JPH0719669B2 - レーザ励起型ｘ線の発生装置 - Google Patents
レーザ励起型ｘ線の発生装置Info
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- JPH0719669B2 JPH0719669B2 JP63261936A JP26193688A JPH0719669B2 JP H0719669 B2 JPH0719669 B2 JP H0719669B2 JP 63261936 A JP63261936 A JP 63261936A JP 26193688 A JP26193688 A JP 26193688A JP H0719669 B2 JPH0719669 B2 JP H0719669B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザ励起型Ｘ線の発生装置に関し、さら
に詳しくは、半導体装置の製造におけるＸ線を用いた転
写技術のためのレーザ励起型Ｘ線の発生装置の改良に係
るものである。
に詳しくは、半導体装置の製造におけるＸ線を用いた転
写技術のためのレーザ励起型Ｘ線の発生装置の改良に係
るものである。
従来例によるこの種のレーザ励起型Ｘ線の発生装置とし
て、こゝでは、例えば、望月，他著『レーザ研究』第12
巻10号（1984）p.603に記述されている「レーザ励起型
Ｘ線源」の概念を第２図に示してある。
て、こゝでは、例えば、望月，他著『レーザ研究』第12
巻10号（1984）p.603に記述されている「レーザ励起型
Ｘ線源」の概念を第２図に示してある。
すなわち，この第２図に示す従来例装置において、符号
１は図示しない真空チャンバー内に所定位置を占めて収
装されたＸ線源としてのターゲットであり、また、２は
このターゲット１に照射されるレーザ光、３はこのレー
ザ光２の照射面から放射されるＸ線を示し、さらに、４
はこのＸ線３を真空チャンバー内から取り出すためのBe
などからなるＸ線取り出し窓、５および６はＸ線を用い
た転写技術の適用対象となるマスクおよび半導体ウエハ
である。
１は図示しない真空チャンバー内に所定位置を占めて収
装されたＸ線源としてのターゲットであり、また、２は
このターゲット１に照射されるレーザ光、３はこのレー
ザ光２の照射面から放射されるＸ線を示し、さらに、４
はこのＸ線３を真空チャンバー内から取り出すためのBe
などからなるＸ線取り出し窓、５および６はＸ線を用い
た転写技術の適用対象となるマスクおよび半導体ウエハ
である。
こゝで、この従来例による装置構成の場合にあつては、
Ｘ線源としてのターゲット１に対し、高密度パワーのレ
ーザ光２を照射させることによつて、このターゲット１
の照射面の一部が蒸発，気化され、プラズマとなつてＸ
線３を放射し、この照射面から放射されるＸ線３がBeか
らなるＸ線取り出し窓４を経て外部に取り出され、所定
パターンのマスク５を通して、このマスク５のパターン
を処理対象としての半導体ウエハ６上に転写させるので
ある。
Ｘ線源としてのターゲット１に対し、高密度パワーのレ
ーザ光２を照射させることによつて、このターゲット１
の照射面の一部が蒸発，気化され、プラズマとなつてＸ
線３を放射し、この照射面から放射されるＸ線３がBeか
らなるＸ線取り出し窓４を経て外部に取り出され、所定
パターンのマスク５を通して、このマスク５のパターン
を処理対象としての半導体ウエハ６上に転写させるので
ある。
なおこゝで、Ｘ線取り出し窓４を構成するBeは、公知の
ように数多くある物質中で、Ｘ線を効率よく透過させ得
る物質として知られており、例えば、電子線励起型とか
その他のＸ線発生装置でのＸ線取り出し窓として使用さ
れている。
ように数多くある物質中で、Ｘ線を効率よく透過させ得
る物質として知られており、例えば、電子線励起型とか
その他のＸ線発生装置でのＸ線取り出し窓として使用さ
れている。
しかしながら、前記構成からなる従来のレーザ励起型Ｘ
線の発生装置においては、前記したようにターゲット１
