JPS5981546A - Ｘ線光電子分析装置 - Google Patents
Ｘ線光電子分析装置Info
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- JPS5981546A JPS5981546A JP57191584A JP19158482A JPS5981546A JP S5981546 A JPS5981546 A JP S5981546A JP 57191584 A JP57191584 A JP 57191584A JP 19158482 A JP19158482 A JP 19158482A JP S5981546 A JPS5981546 A JP S5981546A
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- Japan
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- ray
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は試本ｌをＸ線で励起して試別から放出されるＸ
線光電子をエネルギー分析するＸ線光電子分析装置４に
関する。
線光電子をエネルギー分析するＸ線光電子分析装置４に
関する。
Ｘ線光電子分析法は元来余り感度が高くない上、Ｘ線で
試オ」を励起するので、試別の局所を集中的に励起する
ことができず局所分析が困難と云う欠点を持っている。
試オ」を励起するので、試別の局所を集中的に励起する
ことができず局所分析が困難と云う欠点を持っている。
本発明はＸ線光電子分光法の上述した欠点を改善するこ
とを目的としてなされたものである。
とを目的としてなされたものである。
第１図は従来のＸ線光電子分析装ｊ（、ｉを示す、Ｓが
試料、ＧかＸ線銃でＥは電子エネルギー分析器である。
試料、ＧかＸ線銃でＥは電子エネルギー分析器である。
これらは云うまでもなく全部真空中に配置されている。
Ｘ線銃において、Ｆはフィラメント、Ｗはウェネルト電
極でＡがア、ノートである。
極でＡがア、ノートである。
アノードＡから放射されるＸ線ｌｌ−を窓の薄膜Ｍを透
過して試料Ｓを照射する。薄膜ＭはＸ線銃のフィラメン
トＦから放出される電子の一部が電子エネルギー分析器
Ｅに入る可能性があるのでこれを防ぐためである。この
構成においては試別ＳのＸ線入射側の而から放出される
Ｘ線光電子（ｅで示す）を電子エネルギー分析器に入射
させているので、Ｘ線銃は試別と電子エネルギー分析器
との間から退避させて斜方向から試料面を照射すること
になる。このだめアノードＡのＸ線発生点と試別Ｓ表面
との距離が遠くかつ斜照射であるから、試料面のＸ線照
度が低くならざるを得ない。Ｘ線光電子分析法で感度を
上げるには試料面におけるＸ線照度を高める必要がある
が、従来装置では上述したような構成による結果として
試料面において高いＸ線照度をイ（することか困難であ
った。
過して試料Ｓを照射する。薄膜ＭはＸ線銃のフィラメン
トＦから放出される電子の一部が電子エネルギー分析器
Ｅに入る可能性があるのでこれを防ぐためである。この
構成においては試別ＳのＸ線入射側の而から放出される
Ｘ線光電子（ｅで示す）を電子エネルギー分析器に入射
させているので、Ｘ線銃は試別と電子エネルギー分析器
との間から退避させて斜方向から試料面を照射すること
になる。このだめアノードＡのＸ線発生点と試別Ｓ表面
との距離が遠くかつ斜照射であるから、試料面のＸ線照
度が低くならざるを得ない。Ｘ線光電子分析法で感度を
上げるには試料面におけるＸ線照度を高める必要がある
が、従来装置では上述したような構成による結果として
試料面において高いＸ線照度をイ（することか困難であ
った。
試４Ｎ而におけるＸ線照度を高めるにはＸ線発正源の強
度を高める方法も考えられるがＸ線源の発熱増加と云っ
た制約があり任意にＸ線強度を上げることはできない。
度を高める方法も考えられるがＸ線源の発熱増加と云っ
た制約があり任意にＸ線強度を上げることはできない。
もう一つの方法はＸ線発生源を試別に近つけることで、
この方法によれば試料面のＸ線照度は距離の自乗に反比
例して高くなるから、Ｘ線発生源を強めるより有効な方
法である。
この方法によれば試料面のＸ線照度は距離の自乗に反比
例して高くなるから、Ｘ線発生源を強めるより有効な方
法である。
本発明はこの点に着眼してＸ線発生源を試料面に充分近
づけ得るような各部装置を工夫したものである０ 上述１〜だ所によって本発明は薄層試料の背面からＸ線
照射を行うようにしたＸ線光電子分析装置を提供する。
づけ得るような各部装置を工夫したものである０ 上述１〜だ所によって本発明は薄層試料の背面からＸ線
照射を行うようにしたＸ線光電子分析装置を提供する。
この構成によるときはＸ線銃は試料とミルエネルギー分
析器との間の妨害物とならないからＸ線発生源を充分に
試料に近づけることが可能となり、試料面における高い
Ｘ線照度を得ることができる。
析器との間の妨害物とならないからＸ線発生源を充分に
試料に近づけることが可能となり、試料面における高い
Ｘ線照度を得ることができる。
次に本発明の詳細な説明する。第２図に本発明の一実施
