JPH07183343A - Ｘ線光電子分光分析装置 - Google Patents
Ｘ線光電子分光分析装置Info
- Publication number
- JPH07183343A JPH07183343A JP5327113A JP32711393A JPH07183343A JP H07183343 A JPH07183343 A JP H07183343A JP 5327113 A JP5327113 A JP 5327113A JP 32711393 A JP32711393 A JP 32711393A JP H07183343 A JPH07183343 A JP H07183343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectron
- electron
- data
- electron beam
- analyzer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】微小領域であっても、測定したい部分と実際に
測定している部分を一致させる。 【構成】Ｘ線を当てた絶縁物試料の表面は、正に帯電し
ており、測定中に電子銃３から電子ビームを絶縁物試料
の目的部分に照射して、局所的に負に帯電または中和さ
せ、その局所部分からの光電子スペクトルを電子ビーム
の当たっていない部分の光電子スペクトルよりも数ｅＶ
だけ低結合エネルギー側に出現させて、光電子スペクト
ルを分離させる。演算装置６により電子ビーム照射前の
光電子スペクトルと電子ビーム照射中の光電子スペクト
ルを差し引き、負になる部分をゼロ補正すると、電子ビ
ーム照射部分のみの光電子スペクトルが得られるので、
測定したい部分と測定している部分を一致させることが
できる。同時に電子ビーム照射部分を画像表示装置５で
観察し、分析位置の確認ができる。
測定している部分を一致させる。 【構成】Ｘ線を当てた絶縁物試料の表面は、正に帯電し
ており、測定中に電子銃３から電子ビームを絶縁物試料
の目的部分に照射して、局所的に負に帯電または中和さ
せ、その局所部分からの光電子スペクトルを電子ビーム
の当たっていない部分の光電子スペクトルよりも数ｅＶ
だけ低結合エネルギー側に出現させて、光電子スペクト
ルを分離させる。演算装置６により電子ビーム照射前の
光電子スペクトルと電子ビーム照射中の光電子スペクト
ルを差し引き、負になる部分をゼロ補正すると、電子ビ
ーム照射部分のみの光電子スペクトルが得られるので、
測定したい部分と測定している部分を一致させることが
できる。同時に電子ビーム照射部分を画像表示装置５で
観察し、分析位置の確認ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線光電子分光分析装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線光電子分光分析装置は、高真空下に
置かれた試料表面に一定のエネルギーの持ったＸ線を照
射し、そこから放出される光電子の運動エネルギー分布
を測定する。光電子の運動エネルギーを分析する方法
は、電場を用いてエネルギー分布を求めるのがほとんど
である。これには、電界に対して光電子を平行に入射さ
せるもの（プリズム型）、斜めに入射させるもの（ミラ
ー型）、垂直に入射させるもの（阻止電場型）の３種類
がある。エネルギーの掃引法には、分析器を通過するエ
ネルギーは一定にして、分析器に入る前に光電子を減速
して走査する方法が一般的であり、エネルギー分布を得
るには、試料と光電子分析器の間に電子レンズを設け
て、電子レンズの電位を掃引する方法が取られている。
光電子の検出は、電子増倍管あるいはチャンネルトロン
またはチャンネルプレートなどが用いられている。
置かれた試料表面に一定のエネルギーの持ったＸ線を照
射し、そこから放出される光電子の運動エネルギー分布
を測定する。光電子の運動エネルギーを分析する方法
は、電場を用いてエネルギー分布を求めるのがほとんど
である。これには、電界に対して光電子を平行に入射さ
せるもの（プリズム型）、斜めに入射させるもの（ミラ
ー型）、垂直に入射させるもの（阻止電場型）の３種類
がある。エネルギーの掃引法には、分析器を通過するエ
ネルギーは一定にして、分析器に入る前に光電子を減速
して走査する方法が一般的であり、エネルギー分布を得
るには、試料と光電子分析器の間に電子レンズを設け
て、電子レンズの電位を掃引する方法が取られている。
光電子の検出は、電子増倍管あるいはチャンネルトロン
またはチャンネルプレートなどが用いられている。
【０００３】このようにＸ線光電子分光分析装置におい
ては、試料から放出される光電子の運動エネルギーが測
