JPH01137543A - レーザ励起ｘ線発生装置 - Google Patents
レーザ励起ｘ線発生装置Info
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- JPH01137543A JPH01137543A JP29552687A JP29552687A JPH01137543A JP H01137543 A JPH01137543 A JP H01137543A JP 29552687 A JP29552687 A JP 29552687A JP 29552687 A JP29552687 A JP 29552687A JP H01137543 A JPH01137543 A JP H01137543A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置製造工程において使用されるフォトリソグラ
フィー法の実施に必要なＸ線露光等に使用されるレーザ
励起Ｘ線発生装置の改良に関し、クライオプレート上に
堆積している固体状のキセノンまたはクリプトンが、Ｘ
線を発生するためのレーザ照射によって気化消失する量
を安定的に補充し、クライオプレート上のレーザが照射
される領域に、常に固体状のキセノンまたはクリプトン
を堆積しておくように改良したレーザ励起Ｘ線発生装置
を提供することを目的とし、 −２００″Ｃ程度に冷却されているクライオプレートと
、このクライオプレートの１面に対向して開口を有し、
前記のクライオプレートの前記の１面に極めて小さな間
隙を残留して対接する隔壁を有し、キセノンまたはクリ
プトンが供給され、前記の非回転型クライオプレートの
少なくとも前記の開口に対向する領域に、前記のキセノ
ンまたはクリプトンが固体状に付着する、Ｘ線ターゲッ
ト形成室と、前記開口に対向して設けられ、内圧は前記
のＸ線ターゲット形成室の内圧より低く、前記の開口を
介して前記の開口に対応する領域にレーザを照射するレ
ーザ窓と、前記の開口に対向する領域に、前記のクライ
オプレートの前記の開口に対応する領域上に堆積してい
る固体キセノンまたは固体クリプトン面から放射される
Ｘ線を透過するＸ線透過窓を存するＸ線発生室とをもっ
て構成される。
フィー法の実施に必要なＸ線露光等に使用されるレーザ
励起Ｘ線発生装置の改良に関し、クライオプレート上に
堆積している固体状のキセノンまたはクリプトンが、Ｘ
線を発生するためのレーザ照射によって気化消失する量
を安定的に補充し、クライオプレート上のレーザが照射
される領域に、常に固体状のキセノンまたはクリプトン
を堆積しておくように改良したレーザ励起Ｘ線発生装置
を提供することを目的とし、 −２００″Ｃ程度に冷却されているクライオプレートと
、このクライオプレートの１面に対向して開口を有し、
前記のクライオプレートの前記の１面に極めて小さな間
隙を残留して対接する隔壁を有し、キセノンまたはクリ
プトンが供給され、前記の非回転型クライオプレートの
少なくとも前記の開口に対向する領域に、前記のキセノ
ンまたはクリプトンが固体状に付着する、Ｘ線ターゲッ
ト形成室と、前記開口に対向して設けられ、内圧は前記
のＸ線ターゲット形成室の内圧より低く、前記の開口を
介して前記の開口に対応する領域にレーザを照射するレ
ーザ窓と、前記の開口に対向する領域に、前記のクライ
オプレートの前記の開口に対応する領域上に堆積してい
る固体キセノンまたは固体クリプトン面から放射される
Ｘ線を透過するＸ線透過窓を存するＸ線発生室とをもっ
て構成される。
なお、クライオプレートは、回転体をもって、構成し、
この回転体は車輪状または傘型構造とする七さらに有利
である。
この回転体は車輪状または傘型構造とする七さらに有利
である。
本発明は、半導体装置の製造工程において使用されるフ
ォトリソグラフィー法の実施に必要なＸ線ｎ光等に使用
されるレーザ励起Ｘ線発生装置の改良に関する。
ォトリソグラフィー法の実施に必要なＸ線ｎ光等に使用
されるレーザ励起Ｘ線発生装置の改良に関する。
レーザ励起Ｘ線発生装置の原理は、集光されたレーザ光
をパルス幅１ ｐｓｅｃ ＝ １ ｎ５ｅｃ程度のパル
ス状をもって、毎秒゛３回程度、固体状のキセノンまた
