JPH1154274A

JPH1154274A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JPH1154274A
Application number: JP9218169A
Authority: JP
Inventors: Toshio Negishi; 敏夫根岸; Hiroshi Kikuchi; 博菊地
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1997-07-29
Filing date: 1997-07-29
Publication date: 1999-02-26
Anticipated expiration: 2017-07-29
Also published as: JP3886219B2

Abstract

(57)【要約】【課題】微細パターンに適した構造の有機ＥＬ素子を提
供する。【解決手段】透明配線膜６１が形成されたガラス基板
６０表面に、真空蒸着法によって有機レジスト膜６２を
形成し、紫外光による露光と加熱による現像を行い、レ
ジストパターン６３を形成した後、ＥＬ薄膜６５_A、６
５_Bと、金属配線膜６６_A、６６_Bを形成する。レジスト
パターン６３の表面の幅は底面の幅よりも広いので、側
面には金属蒸気は付着せず、金属配線膜６６_A、６６_B間
が分離・絶縁される。有機溶剤やプラズマを用いたレジ
スト膜の現像、除去工程が不要なので、透明配線膜６１
やＥＬ薄膜６５_A、６５_Bが劣化せず、特性のよい有機Ｅ
Ｌ素子３を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子にかか
り、特に、微細パターンに適した構造の有機ＥＬ素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】高輝度の有機ＥＬ(Electro Luminescenc
e)素子を用いた表示装置は、視野角が広く、薄型の表示
装置が得られることから近年注目されており、カラー化
と長寿命化による実用品の制作に向けて精力的な研究が
行われている。

【０００３】一般的な有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に
平行に形成された複数の透明配線膜と、その表面に形成
したＥＬ薄膜と、そのＥＬ薄膜表面に、透明配線膜とは
直交するように形成された金属配線膜とで構成されてお
り、透明配線膜と金属配線膜との間に位置するＥＬ薄膜
が発光するように構成されている。

【０００４】一般的に、透明配線膜はＩＴＯ(In-Tin Ox
ide)薄膜で構成されており、ガラス基板上に全面成膜し
たＩＴＯ薄膜をパターニングし、平行な透明配線膜を形
成する際には、ＩＴＯ薄膜表面に、半導体製造工程で用
いられるレジスト膜を形成し、露光・現像によってパタ
ーニングし、そのレジスト膜をマスクにしてＩＴＯ薄膜
をエッチングしている。

【０００５】しかしながらレジスト膜の現像や除去を行
う際に、有機溶剤やプラズマによる処理が行われている
ため、同様の工程で金属薄膜のパターニングを行おうと
すると、金属配線膜間に露出した有機薄膜や、側面に露
出した透明配線膜が、有機溶剤やプラズマに曝され、劣
化してしまうという問題がある。

【０００６】そこで従来の有機ＥＬ素子では、レジスト
膜を使用しないで済む構造が採用されており、その有機
ＥＬ素子の製造方法を説明すると、先ず、図７(ａ)に示
すように、所定パターンに成形された透明配線膜１６１
を有するガラス基板１６０を用意し、表面処理を行った
後、有機薄膜形成室内に搬入する。

【０００７】有機薄膜形成室内を真空排気し、ガラス基
板１６０を真空雰囲気に置いた状態で透明配線膜１６１
近傍に金属マスク１８１を配置し、有機蒸着源から有機
化合物蒸気を放出させ、透明配線膜１６１表面及びその
間に露出したガラス基板１６０表面に一層目の有機薄膜
１６５₁を形成する(同図(ｂ))。次いで、別の有機蒸着
源から異なる種類の有機化合物蒸気を放出させ、一層目
の有機薄膜１６５₁表面に、二層目の有機薄膜１６５₂を
形成する(同図(ｃ))。

【０００８】そして、大気に曝さない状態で、有機薄膜
形成室から金属薄膜形成室に搬送し、所定パターンが形
成された金属マスク１８２を二層目の有機薄膜１６５₂
表面近傍に配置し、金属蒸着源から放出させた金属蒸気
を付着させ、二層目の有機薄膜１６５₂表面に金属配線
膜１６６₁を形成する(同図(ｄ))。

【０００９】最後に、電極パターンが形成された金属マ
スク１８３を配置し、同様に、金属蒸気を付着させ、透
明配線膜１６１表面に電極用の金属配線膜１６６₂を形
成すると、図６に示すような有機ＥＬ素子が形成され
る。

