
反射鏡を持つ集光機構を備え、この集光機構はシンクロトロン放射源が放射した
放射線を集めて、１つのリング状の光ビームを形成し、このビームはリング状に
照射されたフィールドに対応する。これによりリング状のフィールドが非常に均
一に照射される。このシンクロトロン放射源は、放射面においてビーム発散＞１
００ｍｒａｄを示す。
【００１０】 ＵＳ５，４３９，７８１の示すシンクロトロン放射源を持つ照射機構の場合、
光伝導率すなわちラグランジュ光学不変数は、発散スクリーンにより対物レンズ
の入口瞳面で調節される。この場合の発散スクリーンは多数のピラミッド組織構
造を備えるものとすることができる。ＵＳ５，４３９，７８１の場合も、シンク
ロトロン放射源はビーム発散＞１００ｍｒａｄを示す。シンクロトロン放射線を
集めこれを束ねる集光反射鏡は、チャムファ化された形状とすることができる。
【００１１】 これまで挙げた文書は次の通り。 ＵＳ５，３３９，２４６ ＵＳ５，７３７，１３７ ＵＳ５，３６１，２９２ ＵＳ５，５８１，６０５ ＵＳ５，６７７，９３９ ＵＳ５，５１２，７５９ ＵＳ５，４３９，７８１ これらの開示内容は、本出願に全面的に取り入れられている。
【００１２】 本発明の課題は、波長≦１９３ｎｍ特にＥＵＶ領域のための露光機構に対する
要件を満たすことができるような照射機構の最も簡単な構造と、それを設計する
方法を挙げることである。特にレチクルを一様に照射するだけでなく、波長≦１
９３ｎｍのための機構のテレセントリー要件を満たすべきである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明でテレセントリーとは、ウェハにかかわる全システムがテレセントリッ
クであることをいう。これは照射機構の出口瞳面が対物レンズの入口瞳面に適応
することを必要とし、これら瞳面は最終的には反射レチクルのためのものである
。
【００１４】 本出願においてテレセントリー要件が満たされるのは、レチクル面における照
射と対物レンズの主要ビームの偏差が、一定の基準を超えず、例えば±４．０ｍ
ｒａｄを、好ましくは±１．０ｍｒａｄを超えず、そして主要ビームがテレセン
トリックにウェハに命中する場合である。
【００１５】 本発明でこの課題は、上位概念の照射機構の場合、光源が波長≦１９３ｎｍを
持つ光線を生じるための光源であって、この光源はマーク面に１つの波長スペク
トルを放射し、その際応用のため、特にリソグラフィーのために使用可能な波長
領域が、マーク面に垂直で５ｍｒａｄより小さいビーム発散を示すことによって
解決される。
【００１６】 ＥＵＶ領域では、ビーム発散がマーク面に垂直な面で見て５ｍｒａｄより小さ
い好ましい光源として、シンクロトロン放射源を使用する。シンクロトロン放射
線は、相対論的電子が１つの磁場で偏向されるときに放出される。シンクロトロ
ン放射線は、電子軌道の接線方向に放出される。
【００１７】 シンクロトロン放射源は現在３種類の線源に区別できる。 −曲げ磁石 −ウィグラー −アンデュレータ
【００１８】 曲げ磁石線源の場合、電子が曲げ磁石によって偏向され、光子輻射線が放出さ
れる。
【００１９】 ウィグラー線源は、電子または電子線を偏向させるためにいわゆるウィグラー
を備え、ウィグラーは順次極性を変えながらならぶ磁石対を多数備える。電子が
ウィグラーの中を走ると、その電子は周期的な垂直磁場にさらされる。その電子
はそれに応じて水平面で振動する。ウィグラーはその他にもコヒレンシー効果を
生じないことで優れている。ウィグラーによって生じたシンクロトロン放射は曲
げ磁石による放射に似ており、水平な空間角度で放射される。その曲げ磁石と異
なるところは、ウィグラーの多数の極の周囲に強化された流れを生じることであ
る。
【００２０】 ウィグラー線源とアンデュレータ線源の間に明確な境界はない。
【００２１】 アンデュレータ線源の場合、アンデュレータの中の電子は、ウィグラーの場合
よりも短い周期の磁場、かつより弱い磁場にさらされる。そのためシンクロトロ
ン放射の干渉効果が生じる。シンクロトロン放射は干渉効果のために不連続なス
ペクトルを示し、水平方向にも垂直方向にも小さな空間角度成分で放射される。
すなわち放射の指向性が強い。
【００２２】 上記シンクロトロンＥＵＶ放射源全体は、適切な寸法であれば、例えば１３〜
１１ｎｍといったＥＵＶ光線を十分な出力でＥＵＶリソグラフィーに提供する。
【００２３】 シンクロトロン放射に関しては、Ｅｒｎｓｔ Ｅｃｋｈａｒｔ Ｋｏｃｈ、“
Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ"、１
９８３、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ−Ｓｅｒｖｉｃｅ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋを参照されたい
。この文書の開示内容は本出願に全面的に取り入れられている。
【００２４】 本発明の放射源は少なくとも１つの面において、５ｍｒａｄより小さいビーム
発散によってマークされるので、ビーム拡幅の手段は例えば集光システムを備え
るのが有利である。
【００２５】 ビーム拡幅手段として、有利な実施形態では、１つの表面を照射するために事
前に決定された運動を行う発散反射鏡、またはスキャン（走査）反射鏡を備える
ものとすることができる。
【００２６】 光源のフィールドとアーパチャは、レチクル面におけるフィールドとアーパチ
ャを満たし、または照射するのに十分ではないので、本発明の照射機構は、多数
の二次光源を生成するためのグリッドエレメントを持つ反射鏡またはレンズを少
なくとも１つ備える。この二次光源は焦点面に均一に分布される。最初の反射鏡
または最初のレンズのグリッドエレメントのジオメトリ上の広がりが、レチクル
面で照射されるフィールドの形状を決定するので、スキャンスリットがリング状
であっても、フィールドハニカムの形状は四角形とするのが好ましい。最初の反
射鏡のグリッドエレメントはフィールドハニカムとも呼ばれるが、その光学的作
用は、焦点面において光源の像、いわゆる二次光源が生じるように構想されてい
る。光源の広がりが小さいとき、例えばアンデュレータ線源のようにほとんど点
状であるとき、二次光源の広がりも小さく、すべての光ビームはほとんど１つの
点を通る。そうなると焦点面より後のいずれの面においてもこのフィールドハニ
カムの像を生じ、この場合の再生比は、焦点〜レチクルとフィールドハニカム〜
焦点の各距離の比からあたえられる。この場合、フィールドハニカムの各像がレ
チクル面で少なくとも部分的に重なるように、フィールドハニカムを傾斜させる
。
【００２７】 二次光源の対物レンズの入口瞳面への結像は、フィールド反射鏡またはフィー
ルドレンズによって行うのが有利である。この場合そのフィールドレンズまたは
フィールド反射鏡は、ひずみのコントロールによってリング状フィールドを形成
する。フィールドハニカム結像の再生比が、それによって変わることはない。
【００２８】 例えば曲げ磁石のように光源が拡大されている場合は二次光源が拡大されるの
で、フィールドハニカムの像はレチクル面で崩れる。このようなシステムの場合
にシャープな像が得られるのは、グリッドエレメントを持つもう一つの反射鏡ま
たはレンズ、すなわちいわゆる二重チャムファを備え、その際この２番目の反射
鏡またはレンズのグリッドエレメント、いわゆる瞳面ハニカムを二次光源の場所
に置く場合である。
【００２９】 グリッドエレメントを持つ反射鏡を二つ備えるシステムの場合、２番目の反射
鏡のグリッドエレメントすなわち瞳面ハニカムの形状は、二次光源の形状に適応
されており、従って第一のグリッドエレメントすなわちフィールドハニカムの形
状とは異なる。光源も丸い形状である場合は、瞳面ハニカムを丸くするのが特に
好ましい。
【００３０】 特に好ましいのは、グリッドエレメントを持つ最初の反射鏡が回転対称形また
は円形に照射される場合である。そうすれば、焦点面に対応する配置を行うこと
により、二次光源の均一な分布を得られるからである。
【００３１】 それと異なる例えば四角形の照射を最初の反射鏡に行う場合でも、二重のチャ
ムファを備えるこの種のシステムの場合は、対物レンズの入口瞳面に希望の丸い
照射が得られる。
【００３２】 グリッドエレメントを持つ反射鏡の後に配置された光学的エレメントは、照射
機構の焦点面を投射対物レンズの入口瞳面に結像し、リング状フィールドを形成
するのに役立つ。この光学的エレメントはさらに、照射分布を露光プロセスの要
件に対応して生成するのに役立つ。
【００３３】 特に好ましいのは、これら光学的エレメントが入射角≦２０°の限界見通し入
射反射鏡を備える場合である。いずれの反射にもともなう光損失を最小にするた
め、フィールド反射鏡の個数を少なく抑えれば有利であり、そのように意図され
ている。特に好ましいのはフィールド反射鏡を多くても２つとする実施形態であ
る。
【００３４】 下記に数値上の例を挙げる。この例から、例えばアンデュレータ線源の場合に
は光伝導率を上げる必要があることがわかる。
【００３５】 ウェハ面におけるアーパチャとしてＮＡWafer＝０．１〜０．２５が必要であ
るとすると、これは４：１システムの場合のレチクル面におけるアーパチャはＮ
ＡRetikel＝０．０２５〜０．０６２５であることを意味する。この照射機構が
このアーパチャをσ＝０．６までの占積率で均一かつフィールドに依存すること
なく照射すべきであるとすると、ＥＵＶ線源は下記の二次元光伝導率（ＬＬＷ）
、すなわちラグランジュ光学不変数または広がり数を得なければならない： ＬＬＷBel.＝σ2ＬＬＷObj＝０．１４９ｍｍ2〜０．９２８ｍｍ2 光伝導率、すなわちラグランジュ光学的不変数は一般に下記のように定義される
： ＬＬＷ＝ｘ・ｙ・ＮＡ2＝Ａ・ＮＡ2 ここでＡは照射面積である。Ａはレチクル面では例えば１１０ｍｍ×６ｍｍ。
【００３６】 本発明のＥＵＶ照射機構の光源として、最初に挙げる実施形態ではアンデュレ
ータ線源を観察する。
【００３７】 光伝導率、すなわちラグランジュ光学的不変数または広がり数はの見積もりは