は固体状のクリプトンよりなる、Ｘ線ターゲットに照射
し、ターゲット物質を瞬時的にプラズマ化し、その際発
生するＸ線を利用するものである。
をパルス幅１ ｐｓｅｃ ＝ １ ｎ５ｅｃ程度のパル
ス状をもって、毎秒゛３回程度、固体状のキセノンまた
は固体状のクリプトンよりなる、Ｘ線ターゲットに照射
し、ターゲット物質を瞬時的にプラズマ化し、その際発
生するＸ線を利用するものである。
レーザ励起によるＸ線発生装置は、レーザのエネルギー
をＸｖａエネルギーに変換する変換効率が高く、また、
レーザ光を集光することによって、Ｘ線発光点を直径数
十−の小さな面積とすることができる等の利益があるの
で、Ｘ線露光用光源として適している。
をＸｖａエネルギーに変換する変換効率が高く、また、
レーザ光を集光することによって、Ｘ線発光点を直径数
十−の小さな面積とすることができる等の利益があるの
で、Ｘ線露光用光源として適している。
従来技術に係るレーザ励起Ｘ線発生装置の１例を第４図
を参照して説明する０図において、■は真空容器であり
、その中にクライオプレートＣが設けられ、このクライ
オプレートＣは液体窒素等によって−２００”Ｃ程度に
冷却されている。真空容器Ｖにはキセノンまたはクリプ
トンガスが供給されており、前記冷却されているクライ
オプレートＣの表面において固体化し、その表面上に堆
積している。
を参照して説明する０図において、■は真空容器であり
、その中にクライオプレートＣが設けられ、このクライ
オプレートＣは液体窒素等によって−２００”Ｃ程度に
冷却されている。真空容器Ｖにはキセノンまたはクリプ
トンガスが供給されており、前記冷却されているクライ
オプレートＣの表面において固体化し、その表面上に堆
積している。
真空容器Ｖに設けられたレーザ窓りからレーザを、パル
ス幅１ ｐｓｅｃ ＝ １ ｎ５ｅｃ程度のパルス状に
して、毎秒３回程度、前記のクライオプレートＣ上に堆
積している固体キセノンまたは固体クリプトンに照射し
、キセノンまたはクリプトンを瞬時的にプラズマ化し、
その際発生するＸ線をＸ線透過窓Ｒから取り出し、Ｘ線
露光用光源として使用する。
ス幅１ ｐｓｅｃ ＝ １ ｎ５ｅｃ程度のパルス状に
して、毎秒３回程度、前記のクライオプレートＣ上に堆
積している固体キセノンまたは固体クリプトンに照射し
、キセノンまたはクリプトンを瞬時的にプラズマ化し、
その際発生するＸ線をＸ線透過窓Ｒから取り出し、Ｘ線
露光用光源として使用する。
ところで、クライオプレートＣ上に堆積している固体状
のキセノンまたは固体状のクリプトンはレーザ照射によ
って気化し、真空ポンプによって除去されて消失する。
のキセノンまたは固体状のクリプトンはレーザ照射によ
って気化し、真空ポンプによって除去されて消失する。
クライオプレートＣのレーザが照射される領域は、常に
同一領域であるため、レーザ照射によって気化消失した
固体状のキセノンまたは固体状のクリプトンと少なくと
も同量のキセノンまたはクリプトンが、前記のレーザパ
ルス照射間隔の期間に、前記の気化消失した領域に再堆
積しなければ、逐には、クライオプレートＣの銅等の母
材が露出し、この母材に直接レーザが照射されることに
なる。 母材に直接レーザが照射されると、プラズマ化
した銅等の母材がベリリウム等よりなるＸ＆Ｉ透過窓Ｒ
を汚染したり、更にはＸｖＡ透過窓を貫通し、フォトマ
スクをも損傷することがある。
同一領域であるため、レーザ照射によって気化消失した
固体状のキセノンまたは固体状のクリプトンと少なくと
も同量のキセノンまたはクリプトンが、前記のレーザパ
ルス照射間隔の期間に、前記の気化消失した領域に再堆
積しなければ、逐には、クライオプレートＣの銅等の母
材が露出し、この母材に直接レーザが照射されることに
なる。 母材に直接レーザが照射されると、プラズマ化
した銅等の母材がベリリウム等よりなるＸ＆Ｉ透過窓Ｒ
を汚染したり、更にはＸｖＡ透過窓を貫通し、フォトマ
スクをも損傷することがある。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
クライオプレートＣ上に堆積している固体状のキセノン
または固体状のクリプトンがレーザ照射によって気化消
失した量を安定的に補充し、クライオプレートＣ上のレ
