JPH0341402Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0341402Y2 JPH0341402Y2 JP1984158006U JP15800684U JPH0341402Y2 JP H0341402 Y2 JPH0341402 Y2 JP H0341402Y2 JP 1984158006 U JP1984158006 U JP 1984158006U JP 15800684 U JP15800684 U JP 15800684U JP H0341402 Y2 JPH0341402 Y2 JP H0341402Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sweep
- voltage
- hemispherical
- detector
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は電子の検出感度を向上させたエネルギ
分析装置に関する。
分析装置に関する。
電子分光装置等においては、半球面型エネルギ
アナライザを用いれば、試料とアナライザとの間
に集束レンズ系を配置してバツクグランドレベル
を下げることができるため、半球面型エネルギア
ナライザが広く使用されている。第２図にこのよ
うなアナライザを有する従来のエネルギ分析装置
を示す。図において、１はＸ線等の照射により試
料から発生する例えば光電子２をエネルギ分析す
るための180゜半球面型エネルギアナライザであ
る。該エネルギアナライザ１は同心的に配置され
た二つの半球電極１ａ，１ｂからなり、これらの
半球電極間には分析用電源３から数Ｖ〜数十Ｖの
電圧が印加されている。又、半球面型エネルギア
ナライザ１の電圧は掃引制御電源４により掃引さ
れる。図示外の入射スリツトを通過してエネルギ
アナライザ１に入つた光電子２はエネルギに応じ
てチヤンネルプレート６上の異つた位置に集束さ
れる。該チヤンネルプレート６は多数のチヤンネ
ルトロンの束から成り、各チヤンネルトロンの出
力は増幅系を介して図示外の信号処理回路に供給
されている。このチヤンネルプレート６の入射面
の電位は接地電位に保たれている。前記出射口５
と検出器６の入射面との間には、チヤンネルプレ
ート６の加速電場をシールドして半球電極間の電
場分布の乱れを防止するためのメツシユ状電極７
が備えられている。該メツシユ状電極７にも掃引
制御電源４より掃引電圧が印加されている。８は
チヤンネルプレート６の検出器用加速電源であ
る。
アナライザを用いれば、試料とアナライザとの間
に集束レンズ系を配置してバツクグランドレベル
を下げることができるため、半球面型エネルギア
ナライザが広く使用されている。第２図にこのよ
うなアナライザを有する従来のエネルギ分析装置
を示す。図において、１はＸ線等の照射により試
料から発生する例えば光電子２をエネルギ分析す
るための180゜半球面型エネルギアナライザであ
る。該エネルギアナライザ１は同心的に配置され
た二つの半球電極１ａ，１ｂからなり、これらの
半球電極間には分析用電源３から数Ｖ〜数十Ｖの
電圧が印加されている。又、半球面型エネルギア
ナライザ１の電圧は掃引制御電源４により掃引さ
れる。図示外の入射スリツトを通過してエネルギ
アナライザ１に入つた光電子２はエネルギに応じ
てチヤンネルプレート６上の異つた位置に集束さ
れる。該チヤンネルプレート６は多数のチヤンネ
ルトロンの束から成り、各チヤンネルトロンの出
力は増幅系を介して図示外の信号処理回路に供給
されている。このチヤンネルプレート６の入射面
の電位は接地電位に保たれている。前記出射口５
と検出器６の入射面との間には、チヤンネルプレ
ート６の加速電場をシールドして半球電極間の電
場分布の乱れを防止するためのメツシユ状電極７
が備えられている。該メツシユ状電極７にも掃引
制御電源４より掃引電圧が印加されている。８は
チヤンネルプレート６の検出器用加速電源であ
る。
このように構成された従来装置において、試料
から発生した光電子２はエネルギアナライザ１で
偏向、分離され、出射口５の近傍に配置されたチ
ヤンネルプレート６の各チヤンネルトロンには、
異つたエネルギを有する電子が検出される。
から発生した光電子２はエネルギアナライザ１で
偏向、分離され、出射口５の近傍に配置されたチ
ヤンネルプレート６の各チヤンネルトロンには、
異つたエネルギを有する電子が検出される。
ところで、180゜半球面型アナライザの出射口側
の集束面は半球電極１ａ，１ｂの端面と同一平面
上にあるため、エネルギ分解能を高める必要から
チヤンネルプレート６をできるだけ出射口５に近
づけて配置している。
の集束面は半球電極１ａ，１ｂの端面と同一平面
上にあるため、エネルギ分解能を高める必要から
チヤンネルプレート６をできるだけ出射口５に近
づけて配置している。