、アンデュレータ線源の場合、１つの単純化されたモデルに従い、下記のような
均一な面ビームを想定して行う。 直径＝１．０ｍｍ アーパチャ ＮＡUnd＝０．００１ ここで、ＬＬＷ＝Ａ・ＮＡ2 ＡUnd＝π・（φ／２）2 ＝０．７８５ｍｍ2 ＮＡUnd＝０．００１ 従って、ＬＬＷUnd＝Ａ・ＮＡ2＝０．００００００７９ｍｍ2＝７．９ｅ−０７
ｍｍ2
【００３８】 このおおざっぱな見積もりからわかるように、アンデュレータ線源の光伝導率
は、必要とされる光伝導率と比較すると、極めて小さい。
【００３９】 光伝導率、すなわちラグランジュ光学的不変数は、二次光源を生成してこれを
分配配置することにより、対物レンズの入口瞳面で必要な程度に上げることがで
きる。このため最初の反射鏡にグリッドエレメントを備える。対物レンズの入口
瞳面の照射は、占積率によって決定される。次の式が成り立つ： 占積率：
【数１】 ここで、ＲObjektivapatur：対物レンズ入口瞳面の半径 ｒBeleuchtung：リング状照射の場合、フィールドハニカムプレートの
照射の半径 σ＝１．０のとき入口瞳面は完全に満たされる。σ＝０．６の時は占積不足であ
る。
【００４０】 アンデュレータ線源は小さいため、瞳面各部分はシャープな光度ピークとなる
。従って、「掃引式」フィールド反射鏡を用いてこれら光度ピークをぼやけさせ
、しかもフィールド照射は影響を受けないままにすれば有利である。従ってこの
掃引式フィールド反射鏡は、レチクル面にできるだけ密着させて取り付ければ有
利である。
【００４１】 掃引式フィールド反射鏡、または周期的に動くフィールド反射鏡の変化する角
度領域の１つの見積もりを次ぎに示す：レチクル面のアーパチャをＮＡRet＝０
．０２５と想定し、分割による瞳面各部分の間隔をΔＮＡ〜〜０．００５とする
と、変化する角度領域は範囲〜〜±２．５ｍｒａｄとすべきであろう。掃引式フ
ィールド反射鏡の１つの例を挙げれば、大きさが１６０×１７０ｍｍ、かつ局部
的動的勾配がｘ方向、ｙ方向とも±２ｍｒａｄで、その際の安定度が±０．１ｍ
ｒａｄのトロイド型反射鏡であろう。
【００４２】 ぼかしは、いわゆる掃引式の動くフィールド反射鏡によってだけでなく、反射
鏡表面の動的変形によっても得られる。
【００４３】 高い走査一様性を得られるよう、光学的エレメントのために能動的レンズまた
は反射鏡の使用を意図できるのが有利である。
【００４４】 例えば２０：１という高いアスペクト比のフィールドハニカムは製造が難しい
ので、フィールドハニカムのアスペクト比を小さくするため、このハニカムを非
点収差的な形状とすることを意図できるのが有利である。この場合の二次光源は
、接線的光源と球欠的光源に分かれ、それぞれ接線的および球欠的な焦点面に存
在する。
【００４５】 このシステムは波長がＥＵＶ領域にある場合、前記のように純粋に反射的に、
すなわち反射鏡部材だけを用いて設計されているが、１９３ｎｍないし１５７ｎ
ｍシステムに使用することも考えられる。そのような場合は、レンズのような屈
折式部材を使用する。
【００４６】 本明細書に記載の諸システムは、１９３ｎｍないし１５７ｎｍシステムのため
のものとして関心を引く。なぜならばこれらのシステムは光学的部材がわずかで
すみ、また光学的エレメントというものはこの波長に対して高い吸収を示すから
である。
【００４７】 本発明の有利な発展形を下位請求項に記載した。
【００４８】
【発明の実施の形態】
下記に図面を用いて本発明の例を説明する。
【００４９】 １つの面にいて任意の照射分布を行う本発明の照射装置により、一様性とテレ
セントリーの要件を満足するシステムをどのように記述できるか、図１〜２０に
よりそれをまず理論的に説明する。説明されるシステムは、フィールドハニカム
プレートと瞳面ハニカムプレートを持つシステムである。
【００５０】 図１は、２つのハニカムプレートを持つ屈折システムの光路の原理的略図を描
いている。線源１の光は集光レンズ３により集められ、平行性または収束性の光
束に変換される。最初のハニカムプレート７のフィールドハニカム５は光束を分
解して、瞳面ハニカム９の場所に二次光源を生成する。フィールドレンズ１２は
これらの二次光源を、照射機構の出口瞳面または後続の対物レンズの入口瞳面に
結像する。この種の配置は、線源から対物レンズ入口瞳面に至るフィールド面や
瞳面の絡み合った光路に特徴がある。これには、例えば本出願がその開示内容を
全面的に取り入れているＵＳ５，６７７，９３９の定義のように、しばしば「ケ
ーラー式照射」という名称が用いられる。
【００５１】 図１に示す照射機構を続いて各部分ごとに考察する。インタフェースとなるの
はフィールドハニカム面における光とアパーチャの配分箇所なので、線源の種類
や集光反射鏡にとらわれることなく考察を行うことができる。
【００５２】 図２Ａと図２Ｂでは、中心部のハニカム対２０、２２に対するフィールド結像
と瞳面結像が記入されている。瞳面ハニカム２２とフィールドレンズ１２によっ
て、フィールドハニカム２０はレチクル１４または結像されるべきマスクに結像
される。フィールドハニカム２０のジオメトリ上の広がりが、レチクル面１４に
おいて照射されるフィールドの形状を決定する。再生比は、ほぼ瞳面ハニカム２
２〜レチクル１４とフィールドハニカム２０〜瞳面ハニカム２２の間隔の比によ
ってあたえられる。フィールドハニカム２０の光学的作用は、瞳面ハニカム２２
の場所に光源１の像、すなわち二次光源が生じるように構想されている。光源の
広がりが小さく、例えばほぼ点状である場合、すべての光ビームは瞳面ハニカム
２２の光学的中心を通る。このような場合、瞳面ハニカムを省略する照射装置が
実現可能である。
【００５３】 図２Ｂが示すように、フィールドレンズ１２の任務は、二次光源を対物レンズ
２４の入口瞳面２６に結像することである。光路にフィールドレンズを挿入する
場合、画像のひずみをコントロールすることによりフィールドハニカムを変形す
るといった方法で、フィールド結像に影響をあたえることができる。四角形をリ
ング状セグメントに変形することが考えられる。フィールドハニカム結像の再生
比がそれによって変わることはない。
【００５４】 図３は、フィールドハニカムと瞳面ハニカムの特殊なジオメトリ的形状に対す
る光ビームの経路である。
【００５５】 図３に示す実施形態においては、フィールドハニカム２０の形状として四角形
を選んでいる。この場合フィールドハニカム２０のアスペクト比は、レチクル面
で求められるリング状フィールドの弧の長さとリング幅の比に対応する。リング
状フィールドは、図４に示すようにフィールドレンズによって形成される。フィ
ールドレンズがなければ、図３のようにレチクル面に四角形フィールドが得られ
る。
【００５６】 リング状フィールド３０を形成するには、図４に示すように限界見通し入射フ
ィールド反射鏡３２を使用する。レチクルが反射した光線はもはや照射機構に戻
ってはならないという付帯条件の下で、対物レンズの入口瞳面の位置に応じて、
２つのフィールド反射鏡３２が１つまたは２つ必要である。
【００５７】 主要光線が発散しながらここには示さない対物レンズに入る場合、図４に示す
ようにフィールド反射鏡３２が１つあれば充分である。収束性の主要光線の場合
は、フィールド反射鏡を２つ要する。２番目のフィールド反射鏡はリングの方向
を回転させなければならない。この種の構成を図５に示した。
【００５８】 ＥＵＶ波長領域における照射機構の場合、すべての構成部分を反射によって結
像しなければならない。
【００５９】 λ＝１０ｎｍ〜１４ｎｍのとき反射損が大きいため、反射の回数はできるだけ
少なく抑えるのが有利である。
【００６０】 反射システムを構成するとき、光線の相互の口径食を考慮しなければならない
。これは、ジグザグ光路の中にシステムを構成することにより、または光量を絞
って動作することにより生じることがある。
【００６１】 １つの面に任意の照射Ａを行う際、ＥＵＶ照射機構を設計するための本発明の
方法を、下記に例を挙げて説明する。
【００６２】 本発明の方法に必要な定義を図６に示した。
【００６３】 まず中心部のハニカム対の光路を計算する。
【００６４】 第一歩として、フィールドハニカムプレート７のフィールドハニカム５の大き
さを決定する。前記に示したように四角形ハニカムに対しては、レチクル面にお
けるリング状フィールドの形状からアスペクト比（ｘ／ｙ）を得る。フィールド
ハニカムの大きさは、フィールドハニカム面における任意の光源の光度分布の広
がりＡと、ハニカムプレート上のフィールドハニカムの個数Ｎにより決定され、
この個数はさらに二次光源の数によりあたえられる。二次光源の個数は、さらに
瞳面照射の一様性と混合の条件から得られる。
【００６５】 ｘWabe、ｙWabeによるフィールドハニカムのハニカム（独語：Wabe）面積ＡWabe を次のように表現できる。 ＡWabe＝ｘWabe・ｙWabe＝（ｘFeld・ｙFeld）・ｙ2 Wabe
【００６６】 ここでｘFeld、ｙFeldは、リング状フィールドを決定する四角形の大きさを記
述する。さらにフィールドハニカム（独語：Feldwabe）の個数Ｎに対しては次の
式が成り立つ：
【数２】
【００６７】 これから個々のフィールドハニカムの大きさが得られる：
【数３】
【００６８】 そして
【数４】
【００６９】 ハニカムの大きさと四角形フィールドの大きさはハニカム結像の再生比βＷａ
ｂｅと、従って間隔ｄ1とｄ2の比を決定する。
【数５】
【００７０】 照射機構に対して前もって決められた全長と、ハニカム結像再生比βＷａｂｅ
は、ｄ1およびｄ2の絶対的な大きさと瞳面ハニカムプレートの位置を決定する。
次の式が成り立つ：
【数６】
【数７】
【００７１】 ｄ1とｄ2はさらに瞳面ハニカム（独語：Pupillenwaben）の半径を決定する。
次の式が成り立つ：
【数８】
【００７２】 瞳面ハニカムを対物レンズの入口瞳面に結像し、四角形フィールドをリング状
フィールドに変形するには、瞳面ハニカムとレチクルの間に１つまたは複数のフ
ィールドレンズを、好ましくはトロイドの形状のレンズを挿入する。フィールド