への高密度パワーのレーザ光２の照射により、このター
ゲット１の照射面の一部が蒸発，気化されてプラズマと
なるが、レーザ光２のスポット径に比較するとき、Ｘ線
源としてのターゲット１の表面積が非常に大きくとられ
いて、しかも一方で、レーザビーム径が比較的小さいこ
とから、照射面での局部的な範囲が急激に加熱されて、
結果的に、この照射面に温度勾配の非常に大きい領域が
形成されて熱爆発を生じ、プラズマ化された微粒子が周
囲に飛散することがあり、この微粒子によつて、真空チ
ャンバー内が汚染されるほか、Ｘ線取り出し窓４に付着
されて、そのＸ線透過率を低下させたり、ときにはピン
ホールを形成して真空チャンバー内の真空度を劣化させ
ると云う好ましくない問題点があつた。
線の発生装置においては、前記したようにターゲット１
への高密度パワーのレーザ光２の照射により、このター
ゲット１の照射面の一部が蒸発，気化されてプラズマと
なるが、レーザ光２のスポット径に比較するとき、Ｘ線
源としてのターゲット１の表面積が非常に大きくとられ
いて、しかも一方で、レーザビーム径が比較的小さいこ
とから、照射面での局部的な範囲が急激に加熱されて、
結果的に、この照射面に温度勾配の非常に大きい領域が
形成されて熱爆発を生じ、プラズマ化された微粒子が周
囲に飛散することがあり、この微粒子によつて、真空チ
ャンバー内が汚染されるほか、Ｘ線取り出し窓４に付着
されて、そのＸ線透過率を低下させたり、ときにはピン
ホールを形成して真空チャンバー内の真空度を劣化させ
ると云う好ましくない問題点があつた。
この発明は、従来のこのような問題点を改善するために
なされたもので、その目的とするところは、プラズマ化
された微粒子の付着によるＸ線取り出し窓の汚染，ひい
ては、そのＸ線透過率の低下を少なくさせ、併せて、真
空チャンバー内での真空度の劣化を防止し得るようにし
た，この種のレーザ励起型Ｘ線の発生装置を提供するこ
とである。
なされたもので、その目的とするところは、プラズマ化
された微粒子の付着によるＸ線取り出し窓の汚染，ひい
ては、そのＸ線透過率の低下を少なくさせ、併せて、真
空チャンバー内での真空度の劣化を防止し得るようにし
た，この種のレーザ励起型Ｘ線の発生装置を提供するこ
とである。
前記目的を達成するために、この発明に係るレーザ励起
型Ｘ線の発生装置は、真空チャンバーに装着されるＸ線
取り出し窓を、真空室内側の内部Ｘ線取り出し窓と、外
部大気圧側のＸ線取り出し窓との２重窓に形成させ、内
部Ｘ線取り出し窓をロードロック方式によつて交換し得
るようにしたものである。
型Ｘ線の発生装置は、真空チャンバーに装着されるＸ線
取り出し窓を、真空室内側の内部Ｘ線取り出し窓と、外
部大気圧側のＸ線取り出し窓との２重窓に形成させ、内
部Ｘ線取り出し窓をロードロック方式によつて交換し得
るようにしたものである。
すなわち，この発明は、真空チャンバー内に装入されて
Ｘ線発生源となるターゲットを設け、このターゲットを
高密度パワーのレーザ光により照射してＸ線を発生，放
射させ、この放射されるＸ線をBeからなるＸ線取り出し
窓から取り出し得るようにしたレーザ励起型Ｘ線の発生
装置において、前記真空チャンバーに装着されるＸ線取
り出し窓を、真空室内側の内部Ｘ線取り出し窓と、外部
大気圧側のＸ線取り出し窓との２重窓に形成させると共
に、真空チャンバーには、真空遮断ゲートを隔てゝ減圧
可能なロードロック室を併設させ、これらの真空遮断ゲ
ートおよびロードロック室を介して、前記内部Ｘ線取り
出し窓をロードロック方式により交換し得るように構成
したことを特徴とするレーザ励起型Ｘ線の発生装置であ
る。
Ｘ線発生源となるターゲットを設け、このターゲットを
高密度パワーのレーザ光により照射してＸ線を発生，放
射させ、この放射されるＸ線をBeからなるＸ線取り出し
窓から取り出し得るようにしたレーザ励起型Ｘ線の発生
装置において、前記真空チャンバーに装着されるＸ線取
り出し窓を、真空室内側の内部Ｘ線取り出し窓と、外部
大気圧側のＸ線取り出し窓との２重窓に形成させると共