ーザが照射される領域に常に固体状のキセノンまたは固
体状のクリプトンが十分な厚さに堆積しているように改
良したレーザ励起Ｘ線発生装置を提供することにある。
クライオプレートＣ上に堆積している固体状のキセノン
または固体状のクリプトンがレーザ照射によって気化消
失した量を安定的に補充し、クライオプレートＣ上のレ
ーザが照射される領域に常に固体状のキセノンまたは固
体状のクリプトンが十分な厚さに堆積しているように改
良したレーザ励起Ｘ線発生装置を提供することにある。
上記の目的は、−２００℃程度に冷却されている非回転
体よりなるクライオプレート（Ｃ）、または、回転体よ
りなるクライオプレート（ＣＲ）と、この非回転型クラ
イオプレート（Ｃ）または回転型クライオプレート（Ｃ
Ｒ）の１面に対向して開口（Ｏ）を有し、前記非回転型
クライオプレート（Ｃ）または回転型タライオブレー）
（ＣＲ）の前記１面に極めて小さな間隙を残留して対
接する隔壁（Ｐ）を有し、キセノンまたはクリプトンが
供給され、前記非回転型クライオプレート（Ｃ）の少な
くとも前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＣ）、または
、前記回転型クライオプレー）（ＣＲ）の前記開口（Ｏ
）に対向する領域に、前記キセノンまたはクリプトンが
固体状に付着する、Ｘ線ターゲット形成室（Ｔ）と、前
記開口（Ｏ）に対向して設けられ、内圧は前記Ｘ線ター
ゲット形成室（Ｔ）の内圧より低く、前記開口（Ｏ）を
介して前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＣ）にレーザ
を照射するレーザ窓（Ｌ）と、前記開口（Ｏ）に対向す
る領域に、前記非回転型クライオプレート（Ｃ）または
回転型クライオプレート（ＣＲ）上に堆積している固体
キセノンまたはクリプトン面から放射されるＸ線を透過
するＸ線透過窓（Ｒ）とを有するＸ線発生室（Ｃ，）と
を具備してなるレーザ励起Ｘ線発生装置によって達成さ
れる。
体よりなるクライオプレート（Ｃ）、または、回転体よ
りなるクライオプレート（ＣＲ）と、この非回転型クラ
イオプレート（Ｃ）または回転型クライオプレート（Ｃ
Ｒ）の１面に対向して開口（Ｏ）を有し、前記非回転型
クライオプレート（Ｃ）または回転型タライオブレー）
（ＣＲ）の前記１面に極めて小さな間隙を残留して対
接する隔壁（Ｐ）を有し、キセノンまたはクリプトンが
供給され、前記非回転型クライオプレート（Ｃ）の少な
くとも前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＣ）、または
、前記回転型クライオプレー）（ＣＲ）の前記開口（Ｏ
）に対向する領域に、前記キセノンまたはクリプトンが
固体状に付着する、Ｘ線ターゲット形成室（Ｔ）と、前
記開口（Ｏ）に対向して設けられ、内圧は前記Ｘ線ター
ゲット形成室（Ｔ）の内圧より低く、前記開口（Ｏ）を
介して前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＣ）にレーザ
を照射するレーザ窓（Ｌ）と、前記開口（Ｏ）に対向す
る領域に、前記非回転型クライオプレート（Ｃ）または
回転型クライオプレート（ＣＲ）上に堆積している固体
キセノンまたはクリプトン面から放射されるＸ線を透過
するＸ線透過窓（Ｒ）とを有するＸ線発生室（Ｃ，）と
を具備してなるレーザ励起Ｘ線発生装置によって達成さ
れる。
非回転型クライオプレートＣまたは回転型クライオプレ
ートＣＲの′−面と、Ｘ線ターゲット形成室Ｔの前記非
回転型クライオプレートＣまたは回転型クライオプレー
トＣＲの一面に対接する隔壁Ｐとの間の極めて小さな間
隙を、キセノンまたはクリプトンガスが流れ、前記非回
転型クライオプレートＣまたは回転型クライオプレート
ＣＲの一面に対向して設けられた開口Ｏを通って、Ｘ線
ターゲット形成室Ｔよ°り内圧の低いＸ線発生室Ｇに差
動排気される。したがって、開口Ｏを通って入射される
レーザ光に照射される非回転型クライオプレートＣまた
は回転型クライオプレートＣＲの領域の近傍には、キセ
ノンまたはクリブトンガスが集中して流れるので、レー
ザ照射によってキセノンまたはクリプトンが気化消失し
た領域に、レーザ非照射期間に、キセノンまたはクリプ