反射鏡を挿入すると、事前に決められた全長が拡大される。なぜならば、口径食
を防止するには特に反射鏡が最低限間隔を遵守しなければならないからである。
【００７３】 フィールドハニカムのポジショニングは、フィールドハニカム面における光度
分布に依存する。フィールドハニカムの数Ｎは、二次光源の数によって前もって
あたえられる。フィールドハニカム上にフィールドハニカムを配置するに当たっ
ては、好ましくはフィールドハニカムが相互に口径食を生じることなく、照射さ
れる表面をカバーするように配置する。
【００７４】 瞳面ハニカムをポジショニングするには、対物レンズの入口瞳面において、二
次光源のグリッドを前もって決める。二次光源は光の方向とは反対にフィールド
レンズによって結像される。この結像の焦点面はレチクル面にある。二次光源の
像は瞳面ハニカムの（ｘ、ｙ、ｚ）ポジションを示す。フィールドハニカムと瞳
面ハニカムの間の光路を作るに際しての自由度として、傾斜角と回転角が残って
いる。
【００７５】 本発明の実施形態においていずれのフィールドハニカムにも瞳面ハニカムが割
り当てられるならば、フィールドハニカムと瞳面ハニカムの傾斜と回転によって
光路を作ることができる。この場合、中心ビームはすべてレチクル面で光学軸と
交わるように、線束を偏向させる。
【００７６】 フィールドハニカムと瞳面ハニカムの対応は自由である。対応の１つの方法は
、それぞれ空間的に隣り合うハニカムを相互に対応させることであろう。これに
よれば偏向角度は最小となる。もう１つの方法は、瞳面における光度分布を均一
化することである。これが効果を発揮することになるのは、フィールドハニカム
面における光度分布が１つのパターンを示す場合である。フィールドハニカムと
瞳面ハニカムが類似したポジションを持つとき、パターンは瞳面照射に伝達され
る。対応関係を的をしぼって混ぜ合わせることにより、光度を均一化することが
できる。
【００７７】 この照射機構のフィールドハニカムプレート、瞳面ハニカムプレート、フィー
ルド反射鏡といった個々の構成部分を光路に配置するに当たっては、口径食のな
い光路が可能なように配置すれば有利である。この種の配置が結像に影響を及ぼ
すときは、個々の光路とフィールドレンズを後から最適化しなければならない。
【００７８】 前記の設計手順によって、２つの垂直入射および１つないし２つの限界見通し
入射反射による任意の照射Ａの場合について、ＥＵＶリソグラフィーのための照
射機構を得ることができる。この照射機構は次の特性を示す： −例えばリング状フィールドの均一な照射 −均一かつフィールドに依存しない瞳面照射 −照射機構の出口瞳面と対物レンズの入口瞳面の統合 −前もって決められた全長の調整 −できるだけ大きな光伝導率の受容
【００７９】 フィールドハニカムプレートと瞳面ハニカムプレートを持つ本発明の実施形態
に関して、フィールドハニカムと瞳面ハニカムの配置を下記に説明する。
【００８０】 まずフィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカムのさまざまな
配置を考察する。この場合光度分布は任意とすることができる。
【００８１】 ここに挙げる例は、円、四角形、複数の円または四角形の組合せといった単純
なジオメトリ形状に限られる。照射領域内の光度分布は均一であるか、またはゆ
っくりと変化するパターンを示すものとする。アーパチャ分布はフィールドに依
存しないものとする。
【００８２】 フィールドハニカムプレート１００の照射Ａが円形である場合、フィールドハ
ニカム１０２は例えば列と行を、図７に示すような配置とすることができる。こ
れと異なる方法として、ハニカムのスペースポイントは、図８に示すように行を
平面上を移動させることによって、均一に分布するものとすることができる。後
者の配置は、二次光源の均一な分布によりよく適応している。
【００８３】 図９は四角形の照射Ａを示す。図１０に示すように行を移動すると、二次光源
の均一な分布を得られる。しかしこの二次光源は、フィールドハニカムプレート
の広がりに対応して、１つの四角形内部に配置されている。しかし二次光源を円
形の焦点面に分布させ得るには、二重チャムファを備える。瞳面ハニカムは二次
光源の場所に位置する。四角形の照射の場合、フィールドハニカムと瞳面ハニカ
ムの間に光路を生成するにはフィールドハニカムを傾斜させるが、その際線束が
例えば１つの円の内部に配置された瞳面ハニカムに命中するように傾斜させ、こ
の瞳面ハニカムも同様に傾斜させなければならない。
【００８４】 複数の円Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４をまとめてフィールドハニカム１００の照射
Ａを構成する場合、例えば１つまたは複数の線源のさまざまな光路の結合によっ
てこれを行う場合、ハニカムの大きさが等しいままならば、図１１に示す行と列
にハニカムを配置する場合、混ぜ合わせは不十分である。均一な照射は、図１２
に示すようにハニカム行を移動させることによって得られる。
【００８５】 図１３と図１４は、個々の四角形Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４をまとめて照射を構
成する場合のハニカム１０２の分布を示す。
【００８６】 ここで瞳面ハニカムプレー上における瞳面ハニカムの配置を例を挙げて説明す
る。
【００８７】 瞳面ハニカムを配置する際、２つの視点を考慮しなければならない： １．光路を生成する際にフィールドハニカムおよび瞳面ハニカムの傾斜角度を最
小に抑えるには、フィールドハニカムの配置をそのまま維持するのが有利である
。これは特に、フィールドハニカムプレートの照射がほぼ円形である場合に有利
である。 ２．瞳面の占積を均一にするには、対物レンズの入口瞳面における二次光源が均
一に分布しているべきである。これは特に、対物レンズの入口瞳面に二次光源の
均一なグリッドを指定することによって得られる。これらの二次光源は、光の方
向と反対にフィールドレンズにより瞳面ハニカム面に結像され、これにより瞳面
ハニカムの理想的な場所を決定する。
【００８８】 フィールドレンズにひずみがないならば、瞳面ハニカムの分布は二次光源の分
布に対応する。しかしフィールドレンズはリング状フィールドを形成するので、
意図的にひずみを導入する。これは回転対称形の枕状または樽状のひずみだけで
なく、水平線を円弧にする湾曲も行う。円弧のｙ方向光距離は一定のままである
のが理想的状態である。しかし実際の限界見通し入射フィールド反射鏡は、さら
にｙ方向にもひずみを示す。
【００８９】 図１５は、対物レンズの入口瞳面における二次光源１１２のグリッド１１０を
示すが、この入口瞳面は同時に照射機構の出口瞳面でもある。このグリッドは結
像にひずみがない場合に得られるはずのものである。二次光源１１２の配置は、
瞳面ハニカムの前もって決められた配置に正確に対応している。
【００９０】 図１６のようにフィールドレンズをリング状フィールド形成に使用する場合、
二次光源１１２は円弧１１４の上に位置する。
【００９１】 各円弧がひずみを示し、個々の行の瞳面ハニカムをこれらの円弧の上に置くな
らば、二次光源をふたたび規則的グリッドの上に置くことができる。
【００９２】 フィールドレンズがさらにｙ方向のひずみを導入するならば、図１７に示すよ
うに瞳面がｙ方向にひずむ。
【００９３】 入力照射を決定することにより、フィールドハニカムプレート状の照射される
表面の広がりを前もって決定しておくことができる。瞳面ハニカムプレートの照
射は、全長とレチクル面におけるアーパチャによって決定される。
【００９４】 上記に説明したように、フィールドハニカムと瞳面ハニカムを回転、傾斜させ
ることにより、この両方の面を互いに適合させなければならない。
【００９５】 わかりやすくするため、線で示した原理的略図によりこれらの問題を説明する
。しかしこれらの例は各反射システムに直接応用できる。フィールドハニカムプ
レートの照射を円形に行うについては、下記に示すようにさまざまな場合を区別
しなければならない。
【００９６】 フィールドハニカムの傾斜によって集光作用を、瞳面ハニカムの傾斜によって
発散作用を導入する場合、光束断面を小さくすることができる。個々のハニカム
の傾斜角度は、それぞれのハニカム対の中心ビームを用いて決定することができ
る。これらの中心ビームに対しては、図１８に示すように、システムはＴｅｌｅ
システムのように作用する。
【００９７】 フィールドハニカムをどの程度傾斜させなければならないかは、入射する線束
の収束に依存する。収束が線束断面の減少に適合しているならば、フィールドハ
ニカムは傾斜角度をつけることなく平面基礎上に取り付けることができる。
【００９８】 図１９に示すように、フィールドハニカムプレートと瞳面ハニカムプレートの
間の収束がレチクルのアーパチャに対応する場合、特殊な例が生じる。
【００９９】 瞳面ハニカムによる発散作用を導入する必要がない場合、瞳面ハニカムは表面
を傾斜させることなく使用することができる。さらに光源が非常に小さい光伝導
率を持ち、二次光源がほとんど点状である場合、瞳面ハニカムを完全に省略する
ことができる。
【０１００】 フィールドハニカムの傾斜による発散作用、瞳面ハニカムの傾斜による集光作
用が導入される場合、光束断面の拡大が可能である。中心ビームに対して、シス
テムはレトロフォーカスシステムのように作用する。図２０はこのことを示す。
【０１０１】 入射する光線の発散がフィールドハニカムと瞳面ハニカムの間の光束拡大に一
致するならば、フィールドハニカムは表面傾斜を行うことなく使用できる。
【０１０２】 フィールドハニカムプレートの照射Ａは、上記の丸い形状の代わりに、四角形
またはその他の形状とすることもできる。
【０１０３】 下記に説明する図２１Ａ〜５６に示す配置は、シンクロトロン放射源としてア
ンデュレータを使用する本発明の実施形態を示すが、本発明はこれらに限られる
ものではない。
【０１０４】 アンデュレータ光源の放射線は、指向性の強い放射線をともなう点状の線源に
