JPS6388742A - 試料表面観察装置 - Google Patents

試料表面観察装置

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Publication number
JPS6388742A
JPS6388742A JP61234070A JP23407086A JPS6388742A JP S6388742 A JPS6388742 A JP S6388742A JP 61234070 A JP61234070 A JP 61234070A JP 23407086 A JP23407086 A JP 23407086A JP S6388742 A JPS6388742 A JP S6388742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
transparent filter
film transparent
sample
intensity
Prior art date
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Pending
Application number
JP61234070A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruji Hirai
平居 暉士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP61234070A priority Critical patent/JPS6388742A/ja
Publication of JPS6388742A publication Critical patent/JPS6388742A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、電子線マイクロアナライザ(EPMA)等試
料面を電子ビームによっ゛て励起させ、励起された試料
から放出される光線によって試料の分析及び光学観察を
する装置(カソードルミネッセンス測定装T!>に関す
る。
口、従来の技術 E P M A等の分析において試料面への照射ビーム
強度と、照射ビームによって励起された試料から放出さ
れるカソードルミネッセンス光強度とは比例する。従っ
て、カソードルミネッセンスのスペクトルの測定等は、
照射電子ビーム強度によって規格化しないと、正確なデ
ータ分析ができない、この照射ビーム強度の測定は従来
がら次の2通りの方法で行われている。その1つはビー
ムが照射された試料の吸収電流を測定する方法で他の1
つはファラデーカップ等で一次ビームを直接測定する方
法である。前者は常時測定が可能であるが、試料の組成
によって測定値が変化する欠点があり、後者はビーム強
度測定時に試料への照射及び光学観察が出来なくなり、
間欠的な測定しができない欠点がある。特に検出信号と
して試料からの発光(カソードルミネッセンス)を用い
る場合等は、光学観察が継続的にできることが必要であ
り、上記の問題は特に大きい。
ハ1発明が銹決しようとする間m点 本発明は、上記に示したような問題点を解消し、光学l
11察を中断することなく試料面への照射ビ−ム強度を
測定することを可能にし、測定精度及び測定能率を向上
させることを目的とする。
二0問題点解決のための手段 試料を電子ビーム等の荷電粒子線で励起させ、励起され
た試料から放出される光線を用いて試料分析及び光学観
察を行う装置において、電子ビームの光軸上に電子ビー
ム透過性の薄膜透明フィルターと、同薄膜透明フィルタ
ーから吸収電流を検出する手段を設けた。
ホ0作用 高分子膜の表面を透明導電性膜でコーティングした透明
薄膜に電子ビームを照射すると照射ビームの一部が薄膜
に吸収され、吸収された照射ビームに比例した電流(吸
収電流)が検出される。又、照射ビームの大部分は上記
薄膜を透過して試料面に照射され、しかも、吸収率は薄
膜側々において一定であるから、この吸収電流を照射ビ
ームの強度検出信号として用いるというのが、本発明の
主旨である。
上記薄膜透明フィルターは常時電子ビーム中にあって、
電子ビーム強度の12号を出しており、かつ透明である
から、放射される光はその、tま光学系に導かれ、電子
ビーム強度測定と光検出とが完全に同時にできる。
へ、実施例 図に本発明の一実施例を示す0図において、Sは試料、
Bは電子ビームでフィラメント1とウェネルト2とアノ
ード3によって構成される電子銃により発射される。に
子銃から発射された電子ビームBは収束レンズ4.対物
レンズ5により制御されて試料Sに照射される。電子ビ
ームBは試料Sに照射される途中で、収束絞り6や対物
絞りによって照射ビーム径を制限し、電子線の散乱防止
及び球面収差の軽減を計っている。8は絶縁性固定具で
薄膜透明フィルター9を基板と電気的絶縁状態で保持し
、薄膜透明フィルター9を照射ビームの光軸上に位置さ
せている。薄膜透明フィルター9は照射ビームBの一部
を吸収し、残りの照射ビームBは薄膜透明フィルター9
を透過させる。
薄膜透明フィルター9で吸収された照射ビームBは吸収
電流としてレンズ制御装置12で検出され、照射ビーム
Bの強度信号として用いられ、この吸収電流が一定にな
るように収束レンズ4及び対物レンズ5をレンズ制御装
置12で制御する。薄膜透明フィルター9は有機高分子
薄膜に透明電極膜を蒸着したもので光学的には透過性で
電子ビームに対しては半透過性である。10は試料ステ
ージで試料Sをx−y−z方向に移動させる。11は試
料ステージ制御装置で試料ステージ10の移動を制御す
る。21は試料Sから放射される光束を凸面鏡22に収
束させる凹面鏡、凸面鏡22は凹面鏡21から来た光束
を有孔ミラー23に反射する。有孔ミラー23は凸面鏡
から来た光束を窓245:透過させて真空外に放出する
。真空外に放出された光束は接眼レンズ28で収束され
て目視でi京されると共に、ミラー25で反射して、分