【００１０】この有機ＥＬ素子では、ガラス基板１６０
表面に形成された透明配線膜１６１と金属配線膜１６６
₂とが、有機薄膜１６５₁、１６５₂を挟んで格子状に配
置されており、図７(ｆ)に示すように、金属配線膜１６
６₂を介して透明配線膜１６１に正電圧を印加し、金属
配線膜１６６₁に負電圧を印加すると、ホール注入層と
ホール輸送層の機能を有する一層目の有機薄膜１６５₁
と、発光層と電子輸送層の機能を有する二層目の有機薄
膜１６５₂との、透明配線膜１６１と金属配線膜１６６₁
とが交差部分が発光し、ＥＬ光１９０が放出される。

【００１１】そのＥＬ光１９０は、透明配線膜１６１と
ガラス基板１６０とを透過し、外部に放射されるので、
電圧を印加する透明配線膜１６１と金属配線膜１６６₁
とを選択すると、所望部分を発光させることができるの
で、有機ＥＬ素子を発光表示装置として用いることが可
能となる。

【００１２】以上説明した有機ＥＬ素子の製造工程で
は、金属配線膜１６６₁、１６６₂は、金属マスク１８
２、１８３によって成膜と同時にパターニングされるの
で、半導体デバイスの製造工程のように、一旦金属薄膜
を全面成膜した後、パターニングしたレジスト膜をマス
クとするエッチングを行わなくて済む。従って、有機溶
剤やプラズマ処理を必要とせず、有機薄膜１６５₁、１
６５₂や透明配線膜１６１が劣化せず、高品質の有機Ｅ
Ｌ素子を得ることが可能となっている。

【００１３】しかしながら近年では、高精細の表示装置
が求められており、そのため、透明配線膜１６１や金属
配線膜１６６₁、１６６₂の微細化が進んでいる。上述の
ような金属マスク１８２、１８３を用いる場合、形成で
きる金属配線膜１６６₁、１６６₂の幅は狭くできない。
そのため、微細化に適した構造の有機ＥＬ素子の開発が
望まれている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、微細パターンに適した有機ＥＬ素子を提供する
ことにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、互いに絶縁された透明配線
膜を複数本有するガラス基板上に、有機薄膜から成るＥ
Ｌ薄膜が形成され、前記ＥＬ薄膜表面に、互いに絶縁さ
れた金属配線膜が複数本形成され、前記透明配線膜と前
記金属配線膜との間に電圧が印加されると、その交差部
分に位置する前記ＥＬ薄膜が発光するように構成された
有機ＥＬ素子であって、真空蒸着法によって形成された
有機電気絶縁膜にガラスマスクを透過した紫外光が照射
されて重合反応が行われた後、加熱によって未反応の有
機電気絶縁膜が蒸発除去され、底部の幅よりも上部の幅
が広い電気絶縁膜パターンが形成され、前記金属配線膜
は、前記電気絶縁膜パターン上とその間の開口部内に形
成され、前記電気絶縁膜パターンが形成する段差によっ
て互いに絶縁されたことを特徴とする。

【００１６】その場合、請求項２記載の発明のように、
前記有機電気絶縁膜は低分子有機材料で構成することが
できる。低分子有機材料には、オリゴマーやモノマーが
含まれる。

【００１７】また、請求項３記載の発明のように、前記
有機電気絶縁膜を低分子量のポリ尿素で構成し、紫外光
を照射して重合させ、前記電気絶縁膜パターンを構成さ
せることができる。

【００１８】上記構成の有機ＥＬ素子によれば、ガラス
基板上に形成された複数の透明配線膜は互いに絶縁され
ており、透明配線膜上、及びガラス基板上に有機薄膜か
ら成るＥＬ薄膜が形成され、ＥＬ薄膜表面に、互いに絶
縁された金属配線膜が複数本形成されている。

【００１９】ＥＬ薄膜が、ホール注入層と、ホール輸送
層と、発光層と、電子輸送層の機能を有している場合、
透明配線膜と金属配線膜との間に電圧を印加すると、そ
の配線の交差部分に位置するＥＬ薄膜を発光させること
ができる。

【００２０】金属配線膜を形成する際には、予め真空蒸
着法によって有機電気絶縁膜を形成し、紫外光を発生さ
せて、所定パターンが形成されたガラスマスクの透過部
を透過させ、有機電気絶縁膜に照射して部分的に重合反
応を進行させており、その後、加熱すると、重合しなか
った部分が蒸発除去され、重合した部分によって、ガラ
スマスクに形成されたパターンを有する電気絶縁膜パタ
ーンを形成する。