例を示す。ｌは試料台で中央は開口２となっており、試
料Ｓは薄膜状に調製（〜゛Ｃ開１−１２を覆うように試
料台〕」−に載置される。試才」か高分子フイルノ、の
ような絶縁物である場合、試オ；−１の帯電防止のだめ
開１］２にアルミ箔（厚さ数７ｔ ｍ ）の窓拐３を張
設してＸ線銃のフィラメントから放出される電子の一部
が試料に当らないＪ：うにする。
例を示す。ｌは試料台で中央は開口２となっており、試
料Ｓは薄膜状に調製（〜゛Ｃ開１−１２を覆うように試
料台〕」−に載置される。試才」か高分子フイルノ、の
ような絶縁物である場合、試オ；−１の帯電防止のだめ
開１］２にアルミ箔（厚さ数７ｔ ｍ ）の窓拐３を張
設してＸ線銃のフィラメントから放出される電子の一部
が試料に当らないＪ：うにする。
４は窓材３を支えるメ・ノンユである。試料が導電性の
ものであれば窓板３もメツシュ４も不要である。開口２
内においてＰ′はＸ線銃を構成するフィラメント、Ｗは
ウェネルト電極、Ａはアノードである。試料台１はウェ
ネルト電極Ｗと同電位でフィラメントより若干マイナス
電位にし一部ある。電子衝撃てよってアノードＡから放
射されるＸ線Ｘは試料Ｓを裏面から照射する。電子エネ
ルギー分析器Ｅは試ｆ−’１． Ｓの−Ｆ方にあって、
裏面からＸ線照射されている薄膜試料の表面側に放出さ
れるＸ線光電子ｅが入射するようになっている。５は小
孔）１を穿ったマスクで第２図でにしマスク５は試料台
ｌの開口２の上方から退避させた位置にある。この状態
においては試料Ｓの広い面積から放射されるＸｇ！光電
ｒ−が電子エネルギー分析器Ｅに入射する。第３図−］
第２図の装置でマスク５をその中心の小孔りが開１］２
の中央に位置するようにしだ状態を示す。この状態では
試料Ｓ表面から放出されるｘＫ９光１１Σ子のうち、こ
の小孔りの部分から放出されたものだけが電子エネルギ
ー分析器Ｅに入射でき、試料面の局所分析が行える。
ものであれば窓板３もメツシュ４も不要である。開口２
内においてＰ′はＸ線銃を構成するフィラメント、Ｗは
ウェネルト電極、Ａはアノードである。試料台１はウェ
ネルト電極Ｗと同電位でフィラメントより若干マイナス
電位にし一部ある。電子衝撃てよってアノードＡから放
射されるＸ線Ｘは試料Ｓを裏面から照射する。電子エネ
ルギー分析器Ｅは試ｆ−’１． Ｓの−Ｆ方にあって、
裏面からＸ線照射されている薄膜試料の表面側に放出さ
れるＸ線光電子ｅが入射するようになっている。５は小
孔）１を穿ったマスクで第２図でにしマスク５は試料台
ｌの開口２の上方から退避させた位置にある。この状態
においては試料Ｓの広い面積から放射されるＸｇ！光電
ｒ−が電子エネルギー分析器Ｅに入射する。第３図−］
第２図の装置でマスク５をその中心の小孔りが開１］２
の中央に位置するようにしだ状態を示す。この状態では
試料Ｓ表面から放出されるｘＫ９光１１Σ子のうち、こ
の小孔りの部分から放出されたものだけが電子エネルギ
ー分析器Ｅに入射でき、試料面の局所分析が行える。
本発明Ｘ線光電子分析装置はＸ線の透過性によって調和
背面からＸ線を照射し試料表面付近の原ｒを励起するも
のであるから、試料は薄く調製されたものの方がＸ線照
射強度が高くなる。また有＋ａ ｒＪ Ｆｌのフィルｌ
、でも裏面に数］、 ００ Ａ Ｎ度にアルミ蒸着を行
って帯電を防げば窓材３なしても使用でき、Ｘ線照度を
上げることができる。本発明装置−１このような特性か
ら特にフィルム状で扱われる拐料の分析に適１．たもの
で、試料載置面の周囲に物体がないから、かなり広い面
積の試料でも裁断せずにその丑＼用いることができる。
背面からＸ線を照射し試料表面付近の原ｒを励起するも
のであるから、試料は薄く調製されたものの方がＸ線照
射強度が高くなる。また有＋ａ ｒＪ Ｆｌのフィルｌ
、でも裏面に数］、 ００ Ａ Ｎ度にアルミ蒸着を行
って帯電を防げば窓材３なしても使用でき、Ｘ線照度を
上げることができる。本発明装置−１このような特性か
ら特にフィルム状で扱われる拐料の分析に適１．たもの
で、試料載置面の周囲に物体がないから、かなり広い面
積の試料でも裁断せずにその丑＼用いることができる。
本発明Ｘ線光電子分析装置は上述したような構成で、Ｘ
線源は試料の背面にあるのでＸ線発生点を充分に試料に
近うけることができ、高いＸ線照度を得ることができる
ので、Ｘ線光電子分析の感度を上げることができる。ま
だ第３図に示すようにマスク５を使用しても、マスクが
Ｘ線吸収の大きな拐料で適当な厚さがあればＸ線照射に
３ンって表面からＸ線光電子が放出されることがないか
ら、マスク５の使用によって試料面の局所分析が可能と
なる。第１図に示す従来例ではマスクを用いるとマスク
から放出されるＸ線光電子が試料から出るＸ線光電子と
共に電子エネルギー分析器に入射してしまい、試料の局
所から放出される光電子だけを取出すことができなかっ
たのであり、局所分析か０丁能と云うことけ本発明の大
きな特徴である。
線源は試料の背面にあるのでＸ線発生点を充分に試料に
近うけることができ、高いＸ線照度を得ることができる
ので、Ｘ線光電子分析の感度を上げることができる。ま
だ第３図に示すようにマスク５を使用しても、マスクが
Ｘ線吸収の大きな拐料で適当な厚さがあればＸ線照射に
