JPS60113136A - Ｘ線光電子分析装置 - Google Patents
Ｘ線光電子分析装置Info
- Publication number
- JPS60113136A JPS60113136A JP58221688A JP22168883A JPS60113136A JP S60113136 A JPS60113136 A JP S60113136A JP 58221688 A JP58221688 A JP 58221688A JP 22168883 A JP22168883 A JP 22168883A JP S60113136 A JPS60113136 A JP S60113136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- sample
- local part
- electron gun
- analyzer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は軟Ｘ線を励起源とし、試料から放出される光電
子により試料の元Ｓ ９Ｊ析、状態分析等を行なうＸ線
光電子分析装置に関する。
子により試料の元Ｓ ９Ｊ析、状態分析等を行なうＸ線
光電子分析装置に関する。
（ｏ）従来技術
一般に、試料の極表面の分析手段として、オージェ電子
分析装置やＸ線光電子分析装置が広く用いられている。
分析装置やＸ線光電子分析装置が広く用いられている。
オージェ電子分析装置は電子線をミック、金属介在物、
生体試料なとの電気的絶縁物に対しては試料帯電が起る
ので分析が極めて難かしい。一方、Ｘ線光電子分析装置
はＸ線を励起源とするので絶縁物の極表面分析が可能で
あるが、逆に線源を紋ることができないので局所部分桁
は［１録であるという不具合がある。このため、従来Ｘ
線光電子分析装置による絶縁物の局所部分桁として、試
料表面をマスクで覆い、このマスクの一部に小孔を形成
し、Ｘ線を上記小孔を通して試料に選択的に照射する。
生体試料なとの電気的絶縁物に対しては試料帯電が起る
ので分析が極めて難かしい。一方、Ｘ線光電子分析装置
はＸ線を励起源とするので絶縁物の極表面分析が可能で
あるが、逆に線源を紋ることができないので局所部分桁
は［１録であるという不具合がある。このため、従来Ｘ
線光電子分析装置による絶縁物の局所部分桁として、試
料表面をマスクで覆い、このマスクの一部に小孔を形成
し、Ｘ線を上記小孔を通して試料に選択的に照射する。
または、試１１から放出される光電子をレンズ系で拡大
表示し、試料の特定位置を部分選択するなどの手法が採
られている。しかしながら前者の場合にはマスク材料か
らの信号が分析試料からのそれに重畳され、さらに、マ
スクと試料との隙間による影響を受けるなどにより測定
が難かしい。また、後者の場合には光学系の設計の難か
しさや試料から得られる信号強度が低いなどの原因によ
りまだ実用化されるに至っていない。
表示し、試料の特定位置を部分選択するなどの手法が採
られている。しかしながら前者の場合にはマスク材料か
らの信号が分析試料からのそれに重畳され、さらに、マ
スクと試料との隙間による影響を受けるなどにより測定
が難かしい。また、後者の場合には光学系の設計の難か
しさや試料から得られる信号強度が低いなどの原因によ
りまだ実用化されるに至っていない。
（ハ） 目 的
本発明は、従来の上記問題点を解消し、絶縁物試料のＸ
線励起による極表面の局所部分桁ができるようにするこ
とを目的とする。
線励起による極表面の局所部分桁ができるようにするこ
とを目的とする。
（ニ）構 成
本発明は、Ｘ線照射と同時に測定したい試料の局所部力
にのみ電子線を照射すればその部分が帯電し、これによ
り得られる光電子スペクトルが低結合エネルギー側ヘシ
フトするので、他の部分からの光電子スペクトルと区別
することができる点に着目したものである。従って、本
発明のＸ線光電子分析装置は上記目的を達成するため、
試料に％子線を照射する電子銃を有し、この電子銃には
電子線を二次元走査する偏向板を設けるとともに、該電
子銃に低加速電圧を印加する電子銃電源を接続し、前記
偏向板にはこの偏向板に走査電圧を印加する走査電源を
接続する一方、この走査電源を制御する走査制御部を備
えている。
にのみ電子線を照射すればその部分が帯電し、これによ
り得られる光電子スペクトルが低結合エネルギー側ヘシ
フトするので、他の部分からの光電子スペクトルと区別
することができる点に着目したものである。従って、本
発明のＸ線光電子分析装置は上記目的を達成するため、
試料に％子線を照射する電子銃を有し、この電子銃には
電子線を二次元走査する偏向板を設けるとともに、該電
子銃に低加速電圧を印加する電子銃電源を接続し、前記
偏向板にはこの偏向板に走査電圧を印加する走査電源を
接続する一方、この走査電源を制御する走査制御部を備
えている。
（ホ）実施例
以下、本発明を実施例について、図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第１図はこの実施例のＸ線光電子力折装置の構成図であ
る。同図において、１はＸ線光電子分析装置、２は真空
室、４は分析対象となる絶縁物の試料である。６は試料
にＸ線を照射するためのＸ線源、８は試料４から放出さ
れる光電子のエネルギーを分析するアナライザ、１０は
試料４に電子線を照射する電子銃である。これら試料４
、Ｘ線源６、アナライザ８、電子銃１０は真空室２内に
配置されている。上記電子鉄工０には、電子銃から放射
される電子線を二次元走査する偏向板１２が設けられて