さかのぼることができ、例えばその発散は水平方向にも垂直方向にも１０ｍｒａ
ｄ以下である。そのため下記に例を挙げて説明する照射機構はすべて、グリッド
エレメントを持つ反射鏡またはレンズをただ１つ備えるが、本発明はこれらに限
られるものではない。
【０１０５】 アンデュレータ線源は、前もって決められた波長スペクトルが照射されるマー
ク面では、ビーム発散＜１００ｍｒａｄ、好ましくは＜５０ｍｒａｄを示し、そ
のため電子線を集めこれをビーム化するための電子軌道に沿った集光装置、例え
ばこの種の線源に対してＵＳ−Ａ−５４３９７８１またはＵＳ−Ａ−５５１２７
５９が述べているような集光装置を必要としない。
【０１０６】 アンデュレータ線源２００とグリッドエレメントつき反射鏡を持つ照射機構で
考えれれる三つの実施形態を下記に説明する。
【０１０７】 タイプ名称は次の通り： タイプＡ 最初の反射鏡の個々のグリッドエレメントが個々の傾斜した平面チ
ャムファである実施形態。 タイプＢ 個々のグリッドエレメントが収束性光路におけるチャムファとして
作られている実施形態。 タイプＣ 最初の反射鏡のグリッドエレメントがビーム拡幅手段とともに１つ
の部材を形成する実施形態。
【０１０８】 図２１Ａおよび図２１Ｂにおいては、タイプＡの照射機構とパラメータの定義
を、屈折式の実施形態で示す。タイプＡの実施形態の場合、ビーム拡幅の手段が
発散レンズ２０６または発散反射鏡を備えるが、この図はほんの一例である。
【０１０９】 二次光源を生成するための集光作用は、発散レンズまたは発散反射鏡２０６の
後ろに配置された集光反射鏡または集光レンズ２０８によって行われる。ビーム
拡幅の手段と、集光作用を持つ反射鏡またはレンズは、いわゆる集光ユニットま
たは集光システム２１０を形成する。グリッドエレメントを持つ反射鏡がなけれ
ば、集光反射鏡は線源２００を照射機構の焦点面２１２に結像することとなろう
。グリッドエレメント２１４またはチャムファ反射鏡を持つ反射鏡によって、二
次光源２１６は多数の二次光源２１８に分解される。
【０１１０】 グリッドエレメント２１４は平面チャムファの形状とすることができる。この
実施形態における二次光源または光源が、集光ユニットによって焦点面に結像さ
れるからである。
【０１１１】 平面チャムファの傾斜角度は、いずれのチャムファの中心ビームも画像面２２
０では光学軸２２２に集まるように調整する。中心ビームに対して、チャムファ
反射鏡またはチャムファレンズが発散反射鏡または発散レンズのように作用する
。わかりやすくするため、図２１Ａおよび２１Ｂはその構造概略を、線で概略を
示した屈折式のシステムにより示す。図２１Ａではチャムファレンズが除かれて
いる。二次光源２１６は焦点面に位置する。図２１Ｂではチャムファレンズ２１
４が挿入されている。チャムファの傾斜には、この屈折式の図示では個々のプリ
ズムが対応している。
【０１１２】 図２２Ａおよび図２２Ｂが示すように、タイプＢの収束性の光路には、チャム
ファ反射鏡またはチャムファレンズを配置することが可能である。図２２Ａが示
すように、この場合の集光反射鏡２０８は、線源２００が照射機構の画像面２２
０に結像するように構想されている。そして図２２Ｂが示すように、チャムファ
２１４の集光作用は、画像面２１２に二次光源２１８が生じるように構想されて
いる。
【０１１３】 図２３Ａと図２３Ｂが示すように、タイプＣの本発明実施形態の場合、集光反
射鏡または集光レンズとチャムファ反射鏡またはチャムファレンズが１つになっ
ている。この種の形態の場合、集光反射鏡の集光作用は、傾斜装置であるチャム
ファと重なり合う。図２３Ａおよび２３Ｂの略図では、ハニカムでプリズムと集
光レンズが重なり合っていることを暗示している。反射式の実施形態では、傾斜
した集光反射鏡２２４となる。
【０１１４】 下記の公式は、タイプＡ〜Ｃの照射機構について、グリッドエレメントによる
結像を記述している：
【数９】 表示の意味は次の通り： ｄ５：全長の寸法 ＮＡRet：レチクル面のアーパチャ １つのハニカム行におけるハニカムの数＝本実施形態の場合は４ このハニカム数は二次光源、フィールドの均一構成要素、瞳面の均一照射要素の
個数の基準となる。 ｘFeld：フィールドのｘ方向広がり ＤＵBL：焦点面のφ ｘWabe：ハニカムのｘ方向広がり ｙWabe：ハニカムのｙ方向広がり
【０１１５】 図２１Ａ〜図２３Ｂで屈折システムの例として示した照射機構を１３ｎｍ−Ｅ
ＵＶ光線用として設計する場合、この照射機構を１３ｎｍ光線のための反射式と
して、そして反射損が大きいため反射の回数をできるだけ少なくして、転用しな
ければならない。
【０１１６】 アンデュレータ線源を光源として使用する場合、グリッドエレメントを持つ反
射鏡を照射するためには、集光反射鏡とともに１つの集光ユニットにまとめるこ
とのできるビーム拡幅手段が必要である。
【０１１７】 アンデュレータ線源の場合、１３ｎｍ光線の集光ユニットは、最初の限界見通
し入射反射鏡またはビームを拡幅するスキャン反射鏡、それにふたたび光線に集
光作用を及ぼす２番目の垂直入射反射鏡からなる。
【０１１８】 １３ｎｍ波長の場合の有利な設計を得るには、限界見通し入射反射鏡は反射率
が高いので（Ｒ〜〜８０％）、この方が垂直入射反射鏡（Ｒ〜〜６５％）よりも
好ましい。
【０１１９】 線源から最初の反射鏡までの距離ｄ1は、少なくともｄ1＝３０００ｍｍとする
のが有利であろう。この種の実施形態の場合、最初の反射鏡と残余の光学装置の
間では、放射線遮蔽壁のため自由空間２０００ｍｍを遵守すべきであろう。
【０１２０】 放射線遮蔽壁の前に最初の反射鏡を置き、放射線遮蔽壁の後ろに２番目の反射
鏡を置くという配置の代わりに、ｄ1＞５０００ｍｍであれば、最初の反射鏡も
放射線遮蔽壁の後ろに取り付けることができる。この場合の最初の反射鏡は、限
界見通し入射とも垂直入射ともすることができる。
【０１２１】 線源は水平方向に放射するのが有利である。
【０１２２】 水平に置かれたレチクルは、最大２０°、好ましくは１０°、特に好ましくは
５．４３°の中心ビーム角度で照射される。
【０１２３】 重力場で光学装置がたるむのを防止するため、レチクルとウェハは水平に配置
しなければならない。
【０１２４】 レチクルを正確なリング方向づけをもって照射し、その光を分離して照射機構
から対物レンズに導くには、フィールド形成のため２つの限界見通し入射反射鏡
を使用するのが有利である。
【０１２５】 図２４はタイプＡおよびＢの照射機構の略図を示す。
【０１２６】 タイプＡおよびＢのシステムは、光束を示す限界見通し入射トロイド反射鏡の
形状である集光反射鏡３００と、垂直入射集光反射鏡３０２からなる。後者の集
光反射鏡は、グリッドエレメント３０４を持つ反射鏡を丸く照射し、光源を焦点
面（タイプＡ）またはレチクル面（タイプＢ）のいずれかに結像する。
【０１２７】 参照番号３０４を付したのは、垂直入射チャムファ反射鏡またはグリッドエレ
メントを持つ反射鏡である。フィールド反射鏡３０６、３０８は限界見通し入射
フィールド反射鏡として作られ、レチクル面にフィールドを形成する。
【０１２８】 光学軸がそれぞれｘ軸のみを中心として向きを変えるように（α傾斜）、シス
テムパラメータを構想することができる。この場合縦方向の面はそのまま維持さ
れる。各反射鏡の間隔は線源の周辺条件に適合される。
【０１２９】 タイプＡのこの種のシステムの細部を下記に説明する。
【０１３０】 グリッドエレメントとしては、それぞれに傾斜を持つ平面チャムファを使用す
る。アンデュレータ線源は、φが１．０ｍｍでＮＡUnd＝０．００１の均一な平
面放射装置と想定された。
【０１３１】 焦点面に二次光源を均一に分布させるため、図２５に示すように、チャムファ
行３１０を互いに位置をずらして配置した。図２５の円形３１２はグリッドエレ
メントを持つ反射鏡の照射を示し、平面チャムファ３１４が拡幅されたアンデュ
レータ線源２００によって現れている。
【０１３２】 図２６〜図３３に示したのはタイプＡの照射機構であるが、その反射鏡の配置
を線源を基準とする座標系で表したものを表１にまとめた。
【表１】 表１：タイプＡの反射鏡の配置 Ｘ、Ｙ、Ｚ：諸構成部分の座標軸 α、β、γ：諸平面の回転角度 ＡＯＩ：諸構成部分における光学軸の入射角度 ｇ．ｉ．／ｎ．ｉ．：限界見通し入射／垂直入射
【０１３３】 レチクル面のｚ軸は、線源座標系のｚ軸に対し９０°の位置にある。
【０１３４】 線源２００と集光反射鏡３００のｚ方向の距離は、下記に説明するシステムの
場合５０００ｍｍである。放射線遮蔽壁３１６のため、集光反射鏡３００とチャ
ムファ反射鏡３０４の間に１９００ｍｍの間隔を設ける。
【０１３５】 レチクル面３１８は線源より２２８７．９ｍｍ高く位置する。
【０１３６】 本設計を図２６〜図３３を用いて説明する：図２６は対物レンズの入口瞳面３
２０までの全システムのｙｚ断面であって、線源２００、発散反射鏡３００、集
光反射鏡３０２、平面チャムファ反射鏡３０４、フィールド反射鏡３０６、３０
８、レチクル面３１８および対物レンズの入口瞳面３２０を備える。ここには中
心部のフィールドハニカム（０．０）と２つのもっとも外側のフィールドハニカ
ムに対しては、それぞれ中心ビームが書き込まれている。これらの中心ビームは
レチクル面３１８で互いに交わり、対物レンズの入口瞳面３３２０を照射する。
【０１３７】 図２７は集光反射鏡以後の部分を示す。傾斜したチャムファによって周縁ビー
ムが反転するのが明らかに見て取れる。
【０１３８】 図２８は、中心部のハニカム（０、０）３２２を通るビームの扇状の軌跡であ
る。集光反射鏡は焦点面に二次光源２１２を生成する。フィールド反射鏡はリン
グ状フィールドを形成し、二次光源を対物レンズの入口瞳面に結像する。
【０１３９】 図２９は対物レンズを含む全システムのｙｚ断面を示し、次のものを含む：す
なわち発散反射鏡３００、集光反射鏡３０２、平面チャムファ反射鏡３０４、フ
ィールド反射鏡３０６、３０８、レチクル面３１８および４反射鏡式投射対物レ
ンズ３３０である。光束は照射機構から分かれて対物レンズに入る。当然のこと