トンが再堆積し、非回転型クライオプレートＣまたは回
転型クライオプレートＣＲの表面は常に固体化したキセ
ノンまたはクリプトンによって覆われることになる。
ートＣＲの′−面と、Ｘ線ターゲット形成室Ｔの前記非
回転型クライオプレートＣまたは回転型クライオプレー
トＣＲの一面に対接する隔壁Ｐとの間の極めて小さな間
隙を、キセノンまたはクリプトンガスが流れ、前記非回
転型クライオプレートＣまたは回転型クライオプレート
ＣＲの一面に対向して設けられた開口Ｏを通って、Ｘ線
ターゲット形成室Ｔよ°り内圧の低いＸ線発生室Ｇに差
動排気される。したがって、開口Ｏを通って入射される
レーザ光に照射される非回転型クライオプレートＣまた
は回転型クライオプレートＣＲの領域の近傍には、キセ
ノンまたはクリブトンガスが集中して流れるので、レー
ザ照射によってキセノンまたはクリプトンが気化消失し
た領域に、レーザ非照射期間に、キセノンまたはクリプ
トンが再堆積し、非回転型クライオプレートＣまたは回
転型クライオプレートＣＲの表面は常に固体化したキセ
ノンまたはクリプトンによって覆われることになる。
回転型クライオプレートＣを傘型構造ＣＢ、車輪型構造
ＣＲＲ等よりなる回転体ＣＲとしておき、レーザ照射周
期と前記回転型クライオプレートＣＢの回転周期を不一
致にしておけば、回転型クライオプレートＣＲ上のレー
ザ照射領域が常に移動するため、レーザが照射されてい
ない期間に、キセノンまたはクリプトンガスが固体状に
堆積し、本発明の効果をより高めることができる。
ＣＲＲ等よりなる回転体ＣＲとしておき、レーザ照射周
期と前記回転型クライオプレートＣＢの回転周期を不一
致にしておけば、回転型クライオプレートＣＲ上のレー
ザ照射領域が常に移動するため、レーザが照射されてい
ない期間に、キセノンまたはクリプトンガスが固体状に
堆積し、本発明の効果をより高めることができる。
また、レーザ窓りとＸ線透過窓Ｒに清浄化手段を設け、
不純物による汚れを除去すれば、レーザおよびＸ線が前
記窓を通過する時の減衰を防止することができ、長期連
続運転を可能とする。
不純物による汚れを除去すれば、レーザおよびＸ線が前
記窓を通過する時の減衰を防止することができ、長期連
続運転を可能とする。
以下、図面を参照しつ一１本発明の三つの実施例に係る
レーザ励起Ｘ線発生装置について説明する。
レーザ励起Ｘ線発生装置について説明する。
星土斑
第１図参照
ＴはＸｖＡターゲット形成室であり、内圧は１例として
Ｉ Ｔｏｒｒ程度に保持されるように、キセノンまたは
クリプトンガスが供給されている。
Ｉ Ｔｏｒｒ程度に保持されるように、キセノンまたは
クリプトンガスが供給されている。
前記Ｘ線ターゲット形成室Ｔの内部に非回転型クライオ
プレートＣが設けられ、この非回転型クライオプレート
Ｃはその内部に液体窒素等が循環され、−２００℃程度
に冷却されている。
プレートＣが設けられ、この非回転型クライオプレート
Ｃはその内部に液体窒素等が循環され、−２００℃程度
に冷却されている。
前記Ｘ線ターゲット形成室Ｔは、前記非回転型クライオ
プレートＣの１面に対向して直径ｌｌｌ１］程度の開口
０を有し、前記非回転型クライオプレートＣの前記１面
に極めて小さな間隙を残留して対接する隔壁Ｐを有する
。
プレートＣの１面に対向して直径ｌｌｌ１］程度の開口
０を有し、前記非回転型クライオプレートＣの前記１面
に極めて小さな間隙を残留して対接する隔壁Ｐを有する
。
ＧはＸ線発生室であり、前記開口Ｏに対向して設けられ
、内圧は前記Ｘ線ターゲット形成室Ｔの内圧より低く、
１例として１０−’Ｔｏｒｒ程度に保持される。
、内圧は前記Ｘ線ターゲット形成室Ｔの内圧より低く、
１例として１０−’Ｔｏｒｒ程度に保持される。
前記Ｘ線ターゲット形成室Ｔに供給されるキセノンまた
はクリプトンガスは−２００℃程度に冷却されている非
回転型クライオプレートＣの表面において固体化し、そ
の表面に堆積する。残余のガスは前記間口０を通ってＸ
線発生室Ｇに流出し、真空ポンプによってＸ線発生室Ｇ
外に排出される。
はクリプトンガスは−２００℃程度に冷却されている非
回転型クライオプレートＣの表面において固体化し、そ
の表面に堆積する。残余のガスは前記間口０を通ってＸ
