JPH01118757A - 表面分析装置のマスク - Google Patents
表面分析装置のマスクInfo
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- JPH01118757A JPH01118757A JP62276222A JP27622287A JPH01118757A JP H01118757 A JPH01118757 A JP H01118757A JP 62276222 A JP62276222 A JP 62276222A JP 27622287 A JP27622287 A JP 27622287A JP H01118757 A JPH01118757 A JP H01118757A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は微小領域X線光電子分析装置等の表面分析装置
における試料マスクに関する。
における試料マスクに関する。
口、従来の技術
試料面を励起線で照射し、試料から放射される二次放射
線を検出する型の分析装置において、試料面の特定領域
を分析する場合、励起線が電子線である場合には電子光
学的にその特定領域に電子線を集中させることができる
が、X線とか中性原子ビーム等を励起線とするときはビ
ームを集束させることが困難であるから試料前面にマス
クを置いて分析領域以外を励起線或は二次放射から遮蔽
する方法が用いられている。この場合マスクが絶縁性材
料であると、励起された試料からは色々な二次放射線が
放射されるが、そのうち電子とかイオン等の荷電粒子が
マスクに付着してマスクが帯電し、電子とかイオンの放
射を抑制するから、これらの二次放射線を検出する分析
法の場合、不都合である。このためマスクとしては導電
性材料が用いられる。
線を検出する型の分析装置において、試料面の特定領域
を分析する場合、励起線が電子線である場合には電子光
学的にその特定領域に電子線を集中させることができる
が、X線とか中性原子ビーム等を励起線とするときはビ
ームを集束させることが困難であるから試料前面にマス
クを置いて分析領域以外を励起線或は二次放射から遮蔽
する方法が用いられている。この場合マスクが絶縁性材
料であると、励起された試料からは色々な二次放射線が
放射されるが、そのうち電子とかイオン等の荷電粒子が
マスクに付着してマスクが帯電し、電子とかイオンの放
射を抑制するから、これらの二次放射線を検出する分析
法の場合、不都合である。このためマスクとしては導電
性材料が用いられる。
ハ3発明が解決しようとする問題点
X線光電子分析等の表面分析法では試料面を光学顕微鏡
等で目視観察して分析点を選定するが、上述したように
マスクに金属を用いていると、試料前面が一度に見えず
、マスクの開口を通して試料を観察し、試料を移動させ
て分析点を探すので、分析点を決める作業が大へん面倒
である。本発明はこのような場合に、容易確実に分析点
を選定できる手段を提供しようとするものである。
等で目視観察して分析点を選定するが、上述したように
マスクに金属を用いていると、試料前面が一度に見えず
、マスクの開口を通して試料を観察し、試料を移動させ
て分析点を探すので、分析点を決める作業が大へん面倒
である。本発明はこのような場合に、容易確実に分析点
を選定できる手段を提供しようとするものである。
ニ0問題点解決のための手段
マスクを導電性透明材料によって形成した。導電性透明
材料としては例えばガラス面に酸化すず等の導電性透明
膜をコーティングした物が用いられる。
材料としては例えばガラス面に酸化すず等の導電性透明
膜をコーティングした物が用いられる。
ホ1作用
マスクは導電性であるから従来の導電性マスクと全(同
様に用いても帯電による障害は全く起らない。他方透明
であるから、マスク全面を通して試料面を目視観察する
ことが可能になり、分析点の選定作業は対へんやり易(
なる。
様に用いても帯電による障害は全く起らない。他方透明
であるから、マスク全面を通して試料面を目視観察する
ことが可能になり、分析点の選定作業は対へんやり易(
なる。
へ、実施例
第1図に本発明の一実施例を示す。この実施例は微小部
xn光電子分析装置(通称マイクロESCA)である。
xn光電子分析装置(通称マイクロESCA)である。
図で1は試料で、試料ステージ2上に保持されている。
試料ステージはxy2方向に微動可動である。3はマス
クで試料表面より0.1mm程度離して試料面を覆うよ
うに固定される。従って試料はマスクとは別にxy2方
向に移動せしめられるようになっている。試料面とマス
クとの間を密着させないのはこのためである。
クで試料表面より0.1mm程度離して試料面を覆うよ
うに固定される。従って試料はマスクとは別にxy2方
向に移動せしめられるようになっている。試料面とマス
クとの間を密着させないのはこのためである。
マスク3は0.5mmの厚さのガラス板の表面に酸化す
ず膜をコーティングしたもので、導電性膜は接地されて
おり、200μm、600μm、1mm等の直径の小孔
りが穿っである。4は光学ミラーで試料上方に斜めに配
置され、装置外からの操作で、図示位置より図の紙面に
垂直方向に退避させることができるようになっている。
ず膜をコーティングしたもので、導電性膜は接地されて
おり、200μm、600μm、1mm等の直径の小孔
りが穿っである。4は光学ミラーで試料上方に斜めに配
置され、装置外からの操作で、図示位置より図の紙面に
垂直方向に退避させることができるようになっている。
5は装置に付設された光学顕微鏡で、その先軸はミラー
4により下方に試料面に垂直に曲げられ、マスク3の小
孔りはその中心を顕微鏡5の上記光軸が通るように位置
決めされている。6はXI源で試料面を斜め上方からX
線で照射する。7は電子レンズでその先軸は前記した光
学顕微鏡5の光軸のミラー4で下方に曲げられた部分の
延長と一致させである。8は荷電子のエネルギー分析器