に、真空チャンバーには、真空遮断ゲートを隔てゝ減圧
可能なロードロック室を併設させ、これらの真空遮断ゲ
ートおよびロードロック室を介して、前記内部Ｘ線取り
出し窓をロードロック方式により交換し得るように構成
したことを特徴とするレーザ励起型Ｘ線の発生装置であ
る。
従つて、この発明においては、Ｘ線源としてのターゲッ
トに対する高密度パワーのレーザ光の照射に伴ない、タ
ーゲットでの照射面の蒸発，気化によるプラズマ化に際
して、周囲に飛散される微粒子の付着によりＸ線取り出
し窓が汚染され、そのＸ線透過率が低下したり、あるい
は、ピンホールを生じたりした場合には、真空チャンバ
ー内での真空度を劣化させることなしに、ロードロック
方式を利用し、この内部Ｘ線取り出し窓をして、汚染が
なくてピンホールのない新しい内部Ｘ線取り出し窓に容
易に交換し得るのである。
トに対する高密度パワーのレーザ光の照射に伴ない、タ
ーゲットでの照射面の蒸発，気化によるプラズマ化に際
して、周囲に飛散される微粒子の付着によりＸ線取り出
し窓が汚染され、そのＸ線透過率が低下したり、あるい
は、ピンホールを生じたりした場合には、真空チャンバ
ー内での真空度を劣化させることなしに、ロードロック
方式を利用し、この内部Ｘ線取り出し窓をして、汚染が
なくてピンホールのない新しい内部Ｘ線取り出し窓に容
易に交換し得るのである。
以下、この発明に係るレーザ励起型Ｘ線の発生装置の一
実施例につき、第１図を参照して詳細に説明する。
実施例につき、第１図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの実施例を適用したＸ線発生装置の概要を模
式的に示す構成説明図である。
式的に示す構成説明図である。
すなわち，この第１図に示す実施例構成において、符号
11はＸ線を発生させる真空チャンバー、12はこの真空チ
ャンバー11内に所定位置を占めて収装されたＸ線源とし
てのターゲットであり、13はこのターゲット12に照射さ
れるレーザ光、14はこのレーザ光13の照射面から放射さ
れるＸ線を示している。
11はＸ線を発生させる真空チャンバー、12はこの真空チ
ャンバー11内に所定位置を占めて収装されたＸ線源とし
てのターゲットであり、13はこのターゲット12に照射さ
れるレーザ光、14はこのレーザ光13の照射面から放射さ
れるＸ線を示している。
また、15および16は前記Ｘ線３を真空チャンバー11内か
ら取り出すためのBeなどからなるチャンバー内部減圧
側，同外部大気圧側にそれぞれに配置された内部，外部
の各Ｘ線取り出し窓で、内部Ｘ線取り出し窓15は、この
場合，図示省略した移動自在なトレーなどに付加され、
後述するように取り替え交換可能にされており、17は前
記真空チャンバー11に併設されたロードロック室であつ
て、これらの真空チャンバー11とロードロック室17との
間には、前記トレーなどに付加された内部Ｘ線取り出し
窓15を取り替え交換させるための真空ゲート18を介在さ
せてある。
ら取り出すためのBeなどからなるチャンバー内部減圧
側，同外部大気圧側にそれぞれに配置された内部，外部
の各Ｘ線取り出し窓で、内部Ｘ線取り出し窓15は、この
場合，図示省略した移動自在なトレーなどに付加され、
後述するように取り替え交換可能にされており、17は前
記真空チャンバー11に併設されたロードロック室であつ
て、これらの真空チャンバー11とロードロック室17との
間には、前記トレーなどに付加された内部Ｘ線取り出し
窓15を取り替え交換させるための真空ゲート18を介在さ
せてある。
さらに、19および20は前記内部，外部の各Ｘ線取り出し
窓15,16を通して放射されるＸ線を用いた転写技術の適
用対象となるマスクおよび半導体ウエハである。
窓15,16を通して放射されるＸ線を用いた転写技術の適
用対象となるマスクおよび半導体ウエハである。
しかして、前記実施例装置の構成においても、前記従来
例構成の場合と全く同様に、Ｘ線源としてのターゲット
