JPS6111885Y2 - - Google Patents

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JPS6111885Y2
JPS6111885Y2 JP14376980U JP14376980U JPS6111885Y2 JP S6111885 Y2 JPS6111885 Y2 JP S6111885Y2 JP 14376980 U JP14376980 U JP 14376980U JP 14376980 U JP14376980 U JP 14376980U JP S6111885 Y2 JPS6111885 Y2 JP S6111885Y2
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detector
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ray
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、X線分析装置に関し、特に、電子顕
微鏡に取付けられたエネルギ分散形検出器の保護
手段を備えたX線分析装置に関する。
〔従来技術〕
近年、電子顕微鏡の対物レンズによる磁場中に
試料を配置し、該試料に電子線を照射し、該試料
から発生したX線を光軸からはずれた位置に配置
されたエネルギ分散形のX線検出器によつて検出
し、該試料のX線分析を行う型の装置が使用され
ている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
該試料への電子線の照射により、試料からはX
線のみならず多量の反射電子も発生する。該反射
電子は該対物レンズが強励磁にされている場合に
は、該対物レンズ磁場によつて集束され、光軸近
傍に拘束されるため、光軸からはずれた位置に配
置されたX線検出器に入射する反射電子は極めて
少ない。しかしながら、電子線の軸合せ時等対物
レンズの励磁を弱めたり、あるいは切つたりした
場合、磁場による反射電子の拘束作用は弱くある
いは無くなり、反射電子は試料から各方向に放射
することになる。その結果、多量の反射電子が、
上述したX線検出器に入射して半導体検出器の性
能を劣化させ、検出器の寿命を著しく短くしてし
まう。
本考案は、上述した点に鑑みてなされてたもの
で、検出器の寿命を長くし得るX線分析装置を提
供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案に基づくX線分析装置は、対物レンズ中
に試料を配置し、該試料への電子線の照射に基づ
き該試料から発生するX線をエネルギ分散形X線
検出器によつて検出するようにしたX線分析装置
において、該検出器を移動する手段と、該検出器
移動手段の制御手段とを備え、該対物レンズによ
る磁場の強さが定められた値以下となつた時に、
該制御手段によつて該検出器移動手段を制御し、
該検出器への試料からの電子の入射が防止される
ように、該検出器を移動するよう構成したことを
特徴している。
〔実施例〕
以下、本考案の実施例を添附図面に基づいて詳
述する。
図中1は電子銃であり、該電子銃から発生した
電子線は収束レンズ2によつて対物レンズ3中の
試料4に細く収束されると共に、偏向コイル5に
よつて試料上の照射位置が変えられる。該試料4
への電子線の照射により発生したX線は、液体窒
素によつて冷却されている容器6中の、半導体よ
り成るエネルギ分散形X線検出器7によつて検出
される。該検出器7の前方には、X線コリメータ
8が配置されているが、該検出器7および容器6
は移動機構10によつて試料から直進してくる電
子が検出器に入射しないような位置にまで、移動
させられる。該対物レンズ3には電源11から励
磁電流が供給されるが、該励磁電流に応じた信号
は比較回路12にも供給され、基準電源からの基
準信号と比較される。該比較回路12は該励磁電
流値が基準信号値以下となつた時に、移動機構1
0を制御し、容器6とX線検出器7とを、例え
ば、点線で示した位置にまで移動させる。
上述した如き構成において、試料4のX線分析
時には、対物レンズ3が強く励磁され、試料4の
任意の部分に細く収束された電子線が照射され
る。該試料への電子線の照射により、試料4から
はX線および反射電子等が発生し、X線はコリメ
ータ8を通つてX線検出器7に入射し検出され、
その検出信号は多チヤンネル波高分析器等(図示
せず)に供給されてエネルギに応じたX線スペク
トルが得られる。一方、試料4からの反射電子
は、対物レンズ3による磁場によつて収束され、
光軸近傍に拘束されるため、検出器7に入射する
反射電子はほとんど無い。ここで、電子線の軸合
せ等のため、励磁電源11から対物レンズ3に供
給される電流を弱めると該電流値に応じ、対物レ
ンズ磁場の強さも弱くなり、徐々に反射電子の拘
束作用が薄れてくる。該励磁電流値が基準電源1
3からの基準信号値以下となると、比較回路12
によつて移動機構10が制御され、検出器6はコ
リメータ8の影の位置にまで移動させられる。そ
の結果、対物レンズ磁場が弱くなり、反射電子の
拘束作用が弱くなつて試料4から各方向に反射電
子が放出されるようになつても、検出器7は、コ
リメータ8を通つてくる反射電子の通路上に位置
していないため、X線検出器7は多量の反射電子
に晒されることがなく、性能の劣化が防げ、検出
器の寿命を長くすることができる。
なお、本考案は上述した実施例に限定されず、
幾多の変形が可能である。例えば、対物レンズの
磁場の強さに対応した励磁電流値によつて検出器
の位置を変えるように構成したが、例えば、ホー
ル素子を対物レンズ近傍の適宜な場所に配置し、
該ホール素子によつて直接対物レンズによる磁場
の強さを測定し、この測定された値に応じて検出
器の位置を制御するようにしても良い。又、検出
器の移動場所は、コリメータの影の部分に限定さ
れず、反射電子の影響が極端に少なくなる場所で
あれば、どこでも良い。
〔効 果〕
本考案では、対物レンズ磁場の強さを監視し、
反射電子の拘束作用が弱くなつたり、完全に無く
なつた際に、X線検出器の位置を変えるようにし
ているため、検出器を反射電子の照射から防止す
ることができ、検出器寿命を極めて長くすること
ができる。
【図面の簡単な説明】
添附図面は本考案の一実施例を示す図である。 1……電子銃、2……収束レンズ、3……対物
レンズ、4……試料、5……偏向コイル、6……
冷却容器、7……X線検出器、8……コリメー
タ、10……移動機構、11……励磁電源、12
……比較回路、13……基準電源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 対物レンズ中に試料を配置し、該試料への電子
    線の照射に基づき該試料から発生するX線をエネ
    ルギ分散形X線検出器によつて検出するようにし
    たX線分析装置において、該検出器を移動する手
    段と、該検出器移動手段の制御手段とを備え、該
    対物レンズによる磁場の強さが定められた値以下
    となつた時に、該制御手段によつて該検出器移動
    手段を制御し、該検出器への試料からの電子の入
    射が防止されるように、該検出器を移動するよう
    構成したことを特徴とするX線分析装置。
JP14376980U 1980-10-08 1980-10-08 Expired JPS6111885Y2 (ja)

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JP14376980U JPS6111885Y2 (ja) 1980-10-08 1980-10-08

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JP14376980U JPS6111885Y2 (ja) 1980-10-08 1980-10-08

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JPS5766858U JPS5766858U (ja) 1982-04-21
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NL8100449A (nl) * 1981-01-30 1982-08-16 Philips Nv Elektronenmikroskoop met roentgendetektor.

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JPS5766858U (ja) 1982-04-21

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