【００２１】その際、透過部の中央位置を透過した紫外
光の強度は比較的高く、透過部の周辺位置を透過した紫
外光の強度は、回折や散乱によって比較的低くなるの
で、有機電気絶縁膜の透過部の中央に対応する位置では
深部まで光重合反応が進行し、周辺位置では浅部だけ光
重合反応が行われるため、形成される電気絶縁膜パター
ンは、底部よりも上部が幅が広くなる。

【００２２】従って、電気絶縁膜パターンの側面部分は
陰になるので、蒸着法によって金属蒸気を付着させる場
合、電気絶縁膜パターンの側面部分には金属蒸気が付着
せず、電気絶縁膜パターン上と電気絶縁膜パターン間の
開口部の底面に金属薄膜が形成されるため、電気絶縁膜
パターンの間に形成された金属配線膜同士は分離され、
互いに絶縁される。

【００２３】ところで、低分子量のポリ尿素膜は、室温
では薄膜であるが、真空雰囲気中で加熱すると蒸発す
る。他方、その低分子のポリ尿素膜に紫外光を照射し、
光重合させたポリ尿素膜は、加熱しても蒸発しないの
で、上述のような有機電気絶縁膜は、低分子のポリ尿素
膜で構成し、紫外光で光重合させた部分によって電気絶
縁膜パターンを構成させることができる。

【００２４】なお、低分子のポリ尿素膜は、ＭＤＩ(4,
4'-Diphenylmethane diisocyanate)蒸気とＭＤＡ(4,4'-
Diamino diphenylmethane)蒸気とを真空雰囲気中で個別
に蒸発させ、基板表面で重合させることで得られる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図面を用い
て説明する。図１を参照し、符号１は、本発明の有機Ｅ
Ｌ素子の製造に用いることができる有機ＥＬ素子製造装
置の一例である。この有機ＥＬ素子製造装置１は、表面
処理室１０、レジスト膜形成室２０、ＥＬ層形成室３
０、金属薄膜形成室４０とがこの順に配置されて構成さ
れている。

【００２６】先ず、表面に透明配線膜が複数本形成され
たガラス基板６０を表面処理室１０の真空槽１１内に搬
入する。真空槽１１内の天井側には基板ホルダー１２が
設けられており、底壁側にはプラズマガン１３が設けら
れている。搬入したガラス基板６０は、透明配線膜が設
けられた面をプラズマガン１３側に向け、基板ホルダー
１２に保持させる。

【００２７】真空槽１１内を所定圧力まで真空排気した
後、ガス導入系１６からプラズマガン１３内にアルゴン
ガスを導入し、高周波電圧を印加して電離させ、生成さ
れたアルゴンガスプラズマ１５を真空槽１１内に放出
し、ガラス基板６０表面の透明配線膜に照射し、透明配
線膜の表面改質を行う。

【００２８】その後、大気に曝さない状態でレジスト膜
形成室２０の真空槽２１内に搬入する。その真空槽２１
内の天井側には、露光装置２、基板ホルダー２２、赤外
線ランプ４_A、４_Bが設けられており、底壁側には二台の
有機蒸着源３_A、３_Bが設けられている。基板ホルダー２
２は、露光装置２と有機蒸着源３_A、３_Bの間に配置され
ており、ガラス基板６０を、表面改質が行われた透明配
線膜を有機蒸着源３_A、３_B側に向け、基板ホルダー２２
に保持させる。

【００２９】その状態を図２(ａ)に示す。真空槽２１内
を所定圧力まで真空排気し、有機蒸着源３_A、３_B内に配
置された有機蒸着材料を加熱し、各蒸着源３_A、３_Bから
下記化学式、

【００３０】

【化１】

【００３１】のＭＤＩ(4,4'-Diphenylmethane diisocya
nate)蒸気と、下記化学式、

【００３２】

【化２】

【００３３】のＭＤＡ(4,4'-Diamino diphenylmethane)
蒸気を放出させる。

【００３４】ＭＤＩ蒸気とＭＤＡ蒸気の放出が安定した
ところでシャッタ２４_A、２４_Bを開け、ＭＤＩ蒸気とＭ
ＤＡ蒸気とから成る有機化合物蒸気２５を真空槽２１内
に放出させると、その有機化合物蒸気２５は、透明配線
膜６１表面及び透明配線膜６１間に露出したガラス基板
６０表面に付着する。