定されるが、試料の化学状態の情報を得るには、電子の
結合エネルギーを求めなければならない。光電子の持つ
運動エネルギーは、入射Ｘ線のエネルギーから内殻電子
の結合エネルギーを差し引いたものである。入射Ｘ線の
エネルキーは一定なので光電子の運動エネルギー分布を
測定することにより、内殻電子の結合エネルギーが求め
られる。この内殻電子の結合エネルギーから試料表面を
構成する原子や分子のもつ電子軌道についての情報を得
る。内殻電子の結合エネルギーは、それぞれの元素固有
の値を有するものである。この値は、既に各元素につい
て実測されたり、計算されたりしており、この標準値と
未知の試料からの光電子スペクトルの結合エネルギー値
を照合すれば、構成元素の同定ができる。
ては、試料から放出される光電子の運動エネルギーが測
定されるが、試料の化学状態の情報を得るには、電子の
結合エネルギーを求めなければならない。光電子の持つ
運動エネルギーは、入射Ｘ線のエネルギーから内殻電子
の結合エネルギーを差し引いたものである。入射Ｘ線の
エネルキーは一定なので光電子の運動エネルギー分布を
測定することにより、内殻電子の結合エネルギーが求め
られる。この内殻電子の結合エネルギーから試料表面を
構成する原子や分子のもつ電子軌道についての情報を得
る。内殻電子の結合エネルギーは、それぞれの元素固有
の値を有するものである。この値は、既に各元素につい
て実測されたり、計算されたりしており、この標準値と
未知の試料からの光電子スペクトルの結合エネルギー値
を照合すれば、構成元素の同定ができる。
【０００４】また結合エネルギーの値はある特定の状態
に対応するもので、元素の化学結合状態が異なると、結
合エネルギーの値が多くの場合、数ｅＶ変化する。この
変化した値は化学シフトと呼ばれている。電子は原子核
にクーロン引力で束縛されており、内殻電子は化学結合
に直接関与していないが、化学結合に関与している電子
が原子核と内殻電子の静電引力に影響を与え、これが結
合エネルギーの差すなわち化学シフトとして観測され
る。この化学シフトから未知試料に含まれている元素の
化学結合状態の評価を行うことができることが、Ｘ線光
電子分光分析装置の大きな特徴となっている。
に対応するもので、元素の化学結合状態が異なると、結
合エネルギーの値が多くの場合、数ｅＶ変化する。この
変化した値は化学シフトと呼ばれている。電子は原子核
にクーロン引力で束縛されており、内殻電子は化学結合
に直接関与していないが、化学結合に関与している電子
が原子核と内殻電子の静電引力に影響を与え、これが結
合エネルギーの差すなわち化学シフトとして観測され
る。この化学シフトから未知試料に含まれている元素の
化学結合状態の評価を行うことができることが、Ｘ線光
電子分光分析装置の大きな特徴となっている。
【０００５】Ｘ線光電子分光分析装置はＸ線という光プ
ローブを用いるため適用対象は広く、金属、半導体、ポ
リマーやセラミックスなどの材料でも使用できるが、Ｘ
線は電子線のようにマイクロビーム化することが難し
く、試料表面の微小領域を分析するためには、入射Ｘ
線をモノクロメーターを用いて細束化する方法と、光
電子エネルギー分析器の前に光源スリットを入れ、微小
部のみからの放出光電子を分析する方式があるが、の
分析面積制限方式のほうが容易で装置も小型になる。
ローブを用いるため適用対象は広く、金属、半導体、ポ
リマーやセラミックスなどの材料でも使用できるが、Ｘ
線は電子線のようにマイクロビーム化することが難し
く、試料表面の微小領域を分析するためには、入射Ｘ
線をモノクロメーターを用いて細束化する方法と、光
電子エネルギー分析器の前に光源スリットを入れ、微小
部のみからの放出光電子を分析する方式があるが、の
分析面積制限方式のほうが容易で装置も小型になる。
【０００６】図４は従来の分析面積制限方式のＸ線光電
子分光分析装置の概略図である。図４において１はＸ線
源、２は光電子エネルギー分析器、７は光学顕微鏡、８
は試料ステージ、９は光電子検出器、１０は電子レン
ズ、１１は光源スリット、１３は試料である。
子分光分析装置の概略図である。図４において１はＸ線
源、２は光電子エネルギー分析器、７は光学顕微鏡、８
は試料ステージ、９は光電子検出器、１０は電子レン
ズ、１１は光源スリット、１３は試料である。
【０００７】先ず、測定位置合わせは光学顕微鏡７で試
料１３を観察しながら、光学顕微鏡７の焦点に試料１３
の目的位置が来る様に試料ステージ８を移動させて行
う。測定位置と観察位置が一致するためには、前もって
微小な大きさの標準試料の既知の元素の光電子強度を測
定し、その強度が最大になるように光学顕微鏡７の取付
位置を調整し、光学顕微鏡７の焦点と電子レンズ１０の
焦点を合わせておく必要がある。