ながらそのほかの投射対物レンズ、例えば５または６反射鏡式のものも可能であ
る。
【０１４０】 図３０は、図２７〜図２９のシステムによるレチクルの照射を示し、３０°リ
ング状フィールド（ｒ＝２１１ｍｍ。−３．０ｍｍ＜Δｒ＜＋３．０ｍｍ）を等
高線の上に表示している。ここでｒはリング半径であって、ここではリングの３
０°セグメントを使用する。
【０１４１】 図３１は、ｘ＝０．０１５ｍｍ、３０ｍｍ、４５ｍｍのときのｙ軸に平行な光
度の断面を表示している。二次光源の広がりが最小であるため、理想的な「帽子
状」プロフィールを生じている。リングの湾曲のためそして像の各部分の重なり
が最適ではないため、フィールド周縁に行くに従って光度プロフィールの幅は増
加する。スキャンエネルギーを一定に維持するため、最大光度は同じ割合で減少
する。リソグラフィープロセスにとって重要なのは積算スキャンエネルギー、す
なわちスキャン経路に沿っての光度の積算である。図３２に示すように、積算ス
キャンエネルギーはこの実施形態の場合ほとんど均一である。フィールド反射鏡
またはフィールドレンズといった光学エレメントの設計によって、積算スキャン
エネルギーをコントロールできる。
【０１４２】 次ぎに図３３はフィールド中央における瞳面照射を示す。ハニカム分布に応じ
て、瞳面照射には光度ピーク３３２を生じる。最大アーパチャはＮＡRet＝０．
０２５である。アンデュレータ線源の光伝導率が小さいことに対応して、部分瞳
面のアーパチャは無視し得るくらいに小さい（ＮＡTeilpupille＝２Ｅ−６）。
【０１４３】 しかし積算的に見ると、二次光源の均一な分布によって瞳面の占積が得られる
。
【０１４４】 図３４から図４１は、本発明のタイプＢの実施形態で、収束性の光路にチャム
ファ反射鏡を持つものを示す。光源は図２６〜３３の実施形態と同様のものと想
定する。チャムファまたはグリッドエレメントは図２５のように配置されており
、平面状の支持面に取り付けられた集光凹面チャムファという形状である。
【０１４５】 反射鏡の配置を線源を基準とする座標系で表したものを表２にまとめた。
【表２】 表２：タイプＢの反射鏡の配置 Ｘ、Ｙ、Ｚ：諸構成部分の座標軸 α、β、γ：諸平面の回転角度 ＡＯＩ：諸構成部分における光学軸の入射角度 ｇ．ｉ．／ｎ．ｉ．：限界見通し入射／垂直入射
【０１４６】 レチクル面のｚ軸は、線源座標系のｚ軸に対し９０°の位置にある。
【０１４７】 線源２００と集光反射鏡３０２のｚ方向の距離は５０００ｍｍである。ここに
は図示しない放射線遮蔽壁のため、発散反射鏡３００とチャムファ反射鏡３０４
の間に２１００ｍｍのＺ方向の間隔を設ける。
【０１４８】 レチクル面３１８は線源より２２９８．９ｍｍ高く位置する。
【０１４９】 図３４は対物レンズの入口瞳面３２０までの全システムのｙｚ断面を示し、次
のものを含む：すなわち線源２００、発散反射鏡３００、集光反射鏡３０２、チ
ャムファ反射鏡３０４、フィールド反射鏡３０６、３０８、レチクル面３１８、
対物レンズの入口瞳面３２０である。ここでは中心部のフィールドハニカム（０
、０）と２つの外側のフィールドハニカムに対しては、レチクル面に集まって対
物レンズの入口瞳面を照射する中心ビームがそれぞれ書き込まれている。
【０１５０】 図３５は発散反射鏡３００以後の部分を示す。書き込まれている周縁ビームは
チャムファ反射鏡３０４の影響を受けない。重要なのは中心ビームであって、チ
ャムファは平面状の支持プレートに取り付けられているからである。
【０１５１】 図３６は中心部のハニカム（０、０）を通るビームの扇状軌跡を示す。ハニカ
ムの集光作用は焦点面で二次光源を生成する。フィールド反射鏡３０６、３０８
はリング状フィールドを形成し、二次光源を対物レンズの入口瞳面に結像する。
【０１５２】 図３７は対物レンズを含む全システムのｙｚ断面であって、次のものを含む。
すなわち発散反射鏡３００、集光反射鏡３０２、収束性光路におけるチャムファ
反射鏡３０４、フィールド反射鏡３０６、３０８、レチクル面３１８および４反
射鏡式対物レンズ３３０である。光束は照射機構から分かれて対物レンズに入る
。
【０１５３】 図３８はレチクルの照射を示し、３０°リング状フィールド（ｒ＝２１１ｍｍ
。−３．０ｍｍ＜Δｒ＜＋３．０ｍｍ）が等高線の上に表示されている。ここで
ｒはリング半径であって、ここではリングの３０°セグメントを使用する。
【０１５４】 図３９は、ｘ＝０．０１５ｍｍ、３０ｍｍ、４５ｍｍのときのｙ軸に平行な光
度断面を示している。二次光源の広がりが最小であるため、理想的な「帽子状」
プロフィールを少なくともフィールド中央に生じている。リングの湾曲のためそ
して像の各部分の重なりが最適ではないため、フィールド周縁に行くに従って光
度プロフィールの幅は増加する。曲線のスロープ部分が広くなり、半値全幅が大
きくなるにともない、最大光度が減少するので、スキャンエネルギーが一定に維
持される。
【０１５５】 図４０が示すように、この実施形態の積算スキャンエネルギーはほとんど均一
である。
【０１５６】 図４１は、瞳面照射がフィールド中央で行われていることを示す。
【０１５７】 タイプＣの照射機構を下記に説明する。アンデュレータ線源は、上記と同様に
点状の光源であると想定する。
【０１５８】 タイプＣのシステムは、最初に挙げるタイプＣ１の実施形態では、光線を下方
に偏向させる第一の限界見通し入射集光反射鏡４００を備える。この反射鏡４０
０はビームを拡幅して、チャムファ化された反射鏡４０２を照射し、後者の反射
鏡は光線をふたたびアンデュレータ線源２００の方へと反転させる。口径食をと
もなわない解決法を得るために、このチャムファ化された反射鏡４０２は、さら
にｙ軸を中心とする光学軸の傾斜、いわゆるβ傾斜を導入する。これによりシス
テム軸は放射線遮蔽壁をよけて通過する。
【０１５９】 図４２はこの種のシステムのｙ−ｚ面から見た側面図を、図４３はｘ−ｚ面か
ら見た側面図を示す。
【０１６０】 図４４は、タイプＣのシステムのもう１つの実施形態であるタイプＣ２を示す
。
【０１６１】 タイプＣ２のシステムの場合、限界見通し入射反射鏡４０２は、垂直入射反射
鏡に取って代わられている。その結果としてシステム軸は、反射鏡４０２とチャ
ムファ化された反射鏡４０４で２回反射した後、ふたたびアンデュレータ線源か
ら離れる方向に進む。従ってこれらの反射鏡は、ｘ軸を中心とした傾斜、いわゆ
るα傾斜を行えばよい。タイプＣ１の場合のようにｙ軸を中心として光学軸を傾
斜させることは不要である。ビーム拡幅のための反射鏡４０２は、タイプＣ２の
場合は線源室の外にある。線源放射線は水平方向ではほぼ線形に偏光しているの
で、光学軸はビーム拡幅反射鏡４０２においても、大きな反射損なしに比較的大
きな角度で反転することができる。
【０１６２】 図４５から図５４で、タイプＣ１のシステムを再度詳細に図示する。
【０１６３】 図４５〜図５４に示したシステムの反射鏡の配置を表３にまとめた。
【表３】 表３：タイプＣ１の反射鏡の配置 Ｘ、Ｙ、Ｚ：諸構成部分の座標軸 α、β、γ：諸平面の回転角度 ＡＯＩ：諸構成部分における光学軸の入射角度 ｇ．ｉ．／ｎ．ｉ．：限界見通し入射／垂直入射
【０１６４】 レチクル面のｚ軸は、線源座標系のｚ軸に対し９０°の位置にある。
【０１６５】 線源と発散反射鏡のｚ方向の距離は５０００ｍｍである。チャムファ反射鏡を
ｘ軸およびｙ軸を中心に傾斜させて、逆戻りしてくる光学軸を回転させる際、対
物レンズが照射光路や放射線遮蔽壁の妨害にならないように回転させる。
【０１６６】 レチクル面３１８は線源より１０２６．１ｍｍ低く、レチクル面は線源より３
４５．７９ｍｍ高く位置する。
【０１６７】 タイプＣ１の設計の例を、図を用いてさらに詳細に説明する。
【０１６８】 図４５は対物レンズの入口瞳面までの全システムのｙｚ断面を示し、次のもの
を含む：すなわち線源２００、発散反射鏡４０２、チャムファ化されかつ集光作
用を持つ反射鏡４０４、フィールド反射鏡４０６、４０８、レチクル面４０８、
対物レンズの入口瞳面４１０である。ここでは中心部のフィールドハニカム（０
、０）と２つのもっとも外側のフィールドハニカムに対しては、それぞれ中心ビ
ームが書き込まれている。これらの中心ビームはレチクル面で互いに交わり、対
物レンズの入口瞳面を照射する。
【０１６９】 図４６は発散反射鏡４００以後の部分のｘ−ｙ断面を示す。書き込まれた周縁
ビームはチャムファ反射鏡によって反転させられて、レチクル面で集まる。
【０１７０】 図４７は発散反射鏡４００以後の部分のｘ−ｚ断面を示す。チャムファ化され
かつ集光作用がある反射鏡４０２が、入射する光束から光学軸を反転させる。こ
れにより対物レンズと放射線遮蔽壁のためのスペースが得られる。
【０１７１】 図４８には、中心部のハニカム（０、０）を通るビームの扇状の軌跡が書き込
まれている。ハニカムの集光作用は焦点面に二次光源を生成する。フィールド反
射鏡４０４、４０６はリング状フィールドを形成し、二次光源４１２を入口瞳面
４１０に結像する。
【０１７２】 図４９は対物レンズを含む全システムのｙ−ｚ断面を示し、次のものを含む。
すなわち発散反射鏡４００、チャムファ化されかつ集光作用を持つ反射鏡４０２
、フィールド反射鏡４０４、４０６、レチクル面４１０、４反射鏡式対物レンズ
４３０である。光束は照射機構から分かれて対物レンズに入る。
【０１７３】 図５０は対物レンズを含む全システムのｘ−ｙ断面を示す。この図では、対物
レンズと、発散反射鏡４００とチャムファ反射鏡４０２の間の照射光路が分離し
ていることが明らかである。
【０１７４】 図５１はレチクルの照射を示し、３０°リング状フィールド（ｒ＝２１１ｍｍ
。−３．０ｍｍ＜Δｒ＜＋３．０ｍｍ）が等高線の上に表示されている。
【０１７５】 図５２は、ｘ＝０．０１５ｍｍ、３０ｍｍ、４５ｍｍのときのｙ軸に平行な光
度断面を示している。
【０１７６】 図５３から見て取れるように、本実施形態の積算スキャンエネルギーは均一で
ある。
【０１７７】 図５４はタイプＣ１のシステムのフィールド中央における瞳面照射を示す。
【０１７８】 焦点面がアクセス可能でなくてもよい場合は、バーチャルな焦点面を用いて作
