JPH0119081Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0119081Y2 JPH0119081Y2 JP10636479U JP10636479U JPH0119081Y2 JP H0119081 Y2 JPH0119081 Y2 JP H0119081Y2 JP 10636479 U JP10636479 U JP 10636479U JP 10636479 U JP10636479 U JP 10636479U JP H0119081 Y2 JPH0119081 Y2 JP H0119081Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- optical system
- rays
- sample
- spectrometer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 14
- 239000000941 radioactive substance Substances 0.000 description 6
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電子線マイクロプローブアナライザの
ような試料を電子線で照射したとき試料から出る
X線の分光を行うだけでなく、走査型電子顕微鏡
としても機能し、また試料の位置決め或は試料面
の観察のための光学顕微鏡も付設されているよう
な多機能の分析装置に関し、放射性物質試料の分
析に適したものを提供しようとするものである。
ような試料を電子線で照射したとき試料から出る
X線の分光を行うだけでなく、走査型電子顕微鏡
としても機能し、また試料の位置決め或は試料面
の観察のための光学顕微鏡も付設されているよう
な多機能の分析装置に関し、放射性物質試料の分
析に適したものを提供しようとするものである。
X線分光装置で放射性物質を分析する場合、X
線検出器には分光された特性X線の他に放射性物
質から放射能に基いて出ている放射線が入射する
ためバツクグラウンドが増加しS/N比の低下を
来す。このため従来から試料と分光結晶との間に
X線取出し用の孔を穿つた遮蔽壁を設けることが
行われている。X線分光装置として分光結晶直進
型を採用すると分光結晶は試料を通る一本の固定
直線に沿つて移動するので、試料と分光結晶との
間に設ける遮蔽は試料を半ば囲み、分光結晶移動
直線がこの遮蔽を貫通する位置に孔を穿つておけ
ば検出器に不要の放射線が入射すると云う問題は
解決される。しかしこのようにすると走査型電子
顕微鏡の映像信号としての試料から出る2次電子
の収集効率が低下し、また光学顕微鏡設置のスペ
ースが制限されるため、走査型電子顕微鏡、光学
顕微鏡の性能が低下する。
線検出器には分光された特性X線の他に放射性物
質から放射能に基いて出ている放射線が入射する
ためバツクグラウンドが増加しS/N比の低下を
来す。このため従来から試料と分光結晶との間に
X線取出し用の孔を穿つた遮蔽壁を設けることが
行われている。X線分光装置として分光結晶直進
型を採用すると分光結晶は試料を通る一本の固定
直線に沿つて移動するので、試料と分光結晶との
間に設ける遮蔽は試料を半ば囲み、分光結晶移動
直線がこの遮蔽を貫通する位置に孔を穿つておけ
ば検出器に不要の放射線が入射すると云う問題は
解決される。しかしこのようにすると走査型電子
顕微鏡の映像信号としての試料から出る2次電子
の収集効率が低下し、また光学顕微鏡設置のスペ
ースが制限されるため、走査型電子顕微鏡、光学
顕微鏡の性能が低下する。
第1図a,b,cは従来用いられてきた遮蔽構
造を例示するものである。Sは試料、Lは対物電
子レンズで電子線束を試料S表面に収束させる。
Kは試料Sを照射する電子線で試料面を走査する
ための走査コイル等を収納した筒、CがX線分光
用結晶で、鎖線lは分光結晶の移動軌跡であり、
DはX線検出器である。Bが遮蔽壁であつて40mm
程度の厚さが要求されるものであり、試料の右側
及び上方の半ばを覆うように設けられている。第
1図aは遮蔽Bの上部壁で鎖線lの貫通する位置
にX線取出孔Hを穿つたもの、同図bは遮蔽の上
部を対物レンズLの下に進入させ試料Sの直上に
孔Hを穿ち照射電子ビーム及びX線の両方がこの
孔を通るようにしたもの、同図cは上記a,bの
中間型で遮蔽Bの上部は対物レンズLの下側にあ
つて試料Sの上方を半ば覆いX線取出孔Hを斜め
に穿つたものである。
造を例示するものである。Sは試料、Lは対物電
子レンズで電子線束を試料S表面に収束させる。
Kは試料Sを照射する電子線で試料面を走査する
ための走査コイル等を収納した筒、CがX線分光
用結晶で、鎖線lは分光結晶の移動軌跡であり、
DはX線検出器である。Bが遮蔽壁であつて40mm
程度の厚さが要求されるものであり、試料の右側
及び上方の半ばを覆うように設けられている。第
1図aは遮蔽Bの上部壁で鎖線lの貫通する位置
にX線取出孔Hを穿つたもの、同図bは遮蔽の上
部を対物レンズLの下に進入させ試料Sの直上に
孔Hを穿ち照射電子ビーム及びX線の両方がこの
孔を通るようにしたもの、同図cは上記a,bの
中間型で遮蔽Bの上部は対物レンズLの下側にあ
つて試料Sの上方を半ば覆いX線取出孔Hを斜め
に穿つたものである。
第1図aの構造の場合、分光結晶Cは遮蔽Bに
当るため或る程度以上試料に近づけることができ
ず、また光学顕微鏡用の反射鏡及び電子線束の対
物絞りは本来Pの位置に設置されるのであるが遮
蔽Bの上部が邪魔になつて配置できない。第1図
bの構造では対物レンズLの上方空間が広く空い
ているので分光結晶Cは試料Sに充分近づけるこ
とができ、また光学顕微鏡用反射鏡の配置に対し
邪魔もないが遮蔽Bが試料Sに近いため2次電子
の収集効率が低い。2次電子収集効率が低くなる
のは次の理由による。2次電子検出器は対物レン
ズの下、試料の側方に配置され、試料との間に2
次電子吸引電圧を印加して2次電子検出を行うの
であるが、対物レンズ下面と試料間の距離は電子
顕微鏡の倍率によつて決められ、高倍率程せまく
なり、任意に設計できないもので対物レンズL下
面に厚さが40mmもある遮蔽Bが設けられると、試
料Sの上面と遮蔽Bとの間隔がせまくなり、この
せまい空間を通して2次電子を吸引検出すること
になるため2次電子収集効率が低くなるのであ
る。第1図cの構造は対物レンズLと試料Sとの
間を広く設計してあり、光学顕微鏡用反射鏡を設
けるとすれば試料Sと対物レンズLとの間の空間
に配置する他ないが、その場所の半分を遮蔽Bが
占有しているため光学顕微鏡が併設できず、分光
結晶Cを試料Sに充分近づけることも困難であ
る。
当るため或る程度以上試料に近づけることができ
ず、また光学顕微鏡用の反射鏡及び電子線束の対
物絞りは本来Pの位置に設置されるのであるが遮
蔽Bの上部が邪魔になつて配置できない。第1図
bの構造では対物レンズLの上方空間が広く空い
ているので分光結晶Cは試料Sに充分近づけるこ
とができ、また光学顕微鏡用反射鏡の配置に対し
邪魔もないが遮蔽Bが試料Sに近いため2次電子
の収集効率が低い。2次電子収集効率が低くなる
のは次の理由による。2次電子検出器は対物レン
ズの下、試料の側方に配置され、試料との間に2
次電子吸引電圧を印加して2次電子検出を行うの
であるが、対物レンズ下面と試料間の距離は電子
顕微鏡の倍率によつて決められ、高倍率程せまく
なり、任意に設計できないもので対物レンズL下
面に厚さが40mmもある遮蔽Bが設けられると、試
料Sの上面と遮蔽Bとの間隔がせまくなり、この
せまい空間を通して2次電子を吸引検出すること
になるため2次電子収集効率が低くなるのであ
る。第1図cの構造は対物レンズLと試料Sとの
間を広く設計してあり、光学顕微鏡用反射鏡を設
けるとすれば試料Sと対物レンズLとの間の空間
に配置する他ないが、その場所の半分を遮蔽Bが
占有しているため光学顕微鏡が併設できず、分光
結晶Cを試料Sに充分近づけることも困難であ
る。
上述したように従来の方式は何れも何等かの欠
点を有している。本考案は上述した従来例にみら
れる種々な欠点を解消した放射性物質分析用の電
子線を用いた多機能の分析装置を提供するもので
ある。以下実施例によつて本考案を説明する。
点を有している。本考案は上述した従来例にみら
れる種々な欠点を解消した放射性物質分析用の電
子線を用いた多機能の分析装置を提供するもので
ある。以下実施例によつて本考案を説明する。
第2図に本考案の一実施例を示す。この図にお
いて第1図に示した装置における各部と対応する
部分には第1図と同じ符号がつけてある。分光結
晶Cは直線lに沿い駆動される。試料Sの電子線
照射点、分光結晶Cの中心及びX線検出器DのX
線入射スリツトAは一つのローランド円の円周上
にあり、分光結晶Cの移動に伴つてローランド円
は位置を変え、検出器Dはその動くローランド円
の円周上で位置を変えるように分光結晶Cと検出
器Dとは機構的に連結されている。図で実線で示
された検出器Dは分光上最も短波長の位置にある
場合を示し、鎖線D′は検出器Dの最も長波長の
位置を示す。1はX線分光器のハウジングで上述
した結晶C及び検出器Dの駆動機構及び検出器D
の移動領域を包含した密閉容器で電子光学系全体
を囲む鏡胴2の側面に対物レンズLの側方から斜
上方にかけて穿設された開口21に自身の開口部
11を合わせて固定されている。電子光学系の鏡
胴2の下部は試料室3となつており、図では省略
してあるが試料微動機構があり、この機構に取付
けられた試料ステージに試料Sが保持される。P
は試料室3内で対物レンズLの下方試料Sの側方
に配置されている2次電子検出器である。Mは光
学顕微鏡用反射鏡で中心に電子線の通る孔が貫通
させてあり、電子線束の対物絞りはこの孔に嵌合
させてある。試料室3の側壁のうちX線分光器ハ
ウジング1の在る側に遮蔽B1が取付けられる。
この遮蔽はタングステン90%以上でニツケルを含
有したものを用いている。X線分光器のハウジン
グ1の内面で試料室3の側面に対向する面にも遮
蔽B2が取付けられる。この遮蔽の材質はB1と
同じである。対物レンズLのヨークYの上面で図
で右側の一部を弓形の欠円状に覆つて遮蔽B3が
取付けられる。この遮蔽は分光結晶Cの移動直線
lと交らず同直線より右方に退避した形になつて
いる。検出器Dの前面にはスリツトAの開口を残
して遮蔽B4が取付けてある。またこの遮蔽より
更に前方に突出してスリツトAの開口より下側に
遮蔽B5が取付けてある。遮蔽B3,B4,B5
はタングステン80%でニツケル等の磁性材料を全
く含まない非磁性の材料を用いて電子線束をシフ
トさせたりするような影響がないようにしてあ
る。
いて第1図に示した装置における各部と対応する
部分には第1図と同じ符号がつけてある。分光結
晶Cは直線lに沿い駆動される。試料Sの電子線
照射点、分光結晶Cの中心及びX線検出器DのX
線入射スリツトAは一つのローランド円の円周上
にあり、分光結晶Cの移動に伴つてローランド円
は位置を変え、検出器Dはその動くローランド円
の円周上で位置を変えるように分光結晶Cと検出
器Dとは機構的に連結されている。図で実線で示
された検出器Dは分光上最も短波長の位置にある
場合を示し、鎖線D′は検出器Dの最も長波長の
位置を示す。1はX線分光器のハウジングで上述
した結晶C及び検出器Dの駆動機構及び検出器D
の移動領域を包含した密閉容器で電子光学系全体
を囲む鏡胴2の側面に対物レンズLの側方から斜
上方にかけて穿設された開口21に自身の開口部
11を合わせて固定されている。電子光学系の鏡
胴2の下部は試料室3となつており、図では省略
してあるが試料微動機構があり、この機構に取付
けられた試料ステージに試料Sが保持される。P
は試料室3内で対物レンズLの下方試料Sの側方
に配置されている2次電子検出器である。Mは光
学顕微鏡用反射鏡で中心に電子線の通る孔が貫通
させてあり、電子線束の対物絞りはこの孔に嵌合
させてある。試料室3の側壁のうちX線分光器ハ
ウジング1の在る側に遮蔽B1が取付けられる。
この遮蔽はタングステン90%以上でニツケルを含
有したものを用いている。X線分光器のハウジン
グ1の内面で試料室3の側面に対向する面にも遮
蔽B2が取付けられる。この遮蔽の材質はB1と
同じである。対物レンズLのヨークYの上面で図
で右側の一部を弓形の欠円状に覆つて遮蔽B3が
取付けられる。この遮蔽は分光結晶Cの移動直線
lと交らず同直線より右方に退避した形になつて
いる。検出器Dの前面にはスリツトAの開口を残
して遮蔽B4が取付けてある。またこの遮蔽より
更に前方に突出してスリツトAの開口より下側に
遮蔽B5が取付けてある。遮蔽B3,B4,B5
はタングステン80%でニツケル等の磁性材料を全
く含まない非磁性の材料を用いて電子線束をシフ
トさせたりするような影響がないようにしてあ
る。
試料Sの放射能によつて発射される放射線で検
出器の鎖線位置D′に向うものは遮蔽B1,B2
を貫通することになる。また検出器の実線位置D
に向う放射線は遮蔽B3,B4,B5を貫通する
ことになる。このように遮蔽は検出器Dのどの位
置においても2重以上になつており、厚さは合計
で40mm程度となつており、0.8MeV,10Ci程度の
放射性物質を試料とした場合、検出器がこの放射
性物質から受ける線量率は通常試料を通常装置で
電子線で(X線分光分析のため)照射した場合試
料から放射されるX線によつて検出器が受ける線
量率と同程度以下にすることができる。
出器の鎖線位置D′に向うものは遮蔽B1,B2
を貫通することになる。また検出器の実線位置D
に向う放射線は遮蔽B3,B4,B5を貫通する
ことになる。このように遮蔽は検出器Dのどの位
置においても2重以上になつており、厚さは合計
で40mm程度となつており、0.8MeV,10Ci程度の
放射性物質を試料とした場合、検出器がこの放射
性物質から受ける線量率は通常試料を通常装置で
電子線で(X線分光分析のため)照射した場合試
料から放射されるX線によつて検出器が受ける線
量率と同程度以下にすることができる。
本考案X線分光装置は上述したような構成で、
第1図に示した従来例と対比すると明らかなよう
に、対物レンズLと試料との間及び対物レンズ上
部でポールピース開口上に張出して遮蔽物がない
から分光結晶Cは試料Sに充分近い所まで接近さ