【００３５】このとき、ガラス基板６０を所定温度に加
熱しておくと、ガラス基板６０表面及び透明配線膜６１
表面に付着したＭＤＩ分子とＭＤＡ分子が下記の重合反
応、

【００３６】

【化３】

【００３７】を起こし、低分子量のポリ尿素膜から成る
有機電気絶縁膜(以下、レジスト膜と述べる)６２が形成
される。

【００３８】その有機レジスト膜６２を所定膜厚(２μ
ｍ程度)に形成した後、基板ホルダー２２を回転させ、
図２(ｂ)に示すように、ガラス基板６０の有機レジスト
膜６２が設けられた面を露光装置２側に向ける。

【００３９】露光装置２は、筺体２７を有しており、該
筺体２７内には、紫外線ランプ５が配置されている。筺
体２７の、紫外線ランプとガラス基板６０の間に位置す
る部分にはガラス窓２６がはめ込まれており、そのガラ
ス窓２６と紫外線ランプ５との間には、ガラスマスク６
が配置されている。

【００４０】紫外線ランプ５に通電し、波長３０００Å
の紫外光を放射させると、その紫外光２８はガラスマス
ク６に照射される。ガラスマスク６には、遮光性薄膜に
よって構成された遮光部７と、該遮光部７間でガラス表
面が露出された透過部８とが形成されている。

【００４１】遮光部７は、金属配線膜のパターンに対応
したパターンにされており、遮光部７に照射された紫外
光２８は遮蔽され、その部分の紫外光２８はレジスト膜
６２には到達できない。他方、透過部８に照射された紫
外光２８は透過し、ガラス窓２６を通過して有機レジス
ト膜６２に照射される。有機レジスト膜６２のうち、紫
外光２８が照射された部分では、下記の光重合反応が進
行し、低分子量のポリ尿素間が架橋され、高分子化され
る。

【００４２】

【化４】

【００４３】紫外光２８は、透過部８のパターンに従っ
たパターンで有機レジスト膜６２に照射されており、従
って、有機レジスト膜６２内には、高分子化したポリ尿
素分子によって、透過部８のパターンの潜像が形成され
ている。

【００４４】紫外光２８の照射を所定時間(５〜１０分)
行った後、基板ホルダー２２を元の位置に反転させ、有
機レジスト膜６２が設けられた面を有機蒸着源３_A、３_B
側に向ける。その状態では、有機レジスト膜６２は赤外
線ランプ４_A、４_Bに向けられており、赤外線ランプ
４_A、４_Bに通電し、赤外光２９を放射させると、有機レ
ジスト膜６２が加熱される。

【００４５】有機レジスト膜６２が所定温度に加熱され
ると、紫外光２８が照射されなかった部分は解重合を起
こし、蒸発するので、有機レジスト膜６２の現像を行う
ことができる。加熱温度と残膜率の関係を図５を用いて
説明する。

【００４６】図５を参照し、符号Ｌ₁は、上記有機レジ
スト膜６２のうち、紫外光が照射された部分の加熱温度
と残膜率の関係を示すグラフであり、符号Ｌ₂は、紫外
光が照射されなかった部分の温度と残膜率の関係を示し
たグラフである。

【００４７】この図５から分かるように、約３００℃以
上の温度に加熱すると、紫外光２８が照射された部分の
有機レジスト膜６２の残膜率を高く維持しながら、紫外
光２８を照射しなかった部分の残膜率をゼロにできる。
残膜率がゼロの部分では、底面下の透明配線膜６１やガ
ラス基板６０が露出する。

【００４８】このように、紫外光２８によって露光され
た有機レジスト膜６２は、赤外光２９によって現像さ
れ、ガラスマスク６の透過部８のパターンと同じパター
ンで電気絶縁膜パターン(以下、レジストパターンと述
べる)６３が形成される。

【００４９】ところで、上記露光を行う際、紫外光２８
のうち、透過部８の中央位置を透過した部分の強度は高
く、透過部８の外周付近を透過した部分の強度は低くな
る。この場合、図３(ａ)に示すように、強度の高い紫外
光２８は有機レジスト膜６２の深部まで照射され、強度
の低い紫外光２８は、有機レジスト膜６２の浅部にしか
照射されない。