光器26に入射させ、入射光束を分光器26で分光し、
分光した光束を検出器27で検出する。16は検出器2
7で検出された検出信号を処理する測定装置である。1
7は測定装置16でえられた検出データに試料ステージ
制御装置11から送られてくる測定点データを付加して
記憶・分析するCPUである。
以上の構成において、照射ビームの調整動作を説明する
。照射ビームとしてフィラメント1.ウィネルト2.ア
ノード3からなる電子銃より電子ビームBが放射される
。この電子ビームBは収束絞り6でビーム径が絞られた
後、収束レンズ4で収束させられる。収束レンズ4で収
束させられたビームは対物絞り7でビーム径を絞られた
後、薄膜透明フィルター9を透過し、対物レンズ5で収
束され試料S上に焦点を結ばせられる。
電子銃から放射される電子ビーム強度が弱くなると、薄
膜透明フィルターで検出される吸収電流が減少する。吸
収電流の減少に応じて収束レンズ4のコイル電流を減少
させて収束レンズ4の収束力を減少させる。収束レンズ
4の収束力が減少されれば対物絞りを通過するビーム量
が増加し、従って、薄膜透明フィルターに照射するビー
ム量が増加し、薄膜透明フィルターで検出される吸収電
流が増える。吸収電流が所定の値になれば、収束レンズ
4のコイル電圧の上昇を停止し、対物レンズ5のコイル
電圧をビームの焦点が試料表面に結ぶように制御する。
電子ビーム強度が強くなった場合は、この反対の動作を
行う、このように電子ビーム強度を制御すれば、照射ビ
ーム強度を一定に保つことができる。また、薄膜透明フ
ィルターによって減少する照射ビームは僅かであるから
、測定精度には影響がない、従って、電子ビーム強度測
定のために測定を中止する必要がなくなった上述実施例
では、電子ビーム強度検出信号により電子光学系を制御
して、電子ビーム強度を一定に保つようにしているが、
電子ビーム強度信号により測光系の感度を制御して、測
光値を電子強度で規格化するようにしても良く、最も単
純な方法としては、測光出力データと電子ビーム強度デ
ータを同時記録するようにしても良い。
ト、効果 上述したように、本発明は薄膜透明フィルターの吸収電
流に基づいて、収束レンズ及び対物レンズで照射ビーム
を制御することにより、光学観察を継続しながら、試料
に照射するビーム強度を絶えず一定に調節できるように
なり、測定精度及び測定能率が向上した。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例の構成図である。 S・・・試料、B・・・電子ビーム、1・・・フィラメ
ント。 2・・・ウェネルト、3・・・アノード、4・・・収束
レンズ、5・・・対物レンズ、6・・・収束絞り、7・
・・対物絞り、8・・・絶縁物固定具、9・・・薄膜透
明フィルター。 10・・・試料ステージ、11・・・試料ステージ制御
装置、12・・・レンズ制御装置、16・・・測定装置
、17・・・CPU、21・・・凹面鏡、22・・・凸
面鏡、23・・・有孔ミラー、24・・・窓、25・・
・ミラー、26・・・分光器、27・・・検出器、28
・・・接眼レンズ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料を電子ビーム等の荷電粒子線で励起させ、励起され
    た試料から放出される光線を用いて試料分析及び光学観
    察を行う装置において、電子ビームの光軸上に電子ビー
    ム透過性の薄膜透明フィルターと、同薄膜透明フィルタ
    ーから吸収電流を検出する手段を設けたことを特徴とす
    る試料表面観察装置。
JP61234070A 1986-09-30 1986-09-30 試料表面観察装置 Pending JPS6388742A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61234070A JPS6388742A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 試料表面観察装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61234070A JPS6388742A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 試料表面観察装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6388742A true JPS6388742A (ja) 1988-04-19

Family

ID=16965119

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61234070A Pending JPS6388742A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 試料表面観察装置

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Country Link
JP (1) JPS6388742A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075323B2 (en) 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075323B2 (en) 2004-07-29 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
US7256606B2 (en) 2004-08-03 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Method for testing pixels for LCD TFT displays

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