12に対し、高密度パワーのレーザ光13を照射させること
によつて、このターゲット12の照射面の一部が蒸発，気
化され、プラズマとなつてＸ線14を放射し、この照射面
から放射されるＸ線14がBeからなる内部，外部の各Ｘ線
取り出し窓15,16を経て外部に取り出され、所定パター
ンのマスク19を通して、このマスク19のパターンを処理
対象としての半導体ウエハ20上に転写させることができ
る。
例構成の場合と全く同様に、Ｘ線源としてのターゲット
12に対し、高密度パワーのレーザ光13を照射させること
によつて、このターゲット12の照射面の一部が蒸発，気
化され、プラズマとなつてＸ線14を放射し、この照射面
から放射されるＸ線14がBeからなる内部，外部の各Ｘ線
取り出し窓15,16を経て外部に取り出され、所定パター
ンのマスク19を通して、このマスク19のパターンを処理
対象としての半導体ウエハ20上に転写させることができ
る。
こゝで、前記Ｘ線14の発生，放射を数多く繰り返えして
行なうことにより、プラズマ化して遊離された微粒子が
周囲に飛散するために、特に、真空チャンバー11内に面
している内部Ｘ線取り出し窓15が、著しく汚染されてＸ
線14の透過度が劣化する事態となる。
行なうことにより、プラズマ化して遊離された微粒子が
周囲に飛散するために、特に、真空チャンバー11内に面
している内部Ｘ線取り出し窓15が、著しく汚染されてＸ
線14の透過度が劣化する事態となる。
そこで、この実施例構成においては、このように内部Ｘ
線取り出し窓15が、著しく汚染された場合には、まず、
ロードロック室17内を真空チャンバー11内と等しい真空
状態に減圧させておき、真空ゲート18を開いて、トレー
などに付加されたまゝの汚染された内部Ｘ線取り出し窓
15をロードロック室17内に取り出した上で、真空ゲート
18を閉じ、ロードロック室17内を適宜，大気圧に開放し
て、この汚染された内部Ｘ線取り出し窓15を、新しい汚
染されていない内部Ｘ線取り出し窓15に、トレー上で交
換する。
線取り出し窓15が、著しく汚染された場合には、まず、
ロードロック室17内を真空チャンバー11内と等しい真空
状態に減圧させておき、真空ゲート18を開いて、トレー
などに付加されたまゝの汚染された内部Ｘ線取り出し窓
15をロードロック室17内に取り出した上で、真空ゲート
18を閉じ、ロードロック室17内を適宜，大気圧に開放し
て、この汚染された内部Ｘ線取り出し窓15を、新しい汚
染されていない内部Ｘ線取り出し窓15に、トレー上で交
換する。
続いて、前記ロードロック室17内を再度，真空チャンバ
ー11内と等しい真空状態に減圧させると共に、真空ゲー
ト18を開いて、トレーなどに付加されたまゝの新しく交
換された内部Ｘ線取り出し窓15を、真空チャンバー11内
の所定位置に適宜の手段で設置し直し上で、再度，真空
ゲート18を閉じるのであり、つまり、このようにして汚
染された内部Ｘ線取り出し窓15を、新しい汚染されてい
ない内部Ｘ線取り出し窓15に容易に取り替え交換させ得
るのである。
ー11内と等しい真空状態に減圧させると共に、真空ゲー
ト18を開いて、トレーなどに付加されたまゝの新しく交
換された内部Ｘ線取り出し窓15を、真空チャンバー11内
の所定位置に適宜の手段で設置し直し上で、再度，真空
ゲート18を閉じるのであり、つまり、このようにして汚
染された内部Ｘ線取り出し窓15を、新しい汚染されてい
ない内部Ｘ線取り出し窓15に容易に取り替え交換させ得
るのである。
なお、前記実施例装置においては、ターゲットとして、
レーザ光のビームスポット径よりも大きいものとしてい
るが、同等の大きさか、あるいはこれよりも小さいもの
でも同様であり、また、内部Ｘ線取り出し窓をトレーな
どに付加して移動自在とし、その取り替え交換をなし得
るようにしているが、その他の同様な任意の手段をも適
用できることは勿論であつて、同様な作用，効果が得ら
れる。
レーザ光のビームスポット径よりも大きいものとしてい
るが、同等の大きさか、あるいはこれよりも小さいもの