、9は電子検出器である。以上の装置各部は全体が真空
容器の中に収納されている。
4により下方に試料面に垂直に曲げられ、マスク3の小
孔りはその中心を顕微鏡5の上記光軸が通るように位置
決めされている。6はXI源で試料面を斜め上方からX
線で照射する。7は電子レンズでその先軸は前記した光
学顕微鏡5の光軸のミラー4で下方に曲げられた部分の
延長と一致させである。8は荷電子のエネルギー分析器
、9は電子検出器である。以上の装置各部は全体が真空
容器の中に収納されている。
上述した装置で試料分析は次のようにして行われる。光
学ミラー4を図示位置に進出させると試料lの表面をマ
スク3を通して顕微fi5で見ることができる。このよ
うにして試料面上の夢分析点を探し、試料ステージ2を
x、y両方向に動かして夢分析点をマスク3の小孔りの
下に位置させる。その後ミラー4を退避させX線源6を
作動させて試料面をX線で照射する。そうすると試料面
からX線光電子が放出され、要分析域以外から放出され
たX線光電子はマスク3の導電性膜に入射し吸収される
。要分析域から放出された電子は小孔りを通過して電子
レンズ7に入射し、エネルギー分析器8の入射スリット
上に集中せしめられ、エネルギー分析器8でエネルギー
分析されて検出B9に入射し、検出される。マスク3は
導電性被膜がアースされているので、小孔り以外の所に
入射した電荷はそのま\アースに逃げ、マスク3は試料
1と同じ0電位のま\のであり、X線光電子の放出を妨
げることはない。
学ミラー4を図示位置に進出させると試料lの表面をマ
スク3を通して顕微fi5で見ることができる。このよ
うにして試料面上の夢分析点を探し、試料ステージ2を
x、y両方向に動かして夢分析点をマスク3の小孔りの
下に位置させる。その後ミラー4を退避させX線源6を
作動させて試料面をX線で照射する。そうすると試料面
からX線光電子が放出され、要分析域以外から放出され
たX線光電子はマスク3の導電性膜に入射し吸収される
。要分析域から放出された電子は小孔りを通過して電子
レンズ7に入射し、エネルギー分析器8の入射スリット
上に集中せしめられ、エネルギー分析器8でエネルギー
分析されて検出B9に入射し、検出される。マスク3は
導電性被膜がアースされているので、小孔り以外の所に
入射した電荷はそのま\アースに逃げ、マスク3は試料
1と同じ0電位のま\のであり、X線光電子の放出を妨
げることはない。
第2図は本発明の他の実施例を示す。この実施例ではマ
スク3を試料1の表面から離し、マスクの下で試料1に
X線を照射するようにした。電子レンズ7はマスク3の
小孔りを通して試料面の小孔りの真下の部分から放射さ
れたX線光電子だけが小孔りを通して電子レンズ7に入
射できる。この実施例ではマスク3は全くX線の照射を
受けないので、試料から放射されるX線光電子のエネル
ギーがマスク°のガラスから放射されるX*光電子のエ
ネルギーと同程度の場合でもマスクから放射される電子
が測定の邪魔になるといった問題が起らない。
スク3を試料1の表面から離し、マスクの下で試料1に
X線を照射するようにした。電子レンズ7はマスク3の
小孔りを通して試料面の小孔りの真下の部分から放射さ
れたX線光電子だけが小孔りを通して電子レンズ7に入
射できる。この実施例ではマスク3は全くX線の照射を
受けないので、試料から放射されるX線光電子のエネル
ギーがマスク°のガラスから放射されるX*光電子のエ
ネルギーと同程度の場合でもマスクから放射される電子
が測定の邪魔になるといった問題が起らない。
上述実施例ではマスクの導電性被膜をアースしているが
、アースの代わりに一定電圧出力の電源に接続して、常
時一定電位に保っておくようにしてもよい。この一定電
位を正の値にしておくと、試料面から放出されるX線光
電子をマスクへ向って吸引加速し、試料面表面のX線光
電子による空間電荷を解消して、電子の空間電荷による
試料面からのX線光電子の放出抑制作用を解消してエネ
ルギー分析器へのX線光電子入射効率を高め、分析感度
を高めることができる。
、アースの代わりに一定電圧出力の電源に接続して、常
時一定電位に保っておくようにしてもよい。この一定電
位を正の値にしておくと、試料面から放出されるX線光
電子をマスクへ向って吸引加速し、試料面表面のX線光
電子による空間電荷を解消して、電子の空間電荷による
試料面からのX線光電子の放出抑制作用を解消してエネ
ルギー分析器へのX線光電子入射効率を高め、分析感度
を高めることができる。
ト、効果
本発明によれば、試料面全体を見ながら分析領域の選定
、分析領域の分析位置への移動ができるので、これらの
操作が大へんやり易くなり、分析能率が向上する。
、分析領域の分析位置への移動ができるので、これらの
操作が大へんやり易くなり、分析能率が向上する。
第1図は本発明の一実施例装置の側面図、第2図は他の
実施例の要部側面図である。 1・・・試料、2・・・試料ステージ、3・・・マスク
、h・・・マスクの小孔、4・・・光学ミラー、5・・
・光学顕微鏡、6・・・X線源、7・・・電子レンズ、
8・・・エネルギー分析器、9・・・電子検出器。 代理人 弁理士 縣 浩 介 第2図
実施例の要部側面図である。 1・・・試料、2・・・試料ステージ、3・・・マスク
、h・・・マスクの小孔、4・・・光学ミラー、5・・
・光学顕微鏡、6・・・X線源、7・・・電子レンズ、
8・・・エネルギー分析器、9・・・電子検出器。 代理人 弁理士 縣 浩 介 第2図
Claims (1)
- 試料面を励起線で照射し、試料から放出される二次放射
を検出する型の表面分析装置において、試料面の分析領
域を規定する開口を有し、導電性透光性材料で形成され
て試料面上に配置され、直接或は電圧源を介して接地さ