このような従来装置では、チヤンネルトロン間
の検出特性の偏りをならしたり、より広い範囲の
エネルギスペクトルを得るため、前記掃引電源４
により掃引を行なうが、この掃引に伴い該メツシ
ユ状電極７とチヤンネルプレート６との電位差は
掃引制御電源４から印加される電圧値（例えば
0V〜−1500V）だけ変化する。従つて、メツシ
ユ状電極７とチヤンネルプレート６との電位差が
大きい場合には、その間に形成される電場が該メ
ツシユ状電極からはみだしてしまう。そのため、
該アナライザの半球電極間の電場分布を乱して、
電子の軌道を変化させ、従つて正確なスペクトル
を得ることはできなかつた。
の検出特性の偏りをならしたり、より広い範囲の
エネルギスペクトルを得るため、前記掃引電源４
により掃引を行なうが、この掃引に伴い該メツシ
ユ状電極７とチヤンネルプレート６との電位差は
掃引制御電源４から印加される電圧値（例えば
0V〜−1500V）だけ変化する。従つて、メツシ
ユ状電極７とチヤンネルプレート６との電位差が
大きい場合には、その間に形成される電場が該メ
ツシユ状電極からはみだしてしまう。そのため、
該アナライザの半球電極間の電場分布を乱して、
電子の軌道を変化させ、従つて正確なスペクトル
を得ることはできなかつた。
本問題点を解決するための本考案の構成は、一
対の半球面型電極と、該電極にエネルギ掃引電圧
を与えるための掃引電源と、該電極の出射口を通
過した電子を検出するための一次元的に配列され
た多数の素子から成る電子線検出器と、前記半球
面型電極と電子線検出器との間の電場の乱れを防
止するため前記半球面型電極の出射口と該電子線
検出器との間に設けられると共に前記掃引電圧が
前記掃引電源から印加されるメツシユ状電極と、
該メツシユ状電極と該検出器との間に一定の電圧
を印加する電源を備えたことを特徴としている。
対の半球面型電極と、該電極にエネルギ掃引電圧
を与えるための掃引電源と、該電極の出射口を通
過した電子を検出するための一次元的に配列され
た多数の素子から成る電子線検出器と、前記半球
面型電極と電子線検出器との間の電場の乱れを防
止するため前記半球面型電極の出射口と該電子線
検出器との間に設けられると共に前記掃引電圧が
前記掃引電源から印加されるメツシユ状電極と、
該メツシユ状電極と該検出器との間に一定の電圧
を印加する電源を備えたことを特徴としている。
以下図面に基づき本考案を詳述する。
第１図は本考案の一実施例の構成図である。図
において、１は図示外の試料からＸ線等の照射に
より発生する例えば光電子２をエネルギ分析する
ための半球面型エネルギアナライザであり、該エ
ネルギアナライザ１は同心的に配置された二つの
半球電極１ａ，１ｂからなり、これらの半球電極
間には分析用電源３から数Ｖ〜数十Ｖの電圧が印
加されている。該分析用電源３からの電圧は、該
分析用電源をコントロールする掃引制御電源４に
より掃引される。図示外の入射スリツトを通過し
てエネルギアナライザ１に入つた光電子２はエネ
ルギ掃引され、出射口５を通過してチヤンネルプ
レート６によつて検出される。前記出射口５と検
出器６の入射面との間には、メツシユ状電極７が
チヤンネルプレート６とは電気的に絶縁されて配
置されており、該メツシユ状電極７にも掃引制御
電源４より掃引電圧が印加されている。８は前記
メツシユ状電極７とチヤンネルプレート６の間に
一定の電圧（例えば＋300V）を与えるための電
源であり、該電源８により前記出射口５を通過す
る電子は前記電圧に対応したエネルギに加速され
る。９はチヤンネルプレート６の検出器用加速電
源である。
において、１は図示外の試料からＸ線等の照射に
より発生する例えば光電子２をエネルギ分析する
ための半球面型エネルギアナライザであり、該エ
ネルギアナライザ１は同心的に配置された二つの
半球電極１ａ，１ｂからなり、これらの半球電極
間には分析用電源３から数Ｖ〜数十Ｖの電圧が印
加されている。該分析用電源３からの電圧は、該
分析用電源をコントロールする掃引制御電源４に
より掃引される。図示外の入射スリツトを通過し
てエネルギアナライザ１に入つた光電子２はエネ
ルギ掃引され、出射口５を通過してチヤンネルプ
レート６によつて検出される。前記出射口５と検
出器６の入射面との間には、メツシユ状電極７が
チヤンネルプレート６とは電気的に絶縁されて配
置されており、該メツシユ状電極７にも掃引制御
電源４より掃引電圧が印加されている。８は前記
メツシユ状電極７とチヤンネルプレート６の間に
一定の電圧（例えば＋300V）を与えるための電
源であり、該電源８により前記出射口５を通過す
る電子は前記電圧に対応したエネルギに加速され
る。９はチヤンネルプレート６の検出器用加速電
源である。
このように構成された装置において、該メツシ
ユ状電極７とチヤンネルプレート６の間には、該
メツシユ状電極７に印加される掃引電圧が例えば
０〜−1500Vに変化した場合でも、電源８により