線発生室Ｇに流出し、真空ポンプによってＸ線発生室Ｇ
外に排出される。
１例として、ネオジウムガラスをキセノンランプをもっ
て光励起し、この時発生する波長０．５ｎのレーザを集
光し、パルス幅１ｐｓｅｃ〜１ｎｓｅｃ程度のパルス状
にて、毎秒３回程度、レーザ窓りから前記開口０を通っ
て非回転型クライオプレートＣの前記開口Ｏに対応する
領域ＣＣに照射すると、非回転型クライオプレートＣ上
に堆積しているキセノンまたはクリプトンがプラズマ化
し、１０〜２０人のＸ線を発生する。このＸ線をベリリ
ウムよりなるＸ線透過窓Ｒを通して外部に取り出し、半
導体装置の製造工程において使用されるフォトリソグラ
フィー法の実施に必要なＸ線露光源等に使用する。
て光励起し、この時発生する波長０．５ｎのレーザを集
光し、パルス幅１ｐｓｅｃ〜１ｎｓｅｃ程度のパルス状
にて、毎秒３回程度、レーザ窓りから前記開口０を通っ
て非回転型クライオプレートＣの前記開口Ｏに対応する
領域ＣＣに照射すると、非回転型クライオプレートＣ上
に堆積しているキセノンまたはクリプトンがプラズマ化
し、１０〜２０人のＸ線を発生する。このＸ線をベリリ
ウムよりなるＸ線透過窓Ｒを通して外部に取り出し、半
導体装置の製造工程において使用されるフォトリソグラ
フィー法の実施に必要なＸ線露光源等に使用する。
上記のとおり、レーザ照射（クライオプレート上に堆積
している固体のキセノンまたは固体のクリプトンのプラ
ズマ化）は、１分間３回程度、間欠的になされるが、一
方、キセノンまたはクリプトンガスは、常時、開口０を
通ってＸ線ターゲット形成室ＴからＸ線発生室Ｇに差動
排気されるので、固体キセノンまたは固体クリプトンが
レーザ照射によって気化消失する領域近傍を集中して流
れ、レーザ照射によって気化消失した固体キセノンまた
は固体クリプトンは、上記のレーザ非照射期間に、気化
消失した領域に再堆積し、非回転型クライオプレートＣ
が常に固体キセノンまたは固体クリプトンによって覆わ
れることになり、Ｘ線の発生は連続的に可能である。
している固体のキセノンまたは固体のクリプトンのプラ
ズマ化）は、１分間３回程度、間欠的になされるが、一
方、キセノンまたはクリプトンガスは、常時、開口０を
通ってＸ線ターゲット形成室ＴからＸ線発生室Ｇに差動
排気されるので、固体キセノンまたは固体クリプトンが
レーザ照射によって気化消失する領域近傍を集中して流
れ、レーザ照射によって気化消失した固体キセノンまた
は固体クリプトンは、上記のレーザ非照射期間に、気化
消失した領域に再堆積し、非回転型クライオプレートＣ
が常に固体キセノンまたは固体クリプトンによって覆わ
れることになり、Ｘ線の発生は連続的に可能である。
なお、レーザ窓りとＸ、％ｇ透過窓Ｒに、他のレーザを
照射する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率
を向上するために極めて有効である。
照射する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率
を向上するために極めて有効である。
第」目汁
第２図参照
第１例において、クライオプレートＣを、傘型構造を有
する回転体ＣＢに変更することとし、その他の構成は第
１例と同一とする。
する回転体ＣＢに変更することとし、その他の構成は第
１例と同一とする。
この構造においては、前記の傘型構造を有するクライオ
プレートＣＢのレーザが照射される領域が常に移動する
ので、レーザ照射周期と前記クライオプレートＣＢの回
転周期を不一致にしておけば、同一領域にレーザ照射が
なされるまでの期間は極めて長（なり、レーザ照射によ
って固体キセノンまたは固体クリプトンが気化消失した
領域に、再びキセノンまたはクリプトンを堆積すること
が極めて容易になり、Ｘ線発生作用が極めて安定になる
。
プレートＣＢのレーザが照射される領域が常に移動する
ので、レーザ照射周期と前記クライオプレートＣＢの回
転周期を不一致にしておけば、同一領域にレーザ照射が
なされるまでの期間は極めて長（なり、レーザ照射によ
って固体キセノンまたは固体クリプトンが気化消失した
領域に、再びキセノンまたはクリプトンを堆積すること
が極めて容易になり、Ｘ線発生作用が極めて安定になる
。