料１３を観察しながら、光学顕微鏡７の焦点に試料１３
の目的位置が来る様に試料ステージ８を移動させて行
う。測定位置と観察位置が一致するためには、前もって
微小な大きさの標準試料の既知の元素の光電子強度を測
定し、その強度が最大になるように光学顕微鏡７の取付
位置を調整し、光学顕微鏡７の焦点と電子レンズ１０の
焦点を合わせておく必要がある。
【０００８】測定範囲については電子レンズ１０で光源
スリット１１の前面に光電子の像を投影し、測定したい
部分だけの光電子を光源スリット１１で制限して、光電
子エネルギー分析器２に導入することで決める。
スリット１１の前面に光電子の像を投影し、測定したい
部分だけの光電子を光源スリット１１で制限して、光電
子エネルギー分析器２に導入することで決める。
【０００９】Ｘ線源１には、Ａ１ Ｋα線、Ｍｇ Ｋα
線が一般に用いられている。Ｘ線源１からＸ線を目的位
置にある試料１３に照射し、試料１３から出てきた光電
子を光電子エネルギー分析器２で運動エネルギーごとに
分光して、光電子検出器９で光電子を検出する。測定し
た光電子スペクトルを解析して、定性分析および化学結
合状態の評価を行う。
線が一般に用いられている。Ｘ線源１からＸ線を目的位
置にある試料１３に照射し、試料１３から出てきた光電
子を光電子エネルギー分析器２で運動エネルギーごとに
分光して、光電子検出器９で光電子を検出する。測定し
た光電子スペクトルを解析して、定性分析および化学結
合状態の評価を行う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の分析面積制限方式のＸ線光電子分光分析装置は、光
学顕微鏡によって測定位置合わせを行っているので、光
学顕微鏡の取付位置がずれてしまうと観察位置と測定位
置が大きく異なる場合がある。これは微小領域の分析に
なるほど問題になる。
来の分析面積制限方式のＸ線光電子分光分析装置は、光
学顕微鏡によって測定位置合わせを行っているので、光
学顕微鏡の取付位置がずれてしまうと観察位置と測定位
置が大きく異なる場合がある。これは微小領域の分析に
なるほど問題になる。
【００１１】また、特に微小領域を分析する場合、分析
面積はＸ線による励起領域から発生する光電子を検出器
側のレンズ系で制限することで、最小で約２００μｍ径
に制限しているだけであるので、実際には試料表面のＸ
線励起領域のどの部分から出てきた光電子を分析してい
るのかが明確ではないため、測定したい場所と実際に測
定している場所を一致させることが難しいという問題点
があった。
面積はＸ線による励起領域から発生する光電子を検出器
側のレンズ系で制限することで、最小で約２００μｍ径
に制限しているだけであるので、実際には試料表面のＸ
線励起領域のどの部分から出てきた光電子を分析してい
るのかが明確ではないため、測定したい場所と実際に測
定している場所を一致させることが難しいという問題点
があった。
【００１２】本発明は上述の問題点を解決すべくなされ
たもので、測定したい場所と実際に測定してる場所を一
致させることができるＸ線光電子分光分析装置を提供す
るものである。
たもので、測定したい場所と実際に測定してる場所を一
致させることができるＸ線光電子分光分析装置を提供す
るものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線光電子分光
分析装置は、電子ビーム走査系と２次電子検出器と、そ
の２次電子像を表示して微小な目的部分の表面形状を観
察することのできる表示装置を備え、かつこの電子ビー
ム走査系はＸ線照射中に電子ビームを絶縁物試料に照射
して、局所的に帯電を緩和し、光電子スペクトルのピー
ク位置を低結合エネルギー側に出現（負の帯電シフト）
させて、電子ビームが当たってない部分からの光電子ス
ペクトルから電子ビーム照射部分の光電子スペクトルを
分離することによって、目的の分析部分を選択すること
ができる。
分析装置は、電子ビーム走査系と２次電子検出器と、そ
の２次電子像を表示して微小な目的部分の表面形状を観
察することのできる表示装置を備え、かつこの電子ビー
ム走査系はＸ線照射中に電子ビームを絶縁物試料に照射
して、局所的に帯電を緩和し、光電子スペクトルのピー
ク位置を低結合エネルギー側に出現（負の帯電シフト）
させて、電子ビームが当たってない部分からの光電子ス
ペクトルから電子ビーム照射部分の光電子スペクトルを
分離することによって、目的の分析部分を選択すること
ができる。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】図１は本発明の一実施例の装置概略図であ
る。本発明のＸ線光電子分光分析装置は、Ｘ線源１、光