いる。また、電子銃１０にはこの電子銃に低加速電圧を
印加する電子銃電源工４が接続されている。
る。同図において、１はＸ線光電子分析装置、２は真空
室、４は分析対象となる絶縁物の試料である。６は試料
にＸ線を照射するためのＸ線源、８は試料４から放出さ
れる光電子のエネルギーを分析するアナライザ、１０は
試料４に電子線を照射する電子銃である。これら試料４
、Ｘ線源６、アナライザ８、電子銃１０は真空室２内に
配置されている。上記電子鉄工０には、電子銃から放射
される電子線を二次元走査する偏向板１２が設けられて
いる。また、電子銃１０にはこの電子銃に低加速電圧を
印加する電子銃電源工４が接続されている。
偏向板１２にはこの偏光板に走査電圧を印加する走査電
源１６が接続されている。１８は走査電源１６の電圧走
査を制御する走査制御部、２Ｃは電子線の走査範囲を設
定する図形記憶部である。
源１６が接続されている。１８は走査電源１６の電圧走
査を制御する走査制御部、２Ｃは電子線の走査範囲を設
定する図形記憶部である。
次に上記構成を冶するＸ線光電子分析装置１により第２
図（ａ）、（ｂ）に示すような絶縁物試料４の局所部位
Ｓについて分析を行なうには、まずＸ線源６より発生す
るＸ線を試料４に照射する。この場合、Ｘ線Ｘは第２図
（ａｌに示すように、試料４の全面にわたっ℃照射され
る。このＸ＆照射により試料４を励起し、励起した試料
４から放出される光電子のエネルギー分布をアナライザ
８で測定する。これにより、たとえば第４図に示すよう
なエネルギースペクトルＡ１が得られる。上記と併行し
て、電子鉄工０に電子銃電源１４から所定の低加速電圧
を印加する。これにより電子鉄工０から電子線Ｅが試料
４に向って照射される。なお、電子銃１０に印加する加
速電圧は、大きすぎると試料４からオーンエ電子や二次
電子が放出してスペクトルのバックグラウンドを高め測
定感度を減じ、また小さＪぎると電子線を細（できない
ので、このような不具合の起らない範囲で適宜設定され
る。電子銃１０による電子線Ｅの照射は第２図（ａ）に
示すように試料４表面−ヒの極一部分である。電子線照
射された試料４はその部分が帯電する。電子線は第３図
の曲線Ｃ１で示されるようなある強度分布をもっている
ので、」二記のような単一照射では分析部位Ｓは均一に
帯電しない。そこで、図形記憶部２ｅに予じめ、う〕析
すべき局所部位Ｓに応じて電子線の走査範囲設定用図形
を記憶させておき、この図形記憶部２０の信号を走査制
御部工８に与える。走査制御部ｘｊは図形記憶部２Ｃか
らの信号に基づく、電圧走査制御信号を走査電源１６に
出力するので、走査電源１６から偏向板１２に印加され
ている走査電圧が上記電圧走査制御信号に応答して変化
される。これにより電子線Ｅが局所部位Ｓの範囲内にお
いて高速走査される。この走査速度は試料４の化電が一
度の電子線照射て解消しない程度に十分な高速度である
。
図（ａ）、（ｂ）に示すような絶縁物試料４の局所部位
Ｓについて分析を行なうには、まずＸ線源６より発生す
るＸ線を試料４に照射する。この場合、Ｘ線Ｘは第２図
（ａｌに示すように、試料４の全面にわたっ℃照射され
る。このＸ＆照射により試料４を励起し、励起した試料
４から放出される光電子のエネルギー分布をアナライザ
８で測定する。これにより、たとえば第４図に示すよう
なエネルギースペクトルＡ１が得られる。上記と併行し
て、電子鉄工０に電子銃電源１４から所定の低加速電圧
を印加する。これにより電子鉄工０から電子線Ｅが試料
４に向って照射される。なお、電子銃１０に印加する加
速電圧は、大きすぎると試料４からオーンエ電子や二次
電子が放出してスペクトルのバックグラウンドを高め測
定感度を減じ、また小さＪぎると電子線を細（できない
ので、このような不具合の起らない範囲で適宜設定され
る。電子銃１０による電子線Ｅの照射は第２図（ａ）に
示すように試料４表面−ヒの極一部分である。電子線照
射された試料４はその部分が帯電する。電子線は第３図
の曲線Ｃ１で示されるようなある強度分布をもっている
ので、」二記のような単一照射では分析部位Ｓは均一に
帯電しない。そこで、図形記憶部２ｅに予じめ、う〕析
すべき局所部位Ｓに応じて電子線の走査範囲設定用図形
を記憶させておき、この図形記憶部２０の信号を走査制
御部工８に与える。走査制御部ｘｊは図形記憶部２Ｃか
らの信号に基づく、電圧走査制御信号を走査電源１６に
出力するので、走査電源１６から偏向板１２に印加され
ている走査電圧が上記電圧走査制御信号に応答して変化
される。これにより電子線Ｅが局所部位Ｓの範囲内にお
いて高速走査される。この走査速度は試料４の化電が一
度の電子線照射て解消しない程度に十分な高速度である
。
これにより、局所部位Ｓは結果的に第３図の包絡ｉＭ
Ｃ２て示されるような強度分布をもつ電子線照射を受け
ていることになるので、この局所部位Ｓは一様に帯電す
る。このように帯電した局所部位Ｓから発生する光電子
はアナライザ８で同様に測定される。こうして得られる
エネルギースペクトルＡ２は、第４図に示すように、試
料４のその他の部位から得られた先の同一成分のエネル
ギースペクトルＡ＋に対して相似し、かつ、局所部位Ｓ
の面積に比例した大きさで低結合エネルギー側にシフト
して現われる。従って、局所部位Ｓとその他の部位とか
区別して測定されることになる。
Ｃ２て示されるような強度分布をもつ電子線照射を受け
ていることになるので、この局所部位Ｓは一様に帯電す
る。このように帯電した局所部位Ｓから発生する光電子
はアナライザ８で同様に測定される。こうして得られる
エネルギースペクトルＡ２は、第４図に示すように、試