でも同様であり、また、内部Ｘ線取り出し窓をトレーな
どに付加して移動自在とし、その取り替え交換をなし得
るようにしているが、その他の同様な任意の手段をも適
用できることは勿論であつて、同様な作用，効果が得ら
れる。
以上詳述したように、この発明によれば、真空チャンバ
ー内に装入されてＸ線発生源となるターゲットを設け、
このターゲットを高密度パワーのレーザ光により照射し
てＸ線を発生，放射させ、この放射されるＸ線をBeから
なるＸ線取り出し窓から取り出し得るようにしたレーザ
励起型Ｘ線の発生装置において、真空チャンバーに装着
されるＸ線取り出し窓を、真空室内側の内部Ｘ線取り出
し窓と、外部大気圧側のＸ線取り出し窓との２重窓に形
成させると共に、真空チャンバーには、真空遮断ゲート
を隔てゝ減圧可能なロードロック室を併設させ、これら
の真空遮断ゲートおよびロードロック室を介して、前記
内部Ｘ線取り出し窓をロードロック方式により交換し得
るように構成したので、Ｘ線源としてのターゲットに対
する高密度パワーのレーザ光の照射に伴ない、ターゲッ
トでの照射面の蒸発，気化によるプラズマ化に際して、
周囲に飛散される微粒子の付着によりＸ線取り出し窓が
汚染され、そのＸ線透過率が低下したり、あるいは、ピ
ンホールを生じたりした場合には、真空チャンバー内で
の真空度を劣化，すなわち大気圧に戻したりせずに、ロ
ードロック方式を利用して、汚染された内部Ｘ線取り出
し窓を、汚染されていない，かつピンホールのない新し
い内部Ｘ線取り出し窓に容易に交換させることができる
のであり、しかも、その構造も比較的簡単でかつ操作も
容易であるなどの優れた特長を有するものである。
ー内に装入されてＸ線発生源となるターゲットを設け、
このターゲットを高密度パワーのレーザ光により照射し
てＸ線を発生，放射させ、この放射されるＸ線をBeから
なるＸ線取り出し窓から取り出し得るようにしたレーザ
励起型Ｘ線の発生装置において、真空チャンバーに装着
されるＸ線取り出し窓を、真空室内側の内部Ｘ線取り出
し窓と、外部大気圧側のＸ線取り出し窓との２重窓に形
成させると共に、真空チャンバーには、真空遮断ゲート
を隔てゝ減圧可能なロードロック室を併設させ、これら
の真空遮断ゲートおよびロードロック室を介して、前記
内部Ｘ線取り出し窓をロードロック方式により交換し得
るように構成したので、Ｘ線源としてのターゲットに対
する高密度パワーのレーザ光の照射に伴ない、ターゲッ
トでの照射面の蒸発，気化によるプラズマ化に際して、
周囲に飛散される微粒子の付着によりＸ線取り出し窓が
汚染され、そのＸ線透過率が低下したり、あるいは、ピ
ンホールを生じたりした場合には、真空チャンバー内で
の真空度を劣化，すなわち大気圧に戻したりせずに、ロ
ードロック方式を利用して、汚染された内部Ｘ線取り出
し窓を、汚染されていない，かつピンホールのない新し
い内部Ｘ線取り出し窓に容易に交換させることができる
のであり、しかも、その構造も比較的簡単でかつ操作も
容易であるなどの優れた特長を有するものである。
第１図はこの発明の一実施例を適用したＸ線発生装置の
概要を模式的に示す構成説明図であり、第２図は同上従
来例によるＸ線発生装置の概要を模式的に示す構成説明
図である。 11……真空チャンバー、12……ターゲット、13……レー
ザ光、14……Ｘ線、15……内部Ｘ線取り出し窓、16……
外部Ｘ線取り出し窓、17……ロードロック室、18……真
空ゲート、19……マスク、20……半導体ウエハ。
概要を模式的に示す構成説明図であり、第２図は同上従
来例によるＸ線発生装置の概要を模式的に示す構成説明
図である。 11……真空チャンバー、12……ターゲット、13……レー
ザ光、14……Ｘ線、15……内部Ｘ線取り出し窓、16……
外部Ｘ線取り出し窓、17……ロードロック室、18……真
空ゲート、19……マスク、20……半導体ウエハ。
Claims (1)
- 【請求項１】真空チャンバー内に装入されてＸ線発生源
となるターゲットを設け、このターゲットを高密度パワ
