JPS62117246A - 高輝度ｘ線発生用標的 - Google Patents
高輝度ｘ線発生用標的Info
- Publication number
- JPS62117246A JPS62117246A JP60257283A JP25728385A JPS62117246A JP S62117246 A JPS62117246 A JP S62117246A JP 60257283 A JP60257283 A JP 60257283A JP 25728385 A JP25728385 A JP 25728385A JP S62117246 A JPS62117246 A JP S62117246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diameter
- thin wires
- target
- ray
- converged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高輝度Ｘ線の発生源として高温高密度プラ
ズマを生成する高たＶ度Ｘ線発生用標的に関するもので
ある。
ズマを生成する高たＶ度Ｘ線発生用標的に関するもので
ある。
高集積回路の微細パターンを形成するりソゲラフｆ技術
において、］μｍ以下のパターン寸法を得る手段とじて
、回折等によって決まる解像力を向上させろなめに波長
の短いＸ線を用いろＸ線リソグラフィ技術が有望である
。
において、］μｍ以下のパターン寸法を得る手段とじて
、回折等によって決まる解像力を向上させろなめに波長
の短いＸ線を用いろＸ線リソグラフィ技術が有望である
。
また新しい高度な機能を有ずろ物質を創製ずろ際に欠か
せない物質の構造解析の分野においてはある特定の原子
のＸ線の吸収スベク）・ルの１）改、細構造を解析ずろ
ことによって、その周囲の構造に関する知見を得ろこと
ができるＥ Ｘ Ａ Ｆ ５（ＥｘｔｅｎｄｅｄＸ−ｒ
ａｙ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｆｉｎｅ ５ｔｒ
ｕｃｔｕｒｅ ＸｑＱ吸収端８孜細構造）という有力
な手段がある。
せない物質の構造解析の分野においてはある特定の原子
のＸ線の吸収スベク）・ルの１）改、細構造を解析ずろ
ことによって、その周囲の構造に関する知見を得ろこと
ができるＥ Ｘ Ａ Ｆ ５（ＥｘｔｅｎｄｅｄＸ−ｒ
ａｙ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｆｉｎｅ ５ｔｒ
ｕｃｔｕｒｅ ＸｑＱ吸収端８孜細構造）という有力
な手段がある。
この他、Ｘ線顕微鏡等、多くの分デｆで１４師度Ｘ綿が
必要になっている。
必要になっている。
上述のＸ線利用分野で必要（ζなっている高力ψ度Ｘ線
を供給するものとして、軌道放射光施設等各種Ｘ線源の
開発が行われている。それらの中で、固体標的に高パワ
ーＬ−−−ザパルス等を照射（７て高温高密度プラズマ
を生成し、それをＸ線源とずろ技術がその高師変性、コ
ンパクト性、安価性の点で、注目をγ谷びている。
を供給するものとして、軌道放射光施設等各種Ｘ線源の
開発が行われている。それらの中で、固体標的に高パワ
ーＬ−−−ザパルス等を照射（７て高温高密度プラズマ
を生成し、それをＸ線源とずろ技術がその高師変性、コ
ンパクト性、安価性の点で、注目をγ谷びている。
Ｘ線を発生ずる領域が大きい場合には、Ｘ線を分光して
用いろ時のスペ々トル分解能が低下したり、Ｘ線り・ノ
ゲラー７ｒ技往工においてば半影が生１７て微細パター
ンの描画を妨げろ等の不都合が生じる。乙のためＸ線源
は十分少さい空間的広がりである必要がある。
用いろ時のスペ々トル分解能が低下したり、Ｘ線り・ノ
ゲラー７ｒ技往工においてば半影が生１７て微細パター
ンの描画を妨げろ等の不都合が生じる。乙のためＸ線源
は十分少さい空間的広がりである必要がある。
また広い固定標的上にレーザ等を小さく絞って照射して
高温高密度プラズマを生成ずろ時、固体の照射された部
分がプラズマ化して飛散し、その跡の固体表面上にくぼ
みが形成される。深いくぼみの中でプラズマが生成され
ると、プラズマから放射されるＸ線のうち、多くの割ば
かプラズマの周囲の固体に吸収され、Ｘ線の利用効率が
低減する。またＸ線の輻射角度分布に大きな異方性が生
しる。これらの不都合を避けるために、標的上にくぼみ
が形成されることを避けることが必要である。
高温高密度プラズマを生成ずろ時、固体の照射された部
分がプラズマ化して飛散し、その跡の固体表面上にくぼ
みが形成される。深いくぼみの中でプラズマが生成され
ると、プラズマから放射されるＸ線のうち、多くの割ば
かプラズマの周囲の固体に吸収され、Ｘ線の利用効率が
低減する。またＸ線の輻射角度分布に大きな異方性が生
しる。これらの不都合を避けるために、標的上にくぼみ
が形成されることを避けることが必要である。
高温高密度プラズマを高輝度Ｘ線源として用いる際に問
題になる上述のＸ線源の大きさの問題、標的上の（ぼみ
の問題に対１７て、従来、以下で述へろ対応がされてき
た。
題になる上述のＸ線源の大きさの問題、標的上の（ぼみ
の問題に対１７て、従来、以下で述へろ対応がされてき
た。
例えば、レーザ照射により小さな空間的広がりのＸ線源
を生成する場合は、レーザ装置の高度な空間側ｉｎを行
い、平行疫の１１：にいレーザビームを実現１７）ｌＴ
ｆ考面し・７ズてそれを微小径に集光している。
を生成する場合は、レーザ装置の高度な空間側ｉｎを行
い、平行疫の１１：にいレーザビームを実現１７）ｌＴ
ｆ考面し・７ズてそれを微小径に集光している。
この方法によって１００μｍ程度あるいはそれ、Ｌり少
し小さい径のＸ線源が実現されている。
し小さい径のＸ線源が実現されている。
土な標的上に形成されるくぼみの問題に対しては、円筒
状固体標的を回転させることによって、あるいは平面状
標的を平行移動すること等によって、常に新しい表面を
用いて照射する方法が行われている。
状固体標的を回転させることによって、あるいは平面状
標的を平行移動すること等によって、常に新しい表面を
用いて照射する方法が行われている。
〔発明が解決（７ようとする問題点〕
高温高密度プラズマを、例丈ば、レーザビーム照射によ