電子エネルギー分析器２、電子銃３、２次電子検出器
４、画像表示装置５、演算装置６、光学顕微鏡７、試料
ステージ８、光電子検出器９、電子レンズ１０、光源ス
リット１１を有している。
る。本発明のＸ線光電子分光分析装置は、Ｘ線源１、光
電子エネルギー分析器２、電子銃３、２次電子検出器
４、画像表示装置５、演算装置６、光学顕微鏡７、試料
ステージ８、光電子検出器９、電子レンズ１０、光源ス
リット１１を有している。
【００１６】先ず、測定位置合わせは光学顕微鏡７で試
料１３を観察しながら、光学顕微鏡７の焦点に試料１３
の目的位置が来る様に試料ステージ８を移動させて行
う。
料１３を観察しながら、光学顕微鏡７の焦点に試料１３
の目的位置が来る様に試料ステージ８を移動させて行
う。
【００１７】Ｘ線源１から一定エネルギーのＸ線を試料
１３の表面に照射すると、種々の運動エネルギーをもっ
た光電子が放出され、この光電子は電子レンズ１０で集
められ、光源スリット１１で検出面積を制限され、光電
子エネルギー分析器２で各運動エネルギーに分光され、
光電子検出器９で光電子スペクトルとして測定される。
１３の表面に照射すると、種々の運動エネルギーをもっ
た光電子が放出され、この光電子は電子レンズ１０で集
められ、光源スリット１１で検出面積を制限され、光電
子エネルギー分析器２で各運動エネルギーに分光され、
光電子検出器９で光電子スペクトルとして測定される。
【００１８】図２Ａには、絶縁物試料の炭素（Ｃ１ｓ）
の光電子スペクトルを示す。この時、Ｘ線の当たる絶縁
物の試料表面は、電子が放出されるので正に帯電してい
る。測定中に電子銃３から電子ビームを試料１３に照射
して、電子ビーム照射部分のみを局所的に負に帯電また
は中和させ、その局所部分からの光電子スペクトルのピ
ーク位置を始めの電子ビームの当てていない部分のピー
ク位置よりも数ｅＶだけ低結合エネルギー側に出現（負
の帯電シフト）される。
の光電子スペクトルを示す。この時、Ｘ線の当たる絶縁
物の試料表面は、電子が放出されるので正に帯電してい
る。測定中に電子銃３から電子ビームを試料１３に照射
して、電子ビーム照射部分のみを局所的に負に帯電また
は中和させ、その局所部分からの光電子スペクトルのピ
ーク位置を始めの電子ビームの当てていない部分のピー
ク位置よりも数ｅＶだけ低結合エネルギー側に出現（負
の帯電シフト）される。
【００１９】シフト量は電子銃３の電流および電圧を調
節することで制御される。ナイロン６６の測定では、光
電子放出による帯電によって炭素（Ｃ１ｓ）の光電子ス
ペクトルのピークは２９０ｅＶに出現するが、電子銃３
の電流を５００Ａにして電子ビームを照射すると、その
炭素（Ｃ１ｓ）の光電子スペクトルのピークは５ｅＶ低
結合エネルギー側にシフトする。電子ビームを照射した
部分の光電子スペクトルのピークがシフトして、電子ビ
ームの当たっていない部分のピークから分離されるの
で、この低結合エネルギー側に帯電シフトした光電子ス
ペクトルが電子ビーム照射部分からの情報となる。
節することで制御される。ナイロン６６の測定では、光
電子放出による帯電によって炭素（Ｃ１ｓ）の光電子ス
ペクトルのピークは２９０ｅＶに出現するが、電子銃３
の電流を５００Ａにして電子ビームを照射すると、その
炭素（Ｃ１ｓ）の光電子スペクトルのピークは５ｅＶ低
結合エネルギー側にシフトする。電子ビームを照射した
部分の光電子スペクトルのピークがシフトして、電子ビ
ームの当たっていない部分のピークから分離されるの
で、この低結合エネルギー側に帯電シフトした光電子ス
ペクトルが電子ビーム照射部分からの情報となる。
【００２０】図２Ｂには電子ビーム照射中の絶縁物試料
の炭素（Ｃ１ｓ）の光電子スペクトルを示す。演算装置
６により電子ビーム照射前の図２Ａの光電子スペクトル
と電子ビーム照射中の図２Ｂの光電子スペクトルを各々
データＡおよびデータＢとして記憶しておき、データＢ
の波形からデータＡの波形を差し引く。
の炭素（Ｃ１ｓ）の光電子スペクトルを示す。演算装置
６により電子ビーム照射前の図２Ａの光電子スペクトル
と電子ビーム照射中の図２Ｂの光電子スペクトルを各々
データＡおよびデータＢとして記憶しておき、データＢ
の波形からデータＡの波形を差し引く。
【００２１】図２Ｃには、このように差し引いた時の波
形を示す。ここで照射前のピーク位置の強度が負になる
ので、これをゼロに補正する。
形を示す。ここで照射前のピーク位置の強度が負になる
ので、これをゼロに補正する。
【００２２】図２Ｄには、このように補正した波形を示
す。この波形をデータＤとすると、これが電子ビームを
照射した部分のみの炭素（Ｃ１ｓ）の光電子スペクトル
に対応する。データＤの光電子スペクトルを解析するこ
とで測定したい部分の分析ができる。また、電子ビーム
