JPS6388737A - 電子線照射装置 - Google Patents

電子線照射装置

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Publication number
JPS6388737A
JPS6388737A JP61234071A JP23407186A JPS6388737A JP S6388737 A JPS6388737 A JP S6388737A JP 61234071 A JP61234071 A JP 61234071A JP 23407186 A JP23407186 A JP 23407186A JP S6388737 A JPS6388737 A JP S6388737A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
sample
lens
thin film
focus lens
Prior art date
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Pending
Application number
JP61234071A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruji Hirai
平居 暉士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP61234071A priority Critical patent/JPS6388737A/ja
Publication of JPS6388737A publication Critical patent/JPS6388737A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、電子線マイクロアナライザ(EPMA)等試
料面を電子ビームによって励起させ、励起された試料か
ら放出される放射線によって試料を分析する装置や電子
ビームで試料面を露光など加工を行う装置における試料
面への照射ビーム強度の制御を行う電子線照射装置に関
する。
口、従来の技術 EPMA等の分析において試料面への照射ビーム強度と
、照射ビームによって励起された試料から放出されるX
線強度とは比例する等、分析に用られる検出信号と電子
ビーム強度は比例関係にある0分析精度を上げるために
は、この試料面への照射ビーム強度を一定に保つか或は
変動量を知って測定データの補正をする必要がある。試
料面の組成を色分は表示するような場合、測定に非常に
長時間を要するので、その間には色々な要因で電子ビー
ム強度が変動するので、この補正の必要性が高い、この
照射ビーム強度の測定は従来から次の2通りの方法で行
われている。その1つはビームが照射された試料の吸収
電流を測定する方法で他の1つはファラデーカップ等で
一次ビームを直接測定する方法である。前者は常時測定
が可能であるが、試料の組成によって測定値が変化する
欠点があり、後者はビーム強度測定時に試料べの照射出
来なくなり、間欠的な測定しかできない欠点がある。
ハ1発明が解決しようとする問題点 本発明は、上記に示したような問題点を解i’f4シ、
測定を中断することなく試料面への照射ビーム強度を測
定することを可能にし、その測定データ3基に試料面へ
の照射電子ビーム強度を一定になるように制御して、測
定精度及び測定能率を向上させることを目的とする。
二1間超点解決のための手段 試料を電子ビーム等のR電Iff子線で励起させ、励起
された試料から放出される放射線を用いて試料分析を行
う装置において、電子ビームの光軸上に電子ビーム透過
性の薄膜フィルターと、同薄膜フィルターから吸収電流
を検出する手段と、検出された吸収電流によりビーム強
度を制御する手段を設けた。
ホ1作用 A、f2等の軽金属の薄膜や高分子膜の表面を導電性膜
でコーティングした薄膜に電子ビームを照射すると照射
ビームの一部が薄膜に吸収され、照射ビームに比例した
電流(吸収電流)が検出される、又、照射ビームの大部
分は上記薄膜を透過しで試料面に照射され、しかも、吸
収率は薄膜側々において一定であるから、この吸収電流
を照射ビームの強度検出信号として用いて、照射ビーム
強度の制御を行えば、試料面への照射ビーム強度が一定
になるように、v制御できるというのが、本発明の主旨
である。
上記薄膜フィルターを対物絞りと対物レンズとの間の光
軸上に配置し、照射ビームによって薄膜フィルターに発
生する吸収電流が減少すれば、収束レンズの収束力を減
少させ、薄膜フィルターで検出される吸収電流が増加す
れば、収束レンズの収束力を増加させるようにして、試
料面への照射ビーム強度が一定になるように制御する。
また、収束レンズの収束力を変化させれば、照射ビーム
の焦点がずれるので、そのずれを修正させるために、対
物レンズ5のコイル電圧を修正して、ビームの焦点が試
料表面に結ぶようにする。上記のように電子ビームを制
御すれば、測定を中止しないでも、照射ビーム強度を一
定に保つことができるへ、実施例 図に本発明の一実施例を示す9図において、Sは試料、
Bは電子ビームでフィラメント1とウェネルト2とアノ
ード3によって構成される電子銃により発射される。′
:L子銃から発射された電子ビームBは収束レンズ4.
対物レンズ5により制御されて試料Sに照射される。;
子ビームBは試料Sに照射される途中で、収束絞り6や
対物絞り7によって照射ビーム径を制限し、電子線の散
乱防止及び球面収差の1減を計っている。8は絶縁性固
定具で導電性の薄膜フィルター9を基板と電気的絶縁状
態で保持し、薄膜フィルター9を照射ビームの光軸上に
位置させている。薄膜フィルター9は照射ビームBの一
部を吸収し、残りの照射ビームBは薄膜フィルター9を
透過させる。薄膜フィルター9で吸収された照射ビーム
Bは吸収電流としてレンズ制御装置12で検出され、照