って生成ずろ時、その空間的広がりの限界はレーザビー
ムの平行度でほぼ決定される。しかし、高度な平行度を
実用に供せるレーザ装置で実現するのは困難で、極めて
小さな集光径を実゛現するのは困難であるという問題点
があった。
って生成ずろ時、その空間的広がりの限界はレーザビー
ムの平行度でほぼ決定される。しかし、高度な平行度を
実用に供せるレーザ装置で実現するのは困難で、極めて
小さな集光径を実゛現するのは困難であるという問題点
があった。
また標的上のくぼみの問題については、直前の照射によ
り形成されたくぼみの影響は、従来技術によって避ける
ことができる。しか１７、高温高密度プラズマ生成中に
くぼみが形成され、時間とと６にくぼみは深くなってい
く。くぼみの深くなる速度は極めて大きく、このプラズ
マ生成中の（ぼみの影響は従来技術では解決困難である
という問題点があった。
り形成されたくぼみの影響は、従来技術によって避ける
ことができる。しか１７、高温高密度プラズマ生成中に
くぼみが形成され、時間とと６にくぼみは深くなってい
く。くぼみの深くなる速度は極めて大きく、このプラズ
マ生成中の（ぼみの影響は従来技術では解決困難である
という問題点があった。
この発明は、上記間）頂点を解決するためになきれなも
ので、従来技術では実現が困難な程度の小さな径のＸ線
源を実現ずろこと、および高輝度Ｘ線発生用標的上に形
成されるくぼみの問題を解決することを目的とする。
ので、従来技術では実現が困難な程度の小さな径のＸ線
源を実現ずろこと、および高輝度Ｘ線発生用標的上に形
成されるくぼみの問題を解決することを目的とする。
この発明にかかる高力）ｔｉ変度Ｘ線発生標的は高パワ
ービームの集光径以下の１ネ径を有する細線を用いたも
のである。
ービームの集光径以下の１ネ径を有する細線を用いたも
のである。
小さな径の細線に、それと同程度あるいはそれユリ大き
な集光径でレーザ光等の高パワービームを照射すること
により高扇高密度プラズマが生成され、高輝度Ｘ線源が
実現でさ、Ｘ線源の１￥はほぼ細線の径で決定されるた
め、集光性が良くないビームによっても、十分に小さな
径のＸ線源が得られる。またＩＩ′！パワービームの集
光径と同程度以下の径の細線の先端部分のすへ、てがプ
ラズマ化するため、広い固体標的を用し）ろ時の１うな
くぼみは生しない。そのためくぼみに、よるＸ線利用効
率の低減、Ｘ線輻射角度分布の大きな異方性等の問題は
生じない。
な集光径でレーザ光等の高パワービームを照射すること
により高扇高密度プラズマが生成され、高輝度Ｘ線源が
実現でさ、Ｘ線源の１￥はほぼ細線の径で決定されるた
め、集光性が良くないビームによっても、十分に小さな
径のＸ線源が得られる。またＩＩ′！パワービームの集
光径と同程度以下の径の細線の先端部分のすへ、てがプ
ラズマ化するため、広い固体標的を用し）ろ時の１うな
くぼみは生しない。そのためくぼみに、よるＸ線利用効
率の低減、Ｘ線輻射角度分布の大きな異方性等の問題は
生じない。
図面はこの発明の一実施例を示す概略構成図で、１ばパ
ルス状の高パワーレーザビームであり、それを集光し・
ンズ２で細線標的３に細線径と同程度あるいはそれより
大きな集光径に集光する。それによって、はぼ細線標的
３と同等の径の大きさをもつ高温高密度プラズマ４が生
成され、高）１１１度Ｘ線５が放射される。なお、Ｌは
前記高パワー シ〜ザビーノ、１の照射する照射軸方向
を示す。
ルス状の高パワーレーザビームであり、それを集光し・
ンズ２で細線標的３に細線径と同程度あるいはそれより
大きな集光径に集光する。それによって、はぼ細線標的
３と同等の径の大きさをもつ高温高密度プラズマ４が生
成され、高）１１１度Ｘ線５が放射される。なお、Ｌは
前記高パワー シ〜ザビーノ、１の照射する照射軸方向
を示す。
上記実施例では、高パワーし−ザビーム１を細１′５Ｉ
漂的Ｃの照射軸力向りから照射を行っているが、照射軸
方向りに対して任息の角度から照射す；Ｓことも可能で
ある。
漂的Ｃの照射軸力向りから照射を行っているが、照射軸
方向りに対して任息の角度から照射す；Ｓことも可能で
ある。
また高パワーし−ザビーム１と光学的な集光し・ンズ２
の組み合わせ以外に、電子ビー”ｐ イＡンビーム等種
々の高パワービームを用いることも可能である。
の組み合わせ以外に、電子ビー”ｐ イＡンビーム等種
々の高パワービームを用いることも可能である。
なお、高パワーシ・−ザビーム１を数回照射することに
より細線標的３が短くなり、そのままの状態で次の照射
を行うと、Ｘ線源の空間的位置が実用上支障が出る程度
に移動する場合も出てくる。
より細線標的３が短くなり、そのままの状態で次の照射
を行うと、Ｘ線源の空間的位置が実用上支障が出る程度
に移動する場合も出てくる。
しかしこれは、細線標的３の先端位置を監視し、細線標
的３の先端が常に一定の位置に（るようにする装置ｉｅ
具備することによって解決することが可能である。また
細線標的３としては、細線に加工可能なあらゆる材料を
１史用することができる。
的３の先端が常に一定の位置に（るようにする装置ｉｅ
具備することによって解決することが可能である。また
細線標的３としては、細線に加工可能なあらゆる材料を
１史用することができる。
以上説明したように、この発明は、高輝度Ｘ線発生用標
的として高パワービームの集光径以下の線径を有する細
線標的を用いるため、集光性の良くないビームを使用し
ても、空間的広がりの小さいＸ線源を実現することが可
能となる。また広い曲積の標的の場合とは異なり、Ｘ線
源のプラズマの周囲に不用な物質が存在１７ないため、
広い標的の場合のような問題が発生しない等の利点を有
ずろ。
的として高パワービームの集光径以下の線径を有する細
線標的を用いるため、集光性の良くないビームを使用し
ても、空間的広がりの小さいＸ線源を実現することが可
能となる。また広い曲積の標的の場合とは異なり、Ｘ線
源のプラズマの周囲に不用な物質が存在１７ないため、
広い標的の場合のような問題が発生しない等の利点を有
ずろ。
図面はこの発明の一実施例を示す概略構成図である。
Claims (1)
- 高パワービームを集光して固体標的に照射して高温高密
度プラズマを生成し、そこから放射されるＸ線を利用す
るものにおいて、前記固体標的として前記高パワービー