業することもできる。その場合光は、発散しながら反射鏡チャムファを離れるこ
とになろう。タイプＢおよびタイプＣによればチャムファは集光性ではなく、発
散性のものとして作られることとなろう。
【０１７９】 タイプＣに対しては、次のような場合が考えられる。図５５Ａが示すように、
最初の集光反射鏡はバーチャルな二次光源１０００を生成する。発散性のビーム
が平面反射鏡で反転されるが、この場合その主要ビームがレチクル面と光学軸で
交わるように反転される。傾斜づけられた平面反射鏡は、図５５Ｂではプリズム
として示されている。これによりバーチャルな焦点面では多数の二次光源１００
２が生成される。
【０１８０】 下記の式は図５５Ａおよび図５５Ｂの各システムパラメータの関係を記述する
：
【数１０】 表示の意味は次の通り： ｄ4：全長の寸法 ＮＡRet：レチクル面のアーパチャ １つのハニカム行におけるハニカムの数：４ このハニカム数は二次光源、フィールドの均一構成要素、瞳面の均一照射要素の
個数の基準となる。 ｘFeld：フィールドのｘ方向広がり
【０１８１】 図５５ＡからＢの略図から明らかなように、ＮＡQuelle＝０．００１を持つア
ンデュレータ線源の場合、距離ｄ2とｄ3はほぼ等しい。実現可能な全長とあわせ
てこのことは、実地応用の際には垂直入射集光反射鏡を必要とすることになる。
【０１８２】 例えば図５４が示すようなシャープな光度ピークを瞳面でぼかし、光伝導率を
効果的に高めるために、本発明のすべての実施形態において、最後の反射鏡を可
動型の反射鏡、いわゆる掃引反射鏡として構想することができる。掃引反射鏡の
運動はまずアーパチャ角を変えるが、フィールドの状態に対する影響は少ない。
【０１８３】 シャープな光度ピークを瞳面でぼかすことができるためには、反射鏡全体を動
かすことだけでなく、最後の反射鏡の周期的な表面変化を考えることもできる。
【０１８４】 ハニカムアスペクト比を減少させるためには、非点収差のあるチャムファを使
用することもできる。これにより焦点面は、球欠的な焦点面と接線的な焦点面に
分かれる。トーラス型のフィールド反射鏡は、この２つの面を対物レンズの入口
瞳面に結像する。
【０１８５】 フィールドレンズの設計によって、レチクル面における照射分布をコントロー
ルできる。例えばこれにより均一なスキャンエネルギーを得ることができる。
【０１８６】 スキャン均一性をコントロールするため、本発明のもう１つの実施形態では、
２つのフィールド反射鏡の１つを能動的な反射鏡とすることができる。
【０１８７】 方位上のひずみは、ｙ方向に走る複数のアクチュエーターラインによりコント
ロールすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ２つのハニカムプレートを持つシステムの光路の原理的略図で
ある。
【図２】 中心部をなすハニカム対のフィールド結像と瞳面結像である。
【図３】 四角形瞳面ハニカムと組み合わせた四角形フィールドハニカム
の光線の経路である。
【図４】 図３の経路で、光路中にフィールドレンズを挿入した場合であ
る。
【図５】 図３の経路で、光路に２つのフィールドレンズを挿入した場合
である。
【図６】 フィールドハニカムと瞳面ハニカムを持つ屈折システムの原理
的略図である。
【図７】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカムの
さまざまな配置の一実施形態である。
【図８】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカムの
さまざまな配置の他の実施形態である。
【図９】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカムの
さまざまな配置の他の実施形態である。
【図１０】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカム
のさまざまな配置の他の実施形態である。
【図１１】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカム
のさまざまな配置の他の実施形態である。
【図１２】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカム
のさまざまな配置の他の実施形態である。
【図１３】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカム
のさまざまな配置の他の実施形態である。
【図１４】 フィールドハニカムプレート上におけるフィールドハニカム
のさまざまな配置の他の実施形態である。
【図１５】 対物レンズの入口瞳面における二次光源のグリッドの一実施
形態である。
【図１６】 対物レンズの入口瞳面における二次光源のグリッドの他の実
施形態である。
【図１７】 対物レンズの入口瞳面における二次光源のグリッドの他の実
施形態である。
【図１８】 瞳面ハニカムプレートとフィールドハニカムプレートの照射
された各表面間の関係、全長、レチクル面におけるアーパチャの一実施形態であ
る。
【図１９】 瞳面ハニカムプレートとフィールドハニカムプレートの照射
された各表面間の関係、全長、レチクル面におけるアーパチャの他の実施形態で
ある。
【図２０】 瞳面ハニカムプレートとフィールドハニカムプレートの照射
された各表面間の関係、全長、レチクル面におけるアーパチャの他の実施形態で
ある。
【図２１】 アンデュレータ光源（タイプＡ）を持つ照射機構の第一の実
施形態である。屈折式の形式で図示している。
【図２２】 アンデュレータ光源（タイプＢ）を持つ照射機構の第二の実
施形態である。屈折式の形式で図示している。
【図２３】 アンデュレータ光源（タイプＣ）を持つ照射機構の第三の実
施形態。屈折式の形式で図示している。
【図２４】 タイプＡの照射機構の原理的配置図である。屈折式の形式で
図示している。
【図２５】 チャムファ化された最初の反射鏡におけるグリッドエレメン
トの配置である。
【図２６】 あるタイプＡ照射機構の一実施形態である。
【図２７】 あるタイプＡ照射機構の他の実施形態である。
【図２８】 あるタイプＡ照射機構の他の実施形態である。
【図２９】 あるタイプＡ照射機構の他の実施形態である。
【図３０】 図２６〜図２９に記載したシステムの平面チャムファ反射鏡
によるレチクルフィールドの照射を示す図である。
【図３１】 図２６〜図２９に記載したシステムの走査方向における光度
の推移を示す図である。
【図３２】 図２６〜図２９に記載したシステムのレチクル面における積
算スキャンエネルギーを示す図である。
【図３３】 図２６〜図２９に記載したシステムの平面チャムファ反射鏡
を備える瞳面照射機構を示す図である。
【図３４】 タイプＢ照射機構の一実施形態を示す図である。
【図３５】 タイプＢ照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図３６】 タイプＢ照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図３７】 タイプＢ照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図３８】 図３４〜図３７に記載したシステムの平面チャムファ反射鏡
によるレチクルフィールドの照射を示す図である。
【図３９】 図３４〜図３７に記載したシステムの走査方向における光度
の推移を示す図である。
【図４０】 図３４〜図３７に記載したシステムのレチクル面における積
算スキャンエネルギーを示す図である。
【図４１】 図３４〜図３７に記載したシステムの平面チャムファ反射鏡
を備える瞳面照射機構を示す図である。
【図４２】 タイプＣ１照射機構の原理的配置図の一実施形態を示す図で
ある。屈折式の形式で図示している。
【図４３】 タイプＣ１照射機構の原理的配置図の他の実施形態を示す図
である。屈折式の形式で図示している。
【図４４】 タイプＣ２照射機構の原理的配置図の他の実施形態を示す図
である。屈折式の形式で図示している。
【図４５】 タイプＣ１照射機構の一実施形態を示す図である。
【図４６】 タイプＣ１照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図４７】 タイプＣ１照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図４８】 タイプＣ１照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図４９】 タイプＣ１照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図５０】 タイプＣ１照射機構の他の実施形態を示す図である。
【図５１】 図４５〜図５０に記載したシステムの平面チャムファ反射鏡
によるレチクルフィールドの照射を示す図である。
【図５２】 図４５〜図５０に記載したシステムの走査方向における光度
の推移を示す図である。
【図５３】 図４５〜図５０に記載したシステムのレチクル面における積
算スキャンエネルギーを示す図である。
【図５４】 図４５〜図５０に記載したシステムの平面チャムファ反射鏡
を備える瞳面照射機構を示す図である。
【図５５】 図５５Ａ〜５５Ｂ 本発明の実施形態で、バーチャルな焦点
面を持つものを示した図である。
【符号の説明】 １ 光源 ３ 集光レンズ ５、２０、１０２ フィールドハニカム ７、１００ ハニカムプレート ９、２２ 瞳面ハニカム １２ フィールドレンズ １４ レチクル ２４ 対物レンズ ２６ 瞳面 ３０ リング状フィールド ３２、３０６、３０８、４０４，４０６ フィールド反射鏡 １１２、２１６、１０００ 二次光源 ２００ 線源 ２０６、３００、４００ 発散レンズ（発散反射鏡） ２０８、２２４、３０２、４００ 集光レンズ（集光反射鏡） ２１２ 焦点面 ２１４、３０４，３１４ グリッドエレメント（平面チャムファ） ３１８、４１０ レチクル面 ３２０ 瞳面 ３３０、４３０ 対物レンズ