せることができる(X線の走査波長域が短波長側
で制約されない)し、光学顕微鏡の併設に関して
も何の障碍もない。また試料に近接した遮蔽がな
いため2次電子の収集効率の低下もない。放射性
物質の放射能からX線検出器を遮蔽する手段とし
てX線検出器全体を遮蔽材で囲むことも行われる
が、遮蔽材は上述したように40mm程度が要求され
るので、これを全部X線検出器の周囲に取付ける
とX線検出器が非常に重くなり、駆動機構も始め
からそのために頑丈に作つておく必要があり、通
常の電子線マイクロプローブアナライザを放射性
物質分析用に改造すると云つたことはできない。
本考案は遮蔽を試料空間と分光装置空間の境の固
定壁とX線検出器前面とに分けて配置したからX
線分光装置以外の機能を低下させることなく、X
線検出器の重量増もわづかですみ通常の電子線マ
イクロプローブアナライザの改造と云つた方法に
よつても実施可能な特長を有する。
第1図に示した従来例と対比すると明らかなよう
に、対物レンズLと試料との間及び対物レンズ上
部でポールピース開口上に張出して遮蔽物がない
から分光結晶Cは試料Sに充分近い所まで接近さ
せることができる(X線の走査波長域が短波長側
で制約されない)し、光学顕微鏡の併設に関して
も何の障碍もない。また試料に近接した遮蔽がな
いため2次電子の収集効率の低下もない。放射性
物質の放射能からX線検出器を遮蔽する手段とし
てX線検出器全体を遮蔽材で囲むことも行われる
が、遮蔽材は上述したように40mm程度が要求され
るので、これを全部X線検出器の周囲に取付ける
とX線検出器が非常に重くなり、駆動機構も始め
からそのために頑丈に作つておく必要があり、通
常の電子線マイクロプローブアナライザを放射性
物質分析用に改造すると云つたことはできない。
本考案は遮蔽を試料空間と分光装置空間の境の固
定壁とX線検出器前面とに分けて配置したからX
線分光装置以外の機能を低下させることなく、X
線検出器の重量増もわづかですみ通常の電子線マ
イクロプローブアナライザの改造と云つた方法に
よつても実施可能な特長を有する。
第1図は従来例の要部側面図、第2図は本考案
の一実施例装置の要部を示す縦断側面図である。 L……対物電子レンズ、S……試料、C……X
線分光用結晶、D……X線検出器、B,B1,B
2,B3,B4,B5……遮蔽、M……光学顕微
鏡用反射鏡。
の一実施例装置の要部を示す縦断側面図である。 L……対物電子レンズ、S……試料、C……X
線分光用結晶、D……X線検出器、B,B1,B
2,B3,B4,B5……遮蔽、M……光学顕微
鏡用反射鏡。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 電子光学系の側方に同電子光学系の鏡胴側面の
電子光学系対物レンズの側部から斜上方にかけて
設けられた開口にX線分光器収納ハウジングを自
身の開口部を合せて接続して、分光結晶型X線分
光器を配置し、上記電子光学系の対物レンズの中
心孔を通して上記X線分光器へX線を入射させる
ようにすると共に、同じく上記対物レンズの中心
孔を通して上向する光を上記電子光学系の途中に
配置された鏡によつて反射させ同電子光学系の上
記X線分光器とは異る側方に光軸を延出させて光
学顕微鏡を設け、上記電子光学系の下方に構成さ
れた試料室内で試料側方に2次電子検出器を配置
してなる分析装置において、 上記試料室の上記X線分光器側の側壁と、上記
X線分光器のハウジングの上記電子光学系鏡胴側
面開口より下方に延下している部分の上記試料室
側の側壁とに夫々X線およびγ線に対する遮蔽材
を取付け、 上記対物レンズのヨーク上面の中心より上記X
線分光器側の部分をも前記分光結晶の移動直線が
ヨーク上面と交わる点より外側で弓形欠円状にX
線、γ線に対する遮蔽材で覆い、 上記X線分光器のX線検出器の前面のX線入射
スリツトをもX線入射入口を残してX線、γ線に
対する遮蔽材で覆い、 更にX線分光器を最短波長X線検出位置に動か
したとき、上記X線検出器前面のスリツトのスリ
ツト開口より対物レンズに近い側になる部分から
スリツト面に垂直にX線、γ線に対する遮蔽材を
突設してなる分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10636479U JPH0119081Y2 (ja) | 1979-07-31 | 1979-07-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10636479U JPH0119081Y2 (ja) | 1979-07-31 | 1979-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5623445U JPS5623445U (ja) | 1981-03-03 |