ムの集光径以下の線径を有する細線を用いたことを特徴
とする高輝度Ｘ線発生用標的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60257283A JPS62117246A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 高輝度ｘ線発生用標的 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60257283A JPS62117246A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 高輝度ｘ線発生用標的 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62117246A true JPS62117246A (ja) | 1987-05-28 |
| JPH0373093B2 JPH0373093B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=17304222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60257283A Granted JPS62117246A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 高輝度ｘ線発生用標的 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62117246A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275894A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 産業ロボットの旋回装置 |
| WO2000019496A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Hitachi, Ltd. | Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs |
| JP2004301821A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線及び高エネルギー粒子発生装置とその発生方法 |
| EP1837897A1 (en) * | 2005-01-12 | 2007-09-26 | Nikon Corporation | Laser plasma euv light source, target member, production method for target member, target supplying method, and euv exposure system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60257283A patent/JPS62117246A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60143600A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-07-29 | マツクス・プランク・ゲゼルシヤフト ツール フエールデルンク デア ビツセンシヤフテン エー フアウ | ホットプラズマ発生装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04275894A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 産業ロボットの旋回装置 |
| WO2000019496A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Hitachi, Ltd. | Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs |
| JP2004301821A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線及び高エネルギー粒子発生装置とその発生方法 |
| EP1837897A1 (en) * | 2005-01-12 | 2007-09-26 | Nikon Corporation | Laser plasma euv light source, target member, production method for target member, target supplying method, and euv exposure system |
| EP1837897A4 (en) * | 2005-01-12 | 2008-04-16 | Nikon Corp | EXTREME PLASMA LASER UV LIGHT SOURCE, TARGET MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET MEMBER, TARGET MEMBER DELIVERY METHOD, AND EXTREME UV EXPOSURE SYSTEM |
| US7456417B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-11-25 | Nikon Corporation | Laser plasma EUV light source, target material, tape material, a method of producing target material, a method of providing targets, and an EUV exposure device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373093B2 (ja) | 1991-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |