JPH08321396A - X線発生装置 - Google Patents

X線発生装置

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JPH08321396A
JPH08321396A JP7127601A JP12760195A JPH08321396A JP H08321396 A JPH08321396 A JP H08321396A JP 7127601 A JP7127601 A JP 7127601A JP 12760195 A JP12760195 A JP 12760195A JP H08321396 A JPH08321396 A JP H08321396A
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JP
Japan
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ray
target member
plasma
melting point
ray generator
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Application number
JP7127601A
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English (en)
Inventor
Noriaki Kamitaka
典明 神高
Hiroyuki Kondo
洋行 近藤
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 軟X線領域(例えば、13nmや2.4 〜4.2
nm付近)にピークをもつスペクトルが得られ、しかも
飛散粒子(特に、径が比較的大きい飛散粒子)の発生を
低減できるX線発生装置を提供すること。 【構成】 減圧された真空容器内の標的部材211に励
起エネルギービーム201を照射してプラズマ203を
形成させ、該プラズマ203からX線を取り出すX線発
生装置において、前記標的部材211が相対的に高融点
の金属材料の金属体または金属層と、該金属体上または
該金属層上に設けた相対的に低融点の金属材料の金属層
とを有し、かつ、該低融点の金属層の厚さが0.1 〜20
μmであることを特徴とするX線発生装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、X線露光装置、X線顕
微鏡、X線分析装置などのX線装置に用いられるX線発
生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】軟X線は物質により大きく吸収されるの
で、軟X線波長領域で使用できるレンズは存在しない。
そのため、軟X線波長領域における拡大または縮小結像
光学系は、反射光学系(例えば、反射鏡)にする必要が
ある。しかしながら、一般的な反射光学系(反射鏡)で
は、軟X線に対する反射率が非常に低いので、軟X線波
長領域における前記光学系には、多層膜反射鏡を用いる
のが一般的である。
【0003】例えば、波長13nmの軟X線に対して、
Mo/Si交互多層膜からなる多層膜反射鏡は、直入射
の場合でも数十パーセントという高い反射率を有する。
そのため、X線リソグラフィー においては、高い反射
率が得られる波長13nmのX線を使用することが有望
視されている。また、軟X線のうち、波長2.4 〜4.2 n
mの軟X線は、炭素原子と酸素原子とで吸収係数が大き
く異なる。このことは、波長2.4 〜4.2 nmの軟X線に
対して水とタンパク質とで良いコントラストが得られる
ことを示す。
【0004】即ち、波長2.4 〜4.2 nmの軟X線を用い
たX線顕微鏡によれば、水分が多い生体内のタンパク質
の構造を染色なしで観察できる。しかも、X線顕微鏡で
は、生体試料の観察に広く使用されている光学顕微鏡よ
りもかなり短い波長の軟X線を用いるので、より微細な
構造の観察が可能である。このような、X線リソグラフ
ィー やX線顕微鏡に用いるX線を発生させるために、
例えば、レーザープラズマX線源が使用されている。
【0005】レーザー光(励起エネルギービームの一
例)を減圧された真空容器内に置かれた標的部材に集光
して照射すると、標的部材は急速にプラズマ化し、この
プラズマから非常に輝度の高いX線が輻射(放出)され
る(X線を発生する)ことが知られており、例えば、こ
のようなX線発生源はLPX:Laser-Plasma X-raysour
ce と呼ばれている。
【0006】X線発生源には、その他に、シンクロトロン 放射
光光源やX線管があるが、レーザープラズマX線源は、
シンクロトロン 放射光光源よりもはるかに小型である、X線管
よりもはるかに強力な(高輝度の)X線源である、とい
う利点を有する。レーザープラズマX線源は、標的部材
の材料を変えることで、種々のスペクトルを有するX線
源となる。例えば、炭素などの軽元素を標的部材に用い
た場合のスペクトルは、ラインスペクトルに近いもので
あり、鉛などの重元素では、ブロードなスペクトルにな
る。従って、実際にレーザープラズマX線源を使用する
際には、使用目的に応じて適切なスペクトルを示す標的
部材を選択する。
【0007】例えば、複数の波長のX線を利用したいと
きは、鉛や金など、ブロードなスペクトルを有する重元
素を標的部材に用いるとよい。また、錫を標的部材に用
いると、13nm付近にピークをもつスペクトルが得ら
れるので、錫は前記Mo/Si交互多層膜からなる多層
膜反射鏡を用いたX線リソグラフィー を行う場合の標
的部材として有力な候補材料である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】レーザープラズマX線
源では、プラズマからの飛散粒子が問題となる。即ち、
X線の発生と共に、前記プラズマからは高速の電子やイ
オン等の飛散粒子が、また前記標的部材からは部材材料
の飛散粒子(例えば、ガス化した材料、イオン化した材
料、材料小片など)が放出されて真空容器内に飛散する
(以下、これらをまとめて飛散粒子と呼ぶ)。
【0009】このような飛散粒子(特に、径が比較的大
きいデブリ)は、清浄光学面(例えば、X線光学素子
面)や薄膜フィルターに衝突して、これらを破損した
り、或いは付着、堆積して機能や特性を低下させたり変
化させるので、飛散粒子の発生は大きな問題点であっ
た。飛散粒子の重量は、単位体積あたりの標的部材材料
を融解させるのに必要なエネルギーに反比例するといわ
れている。そのため、低融点材料の標的部材を用いる
と、飛散粒子が増大し、特に径が比較的大きい(例え
ば、数μm〜数十μm)飛散粒子であるデブリが増大す
るという問題点がある。
【0010】例えば、軟X線領域にピークを有するスペ
クトルが得られる錫、鉛、亜鉛を用いた標的部材では、
錫、鉛、亜鉛の各融点が、それぞれ232°C、328
°C、420°Cと低い値であるので、比較的大きな飛
散粒子が発生しやすいという問題点がある。原子やイオ
ン等の微小な飛散粒子は、プラズマと光学系との間に気
体を充満することで、清浄光学面への付着、堆積をある
程度は阻止できるが、径が比較的大きい飛散粒子(デブ
リ)の付着、堆積を阻止することはできない。
【0011】そこで、径が比較的大きい飛散粒子(デブ
リ)の発生を低減させるために、標的部材の標的材料を
プラズマ発生に必要な最小限の量にとどめる提案がされ
ている。標的材料を必要最小限に抑えるためには、標的
部材の形状を粒子状、線状、または薄膜状にすることが
考えられる。このなかでも、薄膜状の標的部材が標的材
料を励起エネルギー光(例えば、レーザー)の集光点に
安定かつ容易に供給できる点で好ましい。
【0012】例えば、標的材料が錫の場合、励起エネル
ギー光(例えば、レーザー)の標的部材への照射により
発生するプラズマから輻射(放出)されるX線の強度
は、標的部材がバルク状のときと、厚さ5μmの薄膜状
のときとで、略同等と言われているが、厚さ5μmの薄
膜状標的部材は強度不足のため、実用化が困難であると
いう問題点がある。
【0013】この問題点を解決するために、有機フィル
ム(基材)上に標的材料をスパッタリング法または蒸着
法等により薄膜状に成膜して標的部材とすることが提案
されている。即ち、この提案によれば、「標的材料が
必要最小限度の量(厚さ)に抑えられているので、径が
比較的大きい飛散粒子(デブリ)の発生を低減すること
ができる。基材である有機フィルムは、一般的に軟ら
かいので、励起エネルギー光(例えば、レーザー)の照
射により容易に開孔する。そのため、有機フィルムから
の飛散粒子は後方に飛び散り、X線の取り出し方向であ
る前方に飛散する粒子は極めて少ない。」というもので
ある。
【0014】しかしながら、有機フィルム(基材)上に
標的材料をスパッタリング法または蒸着法等により薄膜
状に成膜した標的部材は、現実には励起エネルギー光
(例えば、レーザー)照射によるプラズマの形成によっ
て、プラズマ周辺の標的材料(薄膜)がかなりの範囲に
て剥がれて飛び散るので、飛散粒子は却って増加すると
いう問題点があった。
【0015】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、軟X線領域(例えば、13nmや2.4 〜4.
2 nm付近)にピークをもつスペクトルが得られ、しか
も飛散粒子(特に、径が比較的大きい飛散粒子)の発生
を低減できるX線発生装置を提供することを目的とす
る。
【0016】
【課題を解決する為の手段】そのため、本発明は第一に
「減圧された真空容器内の標的部材に励起エネルギービ
ームを照射してプラズマを形成させ、該プラズマからX
線を取り出すX線発生装置において、前記標的部材が相
対的に高融点の金属材料の金属体または金属層と、該金
属体上または該金属層上に設けた相対的に低融点の金属
材料の金属層とを有し、かつ、該低融点の金属層の厚さ
が0.1 〜20μmであることを特徴とするX線発生装置
(請求項1)」を提供する。
【0017】また、本発明は第二に「前記低融点の金属
材料が錫、鉛、または亜鉛であることを特徴とする請求
項1記載のX線発生装置(請求項2)」を提供する。ま
た、本発明は第三に「前記相対的に高融点の金属材料の
融点が1000°C以上であることを特徴とする請求項
1または2記載のX線発生装置(請求項3)」を提供す
る。
【0018】また、本発明は第四に「前記高融点の金属
材料がタンタルであることを特徴とする請求項1〜3記
載のX線発生装置(請求項4)」を提供する。
【0019】
【作用】本発明者らは、有機フィルム(基材)上に標的
材料(金属材料)をスパッタリング法または蒸着法によ
り薄膜状に成膜した標的部材において、励起エネルギー
光(例えば、レーザー)照射によるプラズマの形成時
に、プラズマ周辺の標的材料(薄膜)が広範囲に剥離す
るのは、材料の相違(有機材料と金属材料)による密着
力不足及び熱膨張係数の大きな差が原因であることを見
いだした。
【0020】そこで、本発明者らは、標的部材を金属材
料の組合せ(相対的に高融点の金属材料の金属体または
金属層と、該金属体上または該金属層上に設けた相対的
に低融点の金属材料の金属層)とすることで、材料の相
違に起因する密着力不足及び熱膨張係数の大きな差を解
消した。また、標的材料である低融点の金属層の厚さを
0.1 〜20μmとすることで、標的材料をプラズマ発生
に必要な最小限の量にとどめて、径が比較的大きい飛散
粒子(デブリ)の発生を低減させた。
【0021】本発明にかかる低融点の金属材料は、標的
部材の標的材料として用いた場合に軟X線領域にピーク
を有するスペクトルが得られる材料であり、特に、低融
点の金属材料を錫、鉛、または亜鉛とすることが好まし
い(請求項2)。前記相対的に高融点の金属材料は、デ
ブリの発生が極めて少なくなるように、融点が1000
°C以上の材料とすることが好ましい(請求項3)。特
に、融点が2000°C以上の材料とすることが好まし
い。
【0022】かかる高融点(2000°C以上)の金属
材料としては、例えば、タンタル、タングステン、イリ
ジウム、モリブデンが好ましいが、特にタンタルが融点
が2996°Cと高く、またテープ材への加工が比較的
容易にできて、しなやかなテープ材が得られるという点
で好ましい(請求項4)。以下、本発明を実施例により
更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。
【0023】
【実施例】図2は本実施例のX線発生装置の概略構成図
であり、図1は本実施例の標的部材の部分的な構造図
(斜視断面)である。減圧された真空容器の内部に配置
された標的部材211上に、励起エネルギービームであ
るYAGレーザー201を集光レンズ202により集光
すると、プラズマ203が発生する。
【0024】標的部材は、幅5mm、厚さ15μmのテ
ープ状タンタル102上に錫101を5μm厚にてメッ
キしたものであり、プラズマ発生時には、標的部材上の
同じ位置にレーザー201が複数回照射されることがな
いようにするため、駆動手段(不図示)によりリール2
12を回転させることで、テープ状の標的部材211を
移動させている(巻き取っている)。
【0025】プラズマ203から放射(輻射)されるX
線は、X線取り出し窓204を通過してX線光学系に至
る。真空容器内には、飛散粒子阻止用のバッファガスと
してヘリウムが導入され、ガス導入及び真空排気を制御
する装置により、真空容器内は1000Pa程度の圧力
に保持されている。本実施例のX線発生装置では、標的
部材の標的材料は、タンタルテープ上にメッキされた5
μm厚の錫であるため、発生するX線のスペクトルは、
バルク状の錫を標的部材とした場合と同じである。
【0026】標的材料である錫の厚さは、必要最小限の
値(5μm)であるため、錫の大きな飛散粒子は発生し
ない。また、錫はタンタルに十分な強度にて結合してい
るので、プラズマ発生時に錫が剥離することがない。ま
た、標的材料の下地(基材)であるタンタルが高融点で
あるため、タンタルの大きな飛散粒子が発生することも
ない。
【0027】なお、プラズマ等から放出される微小な飛
散粒子は、真空容器内に導入されたヘリウムガスにより
阻止される。本実施例のX線発生装置では、発生したプ
ラズマからのX線スペクトルは、13nm付近にピーク
を有する。そのため、本実施例のX線発生装置は、Mo
/Si交互多層膜からなる多層膜反射鏡を用いた光学系
に適している。
【0028】また、本実施例のX線発生装置では、バル
ク状の錫や有機フィルム上に形成した薄膜状の錫を標的
部材とした場合よりも飛散粒子(特に径が比較的大きい
デブリス)が大きく減少する。そのため、飛散粒子(特
に、径が比較的大きいデブリ)が清浄光学面(例えば、
X線光学素子面)や薄膜フィルターに衝突して、これら
を破損したり、或いは付着、堆積して機能や特性を低下
させたり変化させる可能性をかなり低減させることがで
きる。
【0029】なお、本実施例では、標的部材211を巻
き取り可能なテープ状としたが、これに限定されるもの
ではなく、例えば板状、円盤状、円柱状などの標的部材
にしてもよい。本実施例では、テープ状タンタル102
上の全面に5μm厚の錫101を形成したが、必ずしも
全面に形成しなくてもよい。例えば、図3、4に示すよ
うに、部分的に錫の層を形成してもよい。
【0030】図3の標的部材の例では、幅10〜500
μmの帯状にて、テープ状タンタル102上に錫101
の層が形成されており、図4の標的部材の例では、直径
10〜500μmの円形状にて、テープ状タンタル10
2上に錫101の層が形成されている。図3の標的部材
を用いたX線発生装置では、センサ221によりテープ
状標的部材の幅方向の位置をモニターすることで、錫1
01の帯状部分が常にレーザー201の集光位置にくる
ように、制御を行う。
【0031】また、図4の標的部材を用いたX線発生装
置では、センサ221によりテープ状標的部材の幅方向
の位置をモニターするとともに、センサ222によりテ
ープ状標的部材の長さ方向(テープの巻き取り方向)の
位置をモニターすることで、錫101の円形状の部分が
常にレーザー201の集光位置にくるように、制御を行
う。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のX線発生
装置によれば、軟X線領域(例えば、13nmや2.4 〜
4.2 nm付近)にピークをもつスペクトルが得られ、し
かも飛散粒子(特に、径が比較的大きい飛散粒子)の発
生を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明にかかる標的部材(第1の例)の部
分的な構造図(斜視断面)である。
【図2】は、実施例のX線発生装置の概略構成図であ
る。
【図3】は、本発明にかかる標的部材(第2の例)の部
分的な構造図(斜視断面)である。
【図4】は、本発明にかかる標的部材(第3の例)の部
分的な構造図(斜視断面)である。
【主要部分の符号の説明】
201・・・YAGレーザー光(励起エネルギービーム
の一例) 202・・・集光レンズ 203・・・プラズマ 204・・・X線取り出し窓 211・・・標的部材 212・・・リール 221・・・センサ 222・・・センサ 以 上

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 減圧された真空容器内の標的部材に励起
    エネルギービームを照射してプラズマを形成させ、該プ
    ラズマからX線を取り出すX線発生装置において、 前記標的部材が相対的に高融点の金属材料の金属体また
    は金属層と、該金属体上または該金属層上に設けた相対
    的に低融点の金属材料の金属層とを有し、かつ、該低融
    点の金属層の厚さが0.1 〜20μmであることを特徴と
    するX線発生装置。
  2. 【請求項2】 前記低融点の金属材料が錫、鉛、または
    亜鉛であることを特徴とする請求項1記載のX線発生装
    置。
  3. 【請求項3】 前記相対的に高融点の金属材料の融点が
    1000°C以上であることを特徴とする請求項1また
    は2記載のX線発生装置。
  4. 【請求項4】 前記高融点の金属材料がタンタルである
    ことを特徴とする請求項1〜3記載のX線発生装置。
JP7127601A 1995-05-26 1995-05-26 X線発生装置 Pending JPH08321396A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03283398A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Shimadzu Corp X線発生装置
JPH05119199A (ja) * 1991-10-30 1993-05-18 Nikon Corp レーザプラズマx線源用ターゲツト

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