の径は電子銃３のレンズ径によって可変できる。このよ
うに本発明によるＸ線光電子分光分析装置を用いると、
測定中に絶縁物試料に電子ビームを照射することにより
微小部分でも光電子スペクトルの区別ができ、目的部分
とそこから出てくる光電子スペクトルの対応が取れるの
で、測定したい場所と実際に測定している場所を一致さ
せることができる。同時に電子ビームそ照射した部分か
ら出てくる２次電子を２次電子検出器４で捕らえ、２次
電子の量を画像表示装置５に像として表示することで、
目的部分の表面形態の観察ができるので分析位置を確認
ができる。図３は本発明の別の実施例の装置概略図であ
る。本発明のＸ線電子分光分析装置は、Ｘ線源１、光電
子エネルギー分析器２、電子銃３、２次電子検出器４、
画像表示装置５、演算装置６、光学顕微鏡７、試料ステ
ージ８、光電子検出器９、電子レンズ１０、光源スリッ
ト１１、電子銃制御装置１２を有している。
す。この波形をデータＤとすると、これが電子ビームを
照射した部分のみの炭素（Ｃ１ｓ）の光電子スペクトル
に対応する。データＤの光電子スペクトルを解析するこ
とで測定したい部分の分析ができる。また、電子ビーム
の径は電子銃３のレンズ径によって可変できる。このよ
うに本発明によるＸ線光電子分光分析装置を用いると、
測定中に絶縁物試料に電子ビームを照射することにより
微小部分でも光電子スペクトルの区別ができ、目的部分
とそこから出てくる光電子スペクトルの対応が取れるの
で、測定したい場所と実際に測定している場所を一致さ
せることができる。同時に電子ビームそ照射した部分か
ら出てくる２次電子を２次電子検出器４で捕らえ、２次
電子の量を画像表示装置５に像として表示することで、
目的部分の表面形態の観察ができるので分析位置を確認
ができる。図３は本発明の別の実施例の装置概略図であ
る。本発明のＸ線電子分光分析装置は、Ｘ線源１、光電
子エネルギー分析器２、電子銃３、２次電子検出器４、
画像表示装置５、演算装置６、光学顕微鏡７、試料ステ
ージ８、光電子検出器９、電子レンズ１０、光源スリッ
ト１１、電子銃制御装置１２を有している。
【００２３】Ｘ線を試料１３に照射すると光電子検出器
９で光電子スペクトルとして測定される。この時、Ｘ線
の当たる絶縁物の試料表面は、電子が放出されるので正
に帯電していて、光電子スペクトルのピーク位置は数ｅ
Ｖだけ高結合エネルギー側にずれる（正の帯電シフ
ト）。この光電時スペクトルのデータＡを演算装置６が
読みとり、炭素（Ｃ１ｓ）の標準のピーク位置（２８
５．０ｅＶ）を基準として、データＡの炭素のピーク位
置の実測値ＸｅＶと比較して帯電シフト量（Ｘ−２８
５．０）を計算し、これをＹｅＶとする。
９で光電子スペクトルとして測定される。この時、Ｘ線
の当たる絶縁物の試料表面は、電子が放出されるので正
に帯電していて、光電子スペクトルのピーク位置は数ｅ
Ｖだけ高結合エネルギー側にずれる（正の帯電シフ
ト）。この光電時スペクトルのデータＡを演算装置６が
読みとり、炭素（Ｃ１ｓ）の標準のピーク位置（２８
５．０ｅＶ）を基準として、データＡの炭素のピーク位
置の実測値ＸｅＶと比較して帯電シフト量（Ｘ−２８
５．０）を計算し、これをＹｅＶとする。
【００２４】次いで、自動的に電子銃３から電子ビーム
を試料１３に照射する。この時、電子銃制御装置１２は
演算装置６が算出する帯電シフト量を元にして電子銃３
の電流および電圧を調節して、電子ビーム照射部分の帯
電量を制御し、炭素の光電子スペクトルのピーク位置を
徐々に低エネルギー側へシフトさせる。同時に演算装置
６は電子ビームで分離された炭素の光電子スペクトルの
ピーク位置を検知しておき、電子ビームによってシフト
された光電子スペクトルのピーク位置が電子ビームに当
たっていない部分の光電子スペクトルのピーク位置から
一定値（例えば５．０ｅＶ）だけ低結合エネルギー側に
離されると、演算装置６は、その時の光電子スペクトル
をデータＢとして取り込み、自動的にデータＢからデー
タＡの波形を差し引いたものをデータＣと記憶する。デ
ータＣの波形ではデータＡのピーク位置の強度が負にな
るので、これをゼロに補正する。この波形をデータＤと
して記憶する。これが電子ビームを照射した部分のみの
光電子スペクトルに対応する。データＤにも帯電シフト
量が含まれているので、正確な結合エネルギーを得るた
めには、帯電シフト量（Ｙ−５．０）を差し引く。この
光電子スペクトルをデータＥとする。この帯電補正され
たデータＥの光電スペクトルを解析することで測定した
い場所の分析ができる。
を試料１３に照射する。この時、電子銃制御装置１２は
演算装置６が算出する帯電シフト量を元にして電子銃３
の電流および電圧を調節して、電子ビーム照射部分の帯
電量を制御し、炭素の光電子スペクトルのピーク位置を
徐々に低エネルギー側へシフトさせる。同時に演算装置
６は電子ビームで分離された炭素の光電子スペクトルの
ピーク位置を検知しておき、電子ビームによってシフト
された光電子スペクトルのピーク位置が電子ビームに当
たっていない部分の光電子スペクトルのピーク位置から
一定値（例えば５．０ｅＶ）だけ低結合エネルギー側に
離されると、演算装置６は、その時の光電子スペクトル
をデータＢとして取り込み、自動的にデータＢからデー
タＡの波形を差し引いたものをデータＣと記憶する。デ
ータＣの波形ではデータＡのピーク位置の強度が負にな
るので、これをゼロに補正する。この波形をデータＤと
して記憶する。これが電子ビームを照射した部分のみの
光電子スペクトルに対応する。データＤにも帯電シフト
量が含まれているので、正確な結合エネルギーを得るた
めには、帯電シフト量（Ｙ−５．０）を差し引く。この
光電子スペクトルをデータＥとする。この帯電補正され
たデータＥの光電スペクトルを解析することで測定した
い場所の分析ができる。
【００２５】このように本発明によるＸ線光電子分光分
析装置を用いると、絶縁物試料の帯電量に合わせて自動
的に試料１３に電子ビームを照射し、目的部分のみの光
電子スペクトルを得ることができ、演算装置６によって
帯電シフトを補正するので正確な結合エネルギーを求め
ることができる。同時に電子ビームを照射した部分から
出てくる２次電子を２次電子検出器４で捕らえ、画像表
示装置５に像として表示するので、分析位置の確認がで
きる。
析装置を用いると、絶縁物試料の帯電量に合わせて自動
的に試料１３に電子ビームを照射し、目的部分のみの光
電子スペクトルを得ることができ、演算装置６によって
帯電シフトを補正するので正確な結合エネルギーを求め
ることができる。同時に電子ビームを照射した部分から
出てくる２次電子を２次電子検出器４で捕らえ、画像表
示装置５に像として表示するので、分析位置の確認がで
きる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＸ線光電
子分光分析装置は局所帯電用の電子銃を備えたので、光
電子スペクトルを測定中に電子ビームを照射して、光電
子スペクトルのピーク位置を帯電シフトさせ、電子ビー
ムの当たっていない部分のスペクトルから分離すると同
時に２次電子像で微小部分の位置を確認することによ
り、試料のどの微小部分の分析を行っているかがわかる
ので、正確な微小部分析ができるという効果を有する。
子分光分析装置は局所帯電用の電子銃を備えたので、光
電子スペクトルを測定中に電子ビームを照射して、光電
子スペクトルのピーク位置を帯電シフトさせ、電子ビー
ムの当たっていない部分のスペクトルから分離すると同
時に２次電子像で微小部分の位置を確認することによ
り、試料のどの微小部分の分析を行っているかがわかる
ので、正確な微小部分析ができるという効果を有する。
【図１】本発明のＸ線光電子分光分析装置の一実施例の
装置概略図である。
装置概略図である。
【図２】本発明のＸ線光電子分光分析装置で測定された
炭素の光電子スペクトルの演算処理を示した説明図であ
る。
炭素の光電子スペクトルの演算処理を示した説明図であ
る。
【図３】本発明のＸ線光電子分光分析装置の別の実施例
の装置概略図である。
の装置概略図である。
【図４】従来のＸ線光電子分光分析装置の装置概略図で
ある。
ある。
１ Ｘ線源 ２ 光電子エネルギー分析器 ３ 電子銃 ４ ２次電子検出器 ５ 画像表示装置 ６ 演算装置 ７ 光学顕微鏡 ８ 試料ステージ ９ 光電子検出器 １０ 電子レンズ １１ 光源スリット １２ 電子銃制御装置 １３ 試料
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線励起源と、光電子エネルギー分析器
と、光源スリットと、電子レンズと、光学顕微鏡とを有
するＸ線光電子分光分析装置において、絶縁物試料のＸ
線励起部分に電子ビームを照射する電子銃と、２次電子
検出器と、２次電子像を表示する画像表示装置とを備え
ることを特徴とするＸ線光電子分光分析装置。 - 【請求項２】 前記Ｘ線光電子分光分析装置において、
演算処理部を有し、当該演算処理部が、電子ビーム照射
前の絶縁物試料からの光電子スペクトルと電子ビーム照
射中の光電子スペクトルを各々データＡおよびデータＢ
として記憶し、データＢの波形からデータＡの波形を差
し引いたものをデータＣと記憶し、データＣの照射前の
ピーク位置の強度が負になるのをゼロに補正したものを
データＤとして記憶する、請求項１記載のＸ線光電子分
光分析装置。 - 【請求項３】 電子ビーム照射と演算処理を自動化し