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１１年８月１４日（１９９９．８．１４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１６８】 図４５は対物レンズの入口瞳面までの全システムのｙｚ断面を示し、次のもの
を含む：すなわち線源２００、発散反射鏡４００、チャムファ化されかつ集光作
用を持つ反射鏡４０２、フィールド反射鏡４０４、４０６、レチクル面４０８、
対物レンズの入口瞳面４１０である。ここでは中心部のフィールドハニカム（０
、０）と２つのもっとも外側のフィールドハニカムに対しては、それぞれ中心ビ
ームが書き込まれている。これらの中心ビームはレチクル面で互いに交わり、対
物レンズの入口瞳面を照射する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２９】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３６】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３７】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４２】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４３】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４４】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ２９９ ０２ １０８．４ (32)優先日 平成11年２月８日(1999．2．8) (33)優先権主張国 ドイツ（ＤＥ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ，Ｕ Ｓ Ｆターム(参考） 2H097 CA03 CA12 GB01 LA10 5F046 CA07 CA08 CB02 CB12 GB01 GB02 GC03 GC04

Claims (71)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 波長≦１９３ｎｍ用、特にＥＵＶリソグラフィー用の照射
    機構において、すなわち、 １．１ 事前に決められた表面に照射Ａを行う光源を少なくとも１つと、 １．２ 二次光源を生成するための装置を少なくとも１つと、 １．３ 反射鏡装置またはレンズ装置を少なくとも１つとを備え、この装置は、
    複数のグリッドエレメントからなる反射鏡またはレンズを少なくとも１つと、 １．４ 複数のグリッドエレメントからなる反射鏡またはレンズを少なくとも１
    つ持つ反射鏡装置またはレンズ装置とレチクル面の間に配置される１つまたは複
    数の光学的エレメントとを持ち、その際この光学的エレメントはこの照射システ
    ムの出口瞳面に二次光源を結像するこの照射装置において、 １．５ 光源は波長≦１９３ｎｍの光線を生じるための光源であって、この光源
    は１つの波長スペクトルを特異面に放射し、その応用のために、特にリソグラフ
    ィーのために使用される波長領域は、マーク面への垂直方向に５ｍｒａｄ未満の
    ビーム発散を示すことを特徴とする上記照射装置。
  2. 【請求項２】 事前に決められた平面がグリッドエレメントを持つ最初の
    反射鏡またはレンズの上にあることを特徴とする、請求項１に記載の照射機構。
  3. 【請求項３】 光源がマーク面において１００ｍｒａｄ未満のビーム発散
    を示すことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の照射機構。
  4. 【請求項４】 照射機構がマーク面に垂直なビームを拡幅するための手段
    を備えることを特徴とする、請求項１から請求項２までに記載の照射機構。
  5. 【請求項５】 放射源がＥＵＶ光線を生じるためのシンクロトロン放射源
    であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の照射機構
    。
  6. 【請求項６】 ＥＵＶ光線が１０ｎｍ〜１５ｎｍの領域の波長を示すこと
    を特徴とする、請求項５に記載の照射機構。
  7. 【請求項７】 応用のため、特にリソグラフィーのために使用される波長
    領域がマーク面で５ｍｒａｄ未満のビーム発散を示すことを特徴とする、請求項
    １から４までのいずれか１項に記載の照射機構。
  8. 【請求項８】 ビームを拡幅するための手段がマーク面に、かつマーク面
    に垂直に備えられていることを特徴とする、請求項７に記載の照射機構。
  9. 【請求項９】 拡幅された光ビームを集めるための手段が備えられている
    ことを特徴とする、請求項８に記載の照射機構。
  10. 【請求項１０】 拡幅された光ビームを集める手段が広範囲に完全に照射
    されるように、ビーム拡幅の手段が形成され、構成されていることを特徴とする
    、請求項９に記載の照射機構。
  11. 【請求項１１】 ビーム拡幅の手段が発散反射鏡または発散レンズを備え
    ることを特徴とする、請求項８から１０までのいずれか１項に記載の照射機構。
  12. 【請求項１２】 ビーム拡幅の手段がスキャン反射鏡を備えることを特徴
    とする、請求項８から請求項１０までのいずれか１項に記載の照射機構。
  13. 【請求項１３】 シンクロトロンＥＵＶ放射源が曲げ磁石を備えることを
    特徴とする、請求項４から１２までのいずれか１項に記載の照射機構。
  14. 【請求項１４】 シンクロトロンＥＵＶ放射源がウィグラーを備えること
    を特徴とする、請求項４から請求項１２までのいずれか１項に記載の照射機構。
  15. 【請求項１５】 シンクロトロンＥＵＶ放射源がアンデュレータを備える
    ことを特徴とする、請求項４から１２までのいずれか１項に記載の照射機構。
  16. 【請求項１６】 応用のため、特にリソグラフィーのために使用される波
    長領域において、アンデュレータ線源が放射を行う空間角度が±５ｍｒａｄ未満
    であることを特徴とする、請求項１５に記載の照射機構。
  17. 【請求項１７】 最初の反射鏡のグリッドエレメントが二次光源を生成す
    ることを特徴とする、請求項１から１６までのいずれか１項に記載の照射機構。
  18. 【請求項１８】 複数のグリッドエレメントからなる反射鏡またはレンズ
    のグリッドエレメントが形成、配置されるが、その際グリッドエレメントの像が
    レチクル面における光学的エレメントによって大部分がカバーされるように、そ
    してアーパチャと占積率によって決定される出口瞳面が照射されるように形成、
    配置されることを特徴とする、請求項１から請求項１７までのいずれか１項に記
    載の照射機構。
  19. 【請求項１９】 反射鏡装置は、フィールドハニカムとして形成されたグ
    リッドエレメントを持つ反射鏡またはレンズを備えることを特徴とする、請求項
    １から請求項１８までのいずれか１項に記載の照射機構。
  20. 【請求項２０】 拡幅された光ビームを集める手段が、集光反射鏡または
    集光レンズを少なくとも１つ持つ集光装置を備えることを特徴とする、請求項８
    から１８までのいずれか１項に記載の照射機構。
  21. 【請求項２１】 グリッドエレメントを持つ最初の反射鏡の表面が照射Ａ
    を示すことを特徴とする、請求項２０に記載の照射機構。
  22. 【請求項２２】 グリッドエレメントを持つ最初の反射鏡の照射が円形で
    あることを特徴とする、請求項２１に記載の照射機構。
  23. 【請求項２３】 集光装置が焦点面に光源を結像することを特徴とする、
    請求項２０から請求項２２までのいずれか１項に記載の照射機構。
  24. 【請求項２４】 グリッドエレメントが平面状チャムファとして形成され
    ていることを特徴とする、請求項２０から請求項２３までのいずれか１項に記載
    の照射機構。
  25. 【請求項２５】 反射鏡表面のグリッドエレメントを持つ反射鏡の平面状
    チャムファを配置するにあたり、いずれの平面状チャムファの中心ビームもレチ
    クル面または画像面においては光学軸上に集まるように傾斜させて配置すること
    を特徴とする、請求項２４に記載の照射機構。
  26. 【請求項２６】 グリッドエレメントはプリズムであるが、この場合いず
    れのプリズムの中心ビームも画像面では光学軸上に集まるように方向付けられ、
    配置されているプリズムであることを特徴とする、請求項２０から請求項２３ま
    でのいずれか１項に記載の照射機構。
  27. 【請求項２７】 集光装置が光源を画像面に結像することを特徴とする、
    請求項２０に記載の照射機構。
  28. 【請求項２８】 グリッドエレメントは集光作用を示すが、それは頂点面
    で二次光源が照射されるような集光作用であることを特徴とする、請求項２５に
    記載の照射機構。
  29. 【請求項２９】 発散反射鏡が限界見通し入射反射鏡であることを特徴とする、請求項１１から
    ２８までのいずれか１項に記載の照射機構。
  30. 【請求項３０】 光源から発散反射鏡またはスキャン反射鏡までの間隔が
    少なくとも２０００ｍｍであることを特徴とする、請求項２９に記載の照射機構
    。
  31. 【請求項３１】 発散反射鏡またはスキャン反射鏡から照射機構のもう一
    つの光学装置までの間隔が少なくとも１０００ｍｍあり、しかもこのもう一つの
    装置とは、集光反射鏡を１つまたは少なくともグリッドエレメントからなる反射
    鏡を１つと、二次光源を照射機構の出口瞳面に結像する光学的エレメントととを
    備えるものであることを特徴とする、請求項３０に記載の照射機構。