射ビームBの強度信号として用いられ、この吸収電流が
一定になるように収束レンズ4及び対物レンズ5をレン
ズ制御装置12でυ制御する。1.Ol、を試料ステー
ジで試料5tx−y−z方向に移動させる。
11は試料ステージ制御装置で試料ステージ10の移動
を制御する。13は試料から放出されたX線を分光する
分光結晶、14はスリットで分光結晶13で分光された
X線が検出器15に入射する視野を制限する。検出器1
5はスリット14を通過したX線を検出する。16は検
出器15で検出された検出信号を処理する測定装置であ
る。17は測定装置16でえられた検出データに試料ス
テージ制御装置11から送られてくる測定点データを付
加して記憶・分析するCPUである。
以上の構成において、照射ビームの調整動作を説明する
。照射ビームとしてフィラメント1.ウィネルト2.ア
ノード3からなる電子銃より電子ビームBが放射される
。この電子ビームBは収束絞り6でビーム径が絞られた
偵、収束レンズ4で収束させられる。収束レンズ4で収
束させられたビームは対物絞り7でビーム径を絞られた
後、3膜フイルター9を透過し、対物レンズ5で収束さ
れ試料S上に焦点を結ばせられる。
電子銃から放射される電子ビーム強度が弱くなると、薄
膜フィルターで検出される吸収電流が減少する。吸収電
流の減少に応じて収束レンズ4のコイル電流を減少させ
て収束レンズ4の収束力を減少させる。収束レンズ4の
収束力が減少されれば対物絞りを通過するビーム量が増
加し、従って、薄膜フィルターに照射するビーム量が増
加し、薄膜フィルターで検出される吸収電流が増える。
吸収電流が所定の値になれば、収束レンズ4のコイル電
圧の上昇を停止し、対物レンズ5のコイル電圧をビーム
の焦点が試料表面に結ぶように制御する。電子ビーム強
度が強くなった場合は、この反対の動作を行う、このよ
うに電子ビーム強度を制御すれば、照射ビーム強度を一
定に保つことができる。また、薄膜フィルターによって
減少する照射ビームは僅かであるから、測定精度には影
響がない、従って、電子ビーム強度測定のために測定を
中止する必要がなくなった。
ト、効果 上述したように、本発明は薄膜フィルターの吸収電流に
基づいて、収束レンズ及び対物レンズで照射ビームを制
御することにより、試料に照射するビーム強度は絶えず
一定となり、測定精度及び測定能率が向上した。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例の構成図である。 S・・・試料、B・・・電子ビーム、1・・・フィラメ
ント。 2・・・ウェネルト、3・・・アノード、4・・・収束
レンズ、5・・・対物レンズ、6・・・収束絞り、7・
・・対物絞り、8・・・絶縁物固定具、9・・・薄膜フ
ィルター、10・・・試料ステージ、11・・・試料ス
テージ制御装置。 12・・・レンズ制御装置、13・・・分光結晶、14
・・・スリット、15・・・検出器、16・・・測定装
置、17・・・CPU。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料を電子ビーム等の荷電粒子線で励起させ、励起され
    た試料から放出される放射線を用いて試料分析等を行う
    装置において、電子ビームの光軸上に電子ビーム透過性
    の薄膜フィルターと、同薄膜フィルターから吸収電流を
    検出する手段と、検出された吸収電流によりビーム強度
    を制御する手段を設けたことを特徴とする電子線照射装
    置。
JP61234071A 1986-09-30 1986-09-30 電子線照射装置 Pending JPS6388737A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61234071A JPS6388737A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 電子線照射装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61234071A JPS6388737A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 電子線照射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6388737A true JPS6388737A (ja) 1988-04-19

Family

ID=16965134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61234071A Pending JPS6388737A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 電子線照射装置

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JP (1) JPS6388737A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199753A (ja) * 1989-01-27 1990-08-08 Shimadzu Corp 荷電粒子ビーム電流検出装置
US6034376A (en) * 1997-03-07 2000-03-07 Nec Corporation Electron-beam exposure system and a method applied therein

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199753A (ja) * 1989-01-27 1990-08-08 Shimadzu Corp 荷電粒子ビーム電流検出装置
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