た、請求項２記載のＸ線光電子分光分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327113A JPH07183343A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Ｘ線光電子分光分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5327113A JPH07183343A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Ｘ線光電子分光分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183343A true JPH07183343A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18195447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5327113A Pending JPH07183343A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Ｘ線光電子分光分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183343A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009002968A (ja) * | 2002-04-17 | 2009-01-08 | Ebara Corp | 試料表面の検査装置及び方法 |
| JP2009063456A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Jeol Ltd | 分光分析方法及び装置 |
| JP2015122408A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 評価方法、評価装置、および半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5589738A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-07 | Jeol Ltd | Auger electron photometry unit |
| JPS60113136A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Shimadzu Corp | Ｘ線光電子分析装置 |
| JPS60129652A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-10 | Jeol Ltd | オ−ジエ分光スペクトルの表示方法 |
| JPH04112445A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-14 | Shimadzu Corp | 電子分光分折装置 |
| JPH05101800A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-04-23 | Perkin Elmer Corp:The | 電子ミクロ分析方式における標的領域をサンプル表面上に求める方式 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5327113A patent/JPH07183343A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5589738A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-07 | Jeol Ltd | Auger electron photometry unit |
| JPS60113136A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Shimadzu Corp | Ｘ線光電子分析装置 |
| JPS60129652A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-10 | Jeol Ltd | オ−ジエ分光スペクトルの表示方法 |
| JPH04112445A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-14 | Shimadzu Corp | 電子分光分折装置 |