【００５０】従って、有機レジスト膜６２のうち、透過
部８の中央に対応する位置では、深部でも光重合反応が
進行するが、周辺付近に対応する位置では、浅部で光重
合反応は進行するものの、深部では、重合度は低く、未
反応のポリ尿素が残ってしまう。

【００５１】このようなレジスト膜６２を、赤外光２９
によって加熱し、有機レジスト膜６２を解重合させると
重合度の高い部分が残り、図３(ｂ)に示すように、表面
が広く、底面が狭いレジストパターン６３が形成され
る。

【００５２】このように、加熱による解重合を行う場
合、残膜率がゼロにならない程度まで光重合反応を進行
させておくためには、一定量の紫外光２８を必要とする
ことから、紫外光２８の強度、露光時間、解重合の加熱
温度等を調整することで、所望形状のレジストパターン
６３が得られるようになっている。

【００５３】この状態のガラス基板６０表面を図４に示
す。この図４のＩ−Ｉ線断面図が図３(ｂ)に相当する。
透明配線膜６１とレジストパターン６３とは、互いに垂
直方向に延設され、格子状に配置されている。レジスト
パターン６３間に位置する開口部６４底面には、透明配
線膜６１やガラス基板６０が露出している。そのガラス
基板６０を、大気に曝さない状態で、後段のＥＬ層形成
室３０の真空槽３１内に搬入する。

【００５４】真空槽３１内の天井側には基板ホルダー３
２が設けられ、底壁側には複数の有機蒸着源が設けられ
ている。ここでは、複数の有機蒸着源のうち、二個の有
機蒸着源３３_A、３３_Bを示す。

【００５５】真空槽３１内に搬入されたガラス基板６０
を、レジストパターン６３が形成された面を有機蒸着源
３３_A、３３_B側に向け、各有機蒸着源３３_A、３３_B内に
配置された有機薄膜材料を加熱し、シャッタ３４_A、３
４_Bを開閉させ、複数種類の有機化合物蒸気を順番に放
出させると、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電
子輸送層を有する有機多層膜から成るＥＬ薄膜(有機薄
膜)６５_Aが形成される(図３(ｃ))。

【００５６】このとき、レジストパターン６３表面の
他、開口部６４底面に露出する透明配線膜６１やガラス
基板６０表面にも有機化合物蒸気が付着し、ＥＬ薄膜６
５_Bが形成される。

【００５７】レジストパターン６３は、表面側よりも底
面側の幅が狭くなっているので、ガラス基板６０の上方
位置から見た場合、レジストパターン６３側面は隠れた
状態になる。従って、有機蒸着源３３_A、３３_Bからガラ
ス基板６０に向けて放出された有機化合物蒸気はレジス
トパターン６３側面には付着しないので、レジストパタ
ーン６３表面に形成されたＥＬ薄膜６５_Aと、開口部６
４内に形成されたＥＬ薄膜６５_Bとは、レジストパター
ン６３が形成する段差によって分離された状態になる。
このようなＥＬ薄膜６５_A、６５_Bを所定膜厚に形成した
後、大気に曝さない状態で、後段の金属薄膜形成室４０
に設けられた真空槽４１に搬入する。

【００５８】真空槽４１内の天井側には基板ホルダー４
２が設けられ、底壁側にはるつぼ４３が設けられてい
る。真空槽４１内に搬入されたガラス基板６０を、ＥＬ
薄膜６５_A、６５_Bが形成された面をるつぼ４３側に向
け、基板ホルダー４２に保持させる。

【００５９】るつぼ４３内にはリチウム合金が配置され
ており、真空槽４１内を真空排気し、所定圧力に到達し
たところでるつぼ４３を加熱し、シャッタ４４を開ける
と、真空槽４１内にリチウムを含む金属蒸気４５が放出
される。金属蒸気４５が、レジストパターン６３上に形
成されたＥＬ薄膜６５_A表面と、開口部６４底面に形成
されたＥＬ薄膜６５_B表面とに付着すると、金属配線膜
６６_A、６６_Bがそれぞれの位置に形成される。

【００６０】金属蒸気４５を放出させる際には真空槽４
１内が高真空状態にされており、金属蒸気４５は、ガラ
ス基板６０に向かって直線的に飛来する。従って、るつ
ぼ４３側から見た場合、隠れた部分になるレジストパタ
ーン６３側面には金属蒸気４５は付着できないので、レ
ジストパターン６３上のＥＬ薄膜６５_A表面に形成され
た金属配線膜６６_Aと、開口部６４底面上のＥＬ薄膜６
５_B表面に形成された金属配線膜６６_Bとは、レジストパ
ターン６３が形成する段差によって互いに分離され、電
気的に絶縁した状態になる。