なお、レーザ窓りとＸ線透過窓Ｒに、他のレーザを照射
する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率を向
上するために極めて有効である。
する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率を向
上するために極めて有効である。
］」口性
第３図参照
第１例において、クライオプレートＣを車輪型構造を有
する回転体ＣＲＲに変更することとし、その他の構成は
第１例と同一とする。
する回転体ＣＲＲに変更することとし、その他の構成は
第１例と同一とする。
第２例と同一の効果が得られる。
なお、レーザ窓りとＸ線透過窓Ｒに、他のレーザを照射
する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率を向
上するために掻めて有効である。
する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率を向
上するために掻めて有効である。
以上説明せるとおり、本発明に係るレーザ励起Ｘ線発生
装置においては、Ｘ線ターゲット形成室に供給されるキ
セノンまたはクリプトンガスは、クライオプレートのレ
ーザを照射される領域に対接して設けられたＸ線ターゲ
ット形成室の小さな開口を通り、Ｘ線発生室に差動排気
される。そのため、レーザ照射によって、クライオプレ
ート上のキセノンまたはクリプトンが気化消失する領域
近傍には、キセノンまたはクリプトンガスが集中して流
れる。その結果、レーザ照射によって気化消失した領域
にキセノンまたはクリプトンがレーザ非照射期間に、再
堆積し、レーザ励起によるＸ線発生源として、常に有効
に作用することとなる。
装置においては、Ｘ線ターゲット形成室に供給されるキ
セノンまたはクリプトンガスは、クライオプレートのレ
ーザを照射される領域に対接して設けられたＸ線ターゲ
ット形成室の小さな開口を通り、Ｘ線発生室に差動排気
される。そのため、レーザ照射によって、クライオプレ
ート上のキセノンまたはクリプトンが気化消失する領域
近傍には、キセノンまたはクリプトンガスが集中して流
れる。その結果、レーザ照射によって気化消失した領域
にキセノンまたはクリプトンがレーザ非照射期間に、再
堆積し、レーザ励起によるＸ線発生源として、常に有効
に作用することとなる。
なお、クライオプレートを回転体となし、レーザ照射の
周期とクライオプレートを回転する周期とを不一致にし
ておば、同一領域にレーザ照射がなされるまでの期間は
極めて長くなり、レーザ照射によって固体キセノンまた
は固体クリプトンが気化消失した領域に、再びキセノン
またはクリプトンを堆積することが極めて容易になり、
Ｘ線発生作用が極めて安定になるり、本発明の効果を更
に高めることができる。
周期とクライオプレートを回転する周期とを不一致にし
ておば、同一領域にレーザ照射がなされるまでの期間は
極めて長くなり、レーザ照射によって固体キセノンまた
は固体クリプトンが気化消失した領域に、再びキセノン
またはクリプトンを堆積することが極めて容易になり、
Ｘ線発生作用が極めて安定になるり、本発明の効果を更
に高めることができる。
なお、レーザ窓りとＸｗＡ透過窓Ｒに、他のレーザを照
射する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率を
向上するために極めて有効である。
射する等の清浄化手段を設けることは、Ｘ線発生効率を
向上するために極めて有効である。
第１図は、本発明の第１の実施例に係るレーザ励起Ｘ線
発生装置の構造図である（非回転体のクライオプレート
を有する）。 第２図は、本発明の第２の実施例に係るレーザ励起Ｘ線
発生装置の構造図である（傘型構造のクライオプレート
を有する）。 第３図は、本発明の第３の実施例に係るレーザ励起Ｘ線
発生装置の構造図である（車輪構造のクライオプレート
を存する）。 第４図は、従来技術に係るレーザ励起Ｘ線発生装置の構
造図である。 Ｃ・・・・・非回転型クライオプレート、ＣＣ・・・・
開口０に対応する領域、 ＣＲ・・・・回転型クライオプレート、ＣＲ○・・・回
転型クライオプレートが開口Ｏに対応する領域、 ＣＢ・・・・傘型構造のクライオプレート、ＣＲＲ・・