| JPH05101800A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-04-23 | Perkin Elmer Corp:The | 電子ミクロ分析方式における標的領域をサンプル表面上に求める方式 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009002968A (ja) * | 2002-04-17 | 2009-01-08 | Ebara Corp | 試料表面の検査装置及び方法 |
| JP2009063456A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Jeol Ltd | 分光分析方法及び装置 |
| JP2015122408A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 評価方法、評価装置、および半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3951590B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| Schmidt et al. | First experimental proof for aberration correction in XPEEM: Resolution, transmission enhancement, and limitation by space charge effects | |
| JP3500264B2 (ja) | 試料分析装置 | |
| Schueler et al. | A time-of-flight secondary ion microscope | |
| US8993961B2 (en) | Electric charged particle beam microscope and electric charged particle beam microscopy | |
| US5118941A (en) | Apparatus and method for locating target area for electron microanalysis | |
| CN108604522B (zh) | 带电粒子束装置以及带电粒子束装置的调整方法 | |
| US20030080292A1 (en) | System and method for depth profiling | |
| US20040238735A1 (en) | System and method for depth profiling and characterization of thin films | |
| JPH07183343A (ja) | Ｘ線光電子分光分析装置 | |
| US6060707A (en) | Apparatus and method for analyzing microscopic area | |
| KR20070051252A (ko) | 측정된 기초 스펙트럼을 사용하거나 및/또는 획득된스펙트럼에 기초한 박막의 비파괴적 특성화 | |
| US20030085350A1 (en) | Ultimate analyzer, scanning transmission electron microscope and ultimate analysis method | |
| JP2999127B2 (ja) | 極微領域表面の分析装置 | |
| JP2002139464A (ja) | 半導体装置の検査方法および検査装置 | |
| JP2022514395A (ja) | Ｓｉｍｓ質量スペクトルデータを分析するための方法及びデバイス | |
| JPH06288941A (ja) | 異物状態分析方法 | |
| JPH0119804Y2 (ja) | ||
| JP2001141673A (ja) | 時間分解型表面分析装置 | |
| JP2903874B2 (ja) | 集束イオンビームによるイオン励起型ｘ線分析装置 | |
| JP2000329716A (ja) | オージェ電子分光装置および深さ方向分析方法 | |
| SU1755144A1 (ru) | Способ рентгеноспектрального микроанализа твердых тел | |
| JPH04233149A (ja) | 試料面分析装置 | |
| JP2002365248A (ja) | 試料分析方法 | |
| JP2022115790A5 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971104 |