設定された電圧Ｅ（例えば＋300V）が印加される
様に構成されている。そのため、該メツシユ状電
極７とチヤンネルプレート６の間は、該メツシユ
状電極７の掃引電圧に関係無く電位差Ｅ（例えば
＋300V）に基づく電場が常に形成されることと
なる。そのため、従来装置のように掃引電圧の変
化による該メツシユ状電極７とチヤンネルプレー
ト６の間の電場がメツシユ状電極を通過して半球
電極間の電場分布を乱すことはなく、従つて、電
子の軌道を乱すこともない。
ユ状電極７とチヤンネルプレート６の間には、該
メツシユ状電極７に印加される掃引電圧が例えば
０〜−1500Vに変化した場合でも、電源８により
設定された電圧Ｅ（例えば＋300V）が印加される
様に構成されている。そのため、該メツシユ状電
極７とチヤンネルプレート６の間は、該メツシユ
状電極７の掃引電圧に関係無く電位差Ｅ（例えば
＋300V）に基づく電場が常に形成されることと
なる。そのため、従来装置のように掃引電圧の変
化による該メツシユ状電極７とチヤンネルプレー
ト６の間の電場がメツシユ状電極を通過して半球
電極間の電場分布を乱すことはなく、従つて、電
子の軌道を乱すこともない。
以上詳述した様に本考案によれば、該メツシユ
状電極に印加される掃引電圧に関係無く、メツシ
ユ状電極とチヤンネルプレート間に形成される電
場が常に一定となるため、該半球電極間の電場分
布の乱れに基づく電子の軌道の乱れがないため、
エネルギ分解能が向上する。
状電極に印加される掃引電圧に関係無く、メツシ
ユ状電極とチヤンネルプレート間に形成される電
場が常に一定となるため、該半球電極間の電場分
布の乱れに基づく電子の軌道の乱れがないため、
エネルギ分解能が向上する。
第１図本考案の一実施例を示す構成図、第２図
は従来装置の構成図である。 １：エネルギアナライザ、２：光電子、３：分
析用電源、４：掃引制御電源、５：出射口、６：
チヤンネルプレート、７：メツシユ状電極、８：
電源、９：検出器用加速電源。
は従来装置の構成図である。 １：エネルギアナライザ、２：光電子、３：分
析用電源、４：掃引制御電源、５：出射口、６：
チヤンネルプレート、７：メツシユ状電極、８：
電源、９：検出器用加速電源。
Claims (1)
- 一対の半球面型電極と、該電極にエネルギ掃引
電圧を与えるための掃引電源と、該電極の出射口
を通過した電子を検出するための一次元的に配列
された多数の素子から成る電子線検出器と、前記
半球面型電極と電子線検出器との間の電場の乱れ
を防止するため前記半球面型電極の出射口と該電
子線検出器との間に設けられると共に前記掃引電
圧が前記掃引電源から印加されるメツシユ状電極
と、該メツシユ状電極と該検出器との間に一定の
電圧を印加する電源を備えたことを特徴とするエ
ネルギ分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984158006U JPH0341402Y2 (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984158006U JPH0341402Y2 (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174951U JPS6174951U (ja) | 1986-05-21 |
| JPH0341402Y2 true JPH0341402Y2 (ja) | 1991-08-30 |
Family
ID=30715992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984158006U Expired JPH0341402Y2 (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341402Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823157A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-10 | Shimadzu Corp | 質量分析装置 |
| JPS58120558U (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-17 | 日本電子株式会社 | 負イオン検出装置 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP1984158006U patent/JPH0341402Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6174951U (ja) | 1986-05-21 |
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