JPH0323654Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0323654Y2 JPH0323654Y2 JP3320185U JP3320185U JPH0323654Y2 JP H0323654 Y2 JPH0323654 Y2 JP H0323654Y2 JP 3320185 U JP3320185 U JP 3320185U JP 3320185 U JP3320185 U JP 3320185U JP H0323654 Y2 JPH0323654 Y2 JP H0323654Y2
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- Japan
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- detection
- electrode
- detector
- electrodes
- deflection
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 29
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は荷電粒子の検出効率を向上させた電子
分光装置等に使用される軌道分散型荷電粒子分析
装置に関するものである。
分光装置等に使用される軌道分散型荷電粒子分析
装置に関するものである。
軌道分散型荷電粒子分析装置においては、アナ
ライザーの出射口の位置にエネルギー又は質量分
散された入射スリツトの像がスペクトルとして結
像する。従来は、そこに検出スリツトを配置して
像中の一部に対応する電子を検出器に導いて検出
していた。このような装置では、アナライザーに
よつて形成されるスペクトルの極く一部しか一度
には利用できず、残りの多くの情報は捨てざるを
得なかつた。
ライザーの出射口の位置にエネルギー又は質量分
散された入射スリツトの像がスペクトルとして結
像する。従来は、そこに検出スリツトを配置して
像中の一部に対応する電子を検出器に導いて検出
していた。このような装置では、アナライザーに
よつて形成されるスペクトルの極く一部しか一度
には利用できず、残りの多くの情報は捨てざるを
得なかつた。
ところで近時、この検出効率の悪さを改善する
ため多重検出方式を採用した装置が開発されてい
る。このような多重検出方式を採用した装置に
は、チヤンネルプレートをアナライザーの出射口
に用いる場合と、第５図に示すような単一の検出
器を該出射口に対向して整列させて配置する場合
と２通りある。前者のチヤンネルプレートを用い
る場合は、チヤンネルプレートの検出有効部分は
検出面の約50％程度しかない現状では検出効率を
向上させるのは非常に困難である。そこで、後者
の単一の検出器をアレイ状に配置した装置が注目
されている。
ため多重検出方式を採用した装置が開発されてい
る。このような多重検出方式を採用した装置に
は、チヤンネルプレートをアナライザーの出射口
に用いる場合と、第５図に示すような単一の検出
器を該出射口に対向して整列させて配置する場合
と２通りある。前者のチヤンネルプレートを用い
る場合は、チヤンネルプレートの検出有効部分は
検出面の約50％程度しかない現状では検出効率を
向上させるのは非常に困難である。そこで、後者
の単一の検出器をアレイ状に配置した装置が注目
されている。
ところで、前記第５図に示す単一の検出器を整
列させ配置した装置では、該検出器の入射口の
内、入射口のエツジ部分を除いた検出有効部分Ａ
と、荷電粒子が入射しても検出できないエツジ部
分、つまり、検出無効部分Ｂとがある。従つて、
エネルギー分散された荷電粒子でもこの検出無効
部分Ｂに入射するものは検出できず検出効率が不
充分であつた。このようなことから、検出有効部
分Ａに対する検出無効部分Ｂの割合を検出器入射
口の幅を大きくすることによつて増加させること
も考えられるが、この幅を大きくするとスペクル
の位置情報の精度が低下するため、このことによ
る検出効率の向上にも限界がある。
列させ配置した装置では、該検出器の入射口の
内、入射口のエツジ部分を除いた検出有効部分Ａ
と、荷電粒子が入射しても検出できないエツジ部
分、つまり、検出無効部分Ｂとがある。従つて、
エネルギー分散された荷電粒子でもこの検出無効
部分Ｂに入射するものは検出できず検出効率が不
充分であつた。このようなことから、検出有効部
分Ａに対する検出無効部分Ｂの割合を検出器入射
口の幅を大きくすることによつて増加させること
も考えられるが、この幅を大きくするとスペクル
の位置情報の精度が低下するため、このことによ
る検出効率の向上にも限界がある。
本考案はこのような欠点を解消してエネルギー
又は質量分散された荷電粒子の検出効率を向上さ
せた軌道分散型荷電粒子分析装置を提供すること
を目的としている。
又は質量分散された荷電粒子の検出効率を向上さ
せた軌道分散型荷電粒子分析装置を提供すること
を目的としている。
上記目的を達成する本考案の構成は、対向して
配置された一対の電極と、両電極間に電界を生じ
させるための電源と、該電極の出射口を通過する
荷電粒子を検出するために該出射口に対向して配
置された複数の荷電粒子検出器とを備えた装置に
おいて、各検出器の入射口の非検出部分に略一致
させて配設され、この部分に向つて入射する荷電
粒子を検出器の有効検出面に向けて偏向するため
の偏向電極を設けたことを特徴としている。
配置された一対の電極と、両電極間に電界を生じ
させるための電源と、該電極の出射口を通過する
荷電粒子を検出するために該出射口に対向して配
置された複数の荷電粒子検出器とを備えた装置に
おいて、各検出器の入射口の非検出部分に略一致
させて配設され、この部分に向つて入射する荷電
粒子を検出器の有効検出面に向けて偏向するため
の偏向電極を設けたことを特徴としている。
以下図面に基づき本考案の実施例を詳述する。
第１図は本考案の一実施例の構成図である。第
１図おいて、１は図示外の試料からＸ線等の照射
により発生する例えば光電子２をエネルギ分析す
るための180゜半球面型電極（以下半球面型電極と
略す）であり、該半球面型電極１は同心的に配置
された二つの半球電極１ａ，１ｂからなり、これ
らの半球電極１ａと１ｂ間には分析用電源３から
数Ｖから数十Ｖの電圧が印加されている。該分析
用電源３からの電圧は、該分析用電源３をコント
ロールする掃引制御電源４によつて掃引される。
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはチヤンネルトロン型電
子線検出器であり、該電子線検出器の入射口は例
えば第２図（５ａで例示）に示すような長楕円形
状に形成され、又、第３図（５ａで例示）に示す
ように外方に拡開されている。そしてこれらの電
子線検出器は、半球面型電極１の出射口に対向し
て第４図に示すように整列させて配置されてい
る。６はそれぞれの電子線検出器に接続される検
出器用加速電源である。７は電子線検出器或いは
外乱によつて前記電極間の電界の乱れを防止する
ための半球面型電極１の出射口と前記入射口との
間に設けられたメツシユ状電極であり、該メツシ
ユ状電極７には掃引制御電源４より例えば０〜−
1500Vの掃引電圧が印加される。８はメツシユ状
電極７と電子線検出器との間に配置されたワイヤ
ー材からなる偏向電極であり、該偏向電極８は第
４図に破線で示すように電子線検出器の入射口を
形成するエツジ部分に略一致するように曲げられ
て配設されており、該偏向電極８には偏向電源９
によりメツシユ状電極７より例えば数Ｖ〜数十Ｖ
の負の電圧が印加されている。
１図おいて、１は図示外の試料からＸ線等の照射
により発生する例えば光電子２をエネルギ分析す
るための180゜半球面型電極（以下半球面型電極と
略す）であり、該半球面型電極１は同心的に配置
された二つの半球電極１ａ，１ｂからなり、これ
らの半球電極１ａと１ｂ間には分析用電源３から
数Ｖから数十Ｖの電圧が印加されている。該分析
用電源３からの電圧は、該分析用電源３をコント
ロールする掃引制御電源４によつて掃引される。
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはチヤンネルトロン型電
子線検出器であり、該電子線検出器の入射口は例
えば第２図（５ａで例示）に示すような長楕円形
状に形成され、又、第３図（５ａで例示）に示す
ように外方に拡開されている。そしてこれらの電
子線検出器は、半球面型電極１の出射口に対向し
て第４図に示すように整列させて配置されてい
る。６はそれぞれの電子線検出器に接続される検
出器用加速電源である。７は電子線検出器或いは
外乱によつて前記電極間の電界の乱れを防止する
ための半球面型電極１の出射口と前記入射口との
間に設けられたメツシユ状電極であり、該メツシ
ユ状電極７には掃引制御電源４より例えば０〜−
1500Vの掃引電圧が印加される。８はメツシユ状
電極７と電子線検出器との間に配置されたワイヤ
ー材からなる偏向電極であり、該偏向電極８は第
４図に破線で示すように電子線検出器の入射口を
形成するエツジ部分に略一致するように曲げられ
て配設されており、該偏向電極８には偏向電源９
によりメツシユ状電極７より例えば数Ｖ〜数十Ｖ
の負の電圧が印加されている。
以上のような構成において、図示外の入射スリ
ツトを通過して半球面型電極１に入射した光電子
２は、エネルギーに応じて電子線検出器の入射口
が配置された面のいずれかの位置に向けて出射さ
れる。これらの電子の多くは、そのまま直進して
いずれかの検出器の検出有効部分Ａに入射する
が、あるエネルギーを持つた光電子２′は、電子
線検出器の入射口のエツジ部分、つまり検出無効
部分Ｂに向つて飛行する。このような軌道をとる
光電子２′も、メツシユ状電極７を通過すると、
メツシユ状電極７より負の電位が与えられた偏向
電極８により偏向されて前述した検出有効部分Ａ
に入射する。
ツトを通過して半球面型電極１に入射した光電子
２は、エネルギーに応じて電子線検出器の入射口
が配置された面のいずれかの位置に向けて出射さ
れる。これらの電子の多くは、そのまま直進して
いずれかの検出器の検出有効部分Ａに入射する
が、あるエネルギーを持つた光電子２′は、電子
線検出器の入射口のエツジ部分、つまり検出無効
部分Ｂに向つて飛行する。このような軌道をとる
光電子２′も、メツシユ状電極７を通過すると、
メツシユ状電極７より負の電位が与えられた偏向
電極８により偏向されて前述した検出有効部分Ａ
に入射する。
ここで、例えば、第２図に示した長楕円形状の
入射口を有する電子線検出器において、短径方向
の幅をＷ＝40mmとし、エツジ部分の一方の幅ΔW
＝0.5mmとして、入射口全体に光電子が100％入射
したとすれば、検出有効部分Ａに入射する光電子
は約75％であり、検出無効部分Ｂに入射する光電
子は25％となる。従つて、偏向電極８による電子
の偏向作用により従来検出無効部分Ｂに入射して
しまつた約25％の光電子を検出有効部分Ａに入射
させることができ検出効率を向上させることがで
きる。
入射口を有する電子線検出器において、短径方向
の幅をＷ＝40mmとし、エツジ部分の一方の幅ΔW
＝0.5mmとして、入射口全体に光電子が100％入射
したとすれば、検出有効部分Ａに入射する光電子
は約75％であり、検出無効部分Ｂに入射する光電
子は25％となる。従つて、偏向電極８による電子
の偏向作用により従来検出無効部分Ｂに入射して
しまつた約25％の光電子を検出有効部分Ａに入射
させることができ検出効率を向上させることがで
きる。
尚、本考案は変形が可能である。上記実施例で
は入射口の形状を長楕円形状により形成したが、
この形状に限定されるものではなく、例えば短冊
形状により形成しても良い。又、前述したように
検出器の入射口の幅を広くすれば検出有効部分の
割合が増加するが、入射口の幅をむやみに広くす
るとスペクトルの位置情報の精度が低下するた
め、その幅は両者の兼ね合いから選択することが
必要である。
は入射口の形状を長楕円形状により形成したが、
この形状に限定されるものではなく、例えば短冊
形状により形成しても良い。又、前述したように
検出器の入射口の幅を広くすれば検出有効部分の
割合が増加するが、入射口の幅をむやみに広くす
るとスペクトルの位置情報の精度が低下するた
め、その幅は両者の兼ね合いから選択することが
必要である。
以上詳述した如く本考案によれば、検出器の入
射口の検出無効部分に入射する荷電粒子を検出有
効部分に向けて偏向することによりエネルギー又
は質量分散された荷電粒子の検出効率を向上させ
た軌道分散型荷電粒子分析装置が提供される。
射口の検出無効部分に入射する荷電粒子を検出有
効部分に向けて偏向することによりエネルギー又
は質量分散された荷電粒子の検出効率を向上させ
た軌道分散型荷電粒子分析装置が提供される。
第１図は本考案の一実施例の構成図、第２図及
び第３図は本考案に使用される検出器の一例を示
した図、第４図は本考案を説明するための図、第
５図は従来技術を説明するための図である。 １：半球面型電極、１ａ，１ｂ：半球電極、
２，２′：光電子、３：分析用電源、４：掃引制
御電極、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ：電子線検出
器、６：検出器用加速電源、７：メツシユ状電
極、８：偏向電極、９：偏向電源。
び第３図は本考案に使用される検出器の一例を示
した図、第４図は本考案を説明するための図、第
５図は従来技術を説明するための図である。 １：半球面型電極、１ａ，１ｂ：半球電極、
２，２′：光電子、３：分析用電源、４：掃引制
御電極、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ：電子線検出
器、６：検出器用加速電源、７：メツシユ状電
極、８：偏向電極、９：偏向電源。
Claims (1)
- 対向して配置された一対の電極と、両電極間に
電界を生じさせるための電源と、該電極の出射口
を通過する荷電粒子を検出するために該出射口に
対向して配置された複数の荷電粒子検出器とを備
えた装置において、各検出器の入射口の非検出部
分に略一致させて配設され、この部分に向つて入
射する荷電粒子を検出器の有効検出面に向けて偏
向するための偏向電極を設けたことを特徴とする
軌道分散型荷電粒子分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320185U JPH0323654Y2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320185U JPH0323654Y2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61149268U JPS61149268U (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0323654Y2 true JPH0323654Y2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=30535430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3320185U Expired JPH0323654Y2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323654Y2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9196597B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP3320185U patent/JPH0323654Y2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9196597B2 (en) | 2010-01-13 | 2015-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
| US9349611B2 (en) | 2010-03-22 | 2016-05-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61149268U (ja) | 1986-09-13 |
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