| JPH0119081Y2 true JPH0119081Y2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=29339003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10636479U Expired JPH0119081Y2 (ja) | 1979-07-31 | 1979-07-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0119081Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-07-31 JP JP10636479U patent/JPH0119081Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5623445U (ja) | 1981-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3752252B2 (ja) | 電気的に絶縁された標本表面の分析装置 | |
| US6041095A (en) | X-ray fluorescence analyzer | |
| JP6851107B2 (ja) | X線分析装置 | |
| JPH03182039A (ja) | 磁気フィルタ式低損失走査型電子顕微鏡 | |
| US4810879A (en) | Charged particle energy analyzer | |
| US4417355A (en) | X-Ray fluorescence spectrometer | |
| DE19948382A1 (de) | Detektor für grosse Waferflächen | |
| US4255656A (en) | Apparatus for charged particle spectroscopy | |
| JP2003503820A (ja) | 帯電粒子装置 | |
| JPH0119081Y2 (ja) | ||
| Ray‐Chaudhuri et al. | First results of microspectroscopy from a scanning photoemission microscope with a submicron probe size | |
| JPH06338281A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| US4857730A (en) | Apparatus and method for local chemical analyses at the surface of solid materials by spectroscopy of X photoelectrons | |
| JPH06249804A (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
| US4435828A (en) | Fluorescence laser EXAFS | |
| US3155827A (en) | Electron microscope with a secondary electron source utilized for electron probe analysis | |
| JP3533335B2 (ja) | 化学分析用複合放出電子顕微鏡装置 | |
| JPH0627058A (ja) | 電子分光方法とこれを用いた電子分光装置 | |
| Ko et al. | Development of a second generation scanning photoemission microscope with a zone plate generated microprobe at the National Synchrotron Light Source | |
| JP2674675B2 (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
| WO1999026273A1 (en) | Secondary particle detector | |
| JP3860641B2 (ja) | 蛍光x線分析装置 | |
| JPH01118757A (ja) | 表面分析装置のマスク | |
| EP0295653A2 (en) | High luminosity spherical analyzer for charged particles | |
| JPH0114666B2 (ja) |