・車輪構造のクライオプレート、Ｐ・・・・・面、 ０・・・・・開口、 Ｔ・・・・・Ｘ線ターゲット形成室、 Ｌ・・・・・レーザ窓、 Ｒ・・・・・Ｘ線透過窓、 Ｇ・・・・・Ｘ線発生室、 ■・・・・・真空容器。
発生装置の構造図である（非回転体のクライオプレート
を有する）。 第２図は、本発明の第２の実施例に係るレーザ励起Ｘ線
発生装置の構造図である（傘型構造のクライオプレート
を有する）。 第３図は、本発明の第３の実施例に係るレーザ励起Ｘ線
発生装置の構造図である（車輪構造のクライオプレート
を存する）。 第４図は、従来技術に係るレーザ励起Ｘ線発生装置の構
造図である。 Ｃ・・・・・非回転型クライオプレート、ＣＣ・・・・
開口０に対応する領域、 ＣＲ・・・・回転型クライオプレート、ＣＲ○・・・回
転型クライオプレートが開口Ｏに対応する領域、 ＣＢ・・・・傘型構造のクライオプレート、ＣＲＲ・・
・車輪構造のクライオプレート、Ｐ・・・・・面、 ０・・・・・開口、 Ｔ・・・・・Ｘ線ターゲット形成室、 Ｌ・・・・・レーザ窓、 Ｒ・・・・・Ｘ線透過窓、 Ｇ・・・・・Ｘ線発生室、 ■・・・・・真空容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］−２００℃程度に冷却されている非回転型クライ
オプレート（Ｃ）と、 該非回転型クライオプレート（Ｃ）を収容し、該非回転
型クライオプレート（Ｃ）の１面に対向して開口（Ｏ）
を有し、前記非回転型クライオプレート（Ｃ）の前記１
面に極めて小さな間隙を残留して対接する隔壁（Ｐ）を
有し、キセノンまたはクリプトンが供給され、前記非回
転型クライオプレート（Ｃ）の少なくとも前記開口（Ｏ
）に対向する領域（ＣＣ）に、前記キセノンまたはクリ
プトンが固体状に付着する、Ｘ線ターゲット形成室（Ｔ
）と、 前記開口（Ｏ）に対向して設けられ、内圧は前記Ｘ線タ
ーゲット形成室（Ｔ）の内圧より低く、前記開口（Ｏ）
を介して前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＣ）にレー
ザを照射するレーザ窓（Ｌ）と、前記開口（Ｏ）に対向
する領域（ＣＣ）に、前記非回転型クライオプレート（
Ｃ）の前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＣ）上に堆積
している固体キセノンまたは固体クリプトン面から放射
されるＸ線を透過するＸ線透過窓（Ｒ）とを有するＸ線
発生室（Ｇ）と を具備してなることを特徴とするレーザ励起Ｘ線発生装
置。 ［２］−２００℃程度に冷却されている回転体よりなる
クライオプレート（ＣＲ）と、 該回転型クライオプレート（ＣＲ）の周面に対向して開
口（Ｏ）を有し、前記回転型クライオプレート（ＣＲ）
の前記周面に極めて小さな間隙を残留して対接する隔壁
（Ｐ）を有し、キセノンまたはクリプトンが供給され、
前記回転型クライオプレート（ＣＲ）の前記周面に、前
記キセノンまたはクリプトンが固体状に付着する、Ｘ線
ターゲット形成室（Ｔ）と、 前記開口（Ｏ）に対向して設けられ、内圧は前記Ｘ線タ
ーゲット形成室（Ｔ）の内圧より低く、前記開口（Ｏ）
を介して前記開口（Ｏ）に対向する領域（ＣＲＯ）にレ
ーザを照射するレーザ窓（Ｌ）と、前記開口（Ｏ）に対
向する領域に、前記回転型クライオプレート（ＣＲ）の
前記周面上に堆積している固体キセノンまたは固体クリ
プトン面から放射されるＸ線を透過するＸ線透過窓（Ｒ
）とを有するＸ線発生室（Ｇ）と を具備してなることを特徴とするレーザ励起Ｘ線発生装
置。 ［３］前記回転体よりなるクライオプレート（ＣＲ）は
、傘型構造よりなる回転体（ＣＢ）であることを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載のレーザ励起Ｘ線発生装
置。 ［４］前記回転体よりなるクライオプレート（ＣＲ）は
、車輪型構造よりなる回転体（ＣＲＲ）であることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載のレーザ励起Ｘ線発
生装置。 ［５］前記レーザ窓（Ｌ）と前記Ｘ線透過窓（Ｒ）には