れる表面分析装置のマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62276222A JPH01118757A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | 表面分析装置のマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62276222A JPH01118757A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | 表面分析装置のマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01118757A true JPH01118757A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17566390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62276222A Pending JPH01118757A (ja) | 1987-10-31 | 1987-10-31 | 表面分析装置のマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01118757A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005015189A2 (en) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | X-Ray Optical Systems, Inc. | X-ray fluorescence system with apertured sample mask for analyzing patterned surfaces |
JP2007127637A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-24 | Thermo Fisher Scientific Inc | 表面分析用分光装置と分析方法 |
JP2010112873A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Jeol Ltd | 分光分析装置 |
DE102010063122B3 (de) * | 2010-12-15 | 2012-05-24 | Technische Universität Dresden | Röntgendiffraktometersystem mit Anordnung zur gezielten Auswahl und Anregung von Einzelkristalliten in polykristallinen Kristallkörpern |
-
1987
- 1987-10-31 JP JP62276222A patent/JPH01118757A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005015189A2 (en) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | X-Ray Optical Systems, Inc. | X-ray fluorescence system with apertured sample mask for analyzing patterned surfaces |
WO2005015189A3 (en) * | 2003-08-12 | 2005-07-07 | X Ray Optical Sys Inc | X-ray fluorescence system with apertured sample mask for analyzing patterned surfaces |
US7023955B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-04-04 | X-Ray Optical System, Inc. | X-ray fluorescence system with apertured mask for analyzing patterned surfaces |
JP2007502421A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-08 | エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド | パターン化された表面の分析のための開口マスクを備えるx線蛍光システム |
JP4724662B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2011-07-13 | エックス−レイ オプティカル システムズ インコーポレーテッド | パターン化された表面の分析のための開口マスクを備えるx線蛍光システム |
JP2007127637A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-24 | Thermo Fisher Scientific Inc | 表面分析用分光装置と分析方法 |
JP2010112873A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Jeol Ltd | 分光分析装置 |
DE102010063122B3 (de) * | 2010-12-15 | 2012-05-24 | Technische Universität Dresden | Röntgendiffraktometersystem mit Anordnung zur gezielten Auswahl und Anregung von Einzelkristalliten in polykristallinen Kristallkörpern |
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