ーのレーザ光により照射してＸ線を発生，放射させ、こ
の放射されるＸ線をBeからなるＸ線取り出し窓から取り
出し得るようにしたレーザ励起型Ｘ線の発生装置におい
て、前記真空チャンバーに装着されるＸ線取り出し窓
を、真空室内側の内部Ｘ線取り出し窓と、外部大気圧側
のＸ線取り出し窓との２重窓に形成させると共に、真空
チャンバーには、真空遮断ゲートを隔てゝ減圧可能なロ
ードロック室を併設させ、これらの真空遮断ゲートおよ
びロードロック室を介して、前記内部Ｘ線取り出し窓を
ロードロック方式により交換し得るように構成したこと
を特徴とするレーザ励起型Ｘ線の発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261936A JPH0719669B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | レーザ励起型ｘ線の発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261936A JPH0719669B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | レーザ励起型ｘ線の発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02109299A JPH02109299A (ja) | 1990-04-20 |
| JPH0719669B2 true JPH0719669B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17368745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261936A Expired - Lifetime JPH0719669B2 (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | レーザ励起型ｘ線の発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719669B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2543732Y2 (ja) * | 1990-12-14 | 1997-08-13 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線銃 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812700B2 (ja) * | 1977-10-31 | 1983-03-09 | 日本電子株式会社 | 電子線装置 |
| JPS58109900A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-30 | 富士通株式会社 | 放電プラズマｘ線装置用プラズマ物質阻止手段 |
| JPS59163741A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線発生装置 |
| JPS62115121U (ja) * | 1985-12-09 | 1987-07-22 | ||
| JPH0744020B2 (ja) * | 1986-05-13 | 1995-05-15 | 日本電信電話株式会社 | プラズマｘ線源のｘ線取り出し装置 |
| JPS6389962U (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63261936A patent/JPH0719669B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02109299A (ja) | 1990-04-20 |
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