、清浄化手段が具備されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のレーザ励起Ｘ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29552687A JPH01137543A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | レーザ励起ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29552687A JPH01137543A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | レーザ励起ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137543A true JPH01137543A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17821764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29552687A Pending JPH01137543A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | レーザ励起ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01137543A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07253499A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
| JPH0837095A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2005108834A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Alcatel | Ｅｕｖ源 |
| JP2010539637A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガス放電光源用の電極デバイス、及びこの電極デバイスをもつガス放電光源を作動させる方法 |
| JP2023021117A (ja) * | 2018-01-10 | 2023-02-09 | ケーエルエー コーポレイション | 広帯域レーザ産生プラズマイルミネータを有するｘ線計量システム及び方法 |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP29552687A patent/JPH01137543A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07253499A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
| JPH0837095A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2005108834A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Alcatel | Ｅｕｖ源 |
| JP4690686B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-06-01 | アルカテル−ルーセント | Ｅｕｖ源 |
| JP2010539637A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ガス放電光源用の電極デバイス、及びこの電極デバイスをもつガス放電光源を作動させる方法 |
| JP2023021117A (ja) * | 2018-01-10 | 2023-02-09 | ケーエルエー コーポレイション | 広帯域レーザ産生プラズマイルミネータを有するｘ線計量システム及び方法 |
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