  32. 【請求項３２】 発散反射鏡ともう１つの光学的エレメントを配置するに
    あたっては、放射源から水平面を走る光学軸が反転して、ある水平面に配置され
    たレチクルにその光学軸が事前に決められた角度で交わるように配置することを
    特徴とする、請求項３１に記載の照射機構。
  33. 【請求項３３】 レチクルの表面法線と光学軸の間の角度が最大２０°、
    好ましくは１０°であることを特徴とする、請求項３２に記載の照射機構。
  34. 【請求項３４】 集光装置と、グリッドエレメントを持つ反射鏡またはレ
    ンズが、ただ１つの部材を形成することを特徴とする、請求項１から請求項１６
    までのいずれか１項に記載の照射機構。
  35. 【請求項３５】 グリッドエレメントを持つ反射鏡またはレンズのグリッ
    ドエレメントを構成するに当たっては、グリッドエレメントの配置によって集光
    レンズまたは集光反射鏡の集光作用が実現されるように構成することを特徴とす
    る、請求項３４に記載の照射機構。
  36. 【請求項３６】 反射鏡表面にグリッドエレメントを持つ反射鏡のグリッ
    ドエレメントを配置し、その際いずれのグリッドエレメントの中心ビームもレチ
    クル面で光学軸に集まるように、このグリッドエレメントを傾斜させて配置する
    ことを特徴とする、請求項３５に記載の照射機構。
  37. 【請求項３７】 グリッドエレメントは焦点面に二次光源を結像するよう
    な集光作用を示すことを特徴とする、請求項３５または３６に記載の照射機構。
  38. 【請求項３８】 グリッドエレメントはプリズムであって、しかもいずれ
    のプリズムの中心ビームもレチクル面で光学軸に集まるように方向づけされ、配
    置されたプリズムであることを特徴とする、請求項３５に記載の照射機構。
  39. 【請求項３９】 ビーム拡幅エレメント（３００）がシンクロトロン放射
    源と放射線防護装置の間に配置されていることを特徴とする、請求項３６または
    請求項３８に記載の照射機構。
  40. 【請求項４０】 放射源とビーム拡幅手段との間隔が少なくとも２０００
    ｍｍあることを特徴とする、請求項３９に記載の照射機構。
  41. 【請求項４１】 グリッドエレメントを持つ反射鏡またはレンズを配置す
    るに当たっては、熱源から水平面を走る光学軸が反転して、水平に配置されたレ
    チクルにその光学軸が事前に決められた角度で交わるように配置することを特徴
    とする、請求項３９または請求項４０に記載の照射機構。
  42. 【請求項４２】 グリッドエレメントを持つ反射鏡またはレンズを配置す
    るに当たっては、光学軸が傾斜されて光ビームが放射線防護装置をよけて通過す
    るように配置することを特徴とする、請求項４１に記載の照射機構。
  43. 【請求項４３】 ビーム拡幅手段から照射機構のもう一つの光学装置まで
    の間隔が少なくとも１０００ｍｍであることを特徴とする、請求項３９から請求
    項４２までのいずれか１項に記載の照射機構。
  44. 【請求項４４】 ビーム拡幅手段が空間的にはシンクロトロン放射源の放
    射線防護装置の背後に配置されていることを特徴とする、請求項３６または３８
    に記載の照射機構。
  45. 【請求項４５】 グリッドエレメントを持つ反射鏡またはレンズを配置す
    るに当たっては、放射源から水平面を走る光学軸が反転して、その光学軸が水平
    に配置されたレチクルに事前に決定された角度で交わるように配置することを特
    徴とする、請求項４４に記載の照射機構。
  46. 【請求項４６】 光ビームを拡幅する手段は反射鏡またはレンズを持つ装
    置を備え、グリッドエレメントを持つ最初の反射鏡の事前に決められた表面いっ
    ぱいにその光ビームが当たるように、その装置を動かすことができることを特徴
    とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の照射機構。
  47. 【請求項４７】 その事前に決められた表面は円形であることを特徴とす
    る、請求項４６に記載の照射機構。
  48. 【請求項４８】 シンクロトロン放射源がウィグラーを備えることを特徴
    とする、請求項４６に記載の照射機構。
  49. 【請求項４９】 シンクロトロン放射源が曲げ磁石を備えることを特徴と
    する、請求項４６に記載の照射機構。
  50. 【請求項５０】 グリッドエレメントを持つ２つの反射鏡またはレンズを
    備え、その際最初の反射鏡または最初のレンズは多数のフィールドハニカムを、
    ２番目の反射鏡または２番目のレンズは多数の瞳面ハニカムを備えることを特徴
    とする、請求項４６から請求項４９までのいずれか１項に記載の照射機構。
  51. 【請求項５１】 瞳面ハニカムが二次光源の場所に位置することを特徴と
    する、請求項５０に記載の照射機構。
  52. 【請求項５２】 いずれの瞳面ハニカムにも１つのフィールドハニカムが
    割り当てられ、瞳面ハニカムはレチクル面にフィールドハニカムを結像すること
    を特徴とする、請求項５１に記載の照射機構。
  53. 【請求項５３】 フィールドハニカムを最初の反射鏡または最初のレンズ
    に配置し、その際フィールドハニカムが互いに重なり合わないように、そしてそ
    の像がレチクル面の照射される表面をカバーするように配置することを特徴とす
    る、請求項５０から請求項５２までのいずれか１項に記載の照射機構。
  54. 【請求項５４】 事前に決められた照射Ａが回転対称形でないことを特徴
    とする、請求項５３に記載の照射機構。
  55. 【請求項５５】 瞳面ハニカムを２番目の反射鏡または２番目のレンズに
    配置するが、その際瞳面ハニカムの像が、事前に決められたパターンを持つ出口
    瞳面を照射する光学的エレメントによって生成されるように配置することを特徴
    とする、請求項５０から請求項５４までのいずれか１項に記載の照射機構。
  56. 【請求項５６】 事前に決められたパターンは円形またはリング状である
    ことを特徴とする、請求項５５に記載の照射機構。
  57. 【請求項５７】 事前に決められたパターンは四極子型の形状を持つこと
    を特徴とする、請求項５５に記載の照射機構。
  58. 【請求項５８】 反射鏡上のフィールドハニカムと瞳面ハニカム相互の配
    置によって、特にこれらをねじり、傾斜させることによって、フィールドハニカ
    ムと瞳面ハニカムのペアの間の光路を構成することを特徴とする、請求項５５か
    ら請求項５７までのいずれか１項に記載の照射機構。
  59. 【請求項５９】 レンズのフィールドハニカムおよび瞳面ハニカムのプリ
    ズム部分の変更角度の方向づけおよび選択によって、フィールドハニカムと瞳面
    ハニカムのペアの間の光路を構成することを特徴とする、請求項５５から５７ま
    でのいずれか１項に記載の照射機構。
  60. 【請求項６０】 フィールド面および瞳面のリンクされた光路、特にケー
    ラー式照射が実現されることを特徴とする、請求項５０から請求項５９までのい
    ずれか１項に記載の照射機構。
  61. 【請求項６１】 光学的エレメントが可動型または変形可能な反射鏡また
    はレンズを備えることを特徴とする、請求項１から請求項６０までのいずれか１
    項に記載の照射機構。
  62. 【請求項６２】 光学的エレメントがユニフォーミティ修正のための能動
    的なレンズまたは反射鏡を備えることを特徴とする、請求項１から請求項６１ま
    でのいずれか１項に記載の照射機構。
  63. 【請求項６３】 フィールド反射鏡の少なくとも１つは掃引を行うフィー
    ルド反射鏡であることを特徴とする、請求項１から請求項６２までのいずれか１
    項に記載の照射機構。
  64. 【請求項６４】 グリッドエレメントからなる最初の反射鏡またはレンズ
    のグリッドエレメントが、ハニカムアスペクト比を小さくするため、非点収差的
    なフィールドハニカムの形状であることを特徴とする、請求項１から請求項６２
    までのいずれか１項に記載の照射機構。
  65. 【請求項６５】 請求項１から請求項６４までの少なくともいずれか１項
    に記載の照射機構と、 −キャリアー機構上のマスクと、 −投射対物レンズと、 −キャリアー機構上の感光性対象物を持つ、 マイクロリソグラフィーのＥＵＶ投射照射装置。
  66. 【請求項６６】 スキャニング機構として作られた請求項６５に記載のＥ
    ＵＶ投射照射装置。
  67. 【請求項６７】 感光性対象物−組織構造を持たないマスクの場合−に対
    する照射の強さは±５％未満、好ましくは±２％未満の場所に応じた相異を示す
    ことを特徴とする、請求項６５から請求項６６までの少なくともいずれか１項に
    記載のＥＵＶ投射照射装置。
  68. 【請求項６８】 感光性対象物−組織構造を持たないマスクの場合−に対
    するスキャンエネルギーは、±５％以下の、好ましくは±２％以下の場所に応じ
    た相異を示すことを特徴とする、請求項６５から請求項６７までのいずれか１項
    に記載のＥＵＶ投射照射装置。
  69. 【請求項６９】 ＥＵＶに対して透明なバキュームウィンドウが光路に配
    置されていることを特徴とする、請求項６５から６８までの少なくともいずれか
    １項に記載のＥＵＶ投射照射装置。
  70. 【請求項７０】 バキュームウィンドウが照射機構内の光束の収縮部に配
    置されていることを特徴とする、請求項６９に記載のＥＵＶ投射照射装置。
  71. 【請求項７１】 請求項６５から請求項６９に記載のＥＵＶ投射照射装置
    を持つマイクロエレクトロニクス部材特に半導体チップを製造する方法。
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