JPS599850B2 - Ｘ センコウデンシブンセキホウホウ - Google Patents
Ｘ センコウデンシブンセキホウホウInfo
- Publication number
- JPS599850B2 JPS599850B2 JP50137606A JP13760675A JPS599850B2 JP S599850 B2 JPS599850 B2 JP S599850B2 JP 50137606 A JP50137606 A JP 50137606A JP 13760675 A JP13760675 A JP 13760675A JP S599850 B2 JPS599850 B2 JP S599850B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- target
- ray
- rays
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微小焦点の電子線を薄膜状のターゲットに照射
することにより局部的に発生させたＸ線を、局部的に薄
膜試料に透過させ、このＸ線照射による光電効果で発生
した光電子を検出することにより試料の分析を行うＸ線
光電子分析方法に関する。
することにより局部的に発生させたＸ線を、局部的に薄
膜試料に透過させ、このＸ線照射による光電効果で発生
した光電子を検出することにより試料の分析を行うＸ線
光電子分析方法に関する。
Ｘ線光電子による分析法は電子の原子、分子内での結合
エネルギーが測定できるために元素の状態分析を行うに
は有用な手段であるが、従来はＸ線の試料に対する照射
を局部的に集中して行えないため試料の局所分析をする
ことができなかつた。
エネルギーが測定できるために元素の状態分析を行うに
は有用な手段であるが、従来はＸ線の試料に対する照射
を局部的に集中して行えないため試料の局所分析をする
ことができなかつた。
本発明は、このような従来の常識を破つてＸ線を試料の
任意の位置の微小範囲に集中照射して局所の分析を可能
とする方法を提供せんとするものであり、その要旨とす
る所は薄膜状試料の表面に近接又は密着させて薄膜状の
Ｘ線ターゲットを位置させ、Ｘ線ターゲット表面に鋭く
収束させた電子プローブを照射して局部的にＸ線を発生
させ、このＸ線により試料裏面から発生した光電子を検
出器により検出してＸ線光電子スペクトルを観測または
記録するものである。次にこれを実施例図について説明
すると、１は電子銃で電子線の発生源であり、２は集束
レンズ、対物レンズ等の概念を含む電子レンズで、３は
試料面を走査するための偏向コイル（または偏向電極）
、４は薄膜状のＸ線ターゲットで例えば１μ厚のアルミ
ニウム箔であり、矢印で示す如く左右に移動可能になつ
ており、５は薄膜試料、６は入射電子線のエネルギーを
弁別して検出する電子分光検出器である。
任意の位置の微小範囲に集中照射して局所の分析を可能
とする方法を提供せんとするものであり、その要旨とす
る所は薄膜状試料の表面に近接又は密着させて薄膜状の
Ｘ線ターゲットを位置させ、Ｘ線ターゲット表面に鋭く
収束させた電子プローブを照射して局部的にＸ線を発生
させ、このＸ線により試料裏面から発生した光電子を検
出器により検出してＸ線光電子スペクトルを観測または
記録するものである。次にこれを実施例図について説明
すると、１は電子銃で電子線の発生源であり、２は集束
レンズ、対物レンズ等の概念を含む電子レンズで、３は
試料面を走査するための偏向コイル（または偏向電極）
、４は薄膜状のＸ線ターゲットで例えば１μ厚のアルミ
ニウム箔であり、矢印で示す如く左右に移動可能になつ
ており、５は薄膜試料、６は入射電子線のエネルギーを
弁別して検出する電子分光検出器である。
以上のような構成において電子プローブＴをＸ線ターゲ
ット４に微小点で集中照射すると局所的にＸ線８を発生
し、近接して位置する試料を局所的にこのＸ線で照射す
ることになる。
ット４に微小点で集中照射すると局所的にＸ線８を発生
し、近接して位置する試料を局所的にこのＸ線で照射す
ることになる。
こゝでＸ線ターゲット４の上面で発生する特性Ｘ線はＸ
線ターゲットの厚さ方向（垂直方向）又はこれに近い方
向に進むものは透過するが、Ｘ線ターゲット中を厚さ方
向に対し斜めに進むものはターゲット内の通過距離が長
いからＸ線ターゲット自身に吸収・ されてしまつて透
過しない。従つてターゲットを透過したＸ線は微小点か
ら、かつ余り発散しないビームとして出発したようにな
り、ターゲット４下面に近接した薄膜試料５をきわめて
局所的にＸ線で照射することになる。このＸ線８はター
ゲツク トの元素個有の強い特性Ｘ線を含むから、この
Ｘ線が薄膜試料５の局所を励起して光電効果で光電子を
発生させるので試料下面より出る光電子９を電子分光検
出器６で分光検出して試料の局所における、その物質特
有のＸ線光電子スペクトルが得■５ られてその物質に
おける原子、分子の結合状態についての情報が得られる
ことになる。Ｘ線ターゲット４を左右に移動可能にして
おいた理由は、これを左方に移動させて薄膜試料５を直
接電子プローブ７で走査し、その透過電子を電子分光検
出器６を単なる電子検出器として用いて検出すると（電
子分光検出器がフイルタ一形アナライザーの場合はフイ
ルタ一を除く）通常の走査型電子顕微鏡による観察像が
得られるので、結局この観察像と、これに対応した場所
のＸ線光電子スづクトルが得られることになり、きわめ
て有用な分析の手段となる。
線ターゲットの厚さ方向（垂直方向）又はこれに近い方
向に進むものは透過するが、Ｘ線ターゲット中を厚さ方
向に対し斜めに進むものはターゲット内の通過距離が長
いからＸ線ターゲット自身に吸収・ されてしまつて透
過しない。従つてターゲットを透過したＸ線は微小点か
ら、かつ余り発散しないビームとして出発したようにな
り、ターゲット４下面に近接した薄膜試料５をきわめて
局所的にＸ線で照射することになる。このＸ線８はター
ゲツク トの元素個有の強い特性Ｘ線を含むから、この
Ｘ線が薄膜試料５の局所を励起して光電効果で光電子を
発生させるので試料下面より出る光電子９を電子分光検
出器６で分光検出して試料の局所における、その物質特