３ンって表面からＸ線光電子が放出されることがないか
ら、マスク５の使用によって試料面の局所分析が可能と
なる。第１図に示す従来例ではマスクを用いるとマスク
から放出されるＸ線光電子が試料から出るＸ線光電子と
共に電子エネルギー分析器に入射してしまい、試料の局
所から放出される光電子だけを取出すことができなかっ
たのであり、局所分析か０丁能と云うことけ本発明の大
きな特徴である。
第１図は従来例の側面図、第２図は本発明の一実施例装
置の縦断側面図、第３図は同実施例装置で局所分析を行
っている状態を示す縦断側面図′である。 １・・・試料台、２・・試料台の中央開口、５・・・マ
スク、ｈ・・・マスクに設けた小孔、Ｓ・・・試料、Ｆ
−Ｘ線源を構成するフィラメント、Ｗ・・・ウェネルト
電極、ハ・・・アノード、Ｅ・・・電子エネルギー分析
器。 代理人 井理士 縣 浩 介
置の縦断側面図、第３図は同実施例装置で局所分析を行
っている状態を示す縦断側面図′である。 １・・・試料台、２・・試料台の中央開口、５・・・マ
スク、ｈ・・・マスクに設けた小孔、Ｓ・・・試料、Ｆ
−Ｘ線源を構成するフィラメント、Ｗ・・・ウェネルト
電極、ハ・・・アノード、Ｅ・・・電子エネルギー分析
器。 代理人 井理士 縣 浩 介
Claims (2)
- （１）試別の背面にＸ線源装置のアノードを対向させ、
試＊−１の表面測知電子エネルギー分析器を配置（−）
こことを特徴とするＸ線光電子分析装置。 - （２）試オニ１表「１１側に背面のＸ線照射域に対して
出入自在にマスクを配置１〜だ特許請求の範囲第１項記
載のＸ線光電子分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191584A JPS5981546A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | Ｘ線光電子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191584A JPS5981546A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | Ｘ線光電子分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981546A true JPS5981546A (ja) | 1984-05-11 |
| JPH0529866B2 JPH0529866B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=16277074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191584A Granted JPS5981546A (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | Ｘ線光電子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191329A2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron spectroscopic analyzer using X-rays |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5260686A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-19 | Shimadzu Corp | X-ray photoelectronic analysis |
-
1982
- 1982-10-30 JP JP57191584A patent/JPS5981546A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5260686A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-19 | Shimadzu Corp | X-ray photoelectronic analysis |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1191329A2 (en) * | 2000-09-25 | 2002-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron spectroscopic analyzer using X-rays |
| EP1191329A3 (en) * | 2000-09-25 | 2003-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron spectroscopic analyzer using X-rays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529866B2 (ja) | 1993-05-06 |
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