【００６１】ガラス基板６０上の透明配線膜６１は、所
定線幅(３００μｍ)に形成され、互いに等間隔(３０μ
ｍ)に平行配置されている。レジストパターン６３も所
定線幅に形成され、透明配線６１とは直交方向に互いに
等間隔で平行配置されている。従って、開口部６４底面
に形成されたＥＬ薄膜６５_Bと、その表面に形成された
金属配線膜６６_Bも一定線幅で、透明配線膜６１と直交
方向に平行配置された有機ＥＬ素子３が構成される(図
３(ｄ))。

【００６２】その金属薄膜６６_Bに負電圧を印加し、透
明配線膜６１に正電圧を印加すると、透明配線膜６１と
交差した部分の金属薄膜６６_BからＥＬ薄膜６５_B内に電
子が注入され、その部分のＥＬ薄膜６５_BからＥＬ光が
放射される。

【００６３】以上は金属配線膜６６_A、６６_Bの形成まで
を説明したが、金属薄膜形成室４０の後段に保護膜形成
室を配置し、金属配線膜６６_A、６６_Bの表面に保護膜を
形成してもよい。

【００６４】上記製造工程では、電気絶縁膜パターン
(レジストパターン)６３を形成した後、ＥＬ薄膜と金属
薄膜とを形成し、レジストパターン６３の有無によって
形成する段差で、ＥＬ薄膜６５_A、６５_B間、及び金属配
線膜６６_A、６６_B間を分離・絶縁させたが、ＥＬ薄膜を
形成した後、レジストパターンと金属配線膜とをこの順
に形成し、金属配線膜間を分離・絶縁させてもよい。

【００６５】

【発明の効果】透明配線膜やＥＬ薄膜が液体やプラズマ
に曝されないので、有機ＥＬ素子の特性が向上する。透
明配線膜の表面処理から金属配線膜の形成まで、真空雰
囲気中で連続して処理できるので、薄膜間の界面状態が
良好であり、特性の優れた有機ＥＬ素子を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の製造に用いられる有機
ＥＬ素子製造装置の一例

【図２】(ａ)〜(ｃ)：レジストパターンの形成方法を説
明するための図

【図３】(ａ)〜(ｄ)：本発明の有機ＥＬ素子の製造工程
の一例を説明するための図

【図４】レジストパターンと透明配線の配置を説明する
ための図

【図５】加熱温度と残膜率の関係を示すグラフ

【図６】従来技術の有機ＥＬ素子を説明するための図

【図７】(ａ)〜(ｆ)：従来技術の有機ＥＬ素子の製造工
程を説明するための図

【符号の説明】

３……有機ＥＬ素子２８……紫外光６０……ガ
ラス基板６１……透明配線膜６２……有機電気
絶縁膜(有機レジスト膜) ６３……電気絶縁膜パター
ン(レジストパターン) ６５_B……ＥＬ薄膜６６_B
……金属配線膜

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０５Ｂ 33/26 Ｈ０５Ｂ 33/26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに絶縁された透明配線膜を複数本有
するガラス基板上に、有機薄膜から成るＥＬ薄膜が形成
され、前記ＥＬ薄膜表面に、互いに絶縁された金属配線
膜が複数本形成され、前記透明配線膜と前記金属配線膜との間に電圧が印加さ
れると、その交差部分に位置する前記ＥＬ薄膜が発光す
るように構成された有機ＥＬ素子であって、真空蒸着法によって形成された有機電気絶縁膜にガラス
マスクを透過した紫外光が照射されて重合反応が行われ
た後、加熱によって未反応の有機電気絶縁膜が蒸発除去
され、底部の幅よりも上部の幅が広い電気絶縁膜パター
ンが形成され、前記金属配線膜は、前記電気絶縁膜パターン上とその間
の開口部内に形成され、前記電気絶縁膜パターンが形成
する段差によって互いに絶縁されたことを特徴とする有
機ＥＬ素子。
【請求項２】前記有機電気絶縁膜は低分子有機材料で
構成されたことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素
子。
【請求項３】前記有機電気絶縁膜は低分子量のポリ尿
素で構成され、前記電気絶縁膜パターンは、前記低分子量のポリ尿素が
前記紫外光によって重合されたポリ尿素膜で構成された
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。