有のＸ線光電子スペクトルが得■５ られてその物質に
おける原子、分子の結合状態についての情報が得られる
ことになる。Ｘ線ターゲット４を左右に移動可能にして
おいた理由は、これを左方に移動させて薄膜試料５を直
接電子プローブ７で走査し、その透過電子を電子分光検
出器６を単なる電子検出器として用いて検出すると（電
子分光検出器がフイルタ一形アナライザーの場合はフイ
ルタ一を除く）通常の走査型電子顕微鏡による観察像が
得られるので、結局この観察像と、これに対応した場所
のＸ線光電子スづクトルが得られることになり、きわめ
て有用な分析の手段となる。
次に薄膜試料とＸ線ターゲツトを密着させる方法として
は例えば薄膜状のＸ線ターゲツトの裏面に溶剤に溶解さ
せた試料を塗布乾燥させて薄膜状にしてもよいし、逆に
薄膜状試料の表面にＸ線ターゲツト金属の蒸着膜を形成
してもよい。
は例えば薄膜状のＸ線ターゲツトの裏面に溶剤に溶解さ
せた試料を塗布乾燥させて薄膜状にしてもよいし、逆に
薄膜状試料の表面にＸ線ターゲツト金属の蒸着膜を形成
してもよい。
上記近接又は密着させるＸ線ターゲツトの厚さは、厚過
ぎるとＸ線は透過しないし、薄過ぎると近接の場合（密
着でない）にはターゲツトを斜めに通過するＸ線がター
ゲツト自身に吸収されなくなるので試料に当る時焦点が
ぼけることになり、結局少くとも直進又は直進に近いＸ
線のみが透過する程度の厚さが必要であり、実際にはタ
ーゲツトの元素によるが１μ前後の厚さが適当であり、
試料の５μ程度の範囲の局所分析が可能である。
ぎるとＸ線は透過しないし、薄過ぎると近接の場合（密
着でない）にはターゲツトを斜めに通過するＸ線がター
ゲツト自身に吸収されなくなるので試料に当る時焦点が
ぼけることになり、結局少くとも直進又は直進に近いＸ
線のみが透過する程度の厚さが必要であり、実際にはタ
ーゲツトの元素によるが１μ前後の厚さが適当であり、
試料の５μ程度の範囲の局所分析が可能である。
以上のように本発明は新しい分析法を提供するものであ
り、局所（数μ〜数１０μ）のＸ線光電子スペクトルが
得られて、試料中の特定点を占める物質の状態分析のよ
うなことができるようになつたのである。
り、局所（数μ〜数１０μ）のＸ線光電子スペクトルが
得られて、試料中の特定点を占める物質の状態分析のよ
うなことができるようになつたのである。
図は本発明の一実施例の要部正面図である。
１・・・・・・電子銃、２・・・・・・電子レンズ、３
・・・・・・偏向コイル、４・・・・・・Ｘ線ターゲツ
ト、５・・・・・・薄膜試料、６・・・・・・電子分光
検出器、７・・・・・・電子プローブ、８・・・・・・
特性Ｘ線、９・・・・・・光電子。
・・・・・・偏向コイル、４・・・・・・Ｘ線ターゲツ
ト、５・・・・・・薄膜試料、６・・・・・・電子分光
検出器、７・・・・・・電子プローブ、８・・・・・・
特性Ｘ線、９・・・・・・光電子。
Claims (1)
- １ 薄膜状試料の表面に近接又は密着させて薄膜状のＸ
線ターゲットを位置させ、Ｘ線ターゲット表面に電子プ
ローブを照射して局部的にＸ線を発生させ、このＸ線に
より試料裏面から発生した光電子を検出器により検出す
ることを特徴とするＸ線光電子分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50137606A JPS599850B2 (ja) | 1975-11-14 | 1975-11-14 | Ｘ センコウデンシブンセキホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50137606A JPS599850B2 (ja) | 1975-11-14 | 1975-11-14 | Ｘ センコウデンシブンセキホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5260686A JPS5260686A (en) | 1977-05-19 |
| JPS599850B2 true JPS599850B2 (ja) | 1984-03-05 |
Family
ID=15202609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50137606A Expired JPS599850B2 (ja) | 1975-11-14 | 1975-11-14 | Ｘ センコウデンシブンセキホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599850B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5981546A (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-11 | Shimadzu Corp | Ｘ線光電子分析装置 |
| JPS59229519A (ja) * | 1984-05-09 | 1984-12-24 | Hitachi Ltd | 走査光子顕微鏡 |
| FR2600422B1 (fr) * | 1986-05-29 | 1989-10-13 | Instruments Sa | Appareil et procede d'analyses chimiques locales a la surface de materiaux solides par spectroscopie de photo-electrons x |
| DE3820549A1 (de) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und vorrichtung zur untersuchung von membranoberflaechen |
-
1975
- 1975-11-14 JP JP50137606A patent/JPS599850B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5260686A (en) | 1977-05-19 |
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