料４のその他の部位から得られた先の同一成分のエネル
ギースペクトルＡ＋に対して相似し、かつ、局所部位Ｓ
の面積に比例した大きさで低結合エネルギー側にシフト
して現われる。従って、局所部位Ｓとその他の部位とか
区別して測定されることになる。
（へ）効 果
以上のように本発明によれば、絶縁物試料にＸ線照射と
同時に分析対象とする局所部位に電子線を照射してこの
局所部位の帯電により他の部分の光電子スペクトルと区
別できるので絶縁物試料のＸ線励起による極表面の局所
部分桁が可能になるという実用」１優れた効果か発揮さ
れる。
同時に分析対象とする局所部位に電子線を照射してこの
局所部位の帯電により他の部分の光電子スペクトルと区
別できるので絶縁物試料のＸ線励起による極表面の局所
部分桁が可能になるという実用」１優れた効果か発揮さ
れる。
図面は本発明の実施例を示し、第１図はＸ線光電子分析
装置の構成図、第２図（ａＨｂ）は共に試料に照射する
Ｘ線と電子線との関係を説明するだめの図、第３図は電
子線の強度分布の’４’−Ｊ’性図、第４区：は第１図
のＸ線光電子分析装置で（ｑられるエネルギースペクト
ルの線図である。 １・・・・・・Ｘ線光電子分析装置、１０・・・・・・
電子銃、１２・・・・・・偏向板、１４・・・・・電子
銃電源、工６・・・・・・走査電源、１８・・・・・・
走査制御部。 出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士岡田和秀 第２図 第３図 強 度
装置の構成図、第２図（ａＨｂ）は共に試料に照射する
Ｘ線と電子線との関係を説明するだめの図、第３図は電
子線の強度分布の’４’−Ｊ’性図、第４区：は第１図
のＸ線光電子分析装置で（ｑられるエネルギースペクト
ルの線図である。 １・・・・・・Ｘ線光電子分析装置、１０・・・・・・
電子銃、１２・・・・・・偏向板、１４・・・・・電子
銃電源、工６・・・・・・走査電源、１８・・・・・・
走査制御部。 出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士岡田和秀 第２図 第３図 強 度
Claims (1)
- （１）試料に電子線を照射する電子銃を有し、この電子
銃には電子線を二次元走査する偏向板が設けられるとと
もに、電子銃に低加速電圧を印加する電子銃電源が接続
され、前記偏向板には偏向板に走査電圧を印加する走査
電源が接続される一方、この走査電源を制御する走査制
御部を倫えていることを特徴とするＸ線光電子分析装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221688A JPS60113136A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | Ｘ線光電子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221688A JPS60113136A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | Ｘ線光電子分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113136A true JPS60113136A (ja) | 1985-06-19 |
Family
ID=16770718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221688A Pending JPS60113136A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | Ｘ線光電子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183343A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Nec Corp | Ｘ線光電子分光分析装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4970689A (ja) * | 1972-11-01 | 1974-07-09 | ||
| JPS526588A (en) * | 1975-07-04 | 1977-01-19 | Hitachi Ltd | Method of measuring electronic state of solids |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58221688A patent/JPS60113136A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4970689A (ja) * | 1972-11-01 | 1974-07-09 | ||
| JPS526588A (en) * | 1975-07-04 | 1977-01-19 | Hitachi Ltd | Method of measuring electronic state of solids |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183343A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Nec Corp | Ｘ線光